CN103915310B

CN103915310B - 等离子体处理容器和等离子体处理装置

Info

Publication number: CN103915310B
Application number: CN201310740598.3A
Authority: CN
Inventors: 笠原稔大
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2012-12-28
Filing date: 2013-12-27
Publication date: 2017-12-12
Anticipated expiration: 2033-12-27
Also published as: KR102071769B1; JP2014130924A; KR20140086836A; JP6063741B2; KR20170092135A; CN103915310A; TW201440139A; TWI601205B

Abstract

本发明提供一种等离子体处理容器和等离子体处理装置。在以电感耦合等离子体处理装置为首的等离子体处理装置中，抑制因热导致的盖部件的变形。在电感耦合等离子体处理装置（1）的主体容器（2A）和上部容器（2B）的连接部分，遍及全周配置有O形圈（51）、隔热部件（52）和缠绕屏蔽部件（53）。隔热部件（52）嵌入于隔热部件用槽（62）内。隔热部件（52）包括长条形的多个隔热板（54）。利用隔热部件（52）在主体容器（2A）和上部容器（2B）之间设置间隙（CL）。利用隔热部件（52）使主体容器2A和上部容器（2B）热分离，即使在上部容器（2B）因热而发生了变形的情况下，也能够吸收其变形量。

Description

等离子体处理容器和等离子体处理装置

技术领域

本发明涉及用于对被处理体进行等离子体处理等的等离子体处理装置及其使用的等离子体处理容器。

背景技术

在FPD（平板显示器）的制造工序中，对FPD用基板进行等离子体蚀刻、等离子体灰化、等离子体成膜等各种等离子体处理。作为进行这样的等离子体处理的装置，例如已知有平行平板型等离子体处理装置、电感耦合等离子体（ICP：Inductively CoupledPlasma）处理装置等。这些等离子体处理装置构成为将处理容器内减压至真空状态进行处理的真空装置。另外，近年来，为了对大型的FPD用基板进行处理，处理容器也正在大型化。

例如，电感耦合等离子体处理装置具备：被保持为气密、能够对基板进行等离子体处理的处理容器；和配置于处理容器的外部的高频天线。处理容器具有：主体容器；构成处理室的顶壁部分的电介质壁；和支承电介质壁的框状的盖部件。在电感耦合等离子体处理装置中，利用高频天线在处理容器内形成感应电场，利用感应电场使导入处理容器内的处理气体转化为等离子体，使用该等离子体对大型的FPD用基板进行规定的等离子体处理。

在等离子体处理装置中，由于等离子体的产生、高温中的工艺，处理容器内的温度上升。而且，例如，在上述结构的电感耦合等离子体处理装置中，构成处理容器的主体容器和支承上述电介质壁的盖部件被加热。当盖部件被过度加热时，盖部件发生弯曲，在与主体容器的接合部分产生间隙。其结果，存在发生来自处理室内的真空泄露、或者由盖部件支承的电介质壁发生破损的可能性。另外，伴随处理容器的大型化，弯曲的问题变得严重。

关于等离子体处理装置的结构部件的温度控制，例如，在专利文献1中提出了在放出气体的喷头中、在头主体和头盖体的接合面设置隔热部件。在该专利文献1中，目的在于，利用隔热部件抑制头主体和头盖体的热传导，管理喷头的气体喷射部分的温度。

另外，关于电感耦合等离子体处理装置中的盖部件和主体容器的接合部的密封结构，在专利文献2中，提出了为了防止O形圈的劣化，在接合部分的内侧设置等离子体屏蔽单元，在其外侧设置O形圈。

另外，在专利文献3中，公开了在平面天线方式的微波等离子体处理装置中，在微波透过板和固定用的紧固部件之间设置O形圈，在其外侧设置缠绕屏蔽部件（spiralshield）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-155364号公报（图2等）

专利文献2：日本特开2005-63986号公报（图1等）

专利文献3：日本特开2007-294924号公报（图3等）

发明内容

发明想要解决的技术问题

如上所述，在等离子体处理装置中，如果由于等离子体的热、高温的工艺在盖部件等的处理容器的一部分发生变形，则产生真空泄露、部件的破损等，因此，难以进行可靠性高的等离子体工艺。

