TWI501014B - 液晶顯示裝置 - Google Patents

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TWI501014B TW102125687A TW102125687A TWI501014B TW I501014 B TWI501014 B TW I501014B TW 102125687 A TW102125687 A TW 102125687A TW 102125687 A TW102125687 A TW 102125687A TW I501014 B TWI501014 B TW I501014B
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Minoru Shibazaki
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Innolux Corp
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Description

液晶顯示裝置
本發明係有關於液晶顯示裝置，且特別是有關於一種具有高像素密度之液晶顯示裝置。
液晶顯示裝置已逐漸廣泛用於各種電子裝置，特別是由於主動矩陣型液晶顯示器(active matrix liquid crystal display，AMLCD)的每個像素可藉由設置在每個像素中的開關元件選擇性地開啟或關閉而極度受到注目。目前已開發出各種模式的主動矩陣型液晶顯示器，例如平面內切換(in-plane switching，IPS)模式及邊緣場切換(fringe field switching，FFS)模式。平面內切換模式或邊緣場切換模式之液晶顯示器可包括形成於基板上之一像素電極圖案及一共用電極，以及由實質上平行於基板表面之橫向電場所控制的液晶分子。當施加電壓至像素電極圖案時，液晶分子在實質上平行於基板表面的一平面內旋轉而使光線可以穿透。平面內切換模式或邊緣場切換模式所提供的主要優點之一為廣視角，且相較於平面內切換模式，邊緣場切換模式因改善電極設計而改善了光穿透性。然而，對現行的平面內切換或邊緣場切換模式液晶顯示器而言，仍然存在例如透光率低、漏光及混色等需要解決的問題。
此外，近年來一直有開發具有高像素密度或高每英 寸像素(pixels per inch，PPI)液晶顯示器的需求，以實現更高的解析度。然而，超高像素密度之液晶顯示器的開發仍然存在挑戰。
本發明一實施例提供一種液晶顯示裝置，包括：一基板，具有向一第一方向延伸之一對閘極線及向一第二方向延伸之一對資料線所定義之至少一像素區域；一第一絕緣層，設置於基板上並對應於像素區域；一第一共用電極，設置於第一絕緣層上；一像素電極圖案，設置於第一共用電極上；一第二絕緣層，設置於第一共用電極與像素電極圖案之間；一對第二共用電極，形成於第二絕緣層上並對應於資料線；以及一對立基板，相對於基板。
為讓本發明之前述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
9‧‧‧連接層
10‧‧‧基板
11‧‧‧閘極線
12‧‧‧資料線
20‧‧‧液晶層
25‧‧‧彩色濾光層
25a、25b‧‧‧彩色濾光區域
30‧‧‧對立基板
50‧‧‧第一絕緣層
60‧‧‧第一共用電極
63‧‧‧介層窗
70‧‧‧第二絕緣層
77、77’‧‧‧背光模組
80a、80a’、80b、80b’‧‧‧像素電極圖案
88‧‧‧第二共用電極
90‧‧‧導電層
99a、99a’、99b、99b’‧‧‧電場
100a、100a’、100b、100b’‧‧‧像素區域
101‧‧‧金屬層
103‧‧‧第一介層窗開口
109‧‧‧第二介層窗開口
150‧‧‧擴散膜
500、500’‧‧‧間隔物
1000、2000‧‧‧液晶顯示裝置
A1、A1’、A2、A2’‧‧‧穩定區域
Cst、Cst’‧‧‧儲存電容
D、D’‧‧‧最短距離
E‧‧‧電性連接結構
P1、P1’‧‧‧第一部分
P1a、P1a’‧‧‧第一柱狀體
P1b、P1b’‧‧‧第二柱狀體
S1、S2、S3‧‧‧遮光元件
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
第1A圖為一俯視圖，用以說明本發明之液晶顯示裝置之一部分的一實施例。
第1B圖為沿第1A圖中A-A’線所作之一剖面圖。
第1C圖為第1A圖之液晶顯示裝置的一儲存電容Cst對閃爍位準的曲線圖。
第1D圖為一剖面圖，用以說明第1B圖之液晶顯示裝置中的二 相鄰像素區域，其中此二相鄰像素區域皆為開啟狀態。
第1E圖為一剖面圖，用以說明第1B圖之液晶顯示裝置中的二相鄰像素區域，其中一像素區域為開啟狀態，另一像素區域為關閉狀態。
第2圖為一剖面圖，用以說明第1B圖之液晶顯示裝置的另一實施例，其中此液晶顯示裝置包括至少一遮光元件。
第3A及第3B圖為沿第1A圖之一實施例的B-B’線所作之剖面圖，分別顯示了未發生及發生間隔物誤對準之液晶顯示裝置。
第3C及3D為沿第1A圖之另一實施例的B-B’線所作之剖面圖，分別顯示了未發生及發生間隔物誤對準之液晶顯示裝置。
第4A圖為依據本發明之液晶顯示裝置的一部分之一實施例所作的俯視圖。
第4B圖為沿第4A圖之A-A’線所作的剖面圖。
第4C圖為一剖面圖，用以說明第4B圖之液晶顯示裝置中的二相鄰像素區域，其中此二相鄰像素區域皆為開啟狀態。
第4D圖為一剖面圖，用以說明第4B圖之液晶顯示裝置中的二相鄰像素區域，其中一像素區域為開啟狀態，另一像素區域為關閉狀態。
第5A~5B圖為沿第4A圖之B-B’線所作的剖面圖，分別顯示了未發生及發生間隔物誤對準之液晶顯示裝置。
以下說明了本發明的較佳實施方式。本發明說明係 用以說明本發明的一般性原則，並非用以限制本發明。本發明的範圍較佳為藉由所附的申請專利範圍來決定。
參照第1A~1B圖，其中第1A圖為一俯視圖，繪示了本發明之液晶顯示裝置1000之一部分的一實施例，第1B圖為沿第1A圖中A-A'線所作之一剖面圖。在本實施例中，液晶顯示裝置1000可包括具有至少一像素區域100a或100b之一基板10、相對於基板10之一對立基板30、夾設於二基板10與30之間的一液晶層20、形成於液晶層20與對立基板30之間的彩色濾光層25、以及設置於基板10下的背光模組77。由背光模組77所發射的一光線(未繪示於圖中)可依序穿透基板10、液晶層20、彩色濾光層25、以及對立基板30而到達液晶顯示裝置1000的觀看者。一般而言，背光模組77使用一擴散光。然而，使用擴散光會使光經過液晶顯示裝置1000的穿透率降低。在一些實施例中，基板10及對立基板30可分別包括玻璃、石英、或其它適當透光材料。
基板10通常包括複數像素區域，其排列為一陣列(亦即，像素陣列)。此外，每個像素區域由向一第一方向X延伸的一對閘極線11及向一第二方向Y延伸的一對資料線12所定義而成。為了簡化，僅繪示了二像素區域100a及100b。每個像素區域100a或100b可包括形成於基板10上的一像素電極圖案80a或80b。像素電極圖案80a或80b可包括一第一部分P1及一導電層90。在一些實施例中，第一部份P1可為一單一柱狀結構(未繪示於圖中)。在一些實施例中，第一部分P1可包括複數柱狀結構。舉例而言，第1部分P1可具有實質上向第二方向Y延伸並彼此分隔之一對第一柱狀體P1a，每個第一柱狀體P1a可分別連接至實質上向第一方向 X延伸之一第二柱狀體P1b。導電層90可為形成於像素區域100a或100b中之電性連接結構E的一部分，電性連接結構E的細節將參照第3A~3B圖並詳述於後。此外，每個像素區域100a及100b可包括電性連接至電性連接結構E及前述一對資料線12的其中之一的一連接層9，如第1A圖所示。在一些實施例中，連接層9可使用一半導體材料形成，例如多晶矽。
參照第1B圖，彩色濾光層25可包括複數彩色濾光區域。每個彩色濾光區域可對應於一相對的像素區域。每個彩色濾光區域可為紅色、綠色或藍色，但不限於此。在一些實施例中，相鄰的彩色濾光區域可具有相同的或不同顏色。在第1B圖中，舉例而言，繪示了二彩色濾光區域25a及25b，其中彩色濾光區域25a對應於像素區域100a，彩色濾光區域25b對應於像素區域100b。
在每個像素區域100a或100b中，可於基板10上設置一第一絕緣層50，並可於第一絕緣層50上設置一第一共用電極60。像素電極圖案80a或80b可設置於第一共用電極60上且第二絕緣層70可夾設於像素電極圖案80a或80b與第一共用電極60之間。在一些實施例中，第一共用電極60及像素電極圖案80a或80b可分別由一透明導電材料形成，例如氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)或氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)。
可於第一共用電極60與像素電極圖案80a或80b之間建立一儲存電容Cst。儲存電容Cst的大小至少由二因素決定：像素電極圖案80a或80b與第一共用電極60之間的距離，以及像素電極圖案80a或80b於第一共用電極60上的垂直投影面積。一般希望有較大的儲存電容，較大的儲存電容有助於降低液晶顯示裝置 1000的閃爍位準(fliker level)。
第1C圖為液晶顯示裝置1000之儲存電容Cst對閃爍位準的曲線圖。由第1C圖可知，隨著電容Cst增加，液晶顯示裝置1000的閃爍位準會減小。儲存電容Cst可藉由增加第一共用電極60上之像素電極圖案80a或80b的面積(或第一柱狀體P1a的數目)而增加。然而，像素電極圖案80a或80b的面積(或第一柱狀體P1a的數目)具有其上限，如後所述。可替代地或額外地藉由增加連接層9的面積以增加儲存電容Cst。舉例而言，連接層9可更包括一延伸部分(未繪示)以增加其面積。然而，具有增加面積的連接層9可能會阻擋較多由背光模組77穿透液晶顯示裝置1000的光線，因而降低液晶顯示裝置1000的光穿透率。
為了獲得高像素密度的液晶顯示裝置，液晶顯示裝置的像素區域通常需要較小的尺寸，使液晶顯示裝置可包括更多像素區域以達到更高的像素密度。然而，在減少像素區域的尺寸時需要考慮各種因素，這些因素將詳述如後。
第1D圖為第1B圖之液晶顯示裝置1000中二相鄰像素區域100a及100b的剖面圖，其中二相鄰像素區域100a及100b皆為開啟狀態。參照第1D圖，施加電壓以開啟二相鄰像素區域100a及100b時，在每個像素區域100a及100b中會產生電場。詳細而言，在像素區域100a中，與像素電極圖案80a相關之電場99a產生於實質上平行於基板10上表面的一平面上，在像素區域100b中，與像素電極圖案80b相關之電場99b亦產生於實質上平行於基板10上表面的一平面中。關於第1D圖所示之實施例，若像素區域100a中之電極圖案80a的第一柱狀體P1a與像素區域100b中之電極圖案80b 的第一柱狀體P1a之間的最短距離D太小，則像素區域100a或100b中所產生的電場可能不僅只限制於像素區域100a或100b內，亦可能延伸進其他相鄰像素區域100b或100a。若在二像素區域100a及100b皆為開啟狀態時這不會成為一個問題，然而在只有像素區域100a開啟而像素區域100b關閉時，最短距離D太小(例如因為像素區域100a及100b太小)會使特定像素區域100a所產生的電場99a可能延伸進相鄰像素區域100b，導致光由像素區域100b洩漏，如第1E圖所示。此外，若像素區域100a及像素區域100b分別對應至彩色濾光區域25a及彩色濾光區域25b，其中二彩色濾光區域25a及25b顏色不同，則可能會造成混色。
二種發明人已知可解決漏光及混色問題的方法為提供夠大的最短距離D及進一步在液晶顯示裝置1000中提供遮光元件。這二種方法可依據實際要求單獨或組合使用。關於提供像素區域100a之像素電極圖案80a與相鄰的像素區域100b之像素電極圖案80b之間夠大的最短距離D，雖然增加最短距離D可降低漏光及混色問題，但可能導致其它問題，例如較低的像素密度及/或液晶顯示裝置1000較低的光穿透率。如上所述，若增加像素區域100a及100b的尺寸以獲得較大的最短距離D，可能難以達成高像素密度。此外，若減少像素電極圖案80a或80b及/或第一或第二柱狀體P1a的面積或數量以獲得較大的最短距離D，其可能會降低儲存電容Cst。
關於在液晶顯示裝置1000中進一步提供遮光元件，液晶顯示裝置1000可更包括至少一遮光元件以防止漏光。第2圖為依據本發明之具有至少一遮光元件之液晶顯示裝置1000的一實施 例。在此實施例中，可在液晶顯示裝置1000中形成三個遮光元件。舉例而言，可在對立基板30上形成一第一遮光元件S1並部分嵌入於二相鄰濾光區域25a及25b，可在基板10上形成一第二遮光元件S2並部分嵌入於第一絕緣層50，可在遮光元件S2上形成一第三遮光元件S3並完全嵌入於第一絕緣層50。在另一實施例中，僅形成三個遮光元件S1~S3的其中一個。在又一實施例中，僅形成三個遮光元件S1~S3的其中二個。
第3A及第3B圖為第1A圖之實施例沿B~B'線所作之剖面圖，分別顯示了未發生及發生間隔物誤對準的液晶顯示裝置1000。電性連接結構E可藉由連接層9電性連接至前述一對資料線12(如第1A圖所示)。如第3A圖所示，電性連接結構E可包括嵌入於第一絕緣層50中的一金屬層101，其中第一介層窗開口103形成於第一絕緣層50中以露出金屬層101。金屬層101可由前述一對資料線12中的一個延伸或電性連接至該處。第二絕緣層70設置於第一絕緣層50上，其中第二介層窗開口109形成於第二絕緣層70中以露出金屬層101。導電層90設置於第二絕緣層70上並填充進第一介層窗開口103及第二介層窗開口109以電性連接至金屬層101。因此，金屬層101及導電層90彼此電性連接。在另一實施例中，如第3C~3D圖所示，第一共用電極60填充進第一介層窗開口103以電性連接至露出的金屬層101。第二絕緣層70設置於第一共用電極60上，其中一第二介層窗開口109形成於第二絕緣層70中以露出第一共用電極60。一導電層90設置於第二絕緣層70中並填充進第二介層窗開口109以電性連接至第一共用電極60。因此，金屬層101與導電層90彼此藉由第一共用電極60電性連接。
