CN103956337A - 一种半导体晶片的切割方法 - Google Patents

一种半导体晶片的切割方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103956337A
CN103956337A CN201410223538.9A CN201410223538A CN103956337A CN 103956337 A CN103956337 A CN 103956337A CN 201410223538 A CN201410223538 A CN 201410223538A CN 103956337 A CN103956337 A CN 103956337A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cutting
wafer
chip
datum line
cut
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410223538.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103956337B (zh
Inventor
游佩武
张进成
裘立强
王毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
YANGZHOU JIELI SEMICONDUCTOR CO Ltd
Original Assignee
YANGZHOU JIELI SEMICONDUCTOR CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by YANGZHOU JIELI SEMICONDUCTOR CO Ltd filed Critical YANGZHOU JIELI SEMICONDUCTOR CO Ltd
Priority to CN201410223538.9A priority Critical patent/CN103956337B/zh
Publication of CN103956337A publication Critical patent/CN103956337A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103956337B publication Critical patent/CN103956337B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

一种半导体晶片的切割方法。提供了一种在晶片背面无需蚀刻切割道，工艺简单，有效提高工作效率的半导体晶片的切割方法。本发明在晶片背面没有线切割道的情况下，首先，在晶片正面切割2刀，两切割道之间的夹角为90°，并将其边缘裂开即将第一横排、第一竖排的芯片边缘切割后掰掉，以此作为切割基准线；然后，根据切割线及芯片的尺寸进行背面切割，背面切割呈现半切透状态；最后，使用正面裂片的方式将晶片分割成符合要求尺寸的单小芯片。本发明省略了晶片的背面蚀刻步骤，减少了生产工艺流程中的步骤，进行背切割作业，降低了成本，同时，降低由于工序增加导致的异常发生，提升二极管芯片的整体性能。

Description

一种半导体晶片的切割方法
技术领域
本发明涉及晶片生产技术领域，尤其涉及一种半导体晶片的切割方法。
背景技术
    随着半导体行业的迅速发展，拥有一种既能够保证良好的晶粒外观、生产工艺又简单方便的切割方式，是保证产品的信赖性，增加企业形象，增强企业竞争力不可或缺的技术攻关。
在微电子行业半导体制程中，对于GPP二极管晶片 (具有玻璃钝化保护 P/N 结的类型晶片) ，通常采用正面切割或背面切割（在晶片背面蚀刻沟槽后根据背面切割线进行背面切割）的切割方法；
然而，正面切割工艺简单，但是由于正面切割存在对PN结钝化层产生应力引起IR大及可靠性差等缺陷；
如图9所示，背面切割由于需在晶片背面蚀刻线切割道180，导致工艺复杂，降低了工作效率，增加了生产成本。
发明内容
本发明针对以上问题，提供了一种在晶片背面无需蚀刻切割道，工艺简单，有效提高工作效率的半导体晶片的切割方法。
    本发明的技术方案是：所述晶片呈圆形、且由若干横排、竖排相互交叉连为一体的芯片组成，所述晶片的背面呈平面；
    包括以下步骤：
1）、将所述晶片正面朝上放置于激光切割机的切割台上，待切割；
2）、沿晶片第一横排芯片的外端面和第一竖排芯片的外端面分别进行一次切割，形成切割道一和切割道二，所述切割道一和切割道二呈半切透状态；
3）、通过所述切割道一和切割道二，分别去除第一横排芯片的外端边缘部和第一竖排芯片的外端边缘部，建立切割基准线一和切割基准线二，所述切割基准线一和切割基准线二之间的夹角为90°；
4）、将所述晶片背面朝上放置于激光切割机的切割台上，待切割；
5）、所述晶片的背面切割呈半切透状态，所述芯片呈长方形，所述芯片的长为横向间距一、宽为横向间距二；
5.1）、将切割基准线一水平设置、且作为基准线，激光切割机沿设定的均布的横向间距一依次切割，其中，切割台先沿横向间距一移动，然后，切割台左右移动，完成一次横向切割；
5.2）、将切割台旋转90°；
5.3）、将切割基准线二水平设置、且作为基准线，激光切割机沿设定的均布的横向间距二依次切割，其中，切割台先沿横向间距二移动，然后，切割台左右移动，完成一次横向切割；
5.4）、切割完毕，放置待裂晶片；
    6）、在工作台上放置10-15张滤纸，滤纸上放置一张麦拉纸，用毛笔蘸取异丙醇均匀涂在麦拉纸上；
7）、取待裂晶片，将晶片背面朝下放置于涂有异丙醇的麦拉纸上；
8）、取另一张麦拉纸，在麦拉纸上均匀涂上异丙醇，并覆盖在晶片的正面；
    9）、用胶木棒平行于水平切割道方向，向前匀速推动，将晶片裂开，裂片工艺完毕。
本发明在晶片背面没有线切割道的情况下，首先，在晶片正面切割2刀，两切割道之间的夹角为90°，并将其边缘裂开即将第一横排、第一竖排的芯片边缘切割后掰掉，以此作为切割基准线；然后，根据切割线及芯片的尺寸进行背面切割，背面切割呈现半切透状态；
最后，使用正面裂片的方式将晶片分割成符合要求尺寸的单小芯片。
本发明省略了晶片的背面蚀刻步骤，减少了生产工艺流程中的步骤，进行背切割作业，降低了成本，同时，降低由于工序增加导致的异常发生，提升二极管芯片的整体性能。
附图说明
图1是本发明中步骤1)的状态参考图，
图2是本发明中步骤2)的状态参考图，
图3是本发明中步骤3)的状态参考图，
图4是本发明中步骤5.1)的状态参考图，
图5是本发明中步骤5.2）、5.3)的状态参考图，
图6是本发明中裂片工艺的状态参考图，
图7是本发明中晶片的状态参考图，
图8是本发明中晶片背面的状态参考图，
图9是现有技术中晶片背面的状态参考图；
    图中1是晶片，11是切割道一，12是切割道二，13是切割基准线一，14是切割基准线二，15是边缘部一，16是边缘部二，17是正面，18是背面，180是线切割道，
    2是工作台，3是滤纸，4是麦拉纸一，5是麦拉纸二，6是切割道，
    a表示横向间距一，b表示横向间距二。
具体实施方式
    本发明如图1-8所示，所述晶片1呈圆形、且由若干横排、竖排相互交叉连为一体的芯片组成，所述晶片具有正面和背面，所述晶片的背面18呈平面（即没有线切割道）；
    包括以下步骤：
如图1所示，1）、将所述晶片正面17朝上放置于激光切割机的切割台上，待切割；
如图2所示，2）、沿晶片第一横排芯片的外端面和第一竖排芯片的外端面分别进行一次切割，形成切割道一11和切割道二12，所述切割道一11和切割道二12呈半切透状态（即切割道一、二深及所述晶片但未贯穿所述晶片）；
如图3所示，3）、通过所述切割道一和切割道二，分别去除第一横排芯片的外端边缘部（即边缘部一15）和第一竖排芯片的外端边缘部（即边缘部二16），建立切割基准线一13和切割基准线二14，所述切割基准线一和切割基准线二之间的夹角为90°；
4）、将所述晶片背面朝上放置于激光切割机的切割台上，待切割；
5）、所述晶片的背面切割呈半切透状态（即在背面切割形成的切割道6深及所述晶片但未贯穿所述晶片），所述芯片呈长方形，所述芯片的长为横向间距一a、宽为横向间距二b；
步骤5）包括如下过程：如图4所示，5.1）、将切割基准线一水平设置、且作为基准线，激光切割机沿设定的均布的横向间距一依次切割，其中，切割台先沿横向间距一移动，然后，切割台左右移动，完成一次横向切割；
如图5所示，5.2）、将切割台旋转90°；
5.3）、将切割基准线二水平设置、且作为基准线，激光切割机沿设定的均布的横向间距二依次切割，其中，切割台先沿横向间距二移动，然后，切割台左右移动，完成一次横向切割；
5.4）、切割完毕，放置待裂晶片；
    6）、在工作台2上放置10-15张滤纸3，滤纸上放置一张麦拉纸（即麦拉纸一4），用毛笔蘸取异丙醇均匀涂在麦拉纸上；
7）、取待裂晶片，将晶片背面朝下放置于涂有异丙醇的麦拉纸上；
8）、取另一张麦拉纸（即麦拉纸二5），在麦拉纸上均匀涂上异丙醇，并覆盖在晶片的正面；
    9）、用胶木棒平行于水平切割道方向，向前匀速推动，将晶片裂开，裂片工艺完毕。

Claims (1)

1.一种半导体晶片的切割方法，所述晶片呈圆形、且由若干横排、竖排相互交叉连为一体的芯片组成，所述晶片的背面呈平面；
    其特征在于，包括以下步骤：
1）、将所述晶片正面朝上放置于激光切割机的切割台上，待切割；
2）、沿晶片第一横排芯片的外端面和第一竖排芯片的外端面分别进行一次切割，形成切割道一和切割道二，所述切割道一和切割道二呈半切透状态；
3）、通过所述切割道一和切割道二，分别去除第一横排芯片的外端边缘部和第一竖排芯片的外端边缘部，建立切割基准线一和切割基准线二，所述切割基准线一和切割基准线二之间的夹角为90°；
4）、将所述晶片背面朝上放置于激光切割机的切割台上，待切割；
5）、所述晶片的背面切割呈半切透状态，所述芯片呈长方形，所述芯片的长为横向间距一、宽为横向间距二；
   5.1）、将切割基准线一水平设置、且作为基准线，激光切割机沿设定的均布的横向间距一依次切割，其中，切割台先沿横向间距一移动，然后，切割台左右移动，完成一次横向切割；
   5.2）、将切割台旋转90°；
   5.3）、将切割基准线二水平设置、且作为基准线，激光切割机沿设定的均布的横向间距二依次切割，其中，切割台先沿横向间距二移动，然后，切割台左右移动，完成一次横向切割；
   5.4）、切割完毕，放置待裂晶片；
6）、在工作台上放置10-15张滤纸，滤纸上放置一张麦拉纸，用毛笔蘸取异丙醇均匀涂在麦拉纸上；
7）、取待裂晶片，将晶片背面朝下放置于涂有异丙醇的麦拉纸上；
8）、取另一张麦拉纸，在麦拉纸上均匀涂上异丙醇，并覆盖在晶片的正面；
9）、用胶木棒平行于水平切割道方向，向前匀速推动，将晶片裂开，裂片工艺完毕。
CN201410223538.9A 2014-05-23 2014-05-23 一种半导体晶片的切割方法 Active CN103956337B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410223538.9A CN103956337B (zh) 2014-05-23 2014-05-23 一种半导体晶片的切割方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410223538.9A CN103956337B (zh) 2014-05-23 2014-05-23 一种半导体晶片的切割方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103956337A true CN103956337A (zh) 2014-07-30
CN103956337B CN103956337B (zh) 2016-06-15

Family

ID=51333592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410223538.9A Active CN103956337B (zh) 2014-05-23 2014-05-23 一种半导体晶片的切割方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103956337B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105226143A (zh) * 2015-09-29 2016-01-06 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种GaAs基LED芯片的切割方法
CN109081303A (zh) * 2018-08-27 2018-12-25 无锡芯坤电子科技有限公司 一种芯片双面切割工艺
CN109304816A (zh) * 2017-07-26 2019-02-05 天津环鑫科技发展有限公司 一种硅片切割裂片工艺
CN110394710A (zh) * 2018-04-23 2019-11-01 无锡天创光电科技有限公司 一种plc晶圆激光切割法
CN115410927A (zh) * 2022-09-29 2022-11-29 北京超材信息科技有限公司 半导体器件的切割方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050106840A1 (en) * 2003-11-17 2005-05-19 Kazuhisa Arai Method of manufacturing semiconductor wafer
CN1918675A (zh) * 2004-02-19 2007-02-21 兴亚株式会社 片状电阻的制造方法
CN101621026A (zh) * 2009-08-05 2010-01-06 武汉华工激光工程有限责任公司 玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法
US20130178006A1 (en) * 2012-01-10 2013-07-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer dicing method and method of manufacturing light emitting device chips employing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050106840A1 (en) * 2003-11-17 2005-05-19 Kazuhisa Arai Method of manufacturing semiconductor wafer
CN1918675A (zh) * 2004-02-19 2007-02-21 兴亚株式会社 片状电阻的制造方法
CN101621026A (zh) * 2009-08-05 2010-01-06 武汉华工激光工程有限责任公司 玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法
US20130178006A1 (en) * 2012-01-10 2013-07-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer dicing method and method of manufacturing light emitting device chips employing the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105226143A (zh) * 2015-09-29 2016-01-06 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种GaAs基LED芯片的切割方法
CN109304816A (zh) * 2017-07-26 2019-02-05 天津环鑫科技发展有限公司 一种硅片切割裂片工艺
CN110394710A (zh) * 2018-04-23 2019-11-01 无锡天创光电科技有限公司 一种plc晶圆激光切割法
CN109081303A (zh) * 2018-08-27 2018-12-25 无锡芯坤电子科技有限公司 一种芯片双面切割工艺
CN115410927A (zh) * 2022-09-29 2022-11-29 北京超材信息科技有限公司 半导体器件的切割方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103956337B (zh) 2016-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103956337A (zh) 一种半导体晶片的切割方法
CN101859852B (zh) 提高铝镓铟磷系发光二极管产能的制作工艺
CN103441103B (zh) 晶圆切割方法
CN103021962B (zh) 半导体晶片及其处理方法
CN102751398B (zh) 一种倒三角形发光二极管芯片的制作方法
CN102751400A (zh) 一种含金属背镀的半导体原件的切割方法
CN102130237A (zh) 蓝宝石衬底led芯片的切割方法
CN104827191A (zh) 蓝宝石的激光切割方法
CN104064517A (zh) 晶圆工艺的切割方法
CN104752252A (zh) 表征晶背缺陷的方法
CN103949779A (zh) 一种高效率的蓝宝石片切割工艺
CN105390444A (zh) 脆性材料基板的分断方法及分断装置
CN102332488A (zh) 一种用于晶体硅太阳能电池激光边缘隔离的方法和装置
CN102496602B (zh) 一种芯片切割方法
CN106653961A (zh) 一种倒装结构micro LED芯片的制备方法
CN105957835A (zh) 一种芯片的切割方法
CN104658976A (zh) 晶圆积层体的分断方法及分断装置
CN104658888A (zh) 一种晶圆处理工艺及晶圆处理装置
CN203774284U (zh) 一种用于半导体封装的划片
CN103192462B (zh) 一种硅片多线切割方法
CN104425527A (zh) 影像感测器用的晶圆积层体的分断方法
CN105382945A (zh) 脆性材料基板的分断方法、基板保持构件及框体
CN109216178A (zh) 一种硅片级封装划片槽的设计方法
CN105116581A (zh) 一种显示屏的切割工艺
CN102962900B (zh) 自由空间光隔离器芯片体的切割方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant