CN103852931A - 一种防bm偏移液晶显示器 - Google Patents
一种防bm偏移液晶显示器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103852931A CN103852931A CN201410124808.0A CN201410124808A CN103852931A CN 103852931 A CN103852931 A CN 103852931A CN 201410124808 A CN201410124808 A CN 201410124808A CN 103852931 A CN103852931 A CN 103852931A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- edge
- data line
- liquid crystal
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种防BM偏移液晶显示器，包括阵列基板（1），所述阵列基板（1）中的任一个像素单元（2）中皆设有两条数据线（3），纵向设置的BM层（4）的两边缘则分别位于水平方向上两相邻像素单元（2）的两相邻数据线（3）上，此时阵列基板（1）中的栅极金属层（5）和/或源漏极金属层（6）作为遮光金属。本发明将BM层的边缘设置在数据线上，以避免单边蚀刻量值变异形成的shotmura，进一步将BM层的边缘设置在数据线的中心线上并使得BM层的边缘与遮光金属的边缘之间的距离不小于BM层的单边蚀刻量值与组立精度之和，即可避免单边蚀刻量值变异形成的shotmura和BM层组立偏移造成的漏光、开口率下降等问题。
Description
技术领域
本发明涉及需接合曝光的大尺寸液晶显示器，具体的说是一种通过将BM层的边缘设置在数据线以避免单边蚀刻量值变异形成的shot mura并防止BM组立偏移造成的漏光、开口率下降等问题的防BM偏移液晶显示器。
背景技术
BM层的功能是遮光，目的是提高对比度、避免色混及防止光线照射TFT器件，减小漏电流，因此BM层的精确对位至关重要。影响BM层对位精度的因素主要有制程时的单边蚀刻量(CD)。目前面板尺寸越做越大，即使使用光罩尺寸最大的扫描曝光机，也无法将所有面板图形一次曝光完成，因此需要多次曝光接合完成。多次接合曝光带来的问题是每次曝光的CD值会有所差异，造成同一片面板上不同光罩区域 (shot) 的光透过率不一致，导致面板亮度不一，形成shot mura。另外，影响BM层对位精度的主要因素还有对位时的组立精度。若BM层贴合时产生偏差，则会漏光，还会降低开口率。
附图1为现有技术中的BM设计构架。如图1所示BM层设计时考虑单边蚀刻量(CD)和组立精度，一般BM层4的宽度比栅极金属层制成的公共电极线52宽。附图2为附图1所示的BM设计构架中CD值正变异时的示意图，此时BM层4的宽度偏大，遮光区域增大，光透过率下降；附图3为附图1所示的BM设计构架中CD值负变异时的示意图，此时BM层4的宽度偏小，但由于栅极金属层具有遮光作用，可形成内置BM层，所以对面板亮度影响不大。若不同shot的CD值变异不同，则会造成时亮度不均，面板形成shot mura。图4-7为附图1所示的BM设计构架中组立偏移时的示意图，图4为组立正偏移较小时的示意图，图5为组立负偏移较小时的示意图，图6为组立正偏移较大时的示意图，图7为组立负偏移较大时的示意图；如图4-7所示，当组立偏移较小时，正负偏移造成的结果一样，都是遮光区域增大，光透过率下降，所以面板亮度整体偏暗；当组立偏移较大时，正负偏移造成的结果一样，都是会漏光，造成面板对比度下降。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术存在的问题，提供一种通过将BM层的边缘设置在数据线以避免单边蚀刻量值变异形成的shot mura并防止BM组立偏移造成的漏光、开口率下降等问题的防BM偏移液晶显示器。
本发明的目的是通过以下技术方案解决的：
一种防BM偏移液晶显示器，包括阵列基板，其特征在于所述阵列基板中的任一个像素单元中皆设有两条数据线，纵向设置的BM层的两边缘则分别位于水平方向上两相邻像素单元的两相邻数据线上，此时阵列基板中的栅极金属层和/或源漏极金属层作为遮光金属。
所述BM层的边缘位于数据线的中心线上，且BM层的边缘至BM层边缘外侧的遮光金属边缘的距离不小于BM层的单边蚀刻量值与组立精度之和。
所述的栅极金属层制作成数据线修复线时，数据线修复线位于数据线的下方作为遮光金属，BM层的两边缘分别位于两相邻数据线上且BM层的边缘至其外侧的数据线修复线边缘的距离不小于BM层的单边蚀刻量值与组立精度之和。
所述BM层的宽度为两相邻数据线修复线之间的间距。
所述的栅极金属层制作成公共电极线时，公共电极线位于数据线的下方作为遮光金属，BM层的两边缘分别位于两相邻数据线上且BM层的边缘至其外侧的公共电极线边缘的距离不小于BM层的单边蚀刻量值与组立精度之和。
所述BM层的宽度为两相邻公共电极线之间的间距。
所述的源漏极金属层制作成的数据线作为遮光金属时， BM层的两边缘分别位于两相邻数据线上且BM层的边缘至其外侧的数据线边缘的距离不小于BM层的单边蚀刻量值与组立精度之和。
所述栅极金属层和源漏极金属层制作成的数据线作为遮光金属时，栅极金属层制作成的数据线位于漏极金属层制作成的数据线的下方，BM层的两边缘分别位于漏极金属层制作成的数据线的两相邻数据线上且BM层的边缘至其外侧的栅极金属层制作成的数据线边缘的距离不小于BM层的单边蚀刻量值与组立精度之和。
所述BM层的宽度为栅极金属层制作成的两相邻数据线之间的间距。
本发明相比现有技术有如下优点：
本发明通过将BM层的边缘设置在数据线上，以避免单边蚀刻量值变异形成的shot mura，进一步将BM层的边缘设置在数据线的中心线上并使得BM层的边缘与遮光金属的边缘之间的距离不小于BM层的单边蚀刻量值与组立精度之和，即可避免单边蚀刻量值变异形成的shot mura，也可以防止BM层组立偏移造成的漏光、开口率下降等问题。
附图说明
附图1为现有技术中的BM设计构架示意图；
附图2为附图1所示的BM设计构架中CD值正变异时的示意图；
附图3为附图1所示的BM设计构架中CD值负变异时的示意图；
附图4为附图1所示的BM设计构架中组立正偏移较小时的示意图；
附图5为附图1所示的BM设计构架中组立负偏移较小时的示意图；
附图6为附图1所示的BM设计构架中组立正偏移较大时的示意图；
附图7为附图1所示的BM设计构架中组立负偏移较大时的示意图；
附图8为本发明的实施例一的像素架构局部示意图；
附图9为本发明的实施例二的像素架构局部示意图；
附图10为本发明的实施例三的像素架构局部示意图；
附图11为本发明的实施例四的像素架构局部示意图。
其中：1—阵列基板；2—像素单元；3—数据线；4—BM层；5—栅极金属层；51—数据线修复线；52—公共电极线；6—源漏极金属层。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本发明作进一步的说明。
如图8-11所示：一种防BM偏移液晶显示器，包括阵列基板1，该阵列基板1中的任一个像素单元2中皆设有两条数据线3，纵向设置的BM层4的两边缘则分别位于水平方向上两相邻像素单元2的两相邻数据线3上，此时阵列基板1中的栅极金属层5和/或源漏极金属层6作为遮光金属，即阵列基板1中的栅极金属层5、源漏极金属层6即可单独作为遮光金属使用，又可同时作为遮光金属使用。优选方案是将BM层4的边缘设置在数据线3的中心线上，且BM层4的边缘至BM层4边缘外侧的遮光金属边缘的距离不小于BM层4的单边蚀刻量值与组立精度之和。
实施例一
附图8为一种防BM偏移液晶显示器的像素架构局部示意图，如图8所示，一种防BM偏移液晶显示器，包括阵列基板1，该阵列基板1中的任一个像素单元2中皆设有两条数据线3，纵向设置的BM层4的两边缘则分别位于水平方向上两相邻像素单元2的两相邻数据线3上，当栅极金属层5制作成数据线修复线51时，数据线修复线51位于数据线3的下方作为遮光金属，BM层4的两边缘分别位于两相邻数据线3上且BM层4的边缘至其外侧的数据线修复线51边缘的距离L1不小于BM层4的单边蚀刻量值与组立精度之和。另一个优选方案是将BM层4的宽度L2设为两相邻数据线修复线51之间的间距，以降低材料消耗、降低成本。上述方案通过将BM层4的边缘设置在数据线3上，以避免单边蚀刻量值变异形成的shot mura，进一步将BM层4的边缘设置在数据线3的中心线上并使得BM层4的边缘与数据线修复线51的边缘之间的距离L1不小于BM层4的单边蚀刻量值与组立精度之和，即可避免单边蚀刻量值变异形成的shot mura，也可以防止BM层4组立偏移造成的漏光、开口率下降等问题。
实施例二
附图9为一种防BM偏移液晶显示器的像素架构局部示意图，如图9所示，一种防BM偏移液晶显示器，包括阵列基板1，该阵列基板1中的任一个像素单元2中皆设有两条数据线3，纵向设置的BM层4的两边缘则分别位于水平方向上两相邻像素单元2的两相邻数据线3上，当栅极金属层5制作成公共电极线52时，公共电极线52位于数据线3的下方作为遮光金属，BM层4的两边缘分别位于两相邻数据线3上且BM层4的边缘至其外侧的公共电极线52边缘的距离L1不小于BM层4的单边蚀刻量值与组立精度之和。另一个优选方案是将BM层4的宽度L2设为两相邻公共电极线52之间的间距，以降低材料消耗、降低成本。上述方案通过将BM层4的边缘设置在数据线3上，以避免单边蚀刻量值变异形成的shot mura，进一步将BM层4的边缘设置在数据线3的中心线上并使得BM层4的边缘与公共电极线52的边缘之间的距离L1不小于BM层4的单边蚀刻量值与组立精度之和，即可避免单边蚀刻量值变异形成的shot mura，也可以防止BM层4组立偏移造成的漏光、开口率下降等问题。
实施例三
附图10为一种防BM偏移液晶显示器的像素架构局部示意图，如图10所示，一种防BM偏移液晶显示器，包括阵列基板1，该阵列基板1中的任一个像素单元2中皆设有两条数据线3，纵向设置的BM层4的两边缘则分别位于水平方向上两相邻像素单元2的两相邻数据线3上，当源漏极金属层6制作成的数据线3作为遮光金属时， BM层4的两边缘分别位于两相邻数据线3上且BM层4的边缘至其外侧的数据线3边缘的距离L1不小于BM层4的单边蚀刻量值与组立精度之和。上述方案通过将BM层4的边缘设置在数据线3上，以避免单边蚀刻量值变异形成的shot mura，进一步将BM层4的边缘设置在数据线3的中心线上并使得BM层4的边缘与数据线3的边缘之间的距离L1不小于BM层4的单边蚀刻量值与组立精度之和，即可避免单边蚀刻量值变异形成的shot mura，也可以防止BM层4组立偏移造成的漏光、开口率下降等问题。
实施例四
附图11为一种防BM偏移液晶显示器的像素架构局部示意图，如图11所示，一种防BM偏移液晶显示器，包括阵列基板1，该阵列基板1中的任一个像素单元2中皆设有两条数据线3，纵向设置的BM层4的两边缘则分别位于水平方向上两相邻像素单元2的两相邻数据线3上，当栅极金属层5和源漏极金属层6制作成的数据线3作为遮光金属时，栅极金属层5制作成的数据线3位于漏极金属层6制作成的数据线3的下方，BM层4的两边缘分别位于漏极金属层6制作成的数据线3的两相邻数据线3上且BM层4的边缘至其外侧的栅极金属层5制作成的数据线3边缘的距离L1不小于BM层4的单边蚀刻量值与组立精度之和。另一个优选方案是将BM层4的宽度L2设为栅极金属层5制作成的两相邻数据线3之间的间距，以降低材料消耗、降低成本。上述方案通过将BM层4的边缘设置在数据线3上，以避免单边蚀刻量值变异形成的shot mura，进一步将BM层4的边缘设置在数据线3的中心线上并使得BM层4的边缘与栅极金属层5制作成的数据线3的边缘之间的距离L1不小于BM层4的单边蚀刻量值与组立精度之和，即可避免单边蚀刻量值变异形成的shot mura，也可以防止BM层4组立偏移造成的漏光、开口率下降等问题。
以上实施例仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明保护范围之内；本发明未涉及的技术均可通过现有技术加以实现。
Claims (9)
1.一种防BM偏移液晶显示器，包括阵列基板（1），其特征在于所述阵列基板（1）中的任一个像素单元（2）中皆设有两条数据线（3），纵向设置的BM层（4）的两边缘则分别位于水平方向上两相邻像素单元（2）的两相邻数据线（3）上，此时阵列基板（1）中的栅极金属层（5）和/或源漏极金属层（6）作为遮光金属。
2.根据权利要求1所述的防BM偏移液晶显示器，其特征在于：所述BM层（4）的边缘位于数据线（3）的中心线上，且BM层（4）的边缘至BM层（4）边缘外侧的遮光金属边缘的距离不小于BM层（4）的单边蚀刻量值与组立精度之和。
3.根据权利要求1或2所述的防BM偏移液晶显示器，其特征在于：所述的栅极金属层（5）制作成数据线修复线（51）时，数据线修复线（51）位于数据线（3）的下方作为遮光金属，BM层（4）的两边缘分别位于两相邻数据线（3）上且BM层（4）的边缘至其外侧的数据线修复线（51）边缘的距离不小于BM层（4）的单边蚀刻量值与组立精度之和。
4.根据权利要求3所述的防BM偏移液晶显示器，其特征在于：所述BM层（4）的宽度为两相邻数据线修复线（51）之间的间距。
5.根据权利要求1或2所述的防BM偏移液晶显示器，其特征在于：所述的栅极金属层（5）制作成公共电极线（52）时，公共电极线（52）位于数据线（3）的下方作为遮光金属，BM层（4）的两边缘分别位于两相邻数据线（3）上且BM层（4）的边缘至其外侧的公共电极线（52）边缘的距离不小于BM层（4）的单边蚀刻量值与组立精度之和。
6.根据权利要求5所述的防BM偏移液晶显示器，其特征在于：所述所述BM层（4）的宽度为两相邻公共电极线（52）之间的间距。
7.根据权利要求1或2所述的防BM偏移液晶显示器，其特征在于：所述的源漏极金属层（6）制作成的数据线（3）作为遮光金属时， BM层（4）的两边缘分别位于两相邻数据线（3）上且BM层（4）的边缘至其外侧的数据线（3）边缘的距离不小于BM层（4）的单边蚀刻量值与组立精度之和。
8.根据权利要求1或2所述的防BM偏移液晶显示器，其特征在于：栅极金属层（5）和源漏极金属层（6）制作成的数据线（3）作为遮光金属时，栅极金属层（5）制作成的数据线（3）位于漏极金属层（6）制作成的数据线（3）的下方，BM层（4）的两边缘分别位于漏极金属层（6）制作成的数据线（3）的两相邻数据线（3）上且BM层（4）的边缘至其外侧的栅极金属层（5）制作成的数据线（3）边缘的距离不小于BM层（4）的单边蚀刻量值与组立精度之和。
9.根据权利要求8所述的防BM偏移液晶显示器，其特征在于：所述BM层（4）的宽度为栅极金属层（5）制作成的两相邻数据线（3）之间的间距。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410124808.0A CN103852931B (zh) | 2014-03-31 | 2014-03-31 | 一种防bm偏移液晶显示器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410124808.0A CN103852931B (zh) | 2014-03-31 | 2014-03-31 | 一种防bm偏移液晶显示器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103852931A true CN103852931A (zh) | 2014-06-11 |
| CN103852931B CN103852931B (zh) | 2016-04-13 |
Family
ID=50860786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410124808.0A Active CN103852931B (zh) | 2014-03-31 | 2014-03-31 | 一种防bm偏移液晶显示器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103852931B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108957891A (zh) * | 2018-08-21 | 2018-12-07 | 信利半导体有限公司 | 一种阵列基板 |
| CN115793313A (zh) * | 2022-10-25 | 2023-03-14 | 福州京东方光电科技有限公司 | 显示面板、电子设备及显示面板的制作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002055656A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-20 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
| KR20080000917A (ko) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 표시패널 및 이를 구비한 입체영상 표시장치 |
| CN101918887A (zh) * | 2008-03-05 | 2010-12-15 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
| CN101995721A (zh) * | 2009-08-05 | 2011-03-30 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示设备及其驱动方法 |
| CN202330954U (zh) * | 2011-11-23 | 2012-07-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 双视场液晶显示器和双视场电致发光显示器 |
-
2014
- 2014-03-31 CN CN201410124808.0A patent/CN103852931B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002055656A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-20 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
| KR20080000917A (ko) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 표시패널 및 이를 구비한 입체영상 표시장치 |
| CN101918887A (zh) * | 2008-03-05 | 2010-12-15 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
| CN101995721A (zh) * | 2009-08-05 | 2011-03-30 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示设备及其驱动方法 |
| CN202330954U (zh) * | 2011-11-23 | 2012-07-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 双视场液晶显示器和双视场电致发光显示器 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108957891A (zh) * | 2018-08-21 | 2018-12-07 | 信利半导体有限公司 | 一种阵列基板 |
| CN108957891B (zh) * | 2018-08-21 | 2024-05-07 | 信利半导体有限公司 | 一种阵列基板 |
| CN115793313A (zh) * | 2022-10-25 | 2023-03-14 | 福州京东方光电科技有限公司 | 显示面板、电子设备及显示面板的制作方法 |
| CN115793313B (zh) * | 2022-10-25 | 2024-05-03 | 福州京东方光电科技有限公司 | 显示面板、电子设备及显示面板的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103852931B (zh) | 2016-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10146078B2 (en) | Liquid crystal display panel and array substrate of the same | |
| JP6460584B2 (ja) | Ｌｔｐｓアレイ基板 | |
| CN101825814B (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| KR102363676B1 (ko) | 표시장치 및 그 제조방법 | |
| CN106773394B (zh) | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 | |
| WO2020098032A1 (zh) | 显示面板的制程方法、显示面板及显示装置 | |
| CN105116651B (zh) | Boa型液晶面板 | |
| US11652172B2 (en) | Array substrate, display device and fabrication method | |
| US10720531B2 (en) | Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display device | |
| US9798171B2 (en) | Liquid crystal panel, method for manufacturing the same and display device | |
| TWI501014B (zh) | 液晶顯示裝置 | |
| US20160147124A1 (en) | Pixel structure of display panel | |
| CN102253544A (zh) | 液晶显示装置 | |
| US20170139293A1 (en) | Liquid crystal panel and array substrate | |
| US20220137751A1 (en) | Display substrate, display device, manufacturing method and driving method for display substrate | |
| TW201544880A (zh) | 顯示面板 | |
| JP3194108U (ja) | 表示パネル及び表示装置 | |
| KR20150137236A (ko) | 표시장치 | |
| CN107861288B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| WO2016155141A1 (zh) | 一种偏光片、其制作方法、液晶显示面板及显示装置 | |
| CN104317448A (zh) | 触控显示装置及其制作方法 | |
| WO2018120319A1 (zh) | 像素单元结构及显示装置 | |
| US20190041710A1 (en) | Array substrate, display panel and display device | |
| EP2818925A1 (en) | Mask | |
| TW201624071A (zh) | 顯示面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |