CN103951828A - 有机硅树脂 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机硅树脂。所述有机硅树脂由式1的平均组成式表示并且包含式2的硅氧烷单元和式3的硅氧烷单元:[式1]:(R3SiO1/2)a(R2SiO2/2)b(RSiO3/2)c(SiO4/2)d,[式2]:R1R2SiO2/2,[式3]:R3SiO3/2。所述有机硅树脂可以显示出优异的折射率,因此,例如当用作用于LED的密封剂时,可以具有优异的光提取效率。另外,所述有机硅树脂在其应用时显示出优异的可加工性和可操作性,在应用后显示出优异的抗裂性、硬度、抗热冲击性和粘合强度,并且在苛刻条件下具有防止表面发粘和混浊的效果。
Description
本申请是分案申请,原申请的申请号为“201180006438.5”,申请日为2011年1月25日,发明名称为“有机硅树脂”。
技术领域
本发明涉及一种有机硅树脂。
背景技术
已经获得了使用GaN化合物(例如GaN、GaAlN、InGaN或InAlGaN)的化合物半导体的高亮度LED产品作为LED(发光二级管),特别是作为具有约250nm~550nm发射波长的蓝色或UV LED。另外,使用将红色和绿色LED与蓝色LED结合的技术可以形成高清全彩图像。例如,已知通过将蓝色LED或UV LED与无机发光材料结合来制备白色LED的技术。液晶显示器(LCD)中的常规照明或背光对这种LED的需求已经日益增加。
具有高粘合强度和优异的动态耐久性的环氧树脂已经被广泛用作LED密封剂。然而,环氧树脂的问题在于:环氧树脂对于蓝色至UV波长区域的光具有低透过率,还显示出劣化的耐光性。因此,例如,在日本专利特许公开公布号Hei11-274571、2001-196151和2002-226551中已经提出了解决上述问题的技术。然而,在这些文献中描述的密封剂显示了不足的耐光性。
作为对于短波长范围具有优异的耐光性的材料,已经知道有机硅树脂。然而,有机硅树脂的缺点在于:它的耐热性差,并且在固化后它的表面较粘。另外,为了有效地将有机硅树脂用作LED密封剂,必须确保例如高折射性、抗裂性、表面硬度、粘合强度和抗热冲击性的性能。
发明内容
技术问题
本发明的目的包括提供一种有机硅树脂。
技术方案
本发明涉及一种有机硅树脂,该有机硅树脂由式1的平均组成式表示,并且具有式2的硅氧烷单元和式3的硅氧烷单元:
[式1]
(R3SiO1/2)a(R2SiO2/2)b(RSiO3/2)c(SiO4/2)d
[式2]
R1R2SiO2/2
[式3]
R3SiO3/2
其中,在a+b+c+d为1,且R1和R2中的至少一个表示芳基的情况下,R是与硅原子直接连接的取代基,且各自独立地表示氢、烷氧基、羟基、环氧基、(甲基)丙烯酰基、异氰酸酯基或一价烃基;R1和R2各自独立地表示烷基和芳基,R3表示芳基,a是在0≤a≤0.5的范围内,b是在0<b≤0.8的范围内,c是在0<c≤0.8的范围内,d是在0≤d≤0.2的范围内。
在下文中,将详细描述所述有机硅树脂。
所述有机硅树脂可以由式1的平均组成式来表示。在本说明书中,由特定平均组成式表示的有机硅树脂是指以下情形:树脂包含由所述特定平均组成式表示的单一树脂;和树脂包含至少两种树脂组分的混合物,该至少两种树脂的平均组成由所述特定的平均组成式表示。
所述有机硅树脂包含由式2表示的双官能单元和由式3表示的三官能单元作为该树脂中包含的硅氧烷单元。因此,所述有机硅树脂显示出优异的光学特性(例如折射率),并且可以例如在应用于LED时显示出优异的光提取效率。另外,所述有机硅树脂在其应用时显示出低的粘度,具有优异的可加工性和可操作性,并且在应用后显示出优异的抗裂性、硬度、抗热冲击性和粘合强度。而且,所述有机硅树脂在高温和/或高湿条件下具有优异的长期可靠性,还能防止在高温和/或高湿条件下表面上的浑浊和发粘现象。
在式1中,R是与硅原子直接连接的取代基。另外,R可以彼此相同或不同,且各自独立地表示氢、羟基、环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、异氰酸酯基、烷氧基或一价烃基。在此种情形中,如果需要,R可以被一个或两个或更多个取代基取代。
在式1中,所述烷氧基可以是具有1~12个碳原子,优选1~8个碳原子,且更优选1~4个碳原子的直链、支链或环状烷氧基,更特别是,所述烷氧基可以包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基或叔丁氧基。
另外在式1中,所述一价烃基可以例如是烷基、链烯基、芳基或芳基烷基,可以优选是烷基、链烯基或芳基。
在式1中,所述烷基可以是具有1~12个碳原子,优选1~8个碳原子,且更优选1~4个碳原子的直链、支链或环状烷基,可以优选是甲基。
还在式1中,所述链烯基可以是具有2~12个碳原子,优选2~8个碳原子,且更优选2~4个碳原子的链烯基,可以优选是乙烯基。
另外在式1中,所述芳基可以是具有6~18个碳原子,优选6~12个碳原子的芳基,可以优选是苯基。
此外,在式1中,所述芳基烷基可以是具有6~19个碳原子,优选6~13个碳原子的芳基烷基,且可以是例如苄基。
在式1中,R中的至少一个是芳基,优选是苯基。而且,芳基可以例如包含在式2或式3的硅氧烷单元中。
另外,在式1中,R中的至少一个可以优选是羟基、环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基或乙烯基,且更优选是环氧基。这样的官能团可以进一步改善密封剂的粘合强度。
在式1中,a、b、c和d分别表示硅氧烷单元的摩尔分数,且a、b、c和d的总和是1。另外在式1中,a可以是0至0.5,优选是0至0.4,b可以是大于0至0.8或小于0.8,优选是大于0至0.7或小于0.7,c可以是大于0至0.8或小于0.8,优选是大于0至0.7或小于0.7,d是0至0.2,优选是0至0.15。
所述有机硅树脂包含至少一个与硅原子连接的芳基,优选是苯基。优选地,在所述有机硅树脂中,与硅原子连接的芳基(Ar)相对于该树脂中的全部硅原子(Si)的摩尔比(Ar/Si)可以在0.7~1.3的范围内,优选在0.7~1.2的范围内。当所述摩尔比(Ar/Si)在该范围内时,可以保持有机硅树脂或包含该有机硅树脂的密封剂的优异的折射率、光提取效率、抗裂性、硬度和粘度。
根据本发明,与芳基连接的硅原子优选分布并包含在式2的硅氧烷单元和式3的硅氧烷单元中。更优选地,与树脂中的芳基连接的全部硅原子包含在式2或式3的硅氧烷单元中。
在上述中,式2的硅氧烷单元是双官能硅氧烷单元,且式2中的R1和R2各自独立地表示烷基或芳基,其中R1和R2中的至少一个是芳基。在此种情形下,所述烷基和芳基的具体种类与对于上面R描述的相同,在式2中的烷基优选是甲基,芳基优选是苯基。
根据本发明,式2所述的硅氧烷单元可以优选是式4和/或式5的硅氧烷单元。
[式4]
(C6H5)(CH3)SiO2/2
[式5]
(C6H5)2SiO2/2
在所述有机硅树脂中,在式2的硅氧烷单元中的芳基(Ar)相对于所述树脂中的全部硅原子(Si)的摩尔比(Ar/Si)可以在0.3~0.8的范围内,优选在0.4~0.7的范围内。当将该摩尔比(Ar/Si)调整至0.3或大于0.3时,可以保持所述有机硅树脂的优异的粘度、折射率和耐湿性,而当将该摩尔比(Ar/Si)调整至0.8或小于0.8时,可以保持所述有机硅树脂的优异的硬度。
在所述有机硅树脂中,式2的硅氧烷单元与所述树脂中全部双官能硅氧烷单元之比也可以是35mol%或大于35mol%,优选是40mol%或大于40mol%。当这种含量(mol%)在上述范围内时,可以保持所述有机硅树脂或包含该有机硅树脂的密封剂的优异的光提取效率、抗裂性、硬度和粘度。就这一点而言,术语“mol%”的上限没有特别限制,但例如是100mol%。
式3表示包含与硅原子直接连接的芳基的三官能硅氧烷单元。所述芳基的具体例子与上面对于R描述的相同,且该芳基可以优选是苯基。
式3的硅氧烷单元可以是由式6表示。
[式6]
(C6H5)SiO3/2
在所述有机硅树脂中,在式3的硅氧烷单元中的芳基(Ar)相对于所述树脂中的全部硅原子(Si)的摩尔比(Ar/Si)可以在0.25~0.7的范围内,优选在0.25~0.7的范围内。当将该摩尔比(Ar/Si)调整至上述范围时,可以保持所述有机硅树脂或所述密封剂优异的硬度、折射率和粘度。
在所述有机硅树脂中,式3的硅氧烷单元与所述树脂中全部三官能硅氧烷单元之比也可以是70mol%或大于70mol%,优选是80mol%或大于80mol%。当这种含量(mol%)在上述范围内时,可以保持所述有机硅树脂或包含该有机硅树脂的密封剂的优异的光提取效率、抗裂性、硬度和粘度。就这一点而言,术语“mol%”的上限没有特别限制,但例如是100mol%。
所述有机硅树脂可以例如在25℃下具有500cP~100,000cP的粘度,优选具有500cP~50,000cP。当所述有机硅树脂的粘度在上述范围内时,可以保持该有机硅树脂优异的可加工性和硬度。
根据本发明,所述有机硅树脂的分子量可以为300~100,000,优选为300~50,000,且更优选为500~30,000。当将所述树脂的分子量调整至上述范围时,所述密封剂具有优异的硬度,并且还可以显示出优异的可加工性。在本发明中,除非另外规定,否则术语“分子量”是指重均分子量(Mw)。另外,重均分子量是指相对于标准聚苯乙烯转换的值,并且可以由凝胶渗透色谱法(GPC)来测定。
上述有机硅树脂可以由本领域已知的各种方法制得。例如,该有机硅树脂可以例如使用可加成固化的有机硅材料、可缩合固化或可缩聚固化的有机硅材料、可紫外光致固化的有机硅材料或过氧化物硫化的有机硅材料而制得,并且优选使用可加成固化的有机硅材料、可缩合固化或可缩聚固化的有机硅材料或可紫外光致固化的有机硅材料而制得。
所述可加成固化的有机硅材料可以通过氢化硅烷化而固化。这种可加成固化的有机硅材料至少包括具有与硅原子直接连接的氢原子的有机硅化合物和具有不饱和脂族基(例如乙烯基)的有机硅化合物,这些有机硅化合物在催化剂存在下彼此反应而固化。所述催化剂的例子可以包括元素周期表中第VIII族金属;将所述金属负载在载体(例如氧化铝、二氧化硅或炭黑)上的催化剂;所述金属的盐或络合物。可以用于此处的元素周期表中第VIII族金属包括铂、铑或钌,但优选铂。
