CN103938179A - 沉积非晶硅膜的方法 - Google Patents
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 5
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 41
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 240000008025 Alternanthera ficoidea Species 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004720 dielectrophoresis Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02592—Microstructure amorphous
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02658—Pretreatments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
本发明提供一种在腔室中将非晶硅层沉积在半导体基板或绝缘基板的表面上的方法，其中，在沉积所述非晶硅层之前，用NH3等离子体预处理所述表面。
Description
技术领域
本发明涉及一种沉积非晶硅膜的方法，并且尤其是沉积厚度为3μm或以上厚度的非晶硅膜的方法。
背景技术
已经发现，当寻求沉积较厚（例如厚度为3μm或以上）的非晶硅膜时，可能存在膜与基板表面的粘附性的显著问题。目前，这就限制了非晶硅膜的应用，尤其是在MEMS工业中的应用。
非晶硅是硅的非晶体同素异形体形式。其能够以薄膜沉积在各种基板上，为各种电子应用提供某些独特的功能。非晶硅被用在大规模生产的微机电系统（MEMS）和纳米机电系统（NEMS）、太阳能电池、微晶硅和微非晶硅、甚至对于各种基板上的滚压工艺技术（roll-to-roll processing technique）是有用的。针对非晶硅膜的具体MEMS应用为：
1.薄膜装置，包括用于颜色或红外传感的光电二极管或薄膜晶体管，或用于压力传感器的压电电阻器；
2.由于非晶硅膜在高浓度HF溶液中的良好耐性，其在微流体应用中用于玻璃蚀刻的遮蔽层，或甚至在介电泳芯片中作为薄电极；
3.由于非晶硅膜在碱性溶液（TMAH或KOH）中易于去除，其用作电容式超声波换能器微加工中的牺牲层；
4.通过XeF2蚀刻干式去除（dry-release removal）a-Si:H膜，限定压电晶体谐振器中用于机械RF磁场调节的纳米间隙；
5.提供用于阳极接合的中间层以改善接合质量或用在纳米流体通道的制作中。
本申请已经开发了一种用于改善a-Si:H薄膜的粘附性方法，在具体实施方式的附加特征中，本申请已经开发了一种用于降低a-Si:H薄膜的应力且改善了a-Si:H薄膜的均匀性的方法。
发明内容
本发明包括一种在腔室中将非晶硅层沉积在基板表面上的方法，在沉积所述非晶硅层之前，用NH3等离子体预处理所述表面。
在本发明的实施方式中，NH3等离子体可具有下列工艺条件中的至少一个：
（a）供应的RF功率在150～250W的范围内；
（b）所述NH3的流量在80～110sccm之间
（c）所述腔室的压力在500～4000毫托之间；
（d）所述NH3等离子体流动约5分钟。
所述基板可由硅或含硅材料制成。所述基板可为硅或玻璃（SiO2）。所述基本可涂覆有二氧化硅或氮化硅的中间层。然而，本发明并不限于这些实施方式。
优选的是，通过使惰性气体流将所述基板加热至遍及其宽度范围内的恒定温度，从而改善后续工艺步骤的均匀性。适宜地，惰性气体为N2。
可利用SiH4作为工艺气体来沉积所述非晶硅膜，并且SiH4可携带在载气（例如氩）中。
通常，所述腔室包括压板。在非晶硅膜的沉积期间，压板温度可在200～350℃之间，例如200℃。优选地，腔室壁处于75℃，在使用喷头输送工艺气体时，所述喷头可具有约200℃的温度。
当以上述方式沉积时，非晶硅膜的应力会较低，例如低于或等于50MPa。
尽管已经如上限定了本发明，应当理解的是，本发明包括任何前述或后附说明书、附图或权利要求书的特征的任何发明性组合。
附图说明
本发明可以以各种方式来进行，且现将结合附图描述具体实施例。其中：
图1a和图lb为对比在（a）利用常规沉积技术沉积时和（b）利用本发明的实施方式沉积时，关于3.2μm硅膜沉积的粘附性测试结果；
图2为上表面上带有Si-OH键的基板的结构示意图；以及
图3为示出了代表性的PECVD系统的示意图。
具体实施方式
为了改善粘附性，低应力以及改善在非晶硅沉积步骤期间的均匀性，已经开发了一种新型NH3等离子体基板处理步骤。
作为实施例，利用下列工艺步骤，已经成功地得到了未显示出任何剥离迹象的低应力非晶硅膜。表1中示出了工艺参数。
表1：用于3.26μm厚的非晶硅膜沉积的实施例工艺参数*具有良好的粘附性能。
将晶片装入工艺模具中，如图3所示，该工艺模具可包括真空处理腔室。在图3中，真空处理腔室（附图标记为1）包括抽吸孔2，抽吸孔2将腔室连接至泵（未示出）。基板3被放置在压板4上且可用已知的构件（例如静电夹）夹持在适当的位置。腔室1进一步包括喷头组件5，喷头组件5由面板6和带有气体入口8的背板7组成。孔9形成为通过面板。在面板和背板之间的容积（volume）10作为气体容器以允许在气体入口8和工艺容积11之间进行传导。例如在12和13处提供有合适的密封件。RF功率供应源14以本领域技术人员熟知的方式供应RF功率至喷头组件5以产生且维持等离子体。在US2004/0123800可找到对于PECVD系统的配置和操作的进一步详细描述，该专利通过引用而整体并入本文。
在低压下（<0.1Tor），将晶片装入工艺模具，且利用N2辅助气体（>2Torr以及～2000sccm）升至工艺温度。在该温度下，如图3所示，利用RF（14）驱动喷头（5、6）实施NH3等离子体处理步骤。该步骤对压板4上的基板3的表面进行了改性。
