CN103959379A - Hdd用玻璃基板的制造方法、hdd用玻璃基板、hdd用磁记录介质以及hdd用玻璃基板的制造方法中所使用的清洗支架 - Google Patents

Hdd用玻璃基板的制造方法、hdd用玻璃基板、hdd用磁记录介质以及hdd用玻璃基板的制造方法中所使用的清洗支架 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种HDD用玻璃基板的制造方法，在清洗工序中，保持着玻璃基板稳定地支撑于清洗支架的状态增大清洗槽内的清洗液的置换率。HDD用玻璃基板的制造方法包括：清洗工序，将玻璃基板收容于清洗支架(20)，并将清洗支架(20)放入清洗槽，使清洗液在清洗槽内流动，以便清洗玻璃基板，其中，在清洗工序中，利用具有在收容于清洗支架(20)的玻璃基板的侧方相对置的一对侧壁(24)的清洗支架(20)，在清洗支架(20)的侧壁(24)形成有开口，清洗液在清洗槽内沿着通过清洗支架(20)的侧壁(24)的方向流动，使通过清洗槽的清洗液的流量为20～70L/分钟。

Description

HDD用玻璃基板的制造方法、HDD用玻璃基板、HDD用磁记录介质以及HDD用玻璃基板的制造方法中所使用的清洗支架
技术领域
本发明涉及一种HDD用玻璃基板的制造方法、HDD用玻璃基板、HDD用磁记录介质以及HDD用玻璃基板的制造方法中所使用的清洗支架。 
背景技术
近年来，伴随着在HDD(hard disk drive：硬盘驱动器)用磁记录介质中存储的信息的高密度化，磁头的悬浮高度日益减小，即使是数百nm的附着物也会引起头碰撞(head crash)或热粗糙(thermal asperity)。尤其在搭载了DFH(dynamic flying height：动态飞行高度)机构的磁头的情况下，磁头的悬浮高度微小至数nm，从而强烈要求HDD用磁记录介质的清洁性。此外，伴随着记录区域的扩大，记录区域将扩展到记录介质的最外周部。因此，要求直至记录介质的最外周部为止的高清洁性。 
用于HDD用磁记录介质的基板的HDD用玻璃基板，在其制造过程中，在检查工序之前被用清洗液清洗。在该清洗工序中，玻璃基板例如在收容于称为清洗支架的专用容器内的状态下被放入清洗槽，在清洗槽内用清洗液冲洗。 
如专利文献1的记载所述，清洗支架的结构为：多个支撑用杆以指定的间隔相互平行地架设在一对对置壁之间。在各支撑用杆的周面，沿着周方向形成有凹槽。玻璃基板的两侧端部和下端部被3根支撑用杆支撑而被嵌入凹槽，以竖立的状态收容于清洗支架。清洗后，玻璃基板保持着收容于清洗支架的状态被加以干燥。 
先行技术文献 
专利文献 
专利文献1：日本专利公开公报特开2009-87472号 
发明内容
在清洗工序中，清洗槽内的清洗液的置换率越大清洗性越好。为此，增大提供给清洗槽、并从清洗槽排出的清洗液的流量。但是，如果增大通过清洗槽的清洗液的流量，则清 洗槽内的清洗液的流速加快，存在收容于清洗支架中的玻璃基板抖动而导致玻璃基板发生破裂、缺损，或者玻璃基板的支撑脱离，玻璃基板从清洗支架上落下的问题。 
因此，本发明的目的在于提供一种能够保持着玻璃基板稳定地支撑于清洗支架的状态增大清洗槽内的清洗液的置换率的HDD用玻璃基板的制造方法、利用该制造方法制得的HDD用玻璃基板、使用了该HDD用玻璃基板的HDD用磁记录介质、以及HDD用玻璃基板的制造方法中所使用的清洗支架。 
即，本发明的一个方面涉及HDD用玻璃基板的制造方法，该HDD用玻璃基板的制造方法包括清洗工序，将玻璃基板收容于清洗支架，并将清洗支架放入清洗槽，使清洗液在清洗槽内流动以清洗玻璃基板，在清洗工序中，利用具有在收容于清洗支架的玻璃基板的侧方相对置的一对侧壁的清洗支架，在清洗支架的侧壁形成有开口，清洗液在清洗槽内沿着通过清洗支架的侧壁的方向流动，使通过清洗槽的清洗液的流量为20～70L/分钟。 
本发明的另一个方面涉及利用上述的HDD用玻璃基板的制造方法制得的HDD用玻璃基板。 
本发明的另外一个方面涉及在上述的HDD用玻璃基板的主表面上形成记录层而制得的HDD用磁记录介质。 
本发明的另外一个方面涉及在HDD用玻璃基板的制造方法中所使用的清洗支架，该HDD用玻璃基板的制造方法包括清洗工序，将玻璃基板收容于清洗支架，并将清洗支架放入清洗槽，使清洗液在清洗槽内流动以便清洗玻璃基板，清洗支架具有在收容于清洗支架的玻璃基板的侧方相对置的一对侧壁，在侧壁形成有开口，开口在两侧壁对称形成，开口相对于侧壁的开口率为30～90％。 
上述的内容以及其他的本发明的目的、特征及优点从以下详细的记载和附图中，将显而易见。 
附图说明
图1是本发明的实施方式所涉及的HDD用玻璃基板的立体图。 
图2是本发明的实施方式所涉及的HDD用玻璃基板的制造工序图。 
图3是表示二次抛光工序中所使用的双面抛光机的主要部结构的概略侧视图。 
