CN103886902A - 一种eeprom存储装置及其数据存储方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种EEPROM存储芯片，包括：第一存储单元用于存储第一类数据，其中，第一类数据为电可擦可编程只读存储器EEPROM存储芯片上次断电时保存的数据；第二存储单元用于存储第二类数据，其中第二类数据为第一存储单元的地址；第三存储单元，用于存储第三类数据，其中第三类数据为第二存储单元的当前地址；以及读取控制单元，用于在EEPROM存储芯片上电之后，根据第三类数据在第二存储单元中查找到第二类数据，根据第二类数据在第一存储单元中查找到第一类数据。采用本发明提出的EEPROM存储芯片，能够实现断电保护，充分利用存储空间，延长存储芯片的寿命。本发明还提出基于上述EEPROM存储芯片的数据存储方法。

Description

一种EEPROM存储装置及其数据存储方法

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种EEPROM存储装置及其数据存储方法。

背景技术

随着信息的迅猛增加，存储技术越来越重要。现有的存储技术中，嵌入式系统中非易失性存储器的数据存储方法是广泛应用的一种，此方法是按照存储器中的物理结构将其分为一个以上的段，并给予每个段唯一的编号，再将每个段划分为一个以上的逻辑块，在段内给予有效逻辑块唯一的编号，对存储器中段的擦除都是循环交替进行的，存储器中每一段的擦除次数都相同，实现了对存储器的均匀磨损和断电保护。上述方法有两个模块，一个存储数据，一个存储数据地址，并且存在一个空白段，每次上电时通过寻找空白段来寻找上次断电时存储的数据。但是，对于某些内部包含EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,电可擦可编程只读存储器)结构的特定的芯片，存储数据时需要先擦除再写入，并且存储器中无空白段，无法在上电时寻找到空白段，也就无法寻找到上次断电时存储的数据。例如：飞思卡尔的EEPROM，EEPROM内无空白段，若要标记空白段，就得把标记位写入EEPROM内，如此消耗了存储器一倍的擦除次数，缩短了芯片的使用寿命。

发明内容

本发明旨在至少解决上述技术的问题之一。

为此，本发明的第一个目的在于提出一种EEPROM存储装置，能够实现断电保护，充分利用存储空间，延长存储装置的寿命。本发明的另一个目的在于提出一种数据存储方法。

为了实现上述目的，本发明第一方面的实施例提出一种EEPROM存储装置，包括EEPROM芯片，所述EEPROM芯片包括：第一存储单元，用于存储第一类数据，其中，所述第一类数据为所述电可擦可编程只读存储器EEPROM存储装置上次断电时保存的数据；第二存储单元，用于存储第二类数据，其中所述第二类数据为所述第一存储单元的地址；第三存储单元，用于存储第三类数据，其中所述第三类数据为所述第二存储单元的当前地址；以及，读取控制单元，用于在所述EEPROM芯片上电之后，根据所述第三类数据在所述第二存储单元中查找到所述第二类数据，根据所述第二类数据在所述第一存储单元中查找到所述第一类数据。

根据本发明实施例的EEPROM存储装置，通过将EEPROM芯片存储空间划分为三个存储单元，并且其中的一个存储单元作为固定存储单元，用于存储断电时对应的数据地址，上电时读取此固定单元中的数据，从而找到断电时所存储的数据，实现了断电数据保护。另外，第一类数据循环存储在第二存储单元的一个地址中，实现了数据的循环存储，充分利用存储空间。

为了实现上述目的，本发明的第二方面实施例提出一种数据存储方法，该数据存储方法基于第一方面实施例提出的EEPROM存储装置，包括以下步骤：对所述EEPROM存储装置进行上电；判断是否为首次上电；如果为首次上电，则获取所述EEPROM芯片的第二存储单元的一个第二存储块的地址作为所述第二存储单元的当前地址；将所述第二存储单元的当前地址写入所述第三存储单元；以及在所述EEPROM存储装置断电时，将断电时保存的数据写入第一存储单元，并将所述第一存储单元的当前地址写入所述第二存储单元的一个第二存储块。