使用可缩合固化或可缩聚固化的有机硅材料的方法包括通过具有可水解官能团(例如卤素原子或烷氧基)的有机硅化合物或其水解产物(例如硅烷或硅氧烷)的水解和缩合来制备有机硅树脂。可用于该方法中的单元化合物可以包括硅烷化合物,例如Ra 3Si(ORb)、Ra 2Si(ORb)2、RaSi(ORb)3和Si(ORb)4。在上述硅烷化合物中,(ORb)可以表示具有1~8个碳原子的直链或支链烷氧基,并且更具体地,可以是甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、异丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基或叔丁氧基。另外在上述硅烷化合物中,Ra是与硅原子连接的官能团,并且可以考虑所需有机硅树脂中的取代基来进行选择。
使用可紫外光致固化的有机硅材料的方法包括一种方法,其中,使硅化合物(例如具有紫外光活性基团(例如丙烯酰基)的硅烷或硅氧烷)或其水解产物进行水解和缩合而制得树脂;然后通过紫外光照射而制得所需树脂。
上述可加成固化的有机硅材料、可缩合固化或可缩聚固化的有机硅材料或者可紫外光致固化的有机硅材料在本领域是熟知的,并且根据所需有机硅树脂,使用上述本领域技术人员已知的材料可以容易地制得所需树脂。
本发明还涉及一种半导体装置,该半导体装置包括用密封剂封装的半导体元件,所述密封剂包含所述有机硅树脂。
可以用所述密封剂封装的半导体元件的示例性种类可以包括二极管、晶体管、晶闸管、固相图像收集装置、一体式IC和混合式IC中使用的半导体器件。另外,所述半导体装置的示例性例子可以包括二极管、晶体管、晶闸管、光电耦合器、CCD、一体式IC、混合式IC、LSI、VLSI和发光二极管(LED)。
在一个实施方案中,所述半导体装置可以是发光二极管,该发光二极管包括用密封剂封装的发光元件,所述密封剂包含所述有机硅树脂。
此处可以使用的发光元件的种类没有特别限制。例如,可以使用通过将半导体材料层叠在基板上而形成的发光元件。在此种情形中,所述半导体材料的例子可以包括,但不限于,GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN或SiC。另外,此处使用的基板的例子可以包括蓝宝石、尖晶石、SiC、Si、ZnO或GaN单晶。
根据本发明,当需要时,也可以在所述基板和半导体材料之间形成缓冲层。在此种情形中,GaN或AlN可以用作缓冲层。将半导体材料堆叠在基板上的方法没有特别限制,但可以包括,例如,MOCVD、HDVPE或液相外延法。在本发明中,所述发光元件的结构可以包括,例如,具有MIS结、PN结或PIN结的单结结构、异质结结构和双异质结结构。另外,所述发光元件可以以单或多量子阱结构来形成。
在本发明的一个实施方案中,所述发光元件的发射波长可以是,例如,在250nm~550nm的范围内,优选在300nm~500nm的范围内,且更优选在330nm~470nm的范围内。此处,所述发射波长表示峰值发射波长。当所述发光装置的发射波长设置成上述波长时,可以获得具有较长寿命并显示出高能量效率和色彩再现的白色LED。
所述LED可以通过用根据本发明的热固性组合物封装发光元件,特别是具有250nm~550nm发射波长的发光元件而制得。在此种情形中,所述发光元件的封装可以仅使用根据本发明的组合物来进行,并且当需要时,可以与另外的密封剂组合来进行。当两种密封剂一起使用时,发光元件可以用本发明的组合物来进行封装,然后用另一种密封剂封装经初步封装的发光元件,或者发光元件可以用另一种密封剂来进行封装,然后用本发明的组合物封装经初步封装的发光元件。可以用于此处的其它密封剂可以包括环氧树脂、有机硅树脂、丙烯酸类树脂、尿素树脂、酰亚胺树脂(imide resin)或玻璃。
例如,用本发明的组合物封装发光装置的方法包括:首先将热固性组合物注入到铸模型铸塑(mold-type cast)中,将固定有发光元件的引线框架浸在上述热固性组合物中并固化该热固性组合物。在此种情形中,注入热固性组合物的方法的例子可以包括使用分配器法、传递模塑法和注射模塑法等注入法。另外,此处使用的其它封装方法可以包括:通过滴落法(dropping)、雕版印刷法、丝网印刷法或掩模法(mask process)将热固性组合物应用于发光元件上并固化该热固性组合物的方法,使用分配器将热固性组合物注入到其中设置有发光元件的杯中并固化该热固性组合物的方法,等等。另外,本发明的热固性组合物可以用作将发光元件固定于引线端子或外壳(package)上的晶片粘合材料、发光元件上的钝化膜和封装基板等。
上述固化本发明的组合物的方法没有特别限制,但可以,例如通过在60℃~200℃的温度下加热组合物10分钟~5小时来进行,并且可以任选地在合适的温度和时间的条件下进行至少两步固化过程来进行。
封装部分的形状没有特别限制,但可以以壳型透镜(shell-type lens)、平面或薄膜形状来形成。
在本发明中,所述LED的性能也可以使用另外的常规已知方法进行改善。改善性能的方法可以,例如,包括:在发光元件的后表面设置光反射层或集光层的方法,在发光元件的底部形成补偿性彩色部分的方法,在发光元件上设置用于吸收波长短于主发射峰波长的光的层的方法,封装发光元件并使用硬质材料对该发光元件进行进一步模塑的方法,通过通孔固定LED的方法,使用倒装互连法(flip chip interconnection)将发光元件和引线部件(lead member)连接,从而沿基板的方向提取光的方法等。
本发明的LED可以,例如,有效地用作光源,例如液晶显示装置(LCD)、照明设备、多种传感器、打印机或复印机的背光单元、用于汽车仪表盘、交通灯、信号灯、显示装置的光源,用于平面发光体、显示器、装饰或各种灯的光源。
有益效果
所述有机硅树脂可以显示出优异的折射率,因此,例如当用作用于LED的密封剂时,可以具有优异的光提取效率。另外,所述有机硅树脂在其应用时显示出优异的可加工性和可操作性,在应用后显示出优异的抗裂性、硬度、抗热冲击性和粘合强度,并且在苛刻条件下具有防止表面发粘和混浊的效果。
具体实施方式
在下文中,将更详细地描述本发明的示例性实施方案。
在下文中,在这些实施例中,“Vi”是指“乙烯基”,“Ph”是指“苯基”,“Me”是指“甲基”,“Ep”是指“环氧基”。
1.装置性能的评价
使用聚邻苯二甲酰胺(PPA)制得的5630LED封装用来评价装置性能。具体而言,将可固化树脂组合物分配到聚邻苯二甲酰胺杯中,在60℃的恒温下固化30分钟,然后在150℃的恒温下固化1小时以制得表面安装型LED。然后,如下所述,评价LED的抗热冲击性和在高温/高湿条件下的长期可靠性。
<用于评价抗热冲击性的标准>
在一个循序中,将制得的表面安装型LED在-40℃的恒温下放置30分钟,然后在100℃的恒温下放置30分钟,将该循序重复10次。然后,将上述表面安装型LED在室温下冷却,评价剥离状态以确定抗热冲击性(在各个实施例和对比例中制备10个表面安装型LED并评价剥离状态)。
<在高温/高湿条件下的长期可靠性>
在所制得的表面安装型LED放置在85℃的温度和85%的相对湿度的状态下,通过施加60mA的电流使所述LED运行100小时。在完成上述运行后,测量LED的亮度以计算亮度相对于初始亮度的下降,并根据下面的标准评价可靠性。
<评价标准>
○:亮度相对于初始亮度降低10%或小于10%
×:亮度相对于初始亮度降低10%或大于10%
实施例1
将100g直链有机硅氧烷化合物(式1)、300g支链硅氧烷化合物(式2)、10.0g增粘剂(式3)和100.0g氢硅氧烷化合物(式4)进行混合,所有的上述硅氧烷化合物均是通过常规方法制得并由以下式表示。然后,以Pt(0)在得到的混合物中的含量为20ppm的量混合催化剂(铂(0)-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷),进行均匀混合,脱气,制得可固化组合物。
[式1]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]10[Ph2SiO2/2]4[PhMeSiO2/2]4
[式2]
[ViMeSiO2/2][PhMeSiO2/2][PhSiO3/2]14[ViMe2SiO1/2]3
[式3]
[ViMe2SiO1/2]2[EpSiO3/2]2[PhMeSiO2/2]10
[式4]
[HMe2SiO1/2]2[Ph2SiO2/2]
实施例2
除了将铂催化剂与通过将100g由式5表示的直链有机硅氧烷化合物、300g式2的支链硅氧烷化合物、10.0g式3的增粘剂和105.0g式4的氢硅氧烷化合物混合而制得的混合物进行混合之外,按照与实施例1相同的方式制备可固化组合物。
[式5]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]9[Ph2SiO2/2]5[PhMeSiO2/2]4
实施例3
除了将铂催化剂与通过将100g由式6表示的直链有机硅氧烷化合物、300g式2的支链硅氧烷化合物、10.0g式3的增粘剂和101.0g式4的氢硅氧烷化合物混合而制得的混合物进行混合之外,按照与实施例1相同的方式制备可固化组合物。
[式6]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]5[Ph2SiO2/2]5[PhMeSiO2/2]8
实施例4
除了将铂催化剂与通过将100g由式7表示的直链有机硅氧烷化合物、300g式2的支链硅氧烷化合物、10.0g式3的增粘剂和100.0g式4的氢硅氧烷化合物混合而制得的混合物进行混合之外,按照与实施例1相同的方式制备可固化组合物。
[式7]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]3[Ph2SiO2/2]7[PhMeSiO2/2]8
实施例5
除了将铂催化剂与通过将100g由式8表示的直链有机硅氧烷化合物、300g式2的支链硅氧烷化合物、10.0g式3的增粘剂和99.0g式4的氢硅氧烷化合物混合而制得的混合物进行混合之外,按照与实施例1相同的方式制备可固化组合物。
[式8]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2][Ph2SiO2/2]9[PhMeSiO2/2]8
实施例6
除了将铂催化剂与通过将100g由式9表示的直链有机硅氧烷化合物、300g式2的支链硅氧烷化合物、10.0g式3的增粘剂和98.0g式4的氢硅氧烷化合物混合而制得的混合物进行混合之外,按照与实施例1相同的方式制备可固化组合物。
[式9]
[ViMe2SiO1/2]2[Ph2SiO2/2]10[PhMeSiO2/2]8
[表1]
抗热冲击性试验 | 高温/高湿可靠性 | |
实施例1 | 1/10 | ○ |
实施例2 | 0/10 | ○ |
实施例3 | 1/10 | ○ |
实施例4 | 0/10 | ○ |
实施例5 | 0/10 | ○ |
实施例6 | 1/10 | ○ |
从表1可以看出,证明了本发明实施例的可固化组合物在固化后具有优异的抗热冲击性,并且在高温/高湿长期可靠性试验中显示出优异的性能。
试验例:透湿性、可靠性和防止黄化效果的测量
为了确定根据本发明包括式2和式3的硅氧烷单元的有机硅树脂的效果,使用下面方法测量以下面方法制得的测试样品的物理性能。
(1)透湿性的测量
将各测试样品的组合物在150℃下固化1小时,以制得1mm厚的平面测试样品,测量所制得的平面测试样品的透湿性。使用Mocon测试仪在相同的条件下沿厚度方向测量平面测试样品的透湿性,结果列于下面表2中。
(2)在高温和高湿条件下的可靠性的测量
将各测试样品的组合物以相同的厚度涂布在玻璃基板上,固化,然后在85℃的温度和85%的相对湿度下保持500小时。然后,以剥离试验评价上述组合物的固化产物对于玻璃基板的剥离强度,并根据下面的标准评价剥离强度的值,由此评价在高温和高湿条件下组合物的可靠性。
<评价标准>
○:对于玻璃基板的剥离强度近似于或大于15gf/mm
×:对于玻璃基板的剥离强度小于15gf/mm
(3)黄化的测量
使用Q-UVA(340nm,0.89W/Cm2)测试仪,在60℃下对用于测量透湿性的各测试样品用光照射3天,根据下面的标准评价黄化。结果如下所述。
<评价标准>
○:对波长为450nm的光的吸光度小于5%
×:对波长为450nm的光的吸光度为5%或大于5%
测试样品A
将由式A、B、C和D表示的化合物作为由已知方法合成的有机硅氧烷化合物一起混合,以制备可以通过氢化硅烷化而固化的硅氧烷组合物(混合量:化合物A100g,化合物B10g,化合物C200g,化合物D60g)。然后,以Pt(0)在上述组合物中的含量为20ppm的量混合催化剂(铂(0)-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷),并进行均匀混合,制得可固化组合物(A)。
[式A]
(ViMe2SiO1/2)2(ViMeSiO2/2)2(Ph2SiO2/2)20(Me2SiO2/2)20
[式B]
(ViMe2SiO1/2)2(EpSiO3/2)3(MePhSiO2/2)20
[式C]
(ViMe2SiO1/2)3(MePhSiO2/2)1(PhSiO3/2)7
[式D]
(HMe2SiO1/2)2(Ph2SiO2/2)1.5
测试样品B
将由式E~G表示的化合物作为由已知方法合成的有机硅氧烷化合物一起混合,以制备可以通过氢化硅烷化而固化的硅氧烷组合物(混合量:化合物E100g,化合物F20g,化合物G50g)。然后,以Pt(0)在上述组合物中的含量为20ppm的量混合催化剂(铂(0)-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷),并进行均匀混合,制得可固化组合物(B)。
[式E]
(ViMe2SiO1/2)2(ViMeSiO2/2)15(MeSiO3/2)5(Me2SiO2/2)50
[式F]
(ViMe2SiO1/2)3(MeSiO3/2)4(PhSiO3/2)1.5
[式G]
(HMe2SiO1/2)2(HMeSiO2/2)2(Me2SiO2/2)10
测试样品C
将由式H~J表示的化合物作为由已知方法合成的有机硅氧烷化合物一起混合,以制备可以通过氢化硅烷化而固化的硅氧烷组合物(混合量:化合物H100g,化合物I20g,化合物J50g)。然后,以Pt(0)在上述组合物中的含量为20ppm的量混合催化剂(铂(0)-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷),并进行均匀混合,制得可固化组合物(C)。
[式H]
(ViPh2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)20
[式I]
(ViPh2SiO1/2)3(MeSiO3/2)10
[式J]
(HMe2SiO1/2)2(HMeSiO2/2)2(Me2SiO2/2)10
测量各测试样品的物理性能,结果列于下面表2中。
[表2]
测试样品A | 测试样品B | 测试样品C | |
透湿性 | 15g/cm2/天 | 106g/cm2/天 | 120g/cm2/天 |
耐久性/可靠性 | ○ | × | × |
黄化 | ○ | ○ | × |
从表2看出,证明含有式2和式3的硅氧烷单元的测试样品A显示出优异的透湿性、耐久性/可靠性和黄化性能,但含有式2和式3的硅氧烷单元之一的测试样品B以及不含式2和式3的硅氧烷单元的测试样品C显示出显著劣化的物理性能。
Claims (15)
1.一种有机硅树脂,由式1的平均组成式表示并且包含式2的硅氧烷单元和式3的硅氧烷单元:
[式1]
(R3SiO1/2)a(R2SiO2/2)b(RSiO3/2)c(SiO4/2)d
[式2]
R1R2SiO2/2
[式3]
R3SiO3/2
其中,在a+b+c+d为1,且R1和R2中的至少一个表示芳基的情况下,R是与硅原子直接连接的取代基,且各自独立地表示氢、烷氧基、羟基、环氧基、(甲基)丙烯酰基、异氰酸酯基或一价烃基;R1和R2各自独立地表示烷基和芳基,R3表示芳基,a是在0≤a≤0.5的范围内,b是在0<b≤0.8的范围内,c是在0<c≤0.8的范围内,d是在0≤d≤0.2的范围内。
2.根据权利要求1所述的有机硅树脂,其中,与硅原子连接的芳基相对于全部硅原子的摩尔比在0.7~1.3的范围内。
3.根据权利要求1所述的有机硅树脂,其中,所述芳基是苯基。
4.根据权利要求2所述的有机硅树脂,其中,全部的所述与硅原子连接的芳基包含在所述式2或所述式3的硅氧烷单元中。
5.根据权利要求2所述的有机硅树脂,其中,所述式2的硅氧烷单元是选自式4的硅氧烷单元和式5的硅氧烷单元中的至少一种:
[式4]
(C6H5)(CH3)SiO2/2
[式5]
(C6H5)2SiO2/2。
6.根据权利要求2所述的有机硅树脂,其中,在所述式2的硅氧烷单元中的与硅原子连接的芳基相对于全部硅原子的摩尔比在0.3~0.8的范围内。
7.根据权利要求2所述的有机硅树脂,其中,所述式2的双官能硅氧烷单元相对于全部双官能硅氧烷单元的比例是35mol%或大于35mol%。
8.根据权利要求2所述的有机硅树脂,其中,所述式3的硅氧烷单元是由式6表示的硅氧烷单元:
[式6]
(C6H5)SiO3/2。
9.根据权利要求2所述的有机硅树脂,其中,在所述式3的硅氧烷单元中的与硅原子连接的芳基相对于全部硅原子的摩尔比在0.25~0.7的范围内。
10.根据权利要求2所述的有机硅树脂,其中,所述式3的三官能硅氧烷单元相对于全部三官能硅氧烷单元的比例是70mol%或大于70mol%。
11.根据权利要求1所述的有机硅树脂,其中,该有机硅树脂在25℃下的粘度为500cP~100,000cP。
12.根据权利要求1所述的有机硅树脂,其中,该有机硅树脂的重均分子量为300~100,000。
13.一种半导体装置,包括用密封剂封装的半导体元件,所述密封剂包含权利要求1所述的有机硅树脂。
14.一种发光二极管,包括用密封剂封装的发光元件,所述密封剂包含权利要求1所述的有机硅树脂。
15.一种液晶显示装置,包括权利要求14所述的发光二极管作为背光单元。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110651016A (zh) * | 2017-05-17 | 2020-01-03 | 株式会社大赛璐 | 粘接剂组合物、固化物、叠层体以及装置 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103649227B (zh) * | 2011-05-04 | 2016-02-24 | Lg化学株式会社 | 可固化组合物 |
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WO2013077706A1 (ko) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | 주식회사 엘지화학 | 경화성 조성물 |
EP2784105B1 (en) * | 2011-11-25 | 2017-05-10 | LG Chem, Ltd. | Method for producing organopolysiloxane |
KR101409537B1 (ko) | 2011-11-25 | 2014-06-19 | 주식회사 엘지화학 | 경화성 조성물 |
JP6108132B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2017-04-05 | エルジー・ケム・リミテッド | 硬化性組成物 |
EP2878638B1 (en) * | 2012-07-27 | 2019-05-22 | LG Chem, Ltd. | Hardening composition |
TWI558741B (zh) * | 2012-07-27 | 2016-11-21 | Lg化學股份有限公司 | 可固化組成物 |
CN104508046B (zh) | 2012-07-27 | 2017-08-01 | Lg化学株式会社 | 可固化组合物 |
JP5987221B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2016-09-07 | エルジー・ケム・リミテッド | 硬化性組成物 |
US9660155B2 (en) | 2012-11-28 | 2017-05-23 | Lg Chem, Ltd. | Light emitting diode |
EP2970593B1 (en) | 2013-03-14 | 2018-10-31 | Momentive Performance Materials Inc. | High refractive index siloxanes |
KR101591167B1 (ko) * | 2013-04-04 | 2016-02-02 | 주식회사 엘지화학 | 경화성 조성물 |
WO2014163439A1 (ko) * | 2013-04-04 | 2014-10-09 | 주식회사 엘지화학 | 경화성 조성물 |
KR101591169B1 (ko) * | 2013-04-04 | 2016-02-02 | 주식회사 엘지화학 | 경화성 조성물 |
JP6256780B2 (ja) * | 2013-04-04 | 2018-01-10 | エルジー・ケム・リミテッド | 硬化性組成物 |
EP3067382B1 (en) * | 2014-01-28 | 2020-12-23 | LG Chem, Ltd. | Cured product |
US10011720B2 (en) * | 2014-07-28 | 2018-07-03 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Silicone-based encapsulating material composition and semiconductor light-emitting device |
US11124649B1 (en) | 2016-07-19 | 2021-09-21 | Nichia Corporation | Curable resin composition, cured product of same and semiconductor device |
KR102526235B1 (ko) * | 2017-02-20 | 2023-04-28 | 다우 실리콘즈 코포레이션 | 실온-경화성 실리콘 조성물 및 전기/전자 장치 |
CN107501942B (zh) * | 2017-08-29 | 2020-10-02 | 北京康美特科技股份有限公司 | 可模塑成型的有机硅树脂、组合物及其半导体发光元件 |
JP6978690B2 (ja) * | 2018-05-25 | 2021-12-08 | 日亜化学工業株式会社 | 透光性部材の形成方法および発光装置の製造方法、ならびに、発光装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0406664A1 (en) * | 1989-07-03 | 1991-01-09 | Toshiba Silicone Co., Ltd. | Adhesive silicone compositions |
CN1798810A (zh) * | 2003-06-03 | 2006-07-05 | 瓦克化学有限公司 | Led密封组合物 |
CN101389695A (zh) * | 2006-02-24 | 2009-03-18 | 陶氏康宁公司 | 用硅氧烷包封的发光器件和用于制备该硅氧烷的可固化的硅氧烷组合物 |
CN101426835A (zh) * | 2006-04-25 | 2009-05-06 | 俄罗斯科学院叶尼科洛波夫纪念合成聚合物材料研究所 | 固化性树脂组合物 |
US20090189180A1 (en) * | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Shinji Murai | Silicone resin composition |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3172275B2 (ja) * | 1992-08-04 | 2001-06-04 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | 静電現像剤用トナー |
JP3241338B2 (ja) | 1998-01-26 | 2001-12-25 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2000169714A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-20 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 硬化性シリコーン組成物 |
JP2001196151A (ja) | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Takazono Sangyo Kk | 発熱体装置及び発熱体温度制御方法 |
JP2002226551A (ja) | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
JP4908736B2 (ja) * | 2003-10-01 | 2012-04-04 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
JP4198091B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2008-12-17 | 旭化成株式会社 | 発光素子封止用樹脂組成物 |
JP5392805B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2014-01-22 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物および光学部材 |
DE102006030003A1 (de) * | 2006-05-11 | 2007-11-15 | Wacker Chemie Ag | Siliconharzbeschichtung für elektronische Bauteile |
JP5202822B2 (ja) * | 2006-06-23 | 2013-06-05 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
JP4636275B2 (ja) * | 2006-07-18 | 2011-02-23 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン樹脂組成物で封止された半導体装置及び該半導体装置封止用シリコーン樹脂タブレット |
TWI447176B (zh) * | 2006-10-19 | 2014-08-01 | Momentive Performance Mat Jp | 硬化性聚有機矽氧烷組成物 |
JP2009021394A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置 |
JP2009185226A (ja) | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 加熱硬化性シリコーン組成物とそれを用いた光学部材用成形物 |
JP5972512B2 (ja) * | 2008-06-18 | 2016-08-17 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置 |
CN102712812B (zh) * | 2010-01-25 | 2015-09-16 | Lg化学株式会社 | 可固化组合物 |
EP2586832B1 (en) * | 2010-06-24 | 2014-10-29 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Encapsulant for optical semiconductor device and optical semiconductor device using same |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0406664A1 (en) * | 1989-07-03 | 1991-01-09 | Toshiba Silicone Co., Ltd. | Adhesive silicone compositions |
CN1798810A (zh) * | 2003-06-03 | 2006-07-05 | 瓦克化学有限公司 | Led密封组合物 |
CN101389695A (zh) * | 2006-02-24 | 2009-03-18 | 陶氏康宁公司 | 用硅氧烷包封的发光器件和用于制备该硅氧烷的可固化的硅氧烷组合物 |
CN101426835A (zh) * | 2006-04-25 | 2009-05-06 | 俄罗斯科学院叶尼科洛波夫纪念合成聚合物材料研究所 | 固化性树脂组合物 |
US20090189180A1 (en) * | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Shinji Murai | Silicone resin composition |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110651016A (zh) * | 2017-05-17 | 2020-01-03 | 株式会社大赛璐 | 粘接剂组合物、固化物、叠层体以及装置 |
CN110651016B (zh) * | 2017-05-17 | 2022-06-24 | 株式会社大赛璐 | 粘接剂组合物、固化物、叠层体以及装置 |
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