图4是最终清洗工序中所使用的清洗支架的俯视图。 
图5是上述清洗支架的主视图。 
图6是上述清洗支架的侧视图。 
图7是表示在最终清洗工序中清洗动作的一例的说明图。 
具体实施方式
下面，参照附图来说明本发明的实施方式。但本发明并不限定于该实施方式。 
本发明人注目于以往清洗支架的左右开放而没有侧壁，因此，存在收容于清洗支架中的玻璃基板直接承受来自侧方的清洗液的液流而受到冲击的不良情况。为了避免出现这种不良情况，考虑到在清洗支架上设置侧壁。但是，如果设置侧壁，清洗液的液流流不到玻璃基板，发生清洗不良。于是，发明人构思在清洗支架上设置侧壁并且在该侧壁形成开口的技术方案，从而完成了本发明。 
另外，本实施方式在玻璃基板的清洗工序等中，当提到上、下、左、右、前、后、横等方向时，只要没有特别预先说明，就是指相对于以玻璃基板的主表面与重力方向平行的方式将所述玻璃基板竖立时的所述主表面而言的方向。 
＜HDD用玻璃基板的制造方法＞ 
参照图1所示的玻璃基板50和图2所示的制造工序图来说明HDD用玻璃基板的制造方法。 
在本实施方式中，HDD用玻璃基板50经过圆盘加工工序、研磨(lapping)工序、一次抛光(polishing)(粗抛光)工序、二次抛光(精密抛光)工序、化学强化工序、最终清洗工序、检查工序等而被制成。 
玻璃基板50所使用的玻璃原材料由以二氧化硅(SiO2)为主成分的玻璃组合物构成。玻璃组合物可以包含镁、钙及/或铈，也可以不包含。具有代表性的玻璃组合物例如包含SiO2、Al2O3、B2O3、Li2O、Na2O、K2O、MgO、CaO、BaO、SrO、ZnO等。 
[圆盘加工工序] 
在圆盘加工工序中、通过使熔融的玻璃原材料流入模具并进行冲压成形来制作圆盘状的玻璃基板(将其称为坯料)。此时的玻璃基板的大小例如外径为2.5英寸、1.8英寸、1英寸、0.8英寸等、板厚为2mm、1mm、0.8mm、0.63mm等。在所得到的玻璃基板的中心部用例如金刚石芯钻等形成圆孔，制成环形的玻璃基板。 
[研磨工序] 
研磨工序包括第1研磨工序和第2研磨工序。在第1研磨工序中，研磨玻璃基板的表面和背面两面，对玻璃基板的整体形状即玻璃基板的平行度、平坦度以及厚度等进行预调。在第2研磨工序中，接着第1研磨工序再次研磨玻璃基板的表面背面两面，对玻璃基板的 整体形状即玻璃基板的平行度、平坦度以及厚度等进行进一步微调。在研磨工序中，使用具备粘贴有例如金刚石丸(diamond pellet)的上下平板的双面研磨机(grinding machine)。 
[一次抛光工序] 
在一次抛光工序中，对玻璃基板的表面和背面两面进行粗抛光，以便在接下来的二次抛光工序中能高效地获得最终所要求的表面粗糙度。在该一次抛光工序中，使用具备粘贴有例如作为抛光垫的聚氨酯泡沫垫的上下一对平板的双面抛光机(polishing machine)。作为抛光液，例如含有二氧化铈作为磨粒的泥浆(slurry)态的抛光液被加以使用。但并非限定于此。 
[二次抛光工序] 
在二次抛光工序中，接着一次抛光工序对玻璃基板的表面和背面两面进行精密抛光，以便获得最终所要求的表面粗糙度。在该二次抛光工序中，使用如图3所示能够同时对玻璃基板50的表面和背面两面进行抛光的双面抛光机10。 
双面抛光机10具备相互平行地上下隔开距离而配置的沿彼此相反的方向可旋转的圆板状的上平板11和下平板12。该上下一对的平板11、12的各对置面粘贴有用于抛光玻璃基板的表面和背面两面的抛光垫(本实施方式中为聚氨酯制的绒面革(suede)垫)P。在平板11、12之间配置多个可旋转的支架13，多个玻璃基板50被嵌入安装在各支架13中。支架13在支撑着玻璃基板50的状态下，一边自转一边相对于平板11、12的旋转中心公转。针对正在进行这种动作的上下平板11、12以及支架13，将含有磨粒(本实施方式中为胶体硅(colloidal silica))的泥浆状的抛光液分别提供到上平板11的抛光垫P与玻璃基板50之间以及下平板12的抛光垫P与玻璃基板50之间，由此对玻璃基板50的表面和背面两面进行精密抛光。 
另外，在图3中，符号14为抛光液回收装置，符号15为抛光液储存罐，符号16为抛光液供应管，符号17为润滑液储存罐，符号18为润滑液供应管。 
[化学强化工序] 
在化学强化工序中，在玻璃基板的表面形成化学强化层。例如，通过将玻璃基板浸渍于存在钠离子或钾离子的化学强化处理液中，玻璃基板的表层所存在的锂离子与化学强化处理液中的钠离子进行置换、或者钠离子与钾离子进行置换，使玻璃基板的表层成为化学强化层。化学强化层产生压缩应力。通过形成这样的化学强化层，可提高最终获得的玻璃基板的耐冲击性、耐振动性以及耐热性等。 
[最终清洗工序] 
(总论) 
