CN103872198A - 一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 193
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 59
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 53
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 19
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000306 component Substances 0.000 description 23
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005699 Stark effect Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 3
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
- H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen characterised by the doping materials
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管，所述发光二极管的发光区具有至少一个量子阱结构，其结构包括第一保护层、在第一保护层上的第一过渡层、在第一过渡层上的量子阱层、在量子阱层上的第二过渡层、在第二过渡层上的第二保护层、以及在第二保护层上的量子垒层。
Description
技术领域
本发明涉及微电子器件，更详细地说，涉及可用于Ⅲ族氮化物半导体器件（如发光二极管）的结构。
背景技术
发光二极管（LED）具有亮度高，节能环保等优点，已被公认为第三代照明光源，在近几年得到大力发展。在衬底上生长的GaN基外延片，是LED的核心组成部分，决定着LED产品的性能。
一般来说，LED外延片主要包括衬底，N型导电层，应力释放层，发光层，电子阻挡层，P型导电层以及P型接触层。其中发光层结构及晶体质量对半导体器件的光电性能起决定性作用。而以Ⅲ族氮化物为基础的半导体器件中，由于量子阱层的材料与组分多数与N型导电层及量子垒层不同，因此会在量子阱层中产生应力，使得在量子阱及量子垒的交界面处产生极化电荷形成极化场。该极化场会引起量子阱层中的量子斯塔克效应，使得电子与空穴波函数相分离，减小其光电转换效率，从而降低出光效率。
目前，量子阱的发光效率已成为提高Ⅲ族半导体器件性能的瓶颈，因此减小量子阱中的极化电荷，减弱量子阱中的量子斯塔克效应及提高器件的出光效率成为目前技术研究热点。中国专利申请案CN1552104A中提及一种减少量子阱中的极化电荷的方法，即在量子阱生长之前插入一层InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构，其作用在于释放量子阱中的应力，以减小量子阱中的极化电荷并提高出光效率。中国专利申请案CN102760808 A中公开了一种发光区结构，主要是将量子垒层分为三层，两边采用GaN材料而中间层采用AlInGaN材料，用以释放量子阱层中的应力。但上述技术方案中对量子阱中的应力释放并不完全。中国专利申请案CN 102449737A中公开了一种在非极性面或半极性面上生长Ⅲ族氮化物薄膜的方法，来减小量子阱中的极化电荷。但该方法中在非极性面或半极性面中的量子阱极化电荷很少，其极化场较小，量子阱能带倾斜减弱，因此要达到相同波长，需要含有更多的In组分，而在非极性面和半极性面上In组分并入效率较低，因此需要更低的生长温度，如此会恶化量子阱的晶体质量。因此有必要进一步减少量子阱层中极化电荷。
发明内容
本发明的目的在于：提供一种具有减少量子阱层中极化电荷作用的基于Ⅲ族氮化物的发光区的发光二极管结构及其制造方法。
本发明的发光二极管结构，由下而上可以依次包括：衬底、缓冲层、N型导电层、应力释放层、发光区、电子阻挡层、P型导电层和P型接触层。N型导电层由n型掺杂的Ⅲ族氮化物制成；P型导电层由P型掺杂的Ⅲ族氮化物制成。所述发光区具有至少一个量子阱结构，其包括：基于Ⅲ族氮化物的第一保护层，在第一保护层上的基于Ⅲ族氮化物的第一过渡层，在第一过渡层上的基于Ⅲ族氮化物的阱层，在量子阱层上的基于Ⅲ族氮化物的第二过渡层，在第二过渡层上的基于Ⅲ族氮化物的第二保护层，以及在第二保护层上的基于Ⅲ族氮化物的垒层。
前述量子阱结构中，在阱层与低温保护层之间插入变温生长的基于Ⅲ族氮化物的过渡层，可以有效地减少量子阱层的极化电荷，减弱量子斯塔克效应，提高器件量子效率。这种过渡层可消除因量子垒层掺硅引起的附加势垒，降低工作电压，提高光电转换效率。
在本发明的一些实施例中，发光二极管的发光区包括前述量子阱结构的2~20次的重复，其中每一次重复的量子阱结构的生长条件可以相同也可以不同。例如20对量子阱结构中，前10对量子阱结构的周期厚度可以小于后10对量子阱结构的周期厚度，生长温度也可小于后10对量子阱结构。
在本发明的实施例中，所述第一保护层由AlaInbGa1-a-bN组成（其中0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1），其禁带宽度应大于量子阱组成材料的禁带宽度，可以根据阱层的材料组分设定该层的材料组分，使得量子阱层的极化场达到最小。该层厚度为0~5nm，生长环境为纯净N2或H2或前述组合。该层的生长温度不低于阱层温度，且较佳地不高于阱层温度100度。
在本发明的实施例中，所述第一过渡层由AlpInqGa1-p-qN组成（其中0≤p≤1，0≤q≤1，0≤p+q≤1），其组分在生长过程中渐变，禁带宽度不大于第一保护层的禁带宽度、不小于量子阱层的禁带宽度，并且在生长过程中逐渐减小。该层的厚度为0~5nm，生长环境为纯净N2H2或前述组合。在生长过程中，其生长温度从第一保护层的生长温度降低到量子阱层温度，可以根据得到的组分分布采用相应的降温方式，如线性降温、二次曲线降温等。
在本发明的实施例中，所述子阱层由AlxInyGa1-x-yN组成（其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1），该层的组分可以保持不变，也可以变化，较优方案为保持组分以及其能带不变化。该量子阱层厚度为0~5nm，生长环境为纯净N2、H2或前述组合。此层生长温度为700~900℃，在生长过程中温度可以变化也可保持不变。为了便于控制该器件的发光波长，优选方案为在该层中生长温度保持恒定。
在本发明的实施例中，所述第二过渡层由AlpInqGa1-p-qN组成（其中0≤p≤1，0≤q≤1，0≤p+q≤1）。该层的组分分布可以与第一过渡层保持一致，也可不同。其禁带宽度不大于第一保护层的禁带宽度、不小于阱层的禁带宽度，并且在生长过程中逐渐增大。该第二过渡层厚度为0~5nm，生长环境为纯净N2、H2或前述组合。在生长过程中，其生长温度从量子阱层的生长温度升高到第二保护层，可以根据组分分布计算该层的组分，并根据得到的组分分布采用相应的升温方式，如线性升温、二次曲线升温等。
在本发明的实施例中，所述第二保护层由AlaInbGa1-a-bN组成（其中0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1），其禁带宽度应大于量子阱组成材料的禁带宽度。该层可以根据量子阱层的材料组分设定该层的材料组分，使得量子阱层的极化场达到最小。该层厚度为0~5nm，生长环境为纯净N2、H2或前述组合。该层的生长温度不低于量子阱层温度、较佳的不高于量子阱温度100℃。该层的组分分布、厚度、生长温度可以与第一保护层相同，也可不同。
在本发明的实施例中，所述垒层由AlcIndGa1-c-dN组成（0≤c≤1，0≤d≤1，0≤c+d≤1），其禁带宽度应大于阱层的禁带宽度。该垒层的组成材料的组分分布是可以变化的，也可以不变。其能带可以是变化的，也可以不变。该层厚度为0~50nm，生长温度应不低于第二保护层的温度，生长环境可以为N2或H2或前述组合；若为H2/N2混合气体，其优选通入H2量应随着生长温度不同而变化。
在本发明的实施例中，量子垒可以不进行掺杂，也可以在生长至该层厚度D(D≥0)时进行n型掺杂，并且在生长结束之前或生长结束时停止硅掺杂，其掺杂浓度不大于5×1019cm-3。所述掺杂级可以是实际掺杂级也可以是平均掺杂级。优选实施例为在生长5nm后开始进行掺杂，而在生长结束前5nm时停止掺杂，掺杂浓度为2×1018cm-3。
在本发明的一些实施例中，所述垒层采用在阱垒交界面处不掺硅的方法，在降低垒层电阻的同时有效地消除阱垒界面处的附加电阻并减少量子垒中硅杂质扩散到量子阱层中，减少硅杂质引入的压应力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例。但本发明可以用许多不同形式体现，不应认为仅限于此文提出的实施例。提供这些实施例是为了使所公开的内容更彻底完整地向本专业的技术人员充分传达本发明的范围。在附图中，为了清晰起见，层和区的厚度都放大了。在所用的图中，相同的符号代表相同的元件。在本发明中，当提到一个元件（如一层，区或衬底）是在另一个元件“上”或者延伸到另一元件“上”，可以是直接在另一个元件“上”或者直接延伸到另一个元件“上”，或者也可有插入元件存在。若提到一个元件直接在另一个元件“上”或直接眼神到另一个元件“上”，表明没有插入元件存在。
图1是本发明实施例1的示意图。
图2是本发明实施例1中发光区5的结构放大图。
图3是本发明实施例1中量子阱结构的变形1。
图4是本发明实施例1中量子阱结构的变形2。
图5是本发明实施例1中量子阱结构的变形3。
图6是本发明实施例2的示意图。
图7是本发明实施例2中的发光区15的结构放大图。
具体实施方式
下面将结合附图和实施例对本发明所述的多量子阱结构及采用该结构的发光二极管进行详细说明。
实施例1
下面将参考图1~2说明本发明的实施例1。