本发明的目的在于，在以电感耦合等离子体处理装置为首的等离子体处理装置中，抑制因热导致的处理容器的变形。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的等离子体处理容器是形成对被处理体进行等离子体处理的处理室的等离子体处理容器。该等离子体处理容器具备主体容器和组合于上述主体容器的上部容器，在上述主体容器和上述上部容器之间设置有真空密封部件、隔热部件和也作为导电部件发挥功能的电磁波屏蔽部件，上述主体容器和上述上部容器之间存在间隔（离开）。

在本发明的等离子体处理容器中，上述隔热部件可以包括被分割为多个的隔热板。

在本发明的等离子体处理容器中，可以从上述处理室的内侧向外侧去，依次配置有上述真空密封部件、上述电磁波屏蔽部件和上述隔热部件，或者，也可以从上述处理室的内侧向外侧去，依次配置有上述真空密封部件、上述隔热部件和上述电磁波屏蔽部件。

在本发明的等离子体处理容器中，上述隔热板可以由玻璃化转变温度（Tg）超过125℃的材质的合成树脂构成。此时，上述隔热板的厚度方向的热传导率可以为1W/mK以下。另外，上述合成树脂可以为选自聚醚醚酮（PEEK）树脂、聚苯硫醚（PPS）、全芳香族聚酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺（PEI）和MC尼龙中的一种以上。并且，本发明的等离子体处理容器中，合成树脂的上述隔热板的厚度可以在0.5mm以上、 20mm以下的范围内。

另外，在本发明的等离子体处理容器中，上述隔热板可以由陶瓷构成。此时，上述隔热板的厚度方向的热传导率可以为40W/mK以下。另外，陶瓷的上述隔热板的厚度可以在5mm以上、20mm以下的范围内。

另外，在本发明的等离子体处理容器中，可以利用上述隔热板，在上述主体容器和上述上部容器之间设置有0.1mm以上、2mm以下的范围内的间隙。

另外，在本发明的等离子体处理容器中，上述隔热板可以配置于在上述主体容器设置的凹部内。

另外，在本发明的等离子体处理容器中，相邻的隔热板的间隔可以在1mm以上、3mm以下的范围内。

另外，在本发明的等离子体处理容器中，可以在上述主体容器和上述上部容器分别具有温度调节装置。

本发明的等离子体处理装置具备上述任一项记载的等离子体处理容器。

本发明的等离子体处理装置可以是电感耦合等离子体处理装置，具备：

设置于上述等离子体处理容器内、载置被处理体的载置台；

设置于上述处理容器的外侧、在上述处理容器内形成感应电场的天线；

设置于上述天线和上述处理容器之间的电介质壁；

对上述天线施加高频电力而形成感应电场的高频电源；

对上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和

使上述处理容器内为真空或者减压状态的排气单元。

发明的效果

根据本发明，通过在主体容器和上部容器之间配备隔热部件，使主体容器和上部容器之间存在间隔（离开），能够可靠地使主体容器和上部容器热分离。因此，能够分别对主体容器和上部容器进行温度控制，并且能够防止上部容器因热导致的变形。

附图说明

图1是示意地表示本发明的第一实施方式的电感耦合等离子体处理装置的结构的截面图。

图2是将图1的A部放大表示的截面图。

图3是将主体容器的侧部的上端面的主要部分放大表示的平面图。

图4是示意地表示本发明的第二实施方式的电感耦合等离子体处理装置的结构的截面图。

图5是示意地表示本发明的第三实施方式的电感耦合等离子体处理装置的结构的截面图。

附图标记说明

1…电感耦合等离子体处理装置；2A…主体容器；2B…上部容器； 4…天线室；5…处理室；6…电介质壁；7…盖部件；8…吊杆；13…天线；14…匹配器；15…高频电源；16…支承梁；20…气体供给装置； 21…气体供给管；22…基座；22A…载置面；24…绝缘体框；25…支柱； 26…波纹管；28…匹配器；29…高频电源；30…排气装置；31…排气管；51…O形圈；52…隔热部件；53…缠绕屏蔽部件；54…隔热板； 61…O形圈用槽；62…隔热部件用槽；63…屏蔽部件用槽。

具体实施方式

以下，参照附图，说明本发明的实施方式的电感耦合等离子体处理装置。

[第一实施方式]