在最终清洗工序中，将附着在玻璃基板上的异物用例如包含有过滤后的纯水、离子交换水、超纯水、酸性洗涤剂、中性洗涤剂、碱性洗涤剂、有机溶剂、界面活性剂等各种清洗液进行清洗而去除。然后，对玻璃基板进行干燥。 
(以往的最终清洗工序) 
以往，将玻璃基板收容于清洗支架，并以此状态放入清洗槽，通过使清洗液在清洗槽内流动对玻璃基板进行清洗。此时，由于清洗支架的左右开放而没有侧壁，因此，导致收容于清洗支架中的玻璃基板直接承受来自侧方的清洗液的液流(即左右的横向液流：称为层流)而受到冲击。为了避免这种情况，考虑在清洗支架上设置侧壁，但如果设置侧壁，清洗液的液流流不到玻璃基板，发生清洗不良。此外，由于清洗支架的上下也是开放的，所以考虑清洗液也从下方流向玻璃基板(即从下向上的上下方向液流：称为喷流)。然而，如果从下向上的流动过快，会导致玻璃基板浮起，玻璃基板的支撑变得不稳定。因此，无法充分地增大清洗液的流量，从而发生清洗不良。以往的最终清洗工序存在这样的问题。 
(本实施方式的最终清洗工序) 
在本实施方式中，利用具有在收容于清洗支架的玻璃基板的侧方相对置的一对侧壁的清洗支架，在清洗支架的侧壁形成有开口，清洗液在清洗槽内沿着通过清洗支架的侧壁的方向流动，使通过清洗槽的清洗液的流量为20～70L/分钟。 
(i)本实施方式的清洗支架 
如图4至图6所示，清洗支架20具有多个(图例中为9个)支撑用杆25以指定的间隔相互平行地架设在前后一对对置壁21、22之间的结构。在各支撑用杆25的周面，沿着周方向形成有凹槽。玻璃基板50的两侧端部和下端部被3根支撑用杆25支撑着而嵌入凹槽，以竖立的状态收容于清洗支架20中。清洗支架20一次可收容多个玻璃基板50。 
本实施方式在最终清洗工序中，将玻璃基板50用多个支撑用杆25支撑着进行清洗，清洗后，玻璃基板50在该状态下、即保持着被多个支撑用杆25支撑着的状态被加以干燥。支撑玻璃基板50的3根支撑用杆25相对于所支撑的玻璃基板50的中心彼此大致各相隔90°。通过在支撑用杆25彼此大致各相隔90°的状态下对玻璃基板50进行干燥，可以降低清洗液残留在支撑玻璃基板50的外周端部的支撑用杆25和玻璃基板50之间而附着于玻璃基板50的外周端部。 
清洗支架20还具有在收容于清洗支架20的玻璃基板50的侧方相对置的左右一对侧壁23、24。两侧壁23、24上形成有开口29……29。开口29……29在两侧壁23、24问 对称形成。开口29相对于侧壁23、24的开口率大约为30～90％。另外，在前后一对的对置壁21、22上也相互对称地形成有开口28……28。此外，两侧壁23、24上安装有钩件26、26。 
另外、“开口相对于侧壁的开口率为30～90％”由例如“(开口的总面积/包含开口总面积的侧壁的面积)×100％”来表示。 
开口28、29的形状并没有被限定，可以是圆形、椭圆形、多边形等、或者侧壁23、24或对置壁21、22呈网眼状、撇兰状、蜘蛛网状等的其他形状。 
(ii)本实施方式的清洗动作 
如图7所示，将玻璃基板50以收容于清洗支架20的状态放入清洗槽30，通过使清洗液31在清洗槽30内流动来清洗玻璃基板50。此时，玻璃基板50以其主表面与清洗液31的流动方向平行的方式被配置在清洗槽30内。 
图7示出在清洗槽30的左侧设置清洗液供给装置32，使清洗液31在清洗槽30内相对于玻璃基板50的主表面从左向右流动(称为左层流)的情况。但不限于此，也可以在清洗槽30的右侧设置清洗液供给装置，使清洗液31在清洗槽30内相对于玻璃基板50的主表面从右向左流动(称为右层流)。无论哪种情况，清洗液31在清洗槽30内都沿着通过清洗支架20的侧壁23、24的方向流动。即，从清洗支架20的左方或右方到达清洗支架20的清洗液31从左或右侧壁23、24的开口29进入清洗支架20中，在被收容的多个玻璃基板50……50之间流动，然后从右或左侧壁23、24的开口29向清洗支架20外流出。由此，可以使清洗液31相对于玻璃基板50而流动。 
在本实施方式中，通过清洗槽30的清洗液3的流量为大约20～70L/分钟左右。即，使每分钟从左或右提供给清洗槽30、并从清洗槽30向右或左排出的清洗液31的量为大约20～70L左右。此时，清洗槽30的容量优选为大约30～60L左右。清洗槽30内的清洗液31的量优选为大约25～55L左右。清洗槽30内的清洗液31的流速优选为大约10～200cm/分钟左右。清洗支架20内的清洗液31的流速优选为大约1～70cm/分钟左右。开口29的面积优选一个开口为大约9～20cm2左右、一个侧壁23或24整体的总面积优选为大约45～100cm2左右。通过清洗槽30的清洗液31的流量优选为大约30～60L/分钟左右。 
(本实施方式的作用) 
在本实施方式中，由于清洗支架20具有侧壁23、24，并在其侧壁23、24上形成有开口29，收容于清洗支架20中的玻璃基板50直接承受来自侧方的清洗液31的液流(左 层流或右层流)而受到冲击的不良情况被解消。因此，即使将通过清洗槽30的清洗液31的流量增大为20～70L/分钟，也能避免玻璃基板50抖动而发生破裂、缺损，或者玻璃基板50脱离支撑而落下的问题。而且，由于清洗液31的液流通过开口29流到玻璃基板50，因此，也不会发生清洗不良。由此，能够保持着玻璃基板50稳定地支撑于清洗支架20的状态增大清洗槽30内的清洗液31的置换率。 
另外，例如在将清洗槽内的清洗液的量设为固定的情况下，“清洗槽内的清洗液的置换率(％)”用“(每单位提供给清洗槽的清洗液的量或每单位从清洗槽排出的清洗液的量/清洗槽内的清洗液的量)×100％”来表示。 
在本实施方式中，使通过清洗槽30的清洗液31的流量为20～70L/分钟，由此增大清洗槽30内的清洗液31的置换率，如后述的实施例所示，能得到良好的结果。如果上述流量小于20L/分钟，则清洗槽30内的清洗液31的置换率过小，无法提高清洗性。如果上述流量超过70L/分钟，清洗液31相对于玻璃基板50流动过快，导致玻璃基板50抖动、或玻璃基板50的支撑容易脱离。 
在本实施方式中，将玻璃基板50在其两侧端部和下端部的3处支撑着进行清洗。即，3个支撑用杆25中，一个支撑玻璃基板50的左侧端部，一个支撑玻璃基板50的右侧端部，一个支撑玻璃基板50的下端部。由此，即使增大通过清洗槽30的清洗液31的流量，也可以在清洗中稳定地支撑玻璃基板50。此外，由于3个支撑部相对于玻璃基板50的中心各相隔90°，因此，降低清洗液31残留在支撑用杆25和玻璃基板50之间而附着于玻璃基板50的外周端部。 
在本实施方式中，清洗支架20的开口29在两侧壁23、24对称形成。由此，因为清洗液31沿着通过清洗支架20的侧壁23、24的方向流动，所以清洗液31相对于收容在清洗支架20的两侧壁23、24之间的玻璃基板50不会紊乱而是方向一致地流动。因此，更进一步抑制收容于清洗支架20的玻璃基板50承受来自侧方的清洗液31的液流而抖动、或脱离支撑的不良情况。 
在本实施方式中，开口29相对于侧壁23、24的开口率为30～90％。由此，如后述的实施例所示，能得到良好的结果。如果上述开口率小于30％，清洗液31的液流难以流到玻璃基板50，容易发生清洗不良。如果上述开口率超过90％，则清洗液31相对于玻璃基板50流动过快，导致玻璃基板50抖动、或玻璃基板50的支撑容易脱离。 
在本实施方式中，优选使通过清洗槽30的清洗液31的流量为30～60L/分钟。由此，如后述的实施例所示，能得到更为良好的结果。通过使上述流量为30L/分钟以上，清洗槽 30内的清洗液31的置换率充分地增大，可靠地提高清洗性。通过使上述流量为60L/分钟以下，清洗液31相对于玻璃基板50的流动得到充分地抑制，从而更进一步抑制玻璃基板50抖动或脱离支撑的不良情况。 
另外，从清洗槽30内的清洗液31的置换率增大等的观点、基于支撑用杆25的玻璃基板50的支撑稳定性等的观点出发，需要对提供给清洗槽30并从清洗槽30排出(即通过清洗槽30)的清洗液31的流量(L/分钟)或流速(m/分钟)进行研讨。 
[检查工序] 
在检查工序中，检查玻璃基板的平坦度或厚度、或者表面粗糙度或是否有缺陷。然后，只将检查合格的玻璃基板在干净的环境中收纳于专用收纳盒以免在表面附着异物等，在进行真空包装之后作为HDD用玻璃基板出厂。 
＜HDD用玻璃基板＞ 
接着，说明以如上所述的方式制造的HDD用玻璃基板。如图1所示，本实施方式所涉及的HDD用玻璃基板50在其制造过程的清洗工序中，保持着稳定地支撑于清洗支架中的状态增大清洗槽30内的清洗液31的置换率而被清洗，因此，清洗性提高、是清洁性高的高质量的HDD用玻璃基板。 
＜HDD用磁记录介质＞ 
接着，说明用所述HDD用玻璃基板50制造的HDD用磁记录介质。本实施方式所涉及的HDD用磁记录介质是在所述HDD用玻璃基板50的主表面上形成作为记录层的磁性膜而制得的。磁性膜可以直接或间接地形成在主表面上。磁性膜可以形成于玻璃基板50的单面或双面。 
作为磁性膜的形成方法，可以使用以往公知的方法，可举出例如通过将分散磁性粒子而成的热固化性树脂旋涂在玻璃基板50上形成的方法、通过溅射或无电解镀形成的方法等。旋涂法中的膜厚为约0.3μm～1.2μm左右，溅射法中的膜厚为0.01μm～0.08μm左右，无电解镀法中的膜厚为0.01μm～0.1μm左右，从薄膜化和高密度化的观点出发，优选通过溅射法、无电解镀法形成膜。 
作为用于磁性膜的磁性材料并没有特别限定，可以使用以往公知的材料。其中，优选使用为了得到高保持力而以结晶各向异性高的Co为基本材料并以调整残留磁通密度为目的添加了Ni或Cr的Co系合金等。具体而言，优选使用以Co为主成分的CoPt、CoCr、CoNi、CoNiCr、CoCrTa、CoPtCr、CoNiPt、CoNiCrPt、CoNiCrTa、CoCrPtTa、CoCrPtB、CoCrPtSiO等。 