根据本发明实施例的数据存储方法，通过将EEPROM芯片的存储空间划分为三个存储单元，并将断电时的数据地址存储在其中的一个固定存储单元，上电时通过读取此固定存储单元中的数据，从而找到断电时所存储的数据，实现了断电数据保护。另外，将其中数据实时更新的存储单元中的数据循环存储在存储其地址信息的存储单元的一个地址中，实现了数据的循环存储，充分利用存储空间。此外，该方法延长了存储芯片的寿命。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中，

图1是根据本发明实施例的EEPROM存储装置结构的示意图；

图2是根据本发明的一个实施例的EEPROM存储装置存储数据的示意图；

图3是根据本发明的一个实施例的EEPROM存储装置中第二存储单元的地址执行自加1后存储数据的示意图；

图4是根据本发明的一个实施例的EEPROM存储装置进行读取数据的示意图；

图5是根据本发明实施例的数据存储方法的流程图；

图6是根据本发明的一个实施例的读取上次断电时保存的数据的流程图；以及

图7是根据本发明的一个实施例的第一存储单元和第二存储单元的地址进行自加1操作的流程图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。相反，本发明的实施例包括落入所附加权利要求书的精神和内涵范围内的所有变化、修改和等同物。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本发明的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本发明的实施例所属技术领域的技术人员所理解。

下面参照附图1至附图4描述根据本发明第一方面实施例提出的EEPROM存储装置。

如图1所示，本发明实施例的EEPROM存储装置包括，EEPROM芯片11和读取控制单元12。EEPROM芯片11包括：第一存储单元101，第二存储单元102和第三存储单元103。其中，第一存储单元101用于存储第一类数据，第一类数据为电可擦可编程只读存储器EEPROM存储装置上次断电时保存的数据。第二存储单元102用于存储第二类数据，第二类数据为第一存储单元101的地址。第三存储单元103用于存储第三类数据，第三类数据为第二存储单元102的当前地址。读取控制单元12用于在EEPROM存储装置上电之后，根据第三类数据在第二存储单元102中查找到第二类数据，根据第二类数据在第一存储单元101中查找到第一类数据。

在本发明的实施例中，第一存储单元101中存储的第一类数据是实时更新的数据，循环存储在第一存储单元101的多个存储块中。第二存储单元102包括多个存储块，在一个完整的上电运行中，第二类数据存储于多个存储块中的一个，并且第一存储单元101中的第一类数据循环对应于第二类数据存储的存储块。第三存储单元103中的第三类数据对应第二存储单元102当前的第二类数据。每次在EEPROM芯片上电之后，由读取控制单元12读取第三存储单元103的第三类数据，并根据第三类数据在第二存储单元102中查找第三类数据对应的第二类数据，再根据第二类数据在第一存储单元101中查找到第一类数据，即上次断电时保存的数据。

在本发明的一个实施例中，第一存储单元101中的第一类数据为实时变化的数据，循环存储在第一存储单元101的存储块中，第二存储单元102中的第二类数据为当前存储的第一类数据的地址，第三存储单元103中的第三类数据为第二存储单元102中的当前地址。如图2所示，当EEPROM芯片第一次上电时，第二存储单元102的地址2写入第三存储单元103，存储过程中，第一存储单元101的数据循环写入各个存储块中，各个存储块对应的地址依次写入第二存储单元102的地址2对应的存储块中，所以第三存储单元103中写入的始终是对应第一存储单元101中的当前数据。当第二次上电时，由读取控制单元12先从第三存储单元103中读取到地址2，即找到上次断电时数据保存的地址。根据第三存储单元103中的地址2从第二存储单元102中找到第二类数据，即从第二存储单元102中的地址2中读取第一存储单元101的数据地址，根据数据地址从第一存储单元101找到数据，此数据即为EEPROM芯片上次断电时所保存的数据。

在本发明的一个实施例中，读取控制单元12在查找到第一类数据之后，控制第二存储单元102的当前地址执行自加1操作，同时将操作后的当前地址写入至第三存储单元103，则在下次上电时读取控制单元12从第三存储单元103读取的是本次第二存储单元102自加1后的地址数据。另外，读取控制单元12还用于判断第二存储单元102的存储空间是否已满，如果读取控制单元12判断第二存储单元102的存储空间已满，则将第二存储单元102的当前地址设置为第二存储单元102的起始地址，并将该地址写入第三存储单元103。如果读取控制单元12判断第二存储单元102的存储空间未满，则控制第二存储单元102的地址执行自加1操作后，将第二类数据写入至第二存储单元102的当前地址，并将当前地址写入第三存储单元103的固定地址中，作为第三类数据，第三存储单元103在每次上电时只擦除一次。参照图2，如图3所示，在本发明的一个实施例中，读取控制单元12在第一存储单元101找到上次断电时所保存的数据后，读取控制单元12判断第二存储单元102的存储空间未满，则控制第二存储单元102自加1，则地址3为第二存储单元102的当前地址，并将地址3写入第三存储单元103，在再次上电时，读取控制单元12从第三存储单元103中读取的就是地址3，然后在第二存储单元102中找到地址3，并根据地址3找到第一存储单元101断电时存储的数据地址，并读取出其中的数据。

在本发明的一个实施例中，读取控制单元12在查找到第一类数据之后，还循环检测是否到达预设刷写时间，如果到了预设刷写时间，则控制第一存储单元101的当前地址执行自加1操作，即第一存储单元101中的数据是随预设刷写时间而实时变化的。读取控制单元12在控制第一存储单元101的当前地址执行自加1操作后，还判断第一存储单元101的存储空间是否已满，如果第一存储单元101的存储空间已满，则将第一存储单元101的当前地址设置为第一存储单元101的起始地址，并将第一存储单元101的起始地址写入至第二存储单元102，否则将第一类数据写入至第一存储单元101的当前地址，并将第一存储单元101的当前地址写入至第二存储单元102。

在本发明的一个实施例中，以电池充电为例，SOC（state of charge,电池容量）值是充电电流和充电时间的累积。SOC值根据预设时间实时刷新，要将刷新的SOC值存入EEPROM存储装置中，断电后，在下次上电时，需由读取控制单元12读取出上次断电前所保存的最终的SOC值。例如设刷新预设时间速率为1S，即每秒SOC值都将被存储到EEPROM芯片中，若充电过程中，当前SOC值为30%，并且每秒钟读取控制模块12控制第一存储单元101执行自加1，并将最新的SOC值写入第一存储单元101的当前地址。如果3分钟后，当前SOC值为31%，此时突然断电，则下次重新上电时读取的数据应该为31%。如图4所示，在本实施例中，第一存储单元101中的第一类数据为31%，设为数据c2，刷新时间为1S，在上电时，读取控制单元12从第三存储单元103中读取第三类数据a，第三类数据a存储有断电时第二存储单元102中对应的地址信息，第三存储单元103是固定地址，在8位单片机中为2个字节，此地址可以由设计人员设定。读取控制单元12根据第三类数据a在第二存储单元102中找到地址b1，地址b1是存储断电之前第二存储单元102中的数据的地址。读取控制单元12从地址b1中读取数据b2，数据b2是断电时第一存储单元101中的数据的地址信息。读取控制单元12根据数据b2在第一存储单元101中找到地址c1，地址c1是第一存储单元101中存储数据的地址，由读取控制单元12从地址c1中读取数据c2，即找到了上次断电时保存的电池电量SOC值31%。

在本发明的实施例中，例如本发明实施例的EEPROM芯片的存储空间为1K，可擦除次数为10万次，将芯片划分为三个存储单元。三个存储单元的存储空间是由设计人员划定的，划定原则要求第一存储单元101和第二存储单元102的存储空间即存储数据组相近，而数据组里包含的字节由具体要求给出，例如存储SOC值需要四个字节，利用8位单片机存储，则在EEPROM芯片的存储空间为1K的内存里，第一存储单元101存储数据，如果每次存储4个字节，一共688个字节，可存储172组数据。第二存储单元102存储数据地址，每次存储2个字节，一共167组数据。第三存储单元103存储第二存储单元102的地址，每次存储2个字节，一共1组数据。每次上电后，读取控制单元12从第三存储单元103中读取数据查找到第二存储单元102的地址，再从第一存储单元101的地址读取上次断电时存储的数据，然后控制第二存储单元102的地址自加存储到第三存储单元103中，数据的地址存储到第二存储单元102的新的地址中，由此可实现断电保护，本实施例的实际寿命可达1670万次。

在本发明的一个实施例中，数据在第一存储单元101里循环存储，并实时刷新，第二存储单元102在一次完整的上电运行中擦除的是一个固定地址，断电后再上电时，第二存储单元102的固定地址变化，第三存储单元103是个固定地址，保存第二存储单元102的地址值，每次上电只需要擦除一次，只要第一存储单元101的数组和第二存储单元102的数组相近，则可达到空间的最大利用率。

综上所述，根据本发明实施例的EEPROM存储装置，通过将EEPROM芯片的存储空间划分为三个存储单元，并且其中的一个存储单元作为固定存储单元，存储断电时对应的数据地址，上电时读取此固定单元中的数据，从而找到断电时所存储的数据，实现了断电数据保护。另外，第一类数据循环存储在第二存储单元的一个地址中，实现了数据的循环存储，充分利用存储空间。此外，其中的固定存储单元只在每次上电时擦除一次，延长了存储芯片的寿命。

下面参照附图5至附图7描述根据本发明第二方面实施例提出的基于第一方面实施例的EEPROM存储装置的数据存储方法。

如图5所示，本发明实施例的基于上述第一方面实施例提出的EEPROM存储装置的数据存储方法，包括以下步骤：

S501，对EEPROM存储装置进行上电。

S502，判断是否为首次上电。

判断本次上电是否为首次上电。如果判断本次上电为首次上电，则进入步骤S503，如果判断不是首次上电，则进入步骤S506。

S503，获取EEPROM芯片的第二存储单元102的一个第二存储块的地址作为第二存储单元102的当前地址，并写入第三存储单元103。

如果为首次上电，则获取EEPROM芯片的第二存储单元102的一个第二存储块的地址作为第二存储单元102的当前地址，并将第二存储单元102的当前地址写入第三存储单元103。

S504，第一存储单元101中的数据实时更新，并且循环写入第二存储单元102的当前地址中。

在上电完成之后，EEPROM芯片正常工作，第一存储单元101中的数据实时更新，并且循环写入第二存储单元102的当前地址中。

S505，在EEPROM存储装置断电时，第一存储单元101将断电时保存的数据写入第一存储单元101，并将第一存储单元101的当前地址写入第二存储单元102的一个第二存储块。

在EEPROM存储装置断电时，第一存储单元101将其实时更新的最新数据写入第一存储单元101，即将断电时保存的数据写入第一存储单元101，同时，将第一存储单元101的当前地址写入第二存储单元102的一个第二存储块。换言之，第三存储单元103中的地址对应着第一存储单元101在EEPROM芯片断电时的数据。

S506，根据EEPROM芯片的第三存储单元103中的第二存储单元102的当前地址，在第二存储单元102中查找到第一存储单元101的地址，并根据第一存储单元101的地址在第一存储单元101中查找到EEPROM芯片上次断电时保存的数据。

不是首次上电，在完成读取上次断电时保存的数据之后，即执行完步骤S506后，EEPROM芯片正常工作，进行新一次的数据存储，即执行步骤S504。

如图6所示，在本发明的一个实施例中，读取上次断电时保存的数据的具体过程，包括以下步骤：

S601，对EEPROM存储装置进行上电。

S602，从第三存储单元103中读取数据。

第三存储单元103是固定地址，例如在8位单片机中有2个字节，此地址由设计人员设定。

S603，根据第三存储单元103中的第三类数据在第二存储单元102中找到该数据的地址。

第三存储单元103中存储的数据对应第二存储单元102在断电时的当前地址。

S604，读取第二存储单元102的地址中的数据。

由步骤S603找到的第三存储单元103中的第三类数据对应的第二存储单元102的地址，读取该地址中的数据。

S605，根据第二存储单元102中读取的数据，寻找该数据对应的第一存储单元101中的地址。

S606，读取第一存储单元101地址中的数据。

根据步骤S605获得的第二存储单元102中的数据，寻找该数据在第一存储单元101中的地址，并读取该地址中的数据，此数据即为断电时保存的数据。

如图7所示，在本发明的一个实施例中，在根据第一存储单元101的地址从第一存储单元101中找到EEPROM存储装置上次断电时保存的数据之后，包括以下步骤：

S701，第二存储单元102的当前地址执行自加1操作。

在根据第一存储单元101的地址在第一存储单元101中查找到EEPROM存储装置上次断电时保存的数据之后，控制第二存储单元102的当前地址执行自加1操作，同时将操作后的当前地址写入至第三存储单元103。

S702，判断第二存储单元102是否存满。

如果判断第二存储单元102存储空间已满，则进入步骤S703，如果判断第二存储单元102存储空间未满，则进入步骤S704。

S703，将第二存储单元102的当前地址设置为第二存储单元102的起始地址。

如果判断第二存储单元102的存储空间已满，则将第二存储单元102的当前地址设置为第二存储单元102的起始地址。

S704，将自加1操作后的当前地址写入至第三存储单元103。

S705，循环检测是否到达预设刷写时间。

在根据第一存储单元101的地址在第一存储单元101中查找到EEPROM存储装置上次断电时保存的数据之后，还要循环检测是否到达预设刷写时间。如果到达预设刷新时间，则进入步骤S706，如果未到达预设刷新时间，则继续检测。

S706，控制第一存储单元101的当前地址执行自加1操作。

如果到达预设刷新时间，则控制第一存储单元101的当前地址执行自加1操作。

S707，判断第一存储单元101是否存满。

在控制第一存储单元101的当前地址执行自加1操作之后，如果第一存储单元101的存储空间已满，则进入步骤S708，如果第一存储单元101的存储单元的存储空间未满，则进入步骤S709。

S708，将第一存储单元101的当前地址设置为第一存储单元101的起始地址。

如果第一存储单元101的存储空间已满，则将第一存储单元101的当前地址设置为第一存储单元101的起始地址。

S709，将第一类数据写入至第一存储单元101的当前地址。

如果第一存储单元101的存储单元的存储空间未满，则将第一类数据写入至第一存储单元101的当前地址，并将第一存储单元101的当前地址写入至第二存储单元102。

在本实例中，数据在第一存储单元101里循环存储，并实时刷新，第二存储单元102在一次完整的上电运行中擦除的是一个固定地址，断电后再上电时，第二存储单元102的固定地址变化，第三存储单元103是个固定地址，保存第二存储单元102的地址值，每次上电只需要擦除一次，只要第一存储单元101的数组和第二存储单元102的数组相近，则可最大利用空间利用率。

综上所述，在每次上电时，先读取第三存储单元103中的数据，由此找到第二存储单元102中的地址，然后在第二存储单元102的地址中读取数据找到第一存储单元101，最后在第一存储单元中找到上次断电时所保存的数据，便实现了数据保护。然后将第二存储单元102的地址自加1存储到第三存储单元103中，同时检测更新时间，将最新的数据写入第一存储单元101中，则第一存储单元101中实时更新的数据存储到第二存储单元102新的地址中。

根据本发明实施例的数据存储方法，通过将EEPROM芯片的存储空间划分为三个存储单元，并将断电时的数据地址存储在其中的一个固定存储单元，上电时通过读取此固定存储单元中的数据，从而找到断电时所存储的数据，实现了断电数据保护。另外，将其中数据实时更新的存储单元中的数据循环存储在存储其地址信息的存储单元的一个地址中，实现了数据的循环存储，充分利用存储空间。此外，该方法延长了存储芯片的寿命。

应当理解，本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列（PGA），现场可编程门阵列（FPGA）等。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同限定。

Claims (12)

1.一种EEPROM存储装置，其特征在于，包括：

EEPROM芯片，所述EEPROM芯片包括：

第一存储单元，用于存储第一类数据，其中，所述第一类数据为所述电可擦可编程只读存储器EEPROM存储装置上次断电时保存的数据；

第二存储单元，用于存储第二类数据，其中所述第二类数据为所述第一存储单元的地址；

第三存储单元，用于存储第三类数据，其中所述第三类数据为所述第二存储单元的当前地址；以及

读取控制单元，用于在所述EEPROM芯片上电之后，根据所述第三类数据在所述第二存储单元中查找到所述第二类数据，根据所述第二类数据在所述第一存储单元中查找到所述第一类数据。

2.根据权利要求1所述的EEPROM存储装置，其特征在于，所述第二存储单元包括多个存储块，所述第二类数据存储于所述多个存储块中的一个。

3.根据权利要求2所述的EEPROM存储装置，其特征在于，所述读取控制单元在查找到所述第一类数据之后，控制所述第二存储单元的当前地址执行自加1操作，同时将操作后的所述当前地址写入至所述第三存储单元。

4.根据权利要求3所述的EEPROM存储装置，其特征在于，所述读取控制单元在控制所述第二存储单元的当前地址执行自加1操作后，还用于判断所述第二存储单元的存储空间是否已满，如果是，将所述第二存储单元的当前地址设置为所述第二存储单元的起始地址，并将所述第二存储单元的起始地址写入至所述第三存储单元；否则将所述第二类数据写入至所述第二存储单元的当前地址，并将所述第二单元的当前地址写入至所述第三存储单元。

5.根据权利要求3所述的EEPROM存储装置，其特征在于，所述读取控制单元还用于在查找到所述第一类数据之后，循环检测是否到达预设刷写时间，如果是则控制所述第一存储单元的当前地址执行自加1操作。

6.根据权利要求5所述的EEPROM存储装置，其特征在于，所述读取控制单元还用于在控制所述第一存储单元的当前地址执行自加1操作后，判断所述第一存储单元的存储空间是否已满，如果是，将所述第一存储单元的当前地址设置为所述第一存储单元的起始地址，并将所述第一存储单元的起始地址写入至所述第二存储单元，否则将所述第一类数据写入至所述第一存储单元的当前地址，并将所述第一存储单元的当前地址写入至所述第二存储单元。

7.一种对权利要求1-6任一项所述的EEPROM存储装置的数据存储方法，其特征在于，包括以下步骤：

对所述EEPROM存储装置进行上电；

判断是否为首次上电；

如果为首次上电，则获取所述EEPROM芯片的第二存储单元的一个第二存储块的地址作为所述第二存储单元的当前地址；

将所述第二存储单元的当前地址写入所述第三存储单元；以及

在所述EEPROM存储装置断电时，将断电时保存的数据写入第一存储单元，并将所述第一存储单元的当前地址写入所述第二存储单元的一个第二存储块。

8.根据权利要求7所述的数据存储方法，其特征在于，在判断是否为首次上电时，还包括如下步骤：

如果判断不是首次上电，则根据所述EEPROM芯片的第三存储单元中的所述第二存储单元的当前地址，在所述第二存储单元中查找到所述第一存储单元的地址，并根据所述第一存储单元的地址在所述第一存储单元中查找到所述EEPROM存储装置上次断电时保存的数据。

9.根据权利要求8所述的数据存储方法，其特征在于，在根据所述第一存储单元的地址在所述第一存储单元中查找到所述EEPROM存储装置上次断电时保存的数据之后，还包括如下步骤：控制所述第二存储单元的当前地址执行自加1操作，同时将操作后的所述当前地址写入至所述第三存储单元。

10.如权利要求9所述EEPROM存储装置的数据存储方法，其特征在于，还包括如下步骤：在控制所述第二存储单元的当前地址执行自加1操作后，判断所述第二存储单元的存储空间是否已满，在判断所述第二存储单元的存储空间已满时，将所述第二存储单元的当前地址设置为所述第二存储单元的起始地址。

11.如权利要求8所述EEPROM存储装置的数据存储方法，其特征在于，在根据所述第一存储单元的地址在所述第一存储单元中查找到所述EEPROM存储装置上次断电时保存的数据之后，还包括如下步骤：循环检测是否到达预设刷写时间，如果是则控制所述第一存储单元的当前地址执行自加1操作。

12.如权利要求11所述EEPROM存储装置的数据存储方法，其特征在于，在控制所述第一存储单元的当前地址执行自加1操作之后，还包括如下步骤：判断所述第一存储单元的存储空间是否已满，如果是，将所述第一存储单元的当前地址设置为所述第一存储单元的起始地址，否则将所述第一类数据写入至所述第一存储单元的当前地址，并将所述第一存储单元的当前地址写入至所述第二存储单元。

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