图1是示意地表示本发明的第一实施方式的电感耦合等离子体处理装置的结构的截面图。此外，以下，以电感耦合等离子体处理装置为例进行说明，但是，本发明能够同样适用于任意的等离子体处理装置。

图1所示的电感耦合等离子体处理装置1，例如是对FPD用的玻璃基板（以下，简记为“基板”）S进行等离子体处理的等离子体处理装置。作为FPD例示有液晶显示器（LCD：Liquid Crystal Display）、电致发光（EL：Electro Luminescence）显示器、等离子体显示面板（PDP： Plasma Display Panel）等。

电感耦合等离子体处理装置1具备处理容器2，该处理容器2具有主体容器2A和上部容器2B。

<主体容器>

主体容器2A是具有底部2b和四个侧部2c的角筒形状的容器。此外，主体容器2A也可以是圆筒形状的容器。作为主体容器2A的材料，例如能够使用铝、铝合金等的导电性材料。作为主体容器2A的材料使用铝的情况下，能够对主体容器2A的内壁面实施铝阳极化处理（阳极氧化处理），使得不从主体容器2A的内壁面产生污染物。另外，主体容器2A接地。

<上部容器>

上部容器2B具备：顶壁部分2a；电介质壁6，其配置于主体容器 2A的上部，将处理容器2内的空间划分为上下两个空间；和作为支承电介质壁6的支承部件的盖部件7以及支承梁16。在上部容器2B内形成天线室4，在主体容器2A内形成处理室5，这两个空间由电介质壁6划分。即，天线室4形成在处理容器2内的电介质壁6的上侧的空间，处理室5形成在处理容器2内的电介质壁6的下侧的空间。因此，电介质壁6构成天线室4的底部，并且构成处理室5的顶壁部分。处理室5被保持为气密，因此，能够对基板S进行等离子体处理。

电介质壁6形成为具有大致正方形形状或大致矩形形状的上表面以及底面和四个侧面的大致长方体形状。电介质壁6的厚度例如为 30mm。电介质壁6由电介质材料形成。作为电介质壁6的材料，例如能够使用Al₂O₃等的陶瓷或石英。作为一个例子，电介质壁6被分割为4个部分，即，电介质壁6具有第一部分壁、第二部分壁、第三部分壁和第四部分壁。此外，电介质壁6也可以不被分割，也可以被分割为4 以外的数量。

盖部件7设置于上部容器2B的下部。盖部件7配置为与主体容器 2A的上端对位。盖部件7通过配置于主体容器2A上，将处理容器2 密闭，通过与主体容器2A分离，将处理容器2开放。此外，盖部件7 也可以与主体容器2B一体。

支承梁16例如形成为十字形状，电介质壁6的上述四个部分壁由盖部件7和支承梁16支承。

电感耦合等离子体处理装置1还具备多个圆筒形状的吊杆8，该多个圆筒形状的吊杆8分别具有与上部容器2B的顶壁部分2a连接的上端部。在图1中，图示了三个吊杆8，但是吊杆8的数量为任意的。支承梁16与吊杆8的下端部连接。这样，支承梁16配置为由多个吊杆8 从上部容器2B的顶壁部分2a吊下，在处理容器2的内部的上下方向的大致中央的位置，维持水平状态。

在支承梁16形成有：从气体供给装置20供给处理气体的未图示的气体流路；和用于排出被供给至该气体流路的处理气体的未图示的多个开口部。作为支承梁16的材料能够使用导电性材料。作为该导电性材料优选使用铝等金属材料。在使用铝作为支承梁16的材料的情况下，能够对支承梁16的内外表面实施铝阳极化处理（阳极氧化处理），使得不从表面产生污染物。

<气体供给装置>

在主体容器2A的外部还设置有气体供给装置20。气体供给装置 20例如经由插入中央的吊杆8的中空部的气体供给管21与支承梁16 的未图示的气体流路连接。气体供给装置20用于供给等离子体处理所使用的处理气体。当进行等离子体处理时，处理气体通过气体供给管 21、支承梁16内的气体流路和开口部，被供给至处理室5内。作为处理气体例如能够使用SF₆气体。

<第一高频供给部>

电感耦合等离子体处理装置1还具备配置于天线室4的内部、即处理室5的外部、电介质壁6的上方的高频天线（以下，简记为“天线”）13。天线13例如形成为大致正方形的平面方形涡旋形状。天线 13配置于电介质壁6的上表面之上。

在处理容器2的外部设置有匹配器14和高频电源15。天线13的一端经由匹配器14与高频电源15连接。天线13的另一端与上部容器 2B的内壁连接，经由主体容器2A接地。当对基板S进行等离子体处理时，从高频电源15对天线13供给感应电场形成用的高频电力（例如，13.56MHz的高频电力）。由此，利用天线13，在处理室5内形成感应电场。该感应电场使处理气体转化为等离子体。

<载置台>

电感耦合等离子体处理装置1还具备用于载置基板S的基座（载置台）22、绝缘体框24、支柱25、波纹管26和闸阀27。支柱25与设置于主体容器2A的下方的未图示的升降装置连接，通过形成于主体容器2A的底部2b的开口部，向处理室5内突出。另外，支柱25具有中空部。绝缘体框24设置于支柱25之上。该绝缘体框24形成为上部开口的箱状。在绝缘体框24的底部形成有与支柱25的中空部连续的开口部。波纹管26包围支柱25，与绝缘体框24和主体容器2A的底部 2b的内壁气密地连接。由此，维持处理室5的气密性。

基座22收纳于绝缘体框24内。基座22具有用于载置基板S的载置面22A。作为基座22的材料例如能够使用铝等的导电性材料。在作为基座22的材料使用铝的情况下，对基座22的表面实施铝阳极化处理（阳极氧化处理），使得不从表面产生污染物。

<第二高频供给部>

在处理容器2的外部还设置有匹配器28和高频电源29。基座22 经由插通于绝缘体框24的开口部和支柱25的中空部的通电棒与匹配器28连接，并且，经由该匹配器28与高频电源29连接。当对基板S 进行等离子体处理时，从高频电源29对基座22供给偏置用的高频电力（例如，380kHz的高频电力）。该高频电力用于将等离子体中的离子有效地引入载置于基座22上的基板S。

<闸阀>

闸阀27设置于主体容器2A的侧部2c的壁。闸阀27具有开关功能，在关闭状态下维持处理室5的气密性，并且在打开状态下能够在处理室5和外部之间移送基板S。

<排气装置>

在处理容器2的外部还设置有排气装置30。排气装置30经由与主体容器2A的底部2b连接的排气管31，与处理室5连接。当对基板S 进行等离子体处理时，排气装置30对处理室5内的空气进行排气，将处理室5内维持于真空或者减压气氛。

<温度调节装置>

在构成主体容器2A的四个侧部2c的壁内设置有热介质流路40。在热介质流路40的一端和另一端设置有导入口40a和排出口40b。并且，导入口40a与导入管41连接，排出口40b与排出管42连接。导入管41和排出管42与设置于处理容器2的外部的作为温度调节装置的冷却单元43连接。

<主体容器2A和上部容器2B的连接结构>

接着，一边参照图2和图3，一边说明本实施方式的电感耦合等离子体处理装置1中的主体容器2A和上部容器2B的连接结构。图2是将图1的A部放大表示的截面图。图3是将主体容器2A的侧部2c的上端面放大表示的主要部分的平面图。如图2和图3所示，在主体容器2A的侧部2c的上端面，遍及全周配备有作为真空密封部件的O形圈51、也作为导电部件发挥作用的作为电磁波屏蔽部件的缠绕屏蔽部件53、和隔热部件52。O形圈51、缠绕屏蔽部件53和隔热部件52从处理容器2的内侧(处理室5一侧)向外侧以该顺序配置。在本实施方式中，通过在比隔热部件52更靠近处理室5的内部的位置配备缠绕屏蔽部件53，能够防止隔热部件52暴露于高频电力、等离子体中。因此，能够防止隔热部件52的劣化，能够长时间确保主体容器2A和上部容器2B的热屏蔽效果，并且，能够使交换寿命长期化。

<O形圈>

O形圈51是真空密封部件，维持主体容器2A和上部容器2B之间的气密性，将处理室5内保持为真空状态。O形圈51嵌入在主体容器 2A的侧部2c的上端面形成的作为凹部的O形圈用槽61内。作为O 形圈51的材质，例如能够使用丁腈橡胶(NBR)、氟橡胶(FKM)、硅橡胶(Q)、氟硅橡胶(FVMQ)、全氟聚醚类橡胶(FO)、丙烯酸酯橡胶（ACM）、乙丙橡胶（EPM）。

<缠绕屏蔽部件>

缠绕屏蔽部件53嵌入于在主体容器2A的侧部2c的上端面形成的屏蔽部件用槽63内。缠绕屏蔽部件53例如为铝、不锈钢、铜、铁等的金属制，确保主体容器2A和上部容器2B的导通，将上部容器2B 保持为接地电位。并且，缠绕屏蔽部件53防止来自主体容器2A和上部容器2B之间的高频电力、等离子体的泄露。

<隔热部件>

隔热部件52嵌入在主体容器2A的侧部2c的上端面形成的隔热部件用槽62内。隔热部件52包括长条形的多个隔热板54。即，隔热板 54形成为具有长方形状的上表面以及底面、和四个侧面的薄板状。隔热板54的上表面是与上部容器2B的下端（即，盖部件7的下端）抵接的抵接面。隔热部件52由能够耐主体容器2A的极限温度且作为热传导率小的材料例如合成树脂、陶瓷等形成，特别是更优选热传导率小的合成树脂。

在作为隔热部件52使用合成树脂的情况下，优选玻璃化转变温度（Tg）例如超过125℃。在隔热部件52的玻璃化转变温度（Tg）在125 ℃以下的情况下，有时因处理室5内的等离子体的热变形，损害隔热效果。

隔热部件52的热传导率，为了极力抑制主体容器2A和上部容器 2B之间的热传递，作为隔热部件54的材质，在使用合成树脂的情况下，例如优选为1W/mK以下，在使用陶瓷的情况下，例如优选为 40W/mK以下。

在电感耦合等离子体处理装置1中对大面积的基板S进行处理时，隔热部件52优选具有能够承受使处理室5为真空状态时的上部容器2B 导致的挤压力的压缩强度。

考察如上所述的物性，作为隔热部件52，例如能够使用聚醚醚酮（PEEK）树脂、聚苯硫醚（PPS）、全芳香族聚酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺（PEI）和MC尼龙的合成树脂或二氧化锌（ZnO₂）、氧化铝（Al₂O₃）等的陶瓷。

隔热部件52被分割为多个长方形的隔热板54。这样，通过分割为多个隔热板54，例如向用于对FPD用基板进行处理的大型的处理容器 2的配备变得容易。相邻的隔热板54彼此的间隔，例如优选设定为在 100℃以上的温度中各隔热板54热膨胀时、相邻的隔热板54彼此稍微接触的程度的间隔，例如能够在1mm以上、3mm以下的范围内，优选为2mm左右。

构成隔热部件52的各隔热板54的厚度，作为隔热板54的材质使用合成树脂时，例如优选在0.5mm以上、20mm以下的范围内，使用陶瓷时，例如优选在5mm以上、20mm以下的范围内。另外，各隔热板54的厚度大于隔热部件用槽62的深度，隔热板54的上表面从隔热部件用槽62突出。

如图2中放大所示，利用隔热部件52，在主体容器2A和上部容器2B之间设置有间隙CL。该间隙CL设定为确保主体容器2A和上部容器2B之间的充分的隔热性并且假定上部容器2B因热发生了变形时也能够吸收其变形量的大小。因此，间隙CL例如设在0.1mm以上、2mm以下的范围内。当间隙CL小于0.1mm时，主体容器2A和上部容器2B之间的隔热性容易变得不充分，当上部容器2B因热发生了变形时，不能确保主体容器2A和上部容器2B之间充分的间隙。当间隙 CL超过2mm时，隔热性能提高，但O形圈51的真空保持功能、缠绕屏蔽部件53的高频电力和等离子体的遮蔽功能降低，并且难以确保主体容器2A和上部容器2B之间的导通。

各隔热板54在嵌入隔热部件用槽62的状态下，例如由多个螺栓 55固定于主体容器2A的侧部2c。此外，隔热板54的固定方法无特别限制。

接着，说明使用如上述方式构成的电感耦合等离子体处理装置，对基板S实施等离子体时的处理动作。

首先，在打开闸阀27的状态下，利用未图示的搬运机构将基板S 搬入处理室5内，载置于基座22的载置面22A之后，利用静电夹盘等将基板S固定于基座22上。

接着，从气体供给装置20经由气体供给管21、支承梁16内的未图示的气体流路和多个开口部向处理室5内排出处理气体，并且，利用排气装置30经由排气管31对处理室5内进行真空排气，由此，将处理容器内维持于例如1.33Pa左右的压力气氛。