请参看图1，发光二极管（LED）结构可以依次包括衬底1、缓冲层2、N型导电层3、应力释放层4、发光区5、电子阻挡层6、P型导电层7以及P型接触层8。具体的，衬底1可以选用蓝宝石衬底、氮化镓衬底或硅衬底；缓冲层2材料优选采用氮化镓、氮化铝材料、铝镓氮材料等，厚度可取30nm；N型导电层3优选为氮化镓，也可采用铝镓氮材料，硅掺杂优选浓度为2×1019cm-3；应力释放层4优选为InGaN/GaN交替生长的超晶格结构，生长温度为750℃，在纯净N2环境中生长，起到增加发光区5的V-pits以及部分释放量子阱层中应力的作用；在N型导电层3与应力释放层4之间还可以插入电流扩展层9，该层优选铝镓氮材料，电子经过N型导电层3后进行在该层横向扩展并随后流入发光区，起到增加发光面积的作用；发光区5具有至少一个量子阱结构10，优选为具有15个量子阱的重复结构，其具体结构下面将结合图2进行详细说明；P型电子阻挡层6优选采用铝镓氮材料，生长温度为750~950℃，优选生长温度为800℃，厚度50~200nm，优选厚度为150nm，该层阻挡电子进入P型层与空穴复合，可采用铝组分渐变的方式生长；P型导电层7和P型接触层8的掺杂浓度优选分别为1×1020cm-3和1×1021cm-3。
请参看图2，量子阱结构10包括第一保护层10a、第一过渡层10b、阱层10c、第二过渡层10d第二保护层10e以及垒层10f。
第一保护层10a及第二保护层10e由AlaInbGa1-a-bN组成（0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1），厚度为0~5nm。优选的，GaN材料（即a=b=0），厚度为2nm，生长环境为纯净N2。此两层的生长温度应不低于量子阱层温度，不高于量子阱温度100℃，优选生长温度为800℃。该层主要保护量子阱层及过渡层的In组分不被高温分解。
第一过渡层10b及第二过渡层10d由AlpInqGa1-p-qN组成（其中0≤p≤1，0≤q≤1，0≤p+q≤1），厚度为0~5nm，优选均取2nm，生长环境为纯净N2。其中，第一过渡层10b的禁带宽度不大于第一保护层10a的禁带宽度，不小于阱层10c的禁带宽度，并且在生长过程中逐渐减小；第二过渡层10d的禁带宽度不大于第二保护层10e的禁带宽度，不小于阱层的禁带宽度，并且在生长过程中逐渐增大。较佳的，第一过渡层10b在生长过程中由第一保护层10a的能带分布渐变到阱层10c的能带分布，第二过渡层10d由阱层10c的能带分布渐变到第二保护层10e的能带分布。在外延生长过程中，第一过渡层10b的生长温度从第一保护层10a的生长温度降低到阱层10c的生长温度，第二过渡层10d的生长温度从阱层生长温度升温至第二保护层的生长温度，可以采用任何降温/升温方式，如线性降温/升温。该两层可以根据量子阱层和第一、第二保护层的能带分布来计算该层的组分，使得量子阱层中的极化电荷达到最小，从而减小量子阱层的极化场，提高出光效率，并且减少droop效应。
阱层10c由AlxInyGa1-x-yN组成（其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1），厚度为0~5nm，优选为2nm，生长环境为纯净N2，生长温度为700~900℃，优选温度为750℃并且保持恒定。
垒层10f由AlcIndGa1-c-dN组成（其中0≤c≤1，0≤d≤1，0≤c+d≤1），厚度为0~50nm，优选为20nm，生长温度不低于第二保护层10e的温度，优选生长温度为850℃。生长环境可以为H2 /N2混合气体，H2和N2比例为0<H2/N2≤1，优选通入H2量为10L，通入H2可以提高该量子垒层的晶格质量，减少位错及缺陷。垒层10f可以不进行掺杂，也可以在生长至该层厚度D（D≥0）进时进行n型掺杂，并且在生长结束之前或生长结束时停止硅掺杂，其掺杂浓度不大于5×1019cm-3，掺杂级可以是实际掺杂级也可以是平均掺杂级。本实施例提供的优选方案为在生长5nm后开始进行掺杂，而在生长结束前5nm时停止掺杂，掺杂浓度为2×1018cm-3。主要作用为降低垒层电阻的同时有效消除阱垒界面处的附加电阻并减少量子垒中硅杂质扩散到量子阱层中，减少硅杂质引入的压应力。
变形1
在前述发光二极管的发光区5还可以采用图3所示的量子阱40结构。在本结构中，量子阱40包括：第一保护层40a、阱层40c、第二过渡层40d、第二保护层40e以及垒层40f，即直接在第一保护层40a上形成阱层40c。
第一保护层40a由AlaInbGa1-a-bN组成（0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1），厚度Da为0＜Da≤5nm。优选的，GaN材料（即a=b=0），厚度为1nm，生长环境为纯净N2。此两层的生长温度应不低于量子阱层温度，不高于量子阱温度100℃，优选生长温度为750℃。该层主要保护量子阱层及过渡层的In组分不被高温分解。
阱层40c由AlxInyGa1-x-yN组成（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1），厚度Dc为0＜Dc≤5nm，优选为2nm，生长环境为纯净N2，生长温度为700~900℃，优选温度为750℃并且保持恒定。
变形2
在前述发光二极管的发光区5还可以采用图4所示的量子阱50结构。在本结构中，量子阱50包括：第一保护层50a、第一过渡层50b、阱层50c、第二保护层50e以及垒层50f，即直接在阱层50c上形成第二保护层50e。
阱层50c由AlxInyGa1-x-yN组成（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1），厚度Dc为0＜Dc≤5nm，优选为2nm，生长环境为纯净N2，生长温度为700~900℃，优选温度为750℃并且保持恒定。