NH3等离子体基板处理步骤为提高沉积的非晶硅膜与基板之间的粘附性能的关键工艺步骤。例如，NH3等离子体基板处理步骤：200W的高频功率（13.56MHz），900毫托的压力以及95sccm的NH3气体流持续5min。对于极低应力膜沉积（≤50MPa），可进一步通过运行低温（200℃）沉积工艺来调节膜应力。
实验发现：在低温下结合RF频率、功率、压力和气流的最佳工艺参数沉积的非晶硅膜，可产生非常低应力（≤50MPa）的非晶硅膜。例如，对于喷头和压板温度为200℃，腔室侧壁温度为75℃下，120W高频功率（13.56MHz）、700毫托处理腔室压力，120sccm的SiH4和500sccm的Ar流的沉积可提供极低拉伸应力非晶硅膜沉积（+48.1MPa），且沉积速率约109m/min。
在未经NH3预处理的图1a以及经NH3等离子体处理的图1b中可以看到，该过程对于a-Si:H膜（3.25m厚）与硅晶片的粘附性的优势。使用ANSI/SDIA250.10-1998（R200）过程来进行粘附性测试。在图1a中，通过胶带去除了所有的a-Si:H沉积物，而图1b中并没有通过胶带去除a-Si:H。膜上的网格线为步骤的一部分以确保可重复的结果。通过变动温度、功率、气体流量和压力的工艺参数，这些膜的应力可从拉伸力控制为压缩力。例如，将压板温度从200℃升高至300℃，应力可由<50MPa的拉伸力转换为>200MPa的压缩力。通过降低RF功率，可增加拉伸应力。
将看到的是，NH3等离子体基板处理步骤显著地提高非晶硅膜的粘附性能。
用于增强沉积膜的粘附性能的常规方法可包括提高非晶硅膜沉积温度以及引入中间层，例如氮化硅和二氧化硅，但是这两种方法均具有不足。由于考虑应力和热预算，>350℃的高温在许多应用中是不被接受；而额外层的引入将导致成本增加、复杂化以及在后续中待去除的潜在的多余的膜。
进行了下列实验以比较膜的粘附性增强。
表2：在未经过NH3等离子体步骤的高温下沉积的非晶硅膜*。膜厚度～3.36μm。
表2中的结果显示出：较高的压板温度（350℃）可增强粘附性能，但其对沉积的非晶硅膜还引入了较高的压缩应力。通过上面的实施例，较高温度的沉积带来标准粘附测试的10%下降以及-332.9MPa高压缩应力的膜。
表3：未经过NH3等离子体步骤的情况下，用氮化硅（SiN）中间层沉积的非晶硅膜。
表4：未经过NH3等离子体步骤的情况下，用SiO2中间层沉积的非晶硅膜。
表3和表4中的结果（均对于～3.3μm的膜）表明：在未经过NH3等离子体步骤的情况下，利用SiN或SiO2中间层的非晶硅膜显示出较差的粘附性。
表5：硅晶片上的不同表面的剥离测试的总结
表5中总结了来自表1～4的关键发现。即，除了经过NH3等离子体处理的基板外，对于已经经历打破真空的Si、SiO2和SiN表面，所有的a-Si:H膜显示出剥离迹象。将工艺温度升高至350℃显著地降低了剥离量；然而，该有破坏性的工艺也不能如经过NH3等离子体步骤处理一样以200℃在Si上进行低应力的a-Si:H沉积。
以下，描述了a-Si:H膜粘附性改善的可能机理。已经暴露在大气中的硅表面将具有天然氧化物层。在晶片表面，硅原子经由氧原子以巨型共价结构结合。然而，在二氧化硅的表面处，硅-氧键随着时间经过在空气中水解，而形成-OH基团。因此，在表面处，如图2所示，Si-OH键代替了Si-O-Si键。表面由于-OH基团而被极化，并且可与围绕该表面的合适的化合物形成氢键，且具有范德华色散力和偶极-偶极引力。除了沉积的非晶硅的悬键外，基板表面上的这些Si-OH键显著地影响沉积的非晶硅膜和基板之间的粘附性能。
因此，利用NH3等离子体基板处理步骤来去除基板上表面上的Si-OH键，显著改善了沉积的非晶硅膜的粘附性。
Claims (9)
1.一种在腔室中将非晶硅层沉积在半导体基板或绝缘基板的表面上的方法，其中，在沉积所述非晶硅层之前，用NH3等离子体预处理所述表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述NH3等离子体经历下列工艺条件中的至少一个：
（a）供应的RF功率在150～250W的范围内；
（b）所述腔室的压力在500～4000毫托之间；
（c）所述NH3等离子体流动约1～5分钟；以及
（d）随后在不打破真空的情况下完成所述非晶硅层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述基板由硅制成。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述基板的表面由二氧化硅或氮化硅制成。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在应用所述NH3等离子体之前，通过惰性气体流将所述基板加热至遍及所述基板的宽度范围内的恒定温度。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述惰性气体为N2。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，利用SiH4作为工艺气体来沉积所述非晶硅膜。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述腔室包括压板，并且所述压板的温度在200～350℃之间，例如200℃。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述膜的应力为≤50MPa。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201261715411P | 2012-10-18 | 2012-10-18 | |
| GBGB1218697.9A GB201218697D0 (en) | 2012-10-18 | 2012-10-18 | A method of depositing an amorphous silicon film |
| GB1218697.9 | 2012-10-18 | ||
| US61/715,411 | 2012-10-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103938179A true CN103938179A (zh) | 2014-07-23 |
Family
ID=47324964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310493221.2A Pending CN103938179A (zh) | 2012-10-18 | 2013-10-18 | 沉积非晶硅膜的方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140113439A1 (zh) |
| EP (1) | EP2722871A1 (zh) |
| JP (1) | JP2014086730A (zh) |
| KR (1) | KR20140049952A (zh) |
| CN (1) | CN103938179A (zh) |
| GB (1) | GB201218697D0 (zh) |
| TW (1) | TW201423841A (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104152864A (zh) * | 2014-08-22 | 2014-11-19 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 硅薄膜的制备方法 |
| CN107464743A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-12-12 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 非晶硅薄膜成膜方法 |
| CN109148263A (zh) * | 2018-07-26 | 2019-01-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 沉积非晶硅的成膜方法 |
| CN110088355A (zh) * | 2017-04-26 | 2019-08-02 | 封闭型股份公司研究-工程中心“因科姆系统” | 基底疏水化的方法 |
| CN110970287A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 长鑫存储技术有限公司 | 制备非晶硅薄膜的方法 |
| CN111589769A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-08-28 | 常州时创能源股份有限公司 | 硅片pecvd镀非晶硅用石墨舟的清洗方法 |
| CN111826632A (zh) * | 2019-04-22 | 2020-10-27 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种非晶硅薄膜的沉积方法及沉积设备 |
| CN112760615A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-05-07 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种二氧化硅薄膜及其低温制备方法 |
| US11239264B2 (en) | 2018-12-06 | 2022-02-01 | Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Thin film transistor, display substrate, method for preparing the same, and display device |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102146543B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2020-08-20 | 주식회사 원익아이피에스 | 비정질 실리콘막의 형성 방법 |
| US10483102B2 (en) * | 2017-04-07 | 2019-11-19 | Applied Materials, Inc. | Surface modification to improve amorphous silicon gapfill |
| US10276379B2 (en) | 2017-04-07 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | Treatment approach to improve film roughness by improving nucleation/adhesion of silicon oxide |
| JP7290634B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2023-06-13 | ラム リサーチ コーポレーション | リアクタの処理バッチサイズを増加させるための方法および装置 |
| KR102608340B1 (ko) * | 2021-07-26 | 2023-12-01 | 주식회사 지엔테크 | 엑시머 레이저 어닐링을 이용한 초저접합 실리사이드층 형성방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60119733A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | シリコン板の重金属ゲッタリング方法 |
| JPH07142416A (ja) * | 1993-06-21 | 1995-06-02 | Applied Materials Inc | 改良された界面を有する層のプラズマ化学蒸着法 |
| US20090181553A1 (en) * | 2008-01-11 | 2009-07-16 | Blake Koelmel | Apparatus and method of aligning and positioning a cold substrate on a hot surface |
| KR20100033091A (ko) * | 2008-09-19 | 2010-03-29 | 한국전자통신연구원 | 화학기상증착법에 의한 비정질 실리콘 박막의 증착방법 |
-
2012
- 2012-10-18 GB GBGB1218697.9A patent/GB201218697D0/en not_active Ceased
-
2013
- 2013-10-11 TW TW102136751A patent/TW201423841A/zh unknown
- 2013-10-16 EP EP13188844.8A patent/EP2722871A1/en not_active Withdrawn
- 2013-10-17 US US14/056,529 patent/US20140113439A1/en not_active Abandoned
- 2013-10-18 KR KR1020130124588A patent/KR20140049952A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-10-18 JP JP2013217438A patent/JP2014086730A/ja active Pending
- 2013-10-18 CN CN201310493221.2A patent/CN103938179A/zh active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104152864A (zh) * | 2014-08-22 | 2014-11-19 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 硅薄膜的制备方法 |
| CN110088355A (zh) * | 2017-04-26 | 2019-08-02 | 封闭型股份公司研究-工程中心“因科姆系统” | 基底疏水化的方法 |
| CN107464743A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-12-12 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 非晶硅薄膜成膜方法 |
| CN109148263A (zh) * | 2018-07-26 | 2019-01-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 沉积非晶硅的成膜方法 |
| CN110970287A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 长鑫存储技术有限公司 | 制备非晶硅薄膜的方法 |
| US11239264B2 (en) | 2018-12-06 | 2022-02-01 | Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Thin film transistor, display substrate, method for preparing the same, and display device |
| CN111826632A (zh) * | 2019-04-22 | 2020-10-27 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种非晶硅薄膜的沉积方法及沉积设备 |
| CN111589769A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-08-28 | 常州时创能源股份有限公司 | 硅片pecvd镀非晶硅用石墨舟的清洗方法 |
| CN112760615A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-05-07 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种二氧化硅薄膜及其低温制备方法 |
| CN112760615B (zh) * | 2020-12-17 | 2023-04-28 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种二氧化硅薄膜及其低温制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014086730A (ja) | 2014-05-12 |
| EP2722871A1 (en) | 2014-04-23 |
| US20140113439A1 (en) | 2014-04-24 |
| KR20140049952A (ko) | 2014-04-28 |
| TW201423841A (zh) | 2014-06-16 |
| GB201218697D0 (en) | 2012-11-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140723 |