接着，从高频电源15对天线13施加13.56MHz的高频电力，由此，经由电介质壁6在处理室5内形成均匀的感应电场。由于这样形成的感应电场，在处理室5内处理气体发生等离子体化，生成高密度的电感耦合等离子体。这样生成的等离子体中的离子，被从高频电源29对基座22施加的高频电力有效地引入基板S，对基板S实施均匀的等离子体处理。

等离子体处理期间，主体容器2A被等离子体的热加热为高温，但由于被主体容器2A和上部容器2B之间的隔热部件52热分离，因此，能够抑制上部容器2B的过度的温度上升导致的弯曲等的变形，防止真空泄露、电介质壁6的破损。另外，主体容器2A能够利用冷却单元 43与上部容器2B独立地进行温度控制，因此，在处理室5内进行的等离子体工艺的温度控制变得容易，能够提高工艺的稳定性。另外，在本实施方式中，通过利用隔热部件52将主体容器2A和上部容器2B 之间热分离，省略上部容器2B的温度调节装置。

<实验结果>

在此，对确认了本发明的效果的实验结果进行说明。在使用与图1 同样结构的电感耦合等离子体处理装置1对基板S表面的薄膜进行等离子体蚀刻处理期间，分别测量了主体容器2A和上部容器2B的温度。其结果，主体容器2A的温度为96～101℃之间，与此相对，上部容器 2B的温度为48～50℃之间，在主体容器2A和上部容器2B之间确保了约50℃的温度差。根据该实测数据，确认了利用设置于主体容器2A 和上部容器2B之间的隔热部件52，能够有效地屏蔽从主体容器2A向上部容器2B的热传递。

如以上说明的方式，本实施方式的电感耦合等离子体处理装置1，通过在主体容器2A和上部容器2B之间配备隔热部件52，使主体容器 2A和上部容器2B不直接相接，由此，能够可靠地将主体容器2A和上部容器2B热分离。由此，能够分别对主体容器2A和上部容器2B进行温度控制，并且，能够实现冷却部件等的温度调节设备的简化。另外，能够提前防止因上部容器2B的热变形导致的真空泄露的发生、电介质壁6的破损。

[第二实施方式]

接着，参照图4，说明本发明的第二实施方式的电感耦合等离子体处理装置。图4是示意地表示本发明的第二实施方式的电感耦合等离子体处理装置的结构的截面图。第二实施方式的电感耦合等离子体处理装置101除不仅在主体容器2A而且也在上部容器2B设置温度调节装置这点以外，与第一实施方式的电感耦合等离子体处理装置1相同。因此，在图4中，对与图1同样的结构标注相同的附图标记，省略说明。

如图4所示，在构成上部容器2B的壁内设置有热介质流路70。在热介质流路70的一端和另一端设置有导入口70a和排出口70b。并且，导入口70a与导入管71连接，排出口70b与排出管72连接。导入管71和排出管72与设置于处理容器2的外部的冷却单元73连接。这样，在本实施方式的电感耦合等离子体处理装置101中，如图4所示，除了作为第一温度调节装置的设置于主体容器2A的冷却单元43 之外，还具备作为第二温度调节装置的设置于上部容器2B的冷却单元 73。在本实施方式中，利用隔热部件52将主体容器2A和上部容器2B 热分离，由此，能够利用冷却单元43和冷却单元73分别独立且容易地对主体容器2A和上部容器2B进行温度控制。因此，在处理室5内进行的等离子体工艺的温度控制的自由度提高，并且，能够提高工艺的稳定性。

本实施方式的其它结构和效果，与第一实施方式相同。

[第三实施方式]

接着，参照图5，说明本发明的第三实施方式的电感耦合等离子体处理装置。图5是示意地表示本发明的第三实施方式的电感耦合等离子体处理装置的主要部分的结构的截面图。图5是与第一实施方式的电感耦合等离子体处理装置1的图2对应的部分（A部）的放大图。本实施方式的电感耦合等离子体处理装置除了A部的结构以外，与第一实施方式的电感耦合等离子体处理装置1相同。因此，在图5中，对与图1同样的结构标注相同的附图标记，省略说明。

如图5所示，在本实施方式的电感耦合等离子体处理装置中，在侧部2c的上端面，遍及全周配备有O形圈51、隔热部件52和缠绕屏蔽部件53。从处理容器2的内侧（处理室5一侧）向外侧去依次配置有O形圈51、隔热部件52和缠绕屏蔽部件53。O形圈51、隔热部件 52和缠绕屏蔽部件53的结构和作用与第一实施方式相同。

本实施方式的其它结构和效果，与第一实施方式相同。

以上，为了例示详细地说明了本发明的实施方式，但是本发明不受上述实施方式制约。例如，在上述实施方式中，列举电感耦合等离子体装置为例，但是，只要是具备被分割为多个部分的处理容器的等离子体处理装置，本发明就能够无限制地适用，例如也能够适用于平行平板型等离子体装置、表面波等离子体装置、ECR（Electron CyclotronResonance，电子回旋共振）等离子体装置、螺旋波等离子体装置等其它方式的等离子体装置。另外，不限于干式蚀刻装置，也能够同样适用于成膜装置和灰化装置。

另外，本发明不限于以FPD用基板为被处理体，例如也能够适用于以半导体晶片、太阳能电池用基板为被处理体的情况。

另外，在上述各实施方式中，在主体容器2A配备隔热部件52，但也能够在上部容器2B一侧配置隔热部件52。

Claims

1.一种FPD用基板用的等离子体处理容器，其形成对被处理体进行等离子体处理的处理室，所述等离子体处理容器的特征在于，包括：

主体容器；和

组合于所述主体容器的上部容器，

在所述主体容器和所述上部容器之间设置有真空密封部件、隔热部件和电磁波屏蔽部件，所述主体容器和所述上部容器之间存在间隔，

所述隔热部件由在所述主体容器的上端面遍及整周地形成的隔热部件用槽内相邻排列的多个隔热板构成，相邻的所述隔热板的间隔在1mm以上3mm以下的范围内。

2.如权利要求1所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

从所述处理室的内侧向外侧去，依次配置有所述真空密封部件、所述电磁波屏蔽部件和所述隔热部件。

3.如权利要求1所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

从所述处理室的内侧向外侧去，依次配置有所述真空密封部件、所述隔热部件和所述电磁波屏蔽部件。

4.如权利要求1～3中任一项所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

所述隔热板由玻璃化转变温度(Tg)超过125℃的材质的合成树脂构成。

5.如权利要求4所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

所述隔热板的厚度方向的热传导率为1W/mK以下。

6.如权利要求4所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

所述合成树脂为选自聚醚醚酮(PEEK)树脂、聚苯硫醚(PPS)、全芳香族聚酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺(PEI)和MC尼龙中的一种以上。

7.如权利要求4所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

所述隔热板的厚度在0.5mm以上、20mm以下的范围内。

8.如权利要求1～3中任一项所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

所述隔热板由陶瓷构成。

9.如权利要求8所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

所述隔热板的厚度方向的热传导率为40W/mK以下。

10.如权利要求8所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

所述隔热板的厚度在5mm以上、20mm以下的范围内。

11.如权利要求1～3中任一项所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

利用所述隔热板，在所述主体容器和所述上部容器之间设置有0.1mm以上、2mm以下的范围内的间隙。

12.如权利要求1～3中任一项所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

所述隔热板配置于设置在所述主体容器的凹部内。

13.如权利要求1～3中任一项所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

在所述主体容器和所述上部容器分别具有温度调节装置。

14.一种FPD用基板用的等离子体处理装置，其特征在于：

具备权利要求1～13中任一项所述的FPD用基板用的等离子体处理容器。

15.如权利要求14所述的FPD用基板用的等离子体处理装置，其特征在于：

所述等离子体处理装置为电感耦合等离子体处理装置，具备：

设置于所述等离子体处理容器内、载置被处理体的载置台；

设置于所述处理容器的外侧、在所述处理容器内形成感应电场的天线；

设置于所述天线和所述处理容器之间的电介质壁；

对所述天线施加高频电力而形成感应电场的高频电源；

对所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和

使所述处理容器内为真空或者减压状态的排气单元。