CN103868417B - 芯片型爆炸箔组件及其生产方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种芯片型爆炸箔组件及其生产方法,芯片型爆炸箔组件包括爆炸箔、飞片和电极,所述飞片粘接在所述爆炸箔上;所述电极焊接在所述爆炸箔上;所述爆炸箔是长方形,所述爆炸箔阵列排布在基片上;所述爆炸箔划片成型;所述电极是冲压成型的铜箔。飞片选用热粘聚酰亚胺薄膜,手工批量化粘接;焊锡采用小型手动丝网印刷机实现批量涂覆;爆炸箔组件采用脉冲热压回流焊接机通过编程实现批量自动焊接。本发明属于直列式冲击片火工品起爆部件,芯片化设计的爆炸箔组件结构简单,生产方式适合批量化、自动化,产品质量一致性好,生产效率高,成本低。有利于冲击片雷管的推广应用。
Description
技术领域
本发明涉及一种冲击片雷管,具体涉及一种芯片型爆炸箔组件及其生产方法。
背景技术
雷管是爆破工程的主要起爆材料,它的作用是产生起爆能来引爆各种炸药及导爆索、传爆管。雷管分为火雷管和电雷管两种。冲击片雷管用爆炸箔组件一般采用单件制造的模式,致使生产效率低,成本较高,无法满足大批量需求,制约了冲击片雷管的推广应用。
发明内容
本发明克服了现有技术的不足,提供解决一种适合批量化、自动化生产,生产效率高,成本低的芯片型爆炸箔组件及其生产方法。
为解决上述的技术问题,本发明采用以下技术方案:
一种芯片型爆炸箔组件,包括爆炸箔、飞片和电极,所述飞片粘接在所述爆炸箔上;所述电极焊接在所述爆炸箔上;所述爆炸箔是长方形,所述爆炸箔阵列排布在基片上;所述爆炸箔划片成型;所述电极是冲压成型的铜箔。
更进一步的技术方案是飞片是热粘聚酰亚胺薄膜。
更进一步的技术方案是提供一种芯片型爆炸箔组件的生产方法,所述的生产方法包括以下步骤:
将长方形爆炸箔放置在基片上蒸镀或磁控溅射上金属薄膜;
将所述爆炸薄膜光刻和刻蚀后形成爆炸箔阵列,划片获得多个爆炸箔;
将飞片固定在爆炸箔金属薄膜上,覆盖桥区,在基片上施加1千克以上压重;
将粘接飞片的爆炸箔用小型手动丝网印刷机在爆炸箔两端批量涂覆焊锡;
将涂覆好焊锡的爆炸箔和铜电极在脉冲热压回流焊接机通过编程实现批量自动焊接。
更进一步的技术方案是金属薄膜是铜膜。
更进一步的技术方案是将飞片固定在爆炸箔金属薄膜上,覆盖桥区,在基片上施加1千克以上压重步骤后,在200℃条件下恒温5分钟以上,再冷却至20℃至25℃。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明属于直列式冲击片火工品起爆部件,芯片化设计的爆炸箔组件结构简单,生产方式适合批量化、自动化,产品质量一致性好,生产效率高,成本低。有利于冲击片雷管的推广应用。
附图说明
图1为本发明一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步阐述。
如图1所示,图1示出了本发明一个实施例的结构示意图。本实施例芯片型爆炸箔组件,包括爆炸箔1、飞片2和电极3,飞片粘接在爆炸箔上;采用芯片化设计思路,爆炸箔为长方形,爆炸箔阵列放置在基本上,划片成型,电极通过冲压成型,电极是铜箔,焊接在爆炸箔上。
根据本发明的另一个实施例,提供一种芯片型爆炸箔组件的生产方法,具体生产步骤是:爆炸箔外形为长方形,在一块较大陶瓷基片上蒸镀或磁控溅射上铜膜或其它金属薄膜,光刻和刻蚀后形成爆炸箔阵列,划片后获得多个爆炸箔,划片过程控制爆炸箔桥区布局与陶瓷基片的中心。
飞片选用热粘聚酰亚胺薄膜,将飞片固定于爆炸箔金属薄膜上,覆盖桥区,在陶瓷基片上施加1千克以上压重,在200℃条件下恒温5min以上,再冷却到常温;本实施例中常温是指16至25摄氏度。具体的可冷却到20至25摄氏度。
在已经粘接好飞片的爆炸箔两端,即需要焊接的部分涂覆焊锡,优选的是,采用小型手动丝网印刷机实现焊锡的批量涂覆。
电极为冲压成型的铜箔,在爆炸箔上涂覆好焊锡的地方安装电极,采用脉冲热压回流焊接机通过编程实现批量自动焊接。本实施例适合批量化、自动化生产,生产效率高,成本低。
在本说明书中所谈到的“一个实施例”、“另一个实施例”、“实施例”、等,指的是结合该实施例描述的具体特征、结构或者特点包括在本申请概括性描述的至少一个实施例中。在说明书中多个地方出现同种表述不是一定指的是同一个实施例。进一步来说,结合任一个实施例描述一个具体特征、结构或者特点时,所要主张的是结合其他实施例来实现这种特征、结构或者特点也落在本发明的范围内。
尽管这里参照发明的多个解释性实施例对本发明进行了描述,但是,应该理解,本领域技术人员可以设计出很多其他的修改和实施方式,这些修改和实施方式将落在本申请公开的原则范围和精神之内。更具体地说,在本申请公开权利要求的范围内,可以对主题组合布局的组成部件和/或布局进行多种变型和改进。除了对组成部件和/或布局进行的变型和改进外,对于本领域技术人员来说,其他的用途也将是明显的。
Claims (5)
1.一种芯片型爆炸箔组件,包括爆炸箔、飞片和电极,所述飞片粘接在所述爆炸箔上;所述电极焊接在所述爆炸箔上;其特征在于:所述爆炸箔是长方形,所述爆炸箔阵列排布在陶瓷基片上;所述爆炸箔划片成型;所述电极是冲压成型的铜箔。
2.根据权利要求1所述的芯片型爆炸箔组件,其特征在于所述的飞片是热粘聚酰亚胺薄膜。
3.一种如权利要求1或2所述的芯片型爆炸箔组件的生产方法,其特征在于所述的生产方法包括以下步骤:
将长方形爆炸箔放置在基片上蒸镀或磁控溅射上金属薄膜;
将所述金属薄膜光刻和刻蚀后形成爆炸箔阵列,划片获得多个爆炸箔;划片过程控制爆炸箔桥区布局与基片的中心;
将飞片固定在爆炸箔金属薄膜上,覆盖桥区,在基片上施加1千克以上压重;
将粘接飞片的爆炸箔用小型手动丝网印刷机在爆炸箔两端批量涂覆焊锡;
将涂覆好焊锡的爆炸箔和铜电极在脉冲热压回流焊接机通过编程实现批量自动焊接。
4.根据权利要求3所述的生产方法,其特征在于所述的金属薄膜是铜膜。
5.根据权利要求3所述的生产方法,其特征在于所述的将飞片固定在爆炸箔金属薄膜上,覆盖桥区,在基片上施加1千克以上压重步骤后,在200℃条件下恒温5分钟以上,再冷却至20℃至25℃。
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