磁性膜可以为用非磁性膜(例如Cr、CrMo、CrV等)分割而实现了噪声降低的多层结构(例如CoPtCr/CrMo/CoPtCr、CoCrPtTa/CrMo/CoCrPtTa等)。 
除了上述磁性材料以外，也可以是铁氧体系或稀土铁系材料、或将Fe、Co、FeCo、CoNiPt等磁性粒子分散于由SiO2、BN等构成的非磁性膜中结构的颗粒等。 
磁性膜可以是内面型和垂直型中的任何的记录形式。 
为了使磁头的滑行良好，可以在磁性膜的表面涂上薄的润滑剂。作为润滑剂，可举出例如将作为液体润滑剂的全氟聚醚(PFPE)用氟氯烷系(Freon-based)等溶媒进行稀释而成的润滑剂等。 
在本实施方式中，根据需要，除了形成作为记录层的磁性膜以外，还可以形成基底层或保护层。HDD用磁记录介质中的基底层根据磁性膜来选择。作为基底层的材料，可举出例如选自由Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Al、Ni等非磁性金属构成的组中的至少一种以上的材料。在以Co为主成分的磁性膜的情况下，从磁特性的提高等观点出发，优选为Cr单体或Cr合金。基底层不限于单层，也可以为层叠了相同或不同种类的层的多层结构。例如可以为Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV等多层基底层。 
保护层是为了防止磁性膜的磨损或腐蚀而形成的。作为保护层，可举出例如Cr层、Cr合金层、碳层、氢化碳层、氧化锆层、二氧化硅层等。这些保护层能够与基底层或磁性膜等一起通过直列型溅射装置连续地形成。另外，这些保护层可以是单层，或者可以是包含相同或不同种类的层的多层结构。 
可以在所述保护层上或代替所述保护层而形成其它保护层。例如，可以代替所述保护层，通过将胶体硅微粒子分散于用乙醇系的溶媒稀释了四烷氧硅烷而成的溶液中并涂布在Cr层上，再进行烧制，由此形成二氧化硅(SiO2)层。 
如上所述，通过将使用本实施方式所涉及的HDD用玻璃基板50作为基板而制造的HDD用磁记录介质用于HDD，能够使HDD的高速旋转时的磁头的动作稳定。 
此外，由于本实施方式所涉及的HDD用磁记录介质使用了清洁性高的HDD用玻璃基板50，所以，该磁记录介质也是清洁性高的高质量的HDD用磁记录介质。 
另外，在本实施方式中，抛光工序分两次进行，但是并不限于此，也可以只进行一次。此外，化学强化工序是在抛光工序之后进行的，但也可以根据状况在抛光工序之前进行。此外，根据状况也可以省略化学强化工序。 
并且，作为坠落强度对策，可以将玻璃基板的主表面以外的外周端面或内周端面进行 强化，作为玻璃基板中产生的伤痕的边沿缓和处理，可以对玻璃基板进行HF浸渍处理。 
本实施方式所涉及的HDD用玻璃基板并不限定于HDD用磁记录介质的制造用途，例如还能够用于光磁盘、光盘等的制造用途。 
汇总本实施方式的技术特征如下。 
本实施方式所涉及的HDD用玻璃基板的制造方法包括清洗工序，将玻璃基板50收容于清洗支架20，并将清洗支架20放入清洗槽30，使清洗液31在清洗槽30内流动以便清洗玻璃基板50，在清洗工序中，利用具有在收容于清洗支架20的玻璃基板50的侧方相对置的一对侧壁23、24的清洗支架20，在清洗支架20的侧壁23、24形成有开口29，清洗液31在清洗槽30内沿着通过清洗支架20的侧壁23、24的方向流动，使通过清洗槽30的清洗液31的流量为20～70L/分钟。 
根据本实施方式，由于清洗支架20具有侧壁23、24，并在其侧壁23、24上形成有开口29，因此，收容于清洗支架20中的玻璃基板50直接承受来自侧方的清洗液31的液流而受到冲击的不良情况被解消。因此，即使将通过清洗槽30的清洗液31的流量增大为20～70L/分钟，也能避免玻璃基板50抖动而发生破裂、缺损，或者玻璃基板50脱离支撑而落下的问题。而且，由于清洗液31的液流通过开口29流到玻璃基板50，因此，也不会发生清洗不良。由此，能够保持着玻璃基板50稳定地支撑于清洗支架20的状态增大清洗槽30内的清洗液31的置换率。 
根据本实施方式，使通过清洗槽30的清洗液31的流量为20～70L/分钟，由此增大清洗槽30内的清洗液31的置换率，能得到良好的结果。如果上述流量小于20L/分钟，则清洗槽30内的清洗液31的置换率过小，无法提高清洗性。如果上述流量超过70L/分钟，清洗液31相对于玻璃基板50流动过快，导致玻璃基板50抖动、或玻璃基板50的支撑容易脱离。 
本实施方式在清洗工序中，将玻璃基板50在其两侧端部和下端部的3处支撑着进行清洗，清洗后，在该状态下对玻璃基板进行干燥，所述支撑部相对于玻璃基板50的中心各相隔90°。 
根据本实施方式，即使增大通过清洗槽30的清洗液31的流量，也可以在清洗中稳定地支撑玻璃基板50。此外，由于3个支撑部相对于玻璃基板50的中心各相隔90°，因此，降低清洗液31残留在支撑用杆25和玻璃基板50之间而附着于玻璃基板50的外周端部。 
在本实施方式中，清洗支架20的开口29在侧壁23、24对称形成。 
根据本实施方式，由于清洗液31沿着通过清洗支架20的侧壁23、24的方向流动， 因此，清洗液31相对于收容在清洗支架20的两侧壁23、24之间的玻璃基板50不会紊乱而是方向一致地流动。因此，更进一步抑制收容于清洗支架20的玻璃基板50承受来自侧方的清洗液31的液流而抖动、或脱离支撑的不良情况。 
在本实施方式中，开口29相对于侧壁23、24的开口率为30～90％。 
根据本实施方式，能得到良好的结果。如果上述开口率小于30％，清洗液31的液流难以流到玻璃基板50，容易发生清洗不良。如果上述开口率超过90％，则清洗液31相对于玻璃基板50流动过快，导致玻璃基板50抖动、或玻璃基板50的支撑容易脱离。 
在本实施方式中，优选使通过清洗槽30的清洗液31的流量为30～60L/分钟。 
根据本实施方式，能得到更为良好的结果。通过使上述流量为30L/分钟以上，清洗槽30内的清洗液31的置换率充分地增大，能可靠地提高清洗性。通过使上述流量为60L/分钟以下，清洗液31相对于玻璃基板50的流动得到充分地抑制，从而更进一步抑制玻璃基板50抖动或脱离支撑的不良情况。 
本实施方式所涉及的HDD用玻璃基板50是利用上述的HDD用玻璃基板的制造方法而制得的。 
根据本实施方式，由于在制造过程的清洗工序中，保持着稳定地支撑于清洗支架中的状态增大清洗槽30内的清洗液31的置换率进行清洗，因此，清洗性提高、可得到清洁性高的高质量的HDD用玻璃基板50。 
本实施方式所涉及的HDD用磁记录介质是在所述HDD用玻璃基板50的主表面上形成记录层而制得的。 
根据本实施方式，因为使用了清洁性高的HDD用玻璃基板50，所以可得到清洁性高的高质量的HDD用磁记录介质。 
本实施方式涉及一种在HDD用玻璃基板的制造方法中所使用的清洗支架20，该HDD用玻璃基板的制造方法包括清洗工序，将玻璃基板50收容于清洗支架20，并将清洗支架20放入清洗槽30，使清洗液31在清洗槽30内流动，以便清洗玻璃基板50，清洗支架20具有在收容于清洗支架20的玻璃基板50的侧方相对置的一对侧壁23、24，在侧壁23、24上形成有开口29，开口29在两侧壁23、24对称形成，开口29相对于侧壁23、24的开口率为30～90％。 
根据本实施方式，由于清洗支架20具有侧壁23、24，并在其侧壁23、24上形成有开口29，因此，收容于清洗支架20中的玻璃基板50直接承受来自侧方的清洗液31的液流而受到冲击的不良情况被解消。因此，即使将通过清洗槽30的清洗液31的流量增大为 20～70L/分钟，也能避免玻璃基板50抖动而发生破裂、缺损，或者玻璃基板50脱离支撑而落下的问题。而且，由于清洗液31的液流通过开口29流到玻璃基板50，因此，也不会发生清洗不良。由此，能够保持着玻璃基板50稳定地支撑于清洗支架20的状态增大清洗槽30内的清洗液31的置换率。 
根据本实施方式，通过使开口29相对于侧壁23、24的开口率为30～90％。能得到良好的结果。如果上述开口率小于30％，清洗液31的液流难以流到玻璃基板50，容易发生清洗不良。如果上述开口率超过90％，则清洗液31相对于玻璃基板50流动过快，导致玻璃基板50抖动、或玻璃基板50的支撑容易脱离。 
根据本实施方式，由于能够保持着玻璃基板50稳定地支撑于清洗支架的状态增大清洗槽30内的清洗液31的置换率，因此，不但可以充分地应对近年的磁记录介质的信息高密度化，而且可以充分地应对磁头的悬浮高度的微小化。 
实施例 
以下，通过实施例和比较例进一步详细地说明本发明。但是，本发明并不限定于该实施例。 
＜HDD用玻璃基板的制造＞ 
按照图2所示的制造工序，使用下述的组份(质量％)的玻璃原材料，制造出外径为65mm(2.5英寸)、内径(圆孔的直径)约为20mm、板厚为1mm的环形的铝硅酸盐制玻璃基板。 
(玻璃原材料的组份) 
·SiO2：50～70％ 
·Al2O3：0.1～20％ 
·B2O3：0～5％ 
但是，SiO2+Al2O3+B2O3＝60～85％，此外，Li2O+Na2O+K2O＝0.1～20％，此外，MgO+CaO+BaO+SrO+ZnO＝2～20％。 
另外，在最终清洗工序中，使用了图4至图6所示的具有形成有开口的左右一对侧壁的清洗支架。开口的形状为椭圆形。 
为了调查通过清洗槽的清洗液的流量(L/分钟)的效果，如表1所示，将开口相对于侧壁的开口率固定为70％，将清洗液的流量(L/分钟)作种种变更对玻璃基板进行了清洗(实施例1～5以及比较例1、2)。 
为了调查开口相对于侧壁的开口率(％)的效果，如表2所示，将通过清洗槽的清洗液 的流量固定为40L/分钟，将开口率(％)作种种变更对玻璃基板进行了清洗(实施例6～9以及比较例3、4)。另外，比较例4使用了没有设置侧壁的清洗支架(开口率100％)。 
在实施例1～9以及比较例1～4中，使清洗液的液流为左层流。清洗槽的容量为40L，清洗槽内的清洗液的量为35L，清洗槽内的清洗液的流速为40cm/分钟，开口的面积一个为10cm2(平均)，在一个侧壁上合计为50cm2。清洗支架的玻璃基板的收容张数、清洗液的种类、以及其他的清洗条件全部相同一致。 
＜HDD用玻璃基板的评价＞ 
[缺陷的有无] 
利用光学式表面检查装置“OSA7120”检查了所得到的玻璃基板是否有缺陷。取样数目在实施例1～9以及比较例1～4中分别为100张。表1、表2示出结果。 
＜HDD用磁记录介质的制造＞ 
在所得到的HDD用玻璃基板的主表面上形成磁性膜(记录层)而制成了磁记录介质。即，从玻璃基板侧起依次层叠了由Ni-Al构成的基底层(厚度约100nm)、由Co-Cr-Pt构成的记录层(厚度20nm)、由DLC(Diamond Like Carbon)构成的保护层(厚度5nm)。 
＜HDD用磁记录介质的评价＞ 
[读写试验] 
对所得到的磁记录介质用搭载了DFH机构的磁头进行读写试验，记录了错误发生张数。取样数目在实施例1～9以及比较例1～4中分别为50张。表1、表2示出结果。 
表1 
表2 
＜结果的考察＞ 
比较例1的评价结果差，认为是因清洗液的流量过少，清洗液的置换率太小，清洗性未能改善所致。 
比较例2的评价结果差，认为是因清洗液的流量过多，清洗液的流动太快，玻璃基板发生了破裂或缺损(也包含玻璃基板彼此接触而产生的瑕疵)所致。 
比较例3的评价结果差，认为是因开口率过小，清洗液的液流难以流到玻璃基板，发生了清洗不良所致。 
比较例4的评价结果差，认为是因开口率过大，清洗液的流动太快，玻璃基板发生了破裂或缺损(也包含玻璃基板彼此接触而产生的瑕疵)所致。 
清洗液的流量为20～70L/分钟的实施例1～5的评价结果优良。 
即使在实施例1～5中，清洗液的流量为30～60L/分钟的实施例2～4的评价结果更为优良。 
开口率为30～90％的实施例6～9的评价结果优良。 
本申请以2011年6月30日申请的日本专利申请特愿2011-146232为基础，其内容包含在本申请中。 
为了表现本发明，上述内容中参照附图通过实施方式适当且充分地说明了本发明，但是，应该认识到只要是本领域技术人员就能够容易变更和/或改良上述实施方式。因而，本领域技术人员所实施的变更方式或改良方式只要不是脱离权利要求书所记载的权利要求的权利范围的水平，该变更方式或改良方式就被解释为包括在该权利要求的权利范围内。 
产业上的可利用性 
本发明在HDD用玻璃基板的制造方法、HDD用玻璃基板、HDD用磁记录介质以及HDD用玻璃基板的制造方法中所使用的清洗支架的技术领域中，具有广泛的产业上的可利用性。 

Claims (8)

1.一种HDD用玻璃基板的制造方法，其特征在于包括：
清洗工序，将玻璃基板收容于清洗支架，并将清洗支架放入清洗槽，使清洗液在清洗槽内流动，以便清洗玻璃基板，其中，
在清洗工序中，利用具有在收容于清洗支架的玻璃基板的侧方相对置的一对侧壁的清洗支架，在清洗支架的侧壁形成有开口，清洗液在清洗槽内沿着通过清洗支架的侧壁的方向流动，使通过清洗槽的清洗液的流量为20～70L/分钟。
2.根据权利要求1所述的HDD用玻璃基板的制造方法，其特征在于，清洗支架的开口在两侧壁对称形成。
3.根据权利要求1或2所述的HDD用玻璃基板的制造方法，其特征在于，开口相对于侧壁的开口率为30～90％。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的HDD用玻璃基板的制造方法，其特征在于，使通过清洗槽的清洗液的流量为30～60L/分钟。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的HDD用玻璃基板的制造方法，其特征在于，在清洗工序中，将玻璃基板在其两侧端部和下端部的3处支撑着进行清洗，清洗后，在该状态下对玻璃基板进行干燥，所述支撑部相对于玻璃基板的中心各相隔90°。
6.一种HDD用玻璃基板，其特征在于，利用权利要求1至5中任一项所述的HDD用玻璃基板的制造方法制得。
7.一种HDD用磁记录介质，其特征在于，在权利要求6所述的HDD用玻璃基板的主表面上形成记录层而制得。
8.一种清洗支架，在HDD用玻璃基板的制造方法中使用，其特征在于，
HDD用玻璃基板的制造方法包括清洗工序，将玻璃基板收容于清洗支架，并将清洗支架放入清洗槽，使清洗液在清洗槽内流动，以便清洗玻璃基板，
清洗支架具有在收容于清洗支架的玻璃基板的侧方相对置的一对侧壁，其中，
在侧壁上形成有开口，
开口在两侧壁对称形成，
开口相对于侧壁的开口率为30～90％。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003151125A (ja) * 2001-11-09 2003-05-23 Nippon Sheet Glass Co Ltd 情報記録媒体用ガラス基板の洗浄用ホルダー
JP2008105932A (ja) * 2006-09-29 2008-05-08 Hoya Corp 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、および、ガラス基板ホルダ
JP2009116950A (ja) * 2007-11-06 2009-05-28 Hoya Corp 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
JP2009151879A (ja) * 2007-12-21 2009-07-09 Hoya Corp 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法
JP2009193608A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Konica Minolta Opto Inc 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、情報記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体
CN101542605A (zh) * 2006-12-04 2009-09-23 柯尼卡美能达精密光学株式会社 记录介质用玻璃基板的制造方法、记录介质用玻璃基板、记录介质及保持夹具
JP2010099637A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Showa Denko Kk 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2010267340A (ja) * 2009-05-15 2010-11-25 Showa Denko Kk 流水式洗浄方法及び流水式洗浄装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003151125A (ja) * 2001-11-09 2003-05-23 Nippon Sheet Glass Co Ltd 情報記録媒体用ガラス基板の洗浄用ホルダー
JP2008105932A (ja) * 2006-09-29 2008-05-08 Hoya Corp 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、および、ガラス基板ホルダ
CN101542605A (zh) * 2006-12-04 2009-09-23 柯尼卡美能达精密光学株式会社 记录介质用玻璃基板的制造方法、记录介质用玻璃基板、记录介质及保持夹具
JP2009116950A (ja) * 2007-11-06 2009-05-28 Hoya Corp 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
JP2009151879A (ja) * 2007-12-21 2009-07-09 Hoya Corp 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法
JP2009193608A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Konica Minolta Opto Inc 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、情報記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体
JP2010099637A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Showa Denko Kk 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2010267340A (ja) * 2009-05-15 2010-11-25 Showa Denko Kk 流水式洗浄方法及び流水式洗浄装置

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