CN103890982B - 发光元件、发光元件的制造方法以及发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种产生宽波长带的发光的发光元件。发光元件（1）具备第1波长转换部（11）和第2波长转换部（12）。第1波长转换部（11）包含以A1B1Ow1所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷。第2波长转换部（12）包含以A2B2Ow2所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷。A1、A2包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi。B1、B2包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种。A1中的La的含量多于A2中的La的含量。A2中的Y、Gd及Lu的含量多于A1中的Y、Gd及Lu的含量。

Description

发光元件、发光元件的制造方法以及发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光元件、发光元件的制造方法以及发光装置。
背景技术
目前，作为白色光源，众所周知有：具有蓝色LED（Light EmittingDiode，发光二极管）和含有荧光体的波长转换元件，射出白色光的白色光源，其中，该白色光为自蓝色LED射出并透过荧光体的光与来自荧光体的荧光的混合光（例如，参照专利文献1）。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2010-512014号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，在专利文献1所记载的白色光源中，存在因蓝色LED的发光特性的差异或变动等而导致射出光的色调发生变化的情况。此外，自蓝色LED或波长转换元件射出的光的波长带（帯域）较窄。因此，专利文献1所记载的白色光源难以获得优异的显色性。
鉴于此种问题，业界要求一种产生较宽的波长带的发光的发光元件。
本发明的主要目的在于，提供一种产生较宽的波长带的发光的发光元件。
用于解决问题的方法
本发明的发光元件具备第1波长转换部及第2波长转换部。第2波长转换部配置于第1波长转换部上。第1波长转换部包含以A1B1Ow1（其中，A1包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi，B1包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W1为用以保持电中性的正数）所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷。第2波长转换部包含以A2B2Ow2（其中，A2包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi，B2包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W2为用以保持电中性的正数）所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷。A1中的La的含量多于A2中的La的含量。A2中的Y、Gd及Lu的含量多于A1中的Y、Gd及Lu的含量。
在本发明所涉及的发光元件的某特定方式中，A1包含La和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi。B1包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种。A2包含选自Gd及Y中的至少一种和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi。B2包含选自Zr及Hf中的至少一种。
在本发明所涉及的发光元件的另一特定方式中，当照射波长为360nm的光时，自第1波长转换部射出的光与自第2波长转换部射出的光的混合光为白色。
在本发明中，所谓“白色”是指：在CIE1960uv色度图中，光源的色度坐标与黑体辐射轨道的距离duv为0.02以下、且与其最接近的黑体辐射轨道上的温度即相关色温为3000K～10000K的光源。
在本发明所涉及的发光元件的另外的特定方式中，发光元件还具备设置于第1波长转换部与第2波长转换部之间的互扩散层。
在本发明的发光元件的制造方法中，形成含有第1荧光体或其前体的第1陶瓷生片。形成含有第2荧光体或其前体的第2陶瓷生片。层叠第1陶瓷生片与第2陶瓷生片而制作层叠体。进行如下烧结工序：通过烧结层叠体，而获得包含由第1陶瓷生片形成的第1波长转换部、及由第2陶瓷生片形成且与第1波长转换部接合的第2波长转换部的发光元件。
在本发明所涉及的发光元件的制造方法的某个特定方式中，在烧结工序中，以在第1波长转换部与第2波长转换部之间形成互扩散层的方式烧结层叠体。需要说明的是，此时也可以为了缓和烧结所产生的应力，而在第1生片与第2生片之间包含具有各个生片的中间的组成的第3生片，该情形也不会影响到以下说明中的作用、效果。此外，在该情形下，有时能够抑制龟裂的产生率。
在本发明所涉及的发光元件的制造方法的另一特定方式中，第1荧光体包含以A1B1Ow1（其中，A1包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi，B1包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W1为用以保持电中性的正数）所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷。第2荧光体包含以A2B2Ow2（其中，A2包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi，B2包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W2为用以保持电中性的正数）所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷。A1中的La的含量多于A2中的La的含量。A2中的Y、Gd及Lu的含量多于A1中的Y、Gd及Lu的含量。
本发明的发光装置包含上述发光元件、及对发光元件射出发光元件的激发光的光源。
发明的效果
根据本发明，可提供一种产生较宽的波长带的发光的发光元件。
附图说明
图1是本发明的一实施方式所涉及的发光元件的示意剖面图。
图2是表示第1样品的XRD分析结果的图表。
图3是表示第2样品的XRD分析结果的图表。
图4是表示对样品3的第1成形体与第2成形体的接合界面的附近部分进行WDX元素面（Zr）分析的结果的照片。
图5是表示对样品3的第1成形体与第2成形体的接合界面的附近部分进行WDX元素面（Hf）分析的结果的照片。
图6是表示第1～第3样品各自的发光光谱的图表。
图7是表示第4～第6样品各自的发光光谱的图表。
图8是第1发光装置的示意剖面图。
图9是第2发光装置的示意剖面图。
图10是第3发光装置的示意剖面图。
图11是第4发光装置的示意剖面图。
具体实施方式
以下，对实施本发明的优选方式的一例进行说明。但是，下述实施方式仅为例示。本发明并不受下述实施方式的任何限定。
实施方式中所参照的附图为示意性地记载，存在附图中所描绘的物体的尺寸比率等与实物的尺寸比率等有所不同的情形。具体物体的尺寸比率等应参酌以下的说明而进行判断。
图1所示的发光元件1为，在激发光入射时发出波长长于激发光的波长的光的元件。
发光元件1具有第1波长转换部11和第2波长转换部12。第2波长转换部12配置于第1波长转换部11上。即，第1波长转换部11与第2波长转换部12层叠。
第1波长转换部11与第2波长转换部12相互接合。在第1波长转换部11与第2波长转换部12之间设置有未图示的互扩散层。该互扩散层为利用第1波长转换部11的成分和第2波长转换部12的成分相互扩散而形成的层。通过该互扩散层，第1波长转换部11与第2波长转换部12牢固地接合。此外，通过设置互扩散层，可使第1波长转换部11和第2波长转换部12之间的折射率变化缓和。因此，可使第1波长转换部11和第2波长转换部12之间的界面的光的反射率降低。其结果为可提高光的发光效率。
第1波长转换部11含有第1荧光体，该第1荧光体包含以A1B1Ow1（其中，A1包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi，B1包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W1为用以保持电中性的正数）所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷。
需要说明的是，在以A1B1Ow1所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷中，摩尔比A1：B1并不严格地限定为1：1。本发明中，在以A1B1Ow1所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷中，也包含摩尔比A1/B1为0.95～1.05的情形。
另一方面，第2波长转换部12含有第2荧光体，该第2荧光体包含以A2B2Ow2（其中，A2包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi，B2包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W2为用以保持电中性的正数）所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷。
需要说明的是，在以A2B2Ow2所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷中，摩尔比A2：B2并不严格地限定为1：1。本发明中，在以A2B2Ow2所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷中，也包含摩尔比A2/B2为0.95～1.05的情形。
需要说明的是，W2既可与W1相同，亦可不同。W1及W2可分别设为例如3.5。即，作为A1B1Ow1的具体例，可列举A1 2B1 2O7。作为A2B2Ow2的具体例，可列举A2 2B2 2O7。
第1及第2荧光体优选通过将A1B1Ow1或A2B2Ow2所表示的陶瓷在还原气氛中经热处理而成。
此处，与例如Ce：YAG荧光体等代表性的白色LED用荧光体相比，包含由A1B1Ow1或A2B2Ow2所表示的陶瓷的第1及第2荧光体可产生较宽的波长带的发光。此外，在本实施方式中，A1中的La的含量多于A2中的La的含量。而且，A2中的Y、Gd及Lu的含量多于A1中的Y、Gd及Lu的含量。因此，自包含A1B1Ow1所表示的陶瓷的第1荧光体射出的发光中，包含发光的中心波长位于相对较长波长侧的宽带的发光，自包含A2B2Ow2所表示的陶瓷的第2荧光体射出的发光中，包含发光的中心波长位于相对较短波长侧的宽带的发光。因此，自第1荧光体射出的宽带的光与自第2荧光体射出的宽带的光的混合光的波长带较宽。即，发光元件1产生较宽的波长带的发光。因此，可实现优异的显色性。此外，能够得到射出白光的发光元件1。具体而言，优选在照射波长为360nm的光时，自第1波长转换部11射出的光与自上述第2波长转换部12射出的光的混合光为白色。
就包含A1B1Ow1所表示的陶瓷的第1荧光体而言，其优选发出发光的中心波长处于550nm～700nm的光，更优选发出发光的中心波长处于600nm～700nm的光。就包含A2B2Ow2所表示的陶瓷的第2荧光体而言，其优选发出发光的中心波长处于400nm～550nm的光，更优选发出发光的中心波长处于400nm～500nm的光。
在第1荧光体中，A1优选包含La和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi。此外，B1优选包含选自Zr、Sn及Hf中的一种以上。
在第2荧光体中，A2优选包含选自Gd及Y中的一种以上和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi。此外，B2优选包含选自Hf及Zr中的一种以上。
需要说明的是，A1B1Ow1或A2B2Ow2所表示的陶瓷的主成分的晶系也可以是立方晶。
由A1B1Ow1或A2B2Ow2所表示的陶瓷除含有A1或A2、B1或B2、O成分以外，还可含有不可避免地混入的杂质（以下称为“不可避免的杂质”。作为不可避免的杂质的具体例，可列举SiO2、B2O3、Al2O3等。
接下来，对发光元件1的制造方法的一例进行说明。
首先，制作含有包含A1B1Ow1所表示的陶瓷的第1荧光体、或其前体的第1陶瓷生片。具体而言，制备含有第1荧光体的第1糊剂。然后，例如通过丝网印刷法等将第1糊剂涂布在树脂片等上，由此制作第1陶瓷生片。此处，第1荧光体的前体是指可通过实施热处理等而成为第1荧光体的物质。
同样地，制作含有包含A2B2Ow2所表示的陶瓷的第2荧光体、或其前体的第2陶瓷生片。此处，第2荧光体的前体是指可通过实施热处理等而成为第2荧光体的物质。
接下来，层叠第1陶瓷生片与第2陶瓷生片。例如，可层叠多片第1陶瓷生片，并在此上层叠多片第2陶瓷生片。第1及第2陶瓷生片各自的层叠片数可根据各陶瓷生片的厚度与所欲获得的波长转换部的厚度而适当设定。也可以根据需要而压制层叠体。
接下来，烧结层叠体（烧结工序）。层叠体的烧结例如可在含氧的气氛下进行。烧结温度（最高温度）例如可设为1500℃～1800℃左右。烧结温度（最高温度）的保持时间例如可设为5小时～100小时左右。
之后，根据需要而在还原气氛中对烧结体进行热处理（还原热处理）。该热处理工序例如可在H2/H2O气氛下进行。烧结体的热处理温度（最高温度）例如优选为800℃～1200℃，更优选为900℃～1100℃。此外，烧结体的热处理温度（最高温度）的保持时间例如可设为1小时～100小时左右。
通过以上工序，可完成发光元件1，该发光元件1包含：由至少一个第1陶瓷生片形成的第1波长转换部11、和由至少一个第2陶瓷生片形成且与第1波长转换部材11接合的第2波长转换部12。
需要说明的是，在烧结工序中，优选在第1波长转换部11与第2波长转换部12之间形成互扩散层的条件下烧结层叠体。
另外，也可考虑分别制作多个波长转换部，使用玻璃或树脂胶粘剂等将它们贴合，由此制作发光元件。然而，在这种情况下，由于波长转换部与粘接层之间的界面的反射而导致光的发光效率降低。若在波长转换部与粘接层之间的界面产生全反射，则光被封入波长转换层中，因此光的提取效率容易进一步降低。
相对于此，在本实施方式中，通过将层叠有第1陶瓷生片及第2陶瓷生片的层叠体烧结，而制作具备相互接合的第1波长转换部11及第2波长转换部12的发光元件1。因此，无需在第1波长转换部11与第2波长转换部12之间设置粘接层。因此，可抑制第1波长转换部11与第2波长转换部12之间的界面的光的反射或封入。因此，可实现较高的光提取效率。
而且，在设置有互扩散层的情况下，在第1波长转换部11与第2波长转换部12之间，折射率在厚度方向渐变。因此，可更有效地抑制光的反射。
发光元件1可与光源等组合而制成发光装置。图8是包含发光元件1的第1发光装置6的示意剖面图。第1发光装置6包含发光元件1及光源2。发光元件1配置于基板4上。光源2与发光元件1隔开间隔而配置。光源2对发光元件1射出发光元件1的激发光。作为光源2，例如可列举LED等。发光元件1因受到来自光源2的激发光而发光。在第1发光装置6中，来自光源2的激发光的一部分被反射器3反射而到达发光元件1。
从光的提取效率提高或指向性调整的观点等考虑，发光元件1的表面也可以通过研磨等机械加工或激光烧蚀（レーザーアブレーション）加工等而加工成透镜形状或蛾眼结构等。此外，从同样的观点考虑，也可以在发光元件1的表面配置其他材料，该其他材料包含通过研磨等机械加工或激光烧蚀加工等，而加工成透镜形状或蛾眼结构等的树脂或玻璃等。
图9是第2发光装置7的示意剖面图。在第2发光装置7中，发光元件1与光源2经由外延晶片5而连接。发光元件1与外延晶片5例如可通过使用胶粘剂的方法或利用热扩散的方法等而连接。外延晶片5例如由蓝宝石、碳化硅、硅、氮化铝、氮化镓等而构成。在第2发光装置7的光源2中，依次配置有第1电极24、p型层22、发光层23及n型层21。p型层22与第1电极24电连接。n型层21与第2电极25电连接。
图10是第3发光装置8的示意剖面图。在第3发光装置8中，发光元件1与光源2不经由外延晶片5而直接连接。
图11是第4发光装置9的示意剖面图。在第4发光装置9中，发光元件1与光源2不隔开间隔地接触。
以下，根据具体实施例，对本发明进一步进行详细说明，但本发明并不受以下实施例任何限定，可在不改变其主旨的范围内进行适当变更而实施。
（实施例1）
首先，准备高纯度的La（OH）3、Gd2O3、Y2O3、ZrO2、HfO2、SnO2、Bi2O3作为原料。以成为下述表1所示的组成A的方式称量这些原料，在球磨机中湿式混合20小时。使所获得的混合物干燥后，在1300℃下预烧3小时，获得预烧物。将该预烧物与水及有机分散剂及有机粘合剂一并投入球磨机中，湿式粉碎12小时。接下来，使所获得的粉碎物成形为厚度60μm的生片。将所获得的生片以成为10mm见方的方式裁切，将其重叠15片并以2t/cm2的压力进行加压，由此制作10mm见方、厚度约0.8mm的第1成形体。
除了以成为下述表1所示的组成B的方式进行称量以外，以同样的方式获得第2成形体。
[表1]
接下来，将第1成形体和第2成形体分别在氧气浓度为约98%的气氛下、在1700℃下煅烧20小时。在900℃的H2/H2O还原气氛下（氧分压：1×10-15MPa）对所获得的烧结体进行3小时热处理。之后，通过对各样品的两面进行镜面研磨，使厚度为0.5mm，从而分别获得第1样品及第2样品。将对各样品进行XRD分析的结果示于图2及图3。
根据图2及图3所示的结果可知，第1样品中包含具有La2Zr2O7所示组成的烧绿石结构的化合物。此外，可知在第2样品中包含具有Gd2Hf2O7所示组成的烧绿石结构的化合物。
接下来，将与第1及第2样品的制作所用不同的其他的第1成形体与第2成形体层叠，以2t/cm2的压力进行加压，由此获得10mm见方且厚度约1.5mm的第3成形体。
接下来，将第3成形体于氧浓度为约98%的气氛中、在1700℃下煅烧20小时。在900℃的H2/H2O还原气氛下（氧分压：1×10-15MPa）对所获得的烧结体进行3小时热处理。之后，通过对烧结体的两面进行镜面研磨，获得厚度1.0mm的层叠发光元件（样品3）。
接下来，对样品3的第1成形体与第2成形体的接合界面的附近部分进行WDX元素面分析。将结果示于图4及图5。
根据图4及图5所示的结果可知，在界面处形成有近100μm左右的厚度的互扩散层。
对所制作的第1～第3样品，分别使用株式会社浜松PHOTONICS公司制造的多信道分光器（PMA-12），进行照射波长360nm的紫外线时的荧光分光测定。图6中示出了第1～第3样品各自的发光光谱。根据图6所示的结果可知，由根据本发明的第3样品可获得宽带的发光。
此外，由第1样品观察到橙色的发光，详细而言为相关色温为2100K、duv＝0.008的发光。另一方面，由第2样品观察到蓝色的发光，详细而言为相关色温为11800K（参考值）、duv＝0.037的发光。另一方面，由第3样品观察到白色的发光，详细而言为相关色温为4800K、duv＝0.005的发光。
此处，“相关色温”是指：在CIE1960uv色度图中，距发光的色度坐标最近的位置处的黑体辐射轨道上的点的黑体的温度，“duv”表示它们的距离。需要说明的是，依据JIS标准Z8725：1999，将能够以相关色温表示的情形的duv设为0.02以内，因此记载了第2样品的相关色温作为参考值。
将根据第3样品的发光光谱、基于JIS Z8726而求出平均显色评价指数Ra及特殊显色评价指数R9～R15的结果示于表2。
此处，就“显色评价指数”而言，其以指数表示如何忠实地再现基准光源的照射时所获得的物体的色彩，越接近100则判断显色性越好。需要说明的是，“平均显色评价指数”表示JIS Z8726的规定中的试验色No.1～No.8的显色评价指数的平均值，“特殊显色评价指数”表示试验色No.9～No.15的显色评价指数。
根据表2所示的结果可知，可获得大部分显色评价指数为95以上的极其优异的显色性。
（实施例2）
准备高纯度的La（OH）3、Gd2O3、Y2O3、ZrO2、HfO2、SnO2、Bi2O3作为原料，以成为表1所示的组成C或D的方式称量这些原料，除此以外，利用与实施例1完全相同的方法，制作包含组成C的t＝0.5mm的烧结体基板（样品4）、包含组成D的t＝0.5mm的烧结体基板（样品5）、及将组成C与组成D层叠烧结而成的t＝1.0mm的层叠发光元件（样品6）。
对于所制作的第4～第6样品，与实施例1同样地进行荧光分光测定，图7中示出发光光谱。
根据图7所示的结果可知，由根据本发明的第6样品可获得宽带的发光。将样品6的相关色温（K）、duv、平均显色评价指数示于表2。
（实施例3）
实施例1中的生片的层叠数中，将组成A设为10层、将组成B设为20层，除此以外，利用与实施例1完全相同的方法制作新层叠发光元件，作为样品7。同样地，还制作将组成A设为20层、将组成B设为10层的层叠发光元件，作为样品8。将样品7、8的相关色温（K）、duv、平均显色评价指数示于表2。
根据表2所示的结果可知，根据本发明，可在相关色温2800K～5800K的较宽的色温范围获得显色评价指数为大致95以上的显色性极其优异的光源。
（比较例1）
通过与实施例1同样的方法制作包含组成A的t＝0.5mm的烧结体基板、包含组成B的t＝0.5mm的烧结体基板，获得以透明环氧树脂贴合它们而成的10mm见方、厚度1.0mm的比较样品1。
对比较样品1与第3样品进行发光量的比较。以下，说明评价方法。
·首先，准备波长360nm的UV-LED芯片，于在该芯片上配置试样的状态下对试样照射UV-LED的光。
·将自试样的前面部射出的所有光吸收至积分球中，利用株式会社浜松PHOTONICS公司制造的多信道分光器（PMA-12）测定发光光谱强度。
·在可见光区域400nm～700nm的范围对所获得的发光光谱进行波长积分，作为发光强度。
将样品3及比较样品1的发光量的测定结果分别示于表3。
[表3]
发光量的波长积分值（arb.）
样品3 100
比较样品1 65
根据表3所示的结果可知，样品3的发光量与比较样品1相比增大。因此可知，在使用多个烧结体基板作为波长转换层的情况下，与使用胶粘剂将基板间接合的情况相比，通过烧结而接合的样品可提高向前面的光提取效率。
符号说明
1 发光元件
11 第1波长转换部
12 第2波长转换部
2 光源
21 n型层
22 p型层
23 发光层
24 第1电极
25 第2电极
3 反射器
4 基板
5 外延晶片
6 第1发光装置
7 第2发光装置
8 第3发光装置
9 第4发光装置

Claims (8)

1.一种发光元件，其具备：
第1波长转换部、及
第2波长转换部，其配置在所述第1波长转换部上，
所述第1波长转换部包含以A1B1Ow1所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷，其中，A1包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔％～5摩尔％的Bi，B1包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W1为用以保持电中性的正数，
所述第2波长转换部包含以A2B2Ow2所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷，其中，A2包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔％～5摩尔％的Bi，B2包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W2为用以保持电中性的正数，
所述A1中的La的含量多于所述A2中的La的含量，
所述A2中的Y、Gd及Lu的含量多于所述A1中的Y、Gd及Lu的含量。
2.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述A1包含La和0.001摩尔％～5摩尔％的Bi，
所述B1包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，
所述A2包含选自Gd及Y中的至少一种和0.001摩尔％～5摩尔％的Bi，
所述B2包含选自Zr及Hf中的至少一种。
3.如权利要求1或2所述的发光元件，其中，在照射波长为360nm的光时，自所述第1波长转换部射出的光与自所述第2波长转换部射出的光的混合光为白色。
4.如权利要求1或2所述的发光元件，其还具备设置在所述第1波长转换部与所述第2波长转换部之间的互扩散层。
5.如权利要求3所述的发光元件，其还具备设置在所述第1波长转换部与所述第2波长转换部之间的互扩散层。
6.一种发光元件的制造方法，其包括：
形成含有第1荧光体或其前体的第1陶瓷生片的工序；
形成含有第2荧光体或其前体的第2陶瓷生片的工序；
层叠所述第1陶瓷生片与所述第2陶瓷生片而制作层叠体的工序；及
烧结工序，通过烧结所述层叠体，而获得包含由所述第1陶瓷生片形成的第1波长转换部、以及由所述第2陶瓷生片形成且与所述第1波长转换部接合的第2波长转换部的发光元件，
所述第1荧光体包含以A1B1Ow1所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷，其中，A1包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔％～5摩尔％的Bi，B1包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W1为用以保持电中性的正数，
所述第2荧光体包含以A2B2Ow2所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷，其中，A2包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔％～5摩尔％的Bi，B2包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W2为用以保持电中性的正数，
所述A1中的La的含量多于所述A2中的La的含量，
所述A2中的Y、Gd及Lu的含量多于所述A1中的Y、Gd及Lu的含量。
7.如权利要求6所述的发光元件的制造方法，其中，在所述烧结工序中，以在所述第1波长转换部与所述第2波长转换部之间形成互扩散层的方式烧结所述层叠体。
8.一种发光装置，其包含权利要求1～5中任一项所述的发光元件、以及对发光元件射出所述发光元件的激发光的光源。
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