第二保护层50e由AlaInbGa1-a-bN组成（0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1），厚度De为0＜De≤5nm。优选的，GaN材料（即a=b=0），厚度为2nm，生长环境为纯净N2。此层的生长温度应不低于量子阱层温度，不高于量子阱温度100℃，优选生长温度为750℃。该层主要保护量子阱层及过渡层的In组分不被高温分解。
变形3
在前述发光二极管的发光区5还可以采用图5所示的量子阱60结构。在本结构中，量子阱60包括：第一保护层60a、第一过渡层60b、第二过渡层60d、第二保护层60e以及垒层60f，即阱层的厚度为0。
第一过渡层60b及第二过渡层60d由AlpInqGa1-p-qN组成（0≤p≤1，0≤q≤1，0≤p+q≤1），厚度D为0＜D≤5nm，优选均取3nm，生长环境为纯净N2。其中，第一过渡层60b的禁带宽度不大于第一保护层60a的禁带宽度，并且在生长过程中逐渐减小；第二过渡层60d的禁带宽度不大于第二保护层60e的禁带宽度，并且在生长过程中逐渐增大。较佳的，第一过渡层60b在生长过程中由第一保护层60a的能带分布渐变到设定分布，第二过渡层60d由设定分布渐变到第二保护层60e的能带分布，此设定分布由设定发光波长得出。在外延生长过程中，第一过渡层60b的生长温度从第一保护层60a的生长温度降低到设定温度，第二过渡层60d的生长温度从设定温度升温至第二保护层的生长温度，此设定温度由设定的发光波长得出，可以采用任何降温/升温方式，如线性降温/升温。该两层可以根据设定的发光波长和第一、第二保护层的能带分布来计算该层的组分，使得量子阱层中的极化电荷达到最小，从而减小量子阱层的极化场，提高出光效率，并且减少droop效应。
实施例2
下面将参考图6说明本发明的实施例2，图6中所述发光二极管（LED）结构包括衬底11，在衬底11上的缓冲层12，在缓冲层12上的N型导电层13，在N型导电层13上的应力释放层14，在应力释放层上发光区15，发光区15分为15a和15b两部分。还包括在发光区15上的P型电子阻挡层16，在电子阻挡层16上的P型导电层17，以及在P型导电层17上的P型接触层18。上述结构中，除发光区15以外，其它各层结构及制作方法可以参考实施例1中描述。
发光区15中第一部分15a包括具有9对量子阱结构20、量子阱结构30的周期重复结构。发光区15中的量子阱结构20如图7所示，包括第一保护层20a、第一过渡层20b、阱层20c、第二过渡层20d、第二保护层20e以及垒层20f。
在发光区第一部分15a上有发光区第二部分15b，具有10个量子阱结构30的重复结构。发光区15中的量子阱结构30如图7所示，包括第一保护层30a、第一过渡层30b、阱层30c、第二过渡层30d、第二保护层30e以及垒层30f。量子阱结构30中各层生长参数可参照实施例1中量子阱结构中各层的生长参数。
在本实施例中，量子阱结构20的生长条件与量子阱30相同，该生长条件包括生长压力，生长气流，生长温度，生长所使用的MO源及掺杂源。但量子阱结构20中各层的厚度不等于量子阱结构30中相对应层的厚度。本实施例提供的优选方案是量子阱结构20中各层的厚度等于量子阱结构30中相对应层的厚度的1/3。量子阱结构20发出的光的主波长约400nm，且发光效率远小于量子阱结构30的发光效率。量子阱结构20主要作用为释放量子阱结构30中量子阱层的应力，减小其极化场并提高发光效率。量子阱结构20中垒层20f的厚度越小，在量子阱结构30中垒层30f的硅掺杂可以越高，优选掺杂浓度为1×1019cm-3。
在附图和说明书中，公开了本发明的典型优选实施例，虽然使用了具体术语，但这些术语的使用仅仅为了具体说明本发明，而不是为了起限制作用，本发明的范围在以上权利要求中阐述。
Claims (17)
1.一种多量子阱结构，其中至少一个量子阱结构包括：基于Ⅲ族氮化物的第一保护层、在第一保护层上的基于Ⅲ族氮化物的第一过渡层，在第一过渡层上的基于Ⅲ族氮化物的阱层，在量子阱层上的基于Ⅲ族氮化物的第二过渡层，在第二过渡层上的基于Ⅲ族氮化物的第二保护层，以及在第二保护层上的基于Ⅲ族氮化物的垒层。
2.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一保护层或第二保护层由AlaInbGa1-a-bN组成，其中0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1。
3.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一保护层、第二保护层厚度为n、m，其中0＜n≤5nm、0＜m≤5nm。
4.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一保护层禁带宽度不小于第一过渡层中组成材料的禁带宽度。
5.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第二保护层禁带宽度不小于第二过渡层中组成材料的禁带宽度。
6.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一过渡层或第二过渡层由AlpInqGa1-p-qN组成，其中0≤p≤1，0≤q≤1，0≤p+q≤1。
7.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一过渡层或第二过渡层厚度为i、j，其中0≤i≤5nm、0≤j≤5nm，且i、j不同时为0。
8.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一过渡层在生长过程中，其生长温度从第一保护层生长温度降低到阱层生长温度，采用单调下降的方式降温。
9.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第二过渡层在生长过程中，其生长温度从阱层生长温度升高到第二保护层生长温度，采用单调上升的方式升温。
10.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一过渡层的禁带宽度不大于第一保护层的禁带宽度且不小于阱层的禁带宽度，并且在生长过程中逐渐减小。
11.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第二过渡层的禁带宽度不大于第二保护层的禁带宽度且不小于阱层的禁带宽度，并且在生长过程中逐渐增大。
12.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述阱层由AlxInyGa1-x-yN组成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。
13.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述阱层厚度为0~5nm。
14.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述垒层由AlcIndGa1-c-dN组成，其中0≤c≤1，0≤d≤1，0≤c+d≤1。
15.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述垒层厚度为0~50nm。
16.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述垒层为全部掺杂或部分掺杂，其掺杂浓度不大于5×1019cm-3。
17.一种发光二极管，包括：N型导电层、P型导电层及夹在两者之间的发光区，其特征在于：所述发光层包含权利要求1至16中任一权利要求所述的多量子阱结构。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410110224.8A CN103872198B (zh) | 2014-03-24 | 2014-03-24 | 一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管 |
| PCT/CN2014/094873 WO2015143902A1 (zh) | 2014-03-24 | 2014-12-25 | 一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管 |
| US15/175,528 US9997665B2 (en) | 2014-03-24 | 2016-06-07 | Multiple quantum well structure and light emitting diodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410110224.8A CN103872198B (zh) | 2014-03-24 | 2014-03-24 | 一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103872198A true CN103872198A (zh) | 2014-06-18 |
| CN103872198B CN103872198B (zh) | 2016-09-28 |
Family
ID=50910538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410110224.8A Active CN103872198B (zh) | 2014-03-24 | 2014-03-24 | 一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9997665B2 (zh) |
| CN (1) | CN103872198B (zh) |
| WO (1) | WO2015143902A1 (zh) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2015143902A1 (zh) | 2015-10-01 |
| US9997665B2 (en) | 2018-06-12 |
| US20160293796A1 (en) | 2016-10-06 |
| CN103872198B (zh) | 2016-09-28 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |