CN112122797A - 激光加工熔渣去除方法、系统、计算机设备及可读存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种激光加工熔渣去除方法、系统、计算机设备及可读存储介质。所述激光加工熔渣去除方法包括：首先将基板的待加工区域的背面涂覆涂层，形成背面涂层。其次，形成所述背面涂层后，将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工。最后，所述待加工孔激光加工完成后，将所述背面涂层进行清理去除。本申请采用上述方式，可在涂层去除的过程中，激光加工产生的熔渣会随着涂层去除而去除，保证了激光加工时孔的原始形貌，进而提高加工质量。
Description
技术领域
本申请涉及激光加工技术领域，特别是涉及激光加工熔渣去除方法、系统、计算机设备及可读存储介质。
背景技术
激光加工是利用高能量激光束经过透镜聚焦后，在焦点上达到极高的能量密度作用在加工材料上，靠光热效应使待加工材料处于高温并发生气化进而达到切割或打孔的加工方法。激光加工时，在焦点处的材料达到上万度的高温，在如此高的温度下，材料被瞬间熔化或气化蒸发。激光加工方法以其加工速度快、生产效率高、精度高、材料加工范围广泛、经济效益好等优点，得到精细微加工行业的广泛应用。
目前针对硬脆材料的打孔主要采用激光加工。例如加工氧化铝材料，为保证一定的加工效率，主要选择CO2或Nd：YAG激光进行加工。因氧化铝的导热性较差，在这种具有热效应明显的激光下，随着激光光束在氧化铝上的照射，氧化铝容易由固态转变为液态，液态氧化铝(即熔渣)在孔内和线槽内流动。当激光光束照射结束后，液态的氧化铝又瞬间转变成固态，堵塞孔内部或者线槽内部。当后续去除熔渣(即固态氧化铝)时，熔渣将会对孔或者线槽造成缺陷。
发明内容
基于此，有必要针对现有激光加工氧化铝陶瓷基板时，因产生的熔渣容易堵塞孔内部或者线槽内部，后续去除熔渣时对孔或者线槽造成缺陷的问题，提供一种激光加工熔渣去除方法、系统、计算机设备及可读存储介质。
一种激光加工熔渣去除方法，包括：
将基板的待加工区域的背面涂覆涂层，形成背面涂层；
形成所述背面涂层后，将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工；
所述待加工孔激光加工完成后，将所述背面涂层进行清理去除。
在其中一个实施例中，所述背面涂层的厚度为0.001-2mm。
在其中一个实施例中，所述涂层包括粉末涂料、液态涂料和固液混合涂料中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述固液混合涂料包括液态涂料和无机粉体颗粒，所述无机粉体颗粒的直径为0.1μm-10μm。
在其中一个实施例中，所述形成所述背面涂层后，将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工的步骤包括：
形成所述背面涂层后，将所述待加工区域中的所述待加工孔进行激光加工；
将所述待加工孔切透之后，同步对与所述待加工孔位置对应的所述背面涂层进行激光加工。
在其中一个实施例中，所述将所述待加工孔切透之后，同步对与所述待加工孔位置对应的所述背面涂层进行激光加工的步骤包括：
将所述待加工孔切透之后，同步对与所述待加工孔位置对应的所述背面涂层进行激光加工，并切至所述背面涂层内或将所述背面涂层切透。
在其中一个实施例中，所述将基板的待加工区域的背面涂覆涂层，形成背面涂层的步骤包括：
通过刷涂、浸涂、喷涂、电泳涂装或干压成型的方式将所述基板的所述待加工区域的背面涂覆所述涂层；
待所述待加工区域背面的所述涂层固化后，形成所述背面涂层。
在其中一个实施例中，所述待加工孔激光加工完成后，将所述背面涂层进行清理去除的步骤包括：
所述待加工孔激光加工完成后，通过刮除、剥除、溶剂溶解、加热或受冷的方式将所述背面涂层清理去除。
一种激光加工熔渣去除系统，包括：
涂覆装置，用于将基板的待加工区域的背面涂覆涂层，形成背面涂层；
激光加工装置，用于将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工；
涂层清除装置，用于将所述背面涂层进行清理去除；以及
控制装置，分别与所述涂覆装置、所述激光加工装置和所述涂层清除装置电连接，用于执行上述实施例中任一项所述的激光加工熔渣去除方法的步骤。
一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述实施例中任一项所述方法的步骤。
一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现上述实施例中任一项所述的方法的步骤。
与现有技术相比，上述激光加工熔渣去除方法、系统、计算机设备及可读存储介质，首先将基板的待加工区域的背面涂覆涂层，形成背面涂层。其次，形成所述背面涂层后，将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工。最后，所述待加工孔激光加工完成后，将所述背面涂层进行清理去除。从而在涂层去除的过程中，激光加工产生的熔渣会随着涂层去除而去除，保证了激光加工时孔的原始形貌，进而提高加工质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的激光加工熔渣去除方法的流程图；
图2为本申请一实施例提供的基板和涂层的示意图；
图3为本申请一实施例提供的激光加工熔渣去除系统的结构框图；
图4为本申请一实施例提供的激光加工熔渣去除系统的加工示意图；
图5为本申请一实施例提供的计算机设备的内部结构图。
附图标记说明：
10、激光加工熔渣去除系统；100、涂覆装置；101、基板；102、涂层；103、第一表面；104、第二表面；200、激光加工装置；300、涂层清除装置；400、控制装置。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。
本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参见图1，本申请一实施例提供一种激光加工熔渣去除方法。在一个实施例中，该所述激光加工熔渣去除方法可应用于具有可熔融特性的基板加工。例如，氧化铝陶瓷基板、塑料基板等。所述激光加工熔渣去除方法包括：
S102：将基板的待加工区域的背面涂覆涂层，形成背面涂层。
在一个实施例中，在进行激光加工之前，可在所述基板的所述待加工区域的背面涂覆所述涂层，以形成所述背面涂层。具体的，可通过刷涂、浸涂、喷涂、电泳涂装或干压成型的方式将所述基板的所述待加工区域的背面涂覆所述涂层。待所述待加工区域背面涂覆的所述涂层固化后，形成所述背面涂层。在一个实施例中，所述基板的所述待加工区域的背面是指：所述基板中与所述待加工区域所在的表面相对的一侧表面即为所述待加工区域的背面。
例如，如图2所示，所述基板101具有第一表面103和第二表面104。所述第二表面104和所述第一表面103相对设置。若所述第一表面103为所述待加工区域所在的表面，则所述第二表面104即为所述待加工区域的背面。在一个实施例中，所述基板101的厚度可为0.05mm-2.0mm。
在一个实施例中，所述待加工区域可为所述基板101的所述第一表面103整体区域，此时可将所述第二表面104的整体区域均涂覆所述涂层102。在一个实施例中，所述待加工区域也可为所述第一表面103的部分区域，此时可将所述第二表面104中与所述第一表面103的部分区域对应的区域涂覆所述涂层102。也可将所述第二表面104的整体区域均涂覆所述涂层102。如此即可保证所述第二表面104中与所述待加工区域对应的区域均涂覆有所述涂层102，从而可保证后续去除熔渣时，保证了激光加工时孔的原始形貌。
在一个实施例中，所述涂层102包括粉末涂料、液态涂料和固液混合涂料中的一种或多种。其中，所述液态涂料包括但不限于溶剂型涂料、水溶性涂料、水乳型涂料。在一个实施例中，所述固液混合涂料包括但不限于在液态涂料中添加固态粉体颗粒。其中，所述固态粉体颗粒可包括氧化铝粉、二氧化硅粉、氧化锆粉、石灰粉以及氮化铝粉等无机粉体颗粒。在一个实施例中，所述无机粉体颗粒的直径可为0.1μm-10μm。采用上述涂料构成的所述涂层102，可保证后续去除熔渣时，保证了激光加工时孔的原始形貌。
S104：形成所述背面涂层后，将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工。
在一个实施例中，形成所述背面涂层后，可通过激光加工装置对所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工。在一个实施例中，所述激光加工装置的具体结构不限制，只要具有激光加工功能即可。在一个实施中，所述激光加工装置可包括激光器、传输光纤、准直镜头、振镜和切割头。在进行激光加工时，激光器发射的激光通过传输光纤射入准直镜头，再进入振镜后经振镜照射进入切割头中进行聚焦焦点并照射在所述基板101中所述待加工区域中的待加工孔上，从而实现对所述待加工孔的激光加工。
在一个实施例中，通过所述激光加工装置对所述待加工区域中的所述待加工孔进行激光加工时，可同时对所述基板101和所述背面涂层进行激光加工。在激光加工时，需要将所述基板101切透，以形成孔结构。将所述基板101切透后，可进一步加工所述背面涂层。需要注意，在加工所述背面涂层时，可将所述背面涂层切透，也可切入所述背面涂层内。从而可使得加工所述基板101时产生的熔渣转移至所述背面涂层上，有效保证后续去除熔渣时，避免了熔渣影响孔的原始形貌，提高加工质量。
S106：所述待加工孔激光加工完成后，将所述背面涂层进行清理去除。
在一个实施例中，所述待加工孔激光加工完成后，待激光加工产生的熔渣冷却后，可通过刮除、剥除、溶剂溶解、加热或受冷的方式将所述背面涂层清理去除。在一个实施例中，当熔渣冷却后，可将所述背面涂层去除。所述背面涂层去除的同时，可将加工产生的熔渣一并去除，从而保证了激光加工时孔的原始形貌，提高加工质量。即去除所述背面涂层的同时，可将激光加工时转移至所述背面涂层上的熔渣一并去除，避免了熔渣影响孔的原始形貌，提高加工质量。
本实施例中，首先将所述基板101的待加工区域的背面涂覆涂层102，形成背面涂层。其次，形成所述背面涂层后，将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工。最后，所述待加工孔激光加工完成后，将所述背面涂层进行清理去除。从而在涂层去除的过程中，激光加工产生的熔渣会随着涂层去除而去除，保证了激光加工时孔的原始形貌，进而提高加工质量。
在一个实施例中，所述背面涂层的厚度为0.001-2mm。即在所述基板101的所述待加工区域的背面涂覆所述涂层102的厚度为0.001-2mm。如此可保证在进行激光加工时，能够将所述背面涂层切透，从而提高去除熔渣的效率。
在一个实施例中，所述形成所述背面涂层后，将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工的步骤包括：形成所述背面涂层后，将所述待加工区域中的所述待加工孔进行激光加工。将所述待加工孔切透之后，同步对与所述待加工孔位置对应的所述背面涂层进行激光加工。
在一个实施例中，形成所述背面涂层后，可通过所述激光加工装置对所述待加工区域中的所述待加工孔进行激光加工时，可同时对所述基板101和所述背面涂层进行激光加工。在激光加工时，需要将所述基板101切透，以形成孔结构。将所述基板101切透后，可进一步加工所述背面涂层。需要注意，在加工所述背面涂层时，可将所述背面涂层切透，也可切入所述背面涂层内。
即将所述背面涂层切透或切入所述背面涂层内，可使得激光加工时产生的熔渣能够流动至所述背面涂层内部或者所述背面涂层的非激光照射面，从而可避免熔渣堵塞在所述基板101的背面。并且当去除所述背面涂层时，激光加工产生的熔渣会随着所述背面涂层的去除而去除，而保证了激光加工时孔的原始形貌，提高加工质量。
在一个实施例中，若所述基板101为氧化铝基板，且该氧化铝基板的厚度为1.0mm。所述涂层102选择有机硅涂料，并在涂料中添加直径为0.002mm的氧化铝微球。将氧化铝微球和有机硅涂料搅拌均匀后，得到一种固液混合涂料。将该固液混合涂料以浸涂的方式，均匀的涂覆在氧化铝基板的背面。其中，涂层的厚度为0.2mm。待氧化铝基板背面的固液混合涂料加热固化后，可得到一种陶瓷复合材料(即氧化铝基板和固液混合涂料构成)。
然后将该陶瓷复合材料移动到激光加工装置中的激光器下，通过激光对该陶瓷复合材料进行加工。此时可控制该陶瓷复合材料的加工深度为同时切透氧化铝基板和固液混合涂料。如此可在固液混合涂料的非激光照射面产生一层熔渣。当陶瓷复合材料加工完成并冷却后，可采用剥除的方式将固液混合涂料以及上面的熔渣去除，从而可得到加工后的氧化铝基板。采用上述方式可使得在在涂层去除的过程中，激光加工氧化铝基板产生的熔渣会随着涂层去除而去除，保证了激光加工时孔的原始形貌，提高加工质量。
请参见图3和图4，本申请另一实施例提供一种激光加工熔渣去除系统10。所述激光加工熔渣去除系统10包括：涂覆装置100、激光加工装置200、涂层清除装置300以及控制装置400。所述涂覆装置100用于将基板101的待加工区域的背面涂覆涂层102，形成背面涂层。所述激光加工装置200用于将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工。所述涂层清除装置300用于将所述背面涂层进行清理去除。所述控制装置400分别与所述涂覆装置100、所述激光加工装置200和所述涂层清除装置300电连接。所述控制装置400用于执行上述实施例中任一项所述的激光加工熔渣去除方法步骤。
在一个实施例中，所述涂覆装置100的具体结构不限制，只要保证能够将所述基板101的待加工区域的背面涂覆所述涂层102，以形成所述背面涂层即可。例如，所述涂覆装置100可采用传统的涂覆机。
可以理解，所述激光加工装置200的具体结构不限制，只要具有激光加工功能即可。在一个实施中，所述激光加工装置200可包括激光器、传输光纤、准直镜头、振镜和切割头。在进行激光加工时，激光器发射的激光通过传输光纤射入准直镜头，再进入振镜后经振镜照射进入切割头中进行聚焦焦点并照射在所述基板101中所述待加工区域中的待加工孔上，从而实现对所述待加工孔的激光加工。
在一个实施例中，所述涂层清除装置300的具体结构不限制，只要具有将所述背面涂层进行清理去除的功能即可。例如，所述涂层清除装置300可采用传统的具有基板涂层清除功能的装置。在一个实施例中，所述控制装置400可以为上位机。
在一个实施例中，所述控制装置400与所述涂覆装置100电连接的方式不限，只要保证所述控制装置400能够通过所述涂覆装置100将基板101的待加工区域的背面涂覆涂层102，形成背面涂层的功能即可。在一个实施例中，所述控制装置400可通过导线与所述涂覆装置100电连接。具体的，该导线的材质可以采用铜或铝。
同样的，所述控制装置400与所述激光加工装置200电连接的方式不限，只要保证所述控制装置400能够通过所述激光加工装置200将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工的功能即可。在一个实施例中，所述控制装置400可通过导线与所述激光加工装置200电连接。具体的，该导线的材质可以采用铜或铝。
同样的，所述控制装置400与所述涂层清除装置300电连接的方式不限，只要保证所述控制装置400能够通过所述涂层清除装置300将所述背面涂层进行清理去除的功能即可。在一个实施例中，所述控制装置400可通过导线与所述涂层清除装置300电连接。具体的，该导线的材质可以采用铜或铝。
在一个实施例中，所述控制装置400在执行上述实施例中任一项所述的激光加工熔渣去除方法的步骤时：可首先通过所述涂覆装置100将所述基板101的所述待加工区域的背面涂覆所述涂层102，形成背面涂层。然后在形成所述背面涂层后，可通过所述激光加工装置200将所述待加工区域中的所述待加工孔进行激光加工。当所述激光加工装置200将所述待加工孔激光加工完成后，所述控制装置400可通过所述涂层清除装置300将所述背面涂层进行清理去除。如此可保证所述激光加工熔渣去除系统10在工作时，能够将激光加工产生的熔渣会随着所述涂层101去除而去除，保证了激光加工时孔的原始形貌，从而提高加工质量。
本实施例所述的激光加工熔渣去除系统10，通过所述控制装置400执行上述实施例中任一项所述的激光加工熔渣去除方法的步骤，并与所述涂覆装置100、所述激光加工装置200以及所述涂层清除装置300配合，可实现在涂层去除的过程中，将激光加工产生的熔渣会随着所述涂层101去除而去除，保证了激光加工时孔的原始形貌，从而提高加工质量。
在一个实施例中，所述激光加工熔渣去除系统10还可包括气嘴。所述气嘴与所述激光加工装置200输出的激光光束同轴设置。在一个实施例中，将所述气嘴与所述激光加工装置200输出的光束同轴设置，可保证所述激光光束在对所述基板101进行加工时，通过所述气嘴配合，可及时将激光加工产生的熔渣去除，提高加工效率。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图5所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种激光加工熔渣去除方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
本领域技术人员可以理解，图5中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
请参见图5，本申请另一实施例提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述实施例中任一项所述的激光加工熔渣去除方法的步骤。
在一个实施例中，所述处理器执行计算机程序时实现以下步骤：
S102：将基板的待加工区域的背面涂覆涂层，形成背面涂层；
S104：形成所述背面涂层后，将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工；
S106：所述待加工孔激光加工完成后，将所述背面涂层进行清理去除。
本申请一实施例还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述实施例中任一项所述的激光加工熔渣去除方法的步骤。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
S102：将基板的待加工区域的背面涂覆涂层，形成背面涂层；
S104：形成所述背面涂层后，将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工；
S106：所述待加工孔激光加工完成后，将所述背面涂层进行清理去除。
上述计算机设备和计算机可读存储介质，通过将所述基板101的待加工区域的背面涂覆涂层102，形成背面涂层。形成所述背面涂层后，将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工。所述待加工孔激光加工完成后，将所述背面涂层进行清理去除。从而在涂层去除的过程中，激光加工产生的熔渣会随着涂层去除而去除，保证了激光加工时孔的原始形貌，进而提高加工质量。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。
综上所述，本申请首先将所述基板101的待加工区域的背面涂覆涂层102，形成背面涂层。其次，形成所述背面涂层后，将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工。最后，所述待加工孔激光加工完成后，将所述背面涂层进行清理去除。从而在涂层去除的过程中，激光加工产生的熔渣会随着涂层去除而去除，保证了激光加工时孔的原始形貌，进而提高加工质量。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (11)
1.一种激光加工熔渣去除方法，其特征在于，包括：
将基板的待加工区域的背面涂覆涂层，形成背面涂层；
形成所述背面涂层后，将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工；
所述待加工孔激光加工完成后，将所述背面涂层进行清理去除。
2.如权利要求1所述的激光加工熔渣去除方法，其特征在于，所述背面涂层的厚度为0.001-2mm。
3.如权利要求1所述的激光加工熔渣去除方法，其特征在于，所述涂层包括粉末涂料、液态涂料和固液混合涂料中的一种或多种。
4.如权利要求3所述的激光加工熔渣去除方法，其特征在于，所述固液混合涂料包括液态涂料和无机粉体颗粒，所述无机粉体颗粒的直径为0.1μm-10μm。
5.如权利要求1所述的激光加工熔渣去除方法，其特征在于，所述形成所述背面涂层后，将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工的步骤包括：
形成所述背面涂层后，将所述待加工区域中的所述待加工孔进行激光加工；
将所述待加工孔切透之后，同步对与所述待加工孔位置对应的所述背面涂层进行激光加工。
6.如权利要求5所述的激光加工熔渣去除方法，其特征在于，所述将所述待加工孔切透之后，同步对与所述待加工孔位置对应的所述背面涂层进行激光加工的步骤包括：
将所述待加工孔切透之后，同步对与所述待加工孔位置对应的所述背面涂层进行激光加工，并切至所述背面涂层内或将所述背面涂层切透。
7.如权利要求1所述的激光加工熔渣去除方法，其特征在于，所述将基板的待加工区域的背面涂覆涂层，形成背面涂层的步骤包括：
通过刷涂、浸涂、喷涂、电泳涂装或干压成型的方式将所述基板的所述待加工区域的背面涂覆所述涂层；
待所述待加工区域背面的所述涂层固化后，形成所述背面涂层。
8.如权利要求1所述的激光加工熔渣去除方法，其特征在于，所述待加工孔激光加工完成后，将所述背面涂层进行清理去除的步骤包括：
所述待加工孔激光加工完成后，通过刮除、剥除、溶剂溶解、加热或受冷的方式将所述背面涂层清理去除。
9.一种激光加工熔渣去除系统，其特征在于，包括：
涂覆装置(100)，用于将基板(101)的待加工区域的背面涂覆涂层(102)，形成背面涂层；
激光加工装置(200)，用于将所述待加工区域中的待加工孔进行激光加工；
涂层清除装置(300)，用于将所述背面涂层进行清理去除；以及
控制装置(400)，分别与所述涂覆装置(100)、所述激光加工装置(200)和所述涂层清除装置(300)电连接，用于执行如权利要求1-8中任一项所述的激光加工熔渣去除方法的步骤。
10.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至8中任一项所述方法的步骤。
11.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至8中任一项所述的方法的步骤。
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