CN110394710A - 一种plc晶圆激光切割法 - Google Patents

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陈文铨
叶建国
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    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
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Abstract

本发明公开了一种PLC晶圆激光切割法，旨在提供一种其具有操作简单，切割效率高减少晶圆损伤的优点的切割方法，其技术方案要点是1.包括以下步骤：S1，将整片晶圆，用粘合剂粘到1mm厚的透明玻璃底板上，形成芯片；S2，采用激光切割机将沿着芯片的长边，切完所有芯片的长边，但是不切透底板；S3，沿着芯片的短边切割时要切透底板，分片成条状晶圆；S4，采用手工按芯片短边方向分片，得到带玻璃底板的晶圆条；S5，将条状晶圆装到研磨夹具上，在自动研磨、抛光机上把晶圆两端的8度角磨出来；S6，再将磨好角度的条状晶圆，在醇类溶液中浸泡若干小时；S7，去除条状晶圆上的玻璃底板、废边，沥除液体；S8，在清水中清洗晶圆，烘干。

Description

一种PLC晶圆激光切割法
技术领域
本发明涉及光纤通讯领域，特别涉及一种PLC晶圆激光切割法。
背景技术
在市内通讯网络中，光纤技术应用的发展非常快，应用的范围也越来越广。特别是光纤到户(FTTH)正伴随着光纤技术的成熟处于飞速发展中，在FTTH中均使用PON技术(俗称无源光网络)，PON技术作为一种光纤接入技术，具有抗干扰性高、带宽大、接入距离长、方便维护和管理等特点，而PLC光分路器作为PON技术中非常关键的部件，均使用到一个基础性的核心部件-PLC芯片。
目前，公开号为CN102756432B的中国专利公开了一种PLC晶圆切割方法，它包括以下步骤，将PLC晶圆通过切割机制成晶圆条；在镜子的镜面上涂布有粘合剂；将晶圆条间隔放置在镜子上，并通过热熔的方式使粘合剂和晶圆条粘合，镜面置于一工装平台上，各个晶圆条的一端边沿对齐并紧靠工装平台的基准面，使各个晶圆条的切割线平行；待粘合剂冷却后对，在镜子的背面贴上UV膜，并安装在切割机的工作台上；沿切割线将晶圆条切割成晶粒。
现有的PLC晶圆的切割方法是：将整片晶圆，用胶粘到1mm厚的反光镜片上；用高精度自动划片机将晶圆切成条状；将条状晶圆装到研磨夹具上，在自动研磨、抛光机上把晶圆两端的8度角磨出来；再将磨好角度的条状晶圆，泡在酒精内若干小时；去除反光镜片、废边，沥除酒精，纯水清洗芯片，烘干。
这种切割方式，存在以下缺点：1、砂轮切割机走刀速度较低，产能不高；2、砂轮刀片有使用寿命衰退问题，不可避免刀片失效时，因断刀或刀片破损导致的芯片的切割面崩边，或者晶圆条的额外损坏。
发明内容
本发明的目的是提供一种新的PLC晶圆激光切割方法，其具有操作简单，切割效率高减少晶圆损伤的优点。
本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：
一种PLC晶圆激光切割法，包括以下步骤：
S1，将整片晶圆，用粘合剂粘到1mm厚的透明玻璃底板上，形成芯片；
S2，采用激光切割机将沿着芯片的长边，切完所有芯片的长边，但是不切透底板；
S3，沿着芯片的短边切割时要切透底板，分片成条状晶圆；
S4，采用手工按芯片短边方向分片，得到带玻璃底板的晶圆条；
S5，将条状晶圆装到研磨夹具上，在自动研磨、抛光机上把晶圆两端的8度角磨出来；
S6，再将磨好角度的条状晶圆，在醇类溶液中浸泡若干小时；
S7，去除条状晶圆上的玻璃底板、废边，沥除液体；
S8，在清水中清洗晶圆，烘干。
优选的：所述粘合剂为酒精溶性的UV胶水。
优选的：所述激光切割机采用的是皮秒激光切割机。
优选的：所述醇类为酒精。
优选的：所述条状晶圆在酒精内浸泡3-6个小时。
通过采用上述技术方案，1.皮秒激光一次性完成切割，且切割速度较砂轮切割机要高得多，单位时间内的切割产能增加至少30％；
2.整个生产过程中，激光切割机与晶圆之间没有机械接触，所以也就不存在晶圆损伤的可能性；
3.激光切割只是打断了玻璃分子键，切割精度远高于砂轮切割机，因此避免了芯片崩边的问题，产品的外形完整；
4.激光切割不需要留常规的切割缝，这为后续晶圆排版的改进、提高单片晶圆上芯片的排列数量提供了可能性。
具体实施方式
以下对本发明作进一步详细说明。
一种PLC晶圆激光切割法，包括以下步骤：
S1，将整片晶圆，用粘合剂粘到1mm厚的透明玻璃底板上，形成芯片；
S2，采用激光切割机将沿着芯片的长边，切完所有芯片的长边，但是不切透底板；
S3，沿着芯片的短边切割时要切透底板，分片成条状晶圆；
S4，采用手工按芯片短边方向分片，得到带玻璃底板的晶圆条；
S5，将条状晶圆装到研磨夹具上，在自动研磨、抛光机上把晶圆两端的8度角磨出来；
S6，再将磨好角度的条状晶圆，在醇类溶液中浸泡若干小时；
S7，去除条状晶圆上的玻璃底板、废边，沥除液体；
S8，在清水中清洗晶圆，烘干。
优选的：所述粘合剂为酒精溶性的UV胶水。
优选的：所述激光切割机采用的是皮秒激光切割机。
优选的：所述醇类为酒精。
优选的：所述条状晶圆在酒精内浸泡3-6个小时。
通过采用上述技术方案，1.皮秒激光一次性完成切割，且切割速度较砂轮切割机要高得多，单位时间内的切割产能增加至少30％；
2.整个生产过程中，激光切割机与晶圆之间没有机械接触，所以也就不存在晶圆损伤的可能性；
3.激光切割只是打断了玻璃分子键，切割精度远高于砂轮切割机，因此避免了芯片崩边的问题，产品的外形完整；
4.激光切割不需要留常规的切割缝，这为后续晶圆排版的改进、提高单片晶圆上芯片的排列数量提供了可能性。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明而非限制本发明的技术方案，尽管参照上述实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明进行修改或者等同替换，而不脱离本发明的精神和范围，而所附权利要求意在涵盖落入本发明精神和范围中的这些修改或者等同替换。

Claims (5)

1.一种PLC晶圆激光切割法，其特征在于：包括以下步骤：
S1，将整片晶圆，用粘合剂粘到1mm厚的透明玻璃底板上，形成芯片；
S2，采用激光切割机将沿着芯片的长边，切完所有芯片的长边，但是不切透底板；
S3，沿着芯片的短边切割时要切透底板，分片成条状晶圆；
S4，采用手工按芯片短边方向分片，得到带玻璃底板的晶圆条；
S5，将条状晶圆装到研磨夹具上，在自动研磨、抛光机上把晶圆两端的8度角磨出来；
S6，再将磨好角度的条状晶圆，在醇类溶液中浸泡若干小时；
S7，去除条状晶圆上的玻璃底板、废边，沥除液体；
S8，在清水中清洗晶圆，烘干。
2.根据权利要求1所述的PLC晶圆激光切割法，其特征在于：所述粘合剂为酒精溶性的UV胶水。
3.根据权利要求1所述的PLC晶圆激光切割法，其特征在于：所述激光切割机采用的是皮秒激光切割机。
4.根据权利要求1所述的PLC晶圆激光切割法，其特征在于：所述醇类为酒精。
5.根据权利要求1所述的PLC晶圆激光切割法，其特征在于：所述条状晶圆在酒精内浸泡3-6个小时。
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