CN103971868A - 一种新型薄膜电阻 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种新型薄膜电阻，包括散热金属底座层、设置于散热金属底座层上的绝缘基板层，绝缘基板层的上表面形成有一弧形槽，弧形槽内设有电阻膜层并且电阻膜层的顶面为平面，电阻膜层的顶面边缘及两侧形成有一对电极，电极包括：顶部电极和引出电极，顶部电极的上表面及裸露的电阻膜层上表面均覆盖有绝缘保护层。有益之处在于：本发明的薄膜电阻在绝缘基板层下方设置了散热金属底座层，大大优化了电阻的散热性能，使得薄膜电阻的热稳定性更好，即电阻的电学特性随温度变化不明显；此外，绝缘基板层的上表面形成一个弧形槽，将电阻膜层蒸镀于弧形槽内，在不增加电阻体积的基础上提高了电阻的耐受功率，优化了产品的性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种电阻，具体涉及一种具有良好的热稳定性的薄膜电阻，属于电子元器件领域。
背景技术
薄膜电阻具有比表面积大、能承受大功率等众多优点，随着新兴电子产业的发展，薄膜电阻的需求缺口越来越大，而且对质量和性能的要求也越来越高，由于薄膜电阻在使用时不可避免地产生热量，而热量的堆积对于电阻的性能、寿命都有很大的影响，所以，迫切需要一种散热性好、热稳定性优的薄膜电阻，以满足高端市场的需求。
发明内容
为解决现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种散热性能佳、热稳定性好的薄膜电阻。
为了实现上述目标，本发明采用如下的技术方案：
一种新型薄膜电阻，包括散热金属底座层、设置于散热金属底座层上的绝缘基板层，所述绝缘基板层的上表面形成有一弧形槽，所述弧形槽内设有电阻膜层并且电阻膜层的顶面为平面，所述电阻膜层的顶面边缘及两侧形成有一对电极，所述电极包括：顶部电极和引出电极，所述顶部电极的上表面及裸露的电阻膜层上表面均覆盖有绝缘保护层。
前述散热金属底座层由铜或铝制成，所述绝缘基板层由陶瓷制成。
前述电阻膜层由氮化钽或镍铬合金蒸镀至绝缘基板层表面。
前述电极的材料为钽或镍或铜。
前述绝缘保护层为二氧化硅。
前述电阻膜层最厚处的厚度不超过最薄处的厚度的两倍。
前述电阻膜层最薄处的厚度为5-10微米。
前述弧形槽的深度大于绝缘基板层厚度的一半。
前述散热金属底座层的长度大于绝缘基板层的长度。
本发明的有益之处在于：本发明的薄膜电阻在绝缘基板层下方设置了散热金属底座层，大大优化了电阻的散热性能，使得薄膜电阻的热稳定性更好，即电阻的电学特性随温度变化不明显；此外，绝缘基板层的上表面形成一个弧形槽，将电阻膜层蒸镀于弧形槽内，在不增加电阻体积的基础上提高了电阻的耐受功率，优化了产品的性能。
附图说明
图1是本发明的一种新型薄膜电阻的结构示意图。
图中附图标记的含义：1、散热金属底座层，2、绝缘基板层，21、弧形槽，3、电阻膜层，4、电极，41、顶部电极，42、引出电极，5、绝缘保护层。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明作具体的介绍。
参见图1，本发明的一种新型薄膜电阻，包括散热金属底座层1、设置于散热金属底座层1上的绝缘基板层2，散热金属底座层1的长度大于绝缘基板层2的长度，优选地，散热金属底座层1由铜或铝制成，绝缘基板层2由陶瓷制成。本发明的一大创新之处在于绝缘基板层2的上表面形成有一弧形槽21，电阻膜层3蒸镀于弧形槽21内并且其顶面为平面，也就是说，电阻膜层3的底面为弧形面，顶面为平面。这样一来，在不增加电阻本身体积的前提下，相比于传统结构的薄膜电阻，所能耐受的最大功率提高了近50%，优选的电阻膜层3材料为氮化钽或镍铬合金。
同时，在电阻膜层3的顶面边缘及两侧形成有一对电极4，电极4也可以是采用蒸镀的方法制成的，优选的电极4材料为钽或镍或铜，具体包括：顶部电极41和引出电极42。最后，在顶部电极41的上表面及裸露的电阻膜层3上表面均覆盖有绝缘保护层5，优选的保护层材料为二氧化硅。
作为一种优选，电阻膜层3最厚处的厚度H1不超过最薄处的厚度H2的两倍，而且最薄处的厚度为5-10微米。进一步地，弧形槽21的深度D1大于绝缘基板层2厚度D2的一半。
本实施例的新型薄膜电阻，结构新颖，对各层材料进行选择和合理配制，同时优化了电阻膜层3、绝缘基板层2的结构和厚度，使得电阻的散热性能卓越，随着使用时间的增加，电阻的阻值波动幅度很小，即电阻的热稳定性很好。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，上述实施例不以任何形式限制本发明，凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本发明的保护范围内。
Claims (9)
1.一种新型薄膜电阻，其特征在于：包括散热金属底座层、设置于散热金属底座层上的绝缘基板层，所述绝缘基板层的上表面形成有一弧形槽，所述弧形槽内设有电阻膜层并且电阻膜层的顶面为平面，所述电阻膜层的顶面边缘及两侧形成有一对电极，所述电极包括：顶部电极和引出电极，所述顶部电极的上表面及裸露的电阻膜层上表面均覆盖有绝缘保护层。
2.根据权利要求1所述的一种新型薄膜电阻，其特征在于：所述散热金属底座层由铜或铝制成，所述绝缘基板层由陶瓷制成。
3.根据权利要求2所述的一种新型薄膜电阻，其特征在于：所述电阻膜层由氮化钽或镍铬合金蒸镀至绝缘基板层表面。
4.根据权利要求2所述的一种新型薄膜电阻，其特征在于：所述电极的材料为钽或镍或铜。
5.根据权利要求1所述的一种新型薄膜电阻，其特征在于：所述绝缘保护层为二氧化硅。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种新型薄膜电阻，其特征在于：所述电阻膜层最厚处的厚度不超过最薄处的厚度的两倍。
7.根据权利要求6所述的一种新型薄膜电阻，其特征在于：所述电阻膜层最薄处的厚度为5-10微米。
8.根据权利要求6所述的一种新型薄膜电阻，其特征在于：所述弧形槽的深度大于绝缘基板层厚度的一半。
9.根据权利要求6所述的一种新型薄膜电阻，其特征在于：所述散热金属底座层的长度大于绝缘基板层的长度。
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