可於基板10與對立基板30之間的液晶層20中形成至少一間隔物500並對應於前述一對資料線12的其中至少一個，如第3A或3C圖所示。如第3B或3D圖所示，有嚴重的間隔物誤對準時，間隔物500可能部分形成於第二介層窗開口109上。在第3A圖所示的情況中，沒有誤對準的間隔物500其底部被完全支持，陰影區域A1標示出了穩定區域。然而，參照第3B或3D圖，當誤對準的間隔物500部分形成於第二介層窗開口部109上時，間隔物500的底部僅部分被支持，故標示出的穩定區域A2小於第3A或3C圖所標示的穩定區域A1。由於間隔物500係用以分隔液晶顯示裝置1000之相對的二基板10與30，若間隔物500因嚴重的誤對準而不穩定，液晶顯示裝置1000的結構完整性可能會受到不利影響。此外，為開發高像素密度之液晶顯示裝置而縮小給定尺寸之一液晶顯示裝置的像素區域尺寸時，可能會更加突顯間隔物誤對準的問題。這是因為像素區域尺寸縮小時，舉例而言，將間隔物設置於基板時的容許誤差的影響會變得更加明顯。發明人已知可避免間隔物誤對準的一種解決方法為降低間隔物尺寸。
以下參照第4A~4D圖及第5A~5B圖說明液晶顯示裝置2000的另一實施例。在液晶顯示裝置2000中，與液晶顯示裝置1000中相似的元件具有相同或相似的參考數字或相似的說明。為了簡化，相同的描述非必要不會重複，此處僅說明液晶顯示裝置1000與液晶顯示裝置2000相異之處。
參見第4A~4B圖，其中第4A圖為依據本發明之液晶顯示裝置2000的一部分之一實施例所作的俯視圖，第4B圖為沿第4A圖之A-A'線所作的剖面圖。在本實施例中，液晶顯示裝置2000 可同樣地包括一基板10、與基板10相對之一對立基板30、形成於基板10上之至少一像素區域100a’或100b’、夾設於二基板10與30之間的一液晶層20、形成於液晶層20與對立基板30之間的一彩色濾光層25、以及設置於基板10下的一背光模組77’。由背光模組77’所發射的一光線(未繪示)可依序穿透基板10、液晶層20、彩色濾光層25、及對立基板30而到達液晶顯示裝置裝置2000的觀看者。需注意的是，液晶顯示裝置2000的基板10、對立基板30、液晶層20、及彩色濾光層25可與第1A~1B圖所示之液晶顯示裝置1000相似。
此外，基板10通常包括排列為一陣列(即像素陣列)之複數像素區域。每個像素區域藉由向一第一方向X延伸的一對閘極線11及向一第二方向Y延伸的一對資料線12所定義。為了簡化，僅繪示了二像素區域100a’及100b’。每個像素區域100a’或100b’可包括形成於基板10上之一像素電極圖案80a’及80b’，像素電極圖案80a’及80b’可包括一第一部分P1’及一導電層90。在一些實施例中，第一部分P1’可為一單一柱狀結構(未繪示)。在一些實施例中，第一部分P1’可包括一多重柱狀結構。舉例而言，第一部分P1’可具有分隔之複數第一柱狀體P1’且實質上向第二方向Y延伸，每個第一柱狀體P1a’可分別連接至實質上向第一方向X延伸之一第二柱狀結構P1b’。由於後述原因，第一部分P1’相較於第1A圖所示之第一部分P1可具有較大的面積。此外，每個像素區域100a’及100b’亦可包括一連接層9，其電性連接至電性連接結構E及前述一對資料線12的其中一個，如第4A圖所示。在一些實施例中，連接層9可使用一半導體層形成， 例如多晶矽。
此外，可於第二絕緣層70上形成一對第二共用電極88並對應於前述一對資料線12。在本實施例中，前述一對第二共用電極88可實質上向第二方向Y延伸。在一些實施例中，前述一對第二共用電極88可由一透明導電材料形成，如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。在一些實施例中，前述一對第二共用電極88可以由與第一共用電極60及/或像素電極圖案80a’及80b’相同的材料形成。在本實施例中，前述一對第二共用電極88可使用與像素電極圖案80a’及80b’相同的材料並藉由相同的製程形成，因而不需額外製程。
可於每個像素區域100a’或100b’中提供至少一開關裝置(未繪示)，例如薄膜電晶體(thin-film transistor，TFT)。在一些實施例中，每個像素區域100a’或100b’可包括二個薄膜電晶體。在其它實施例中，每個像素區域100a’或100b’可包括三個薄膜電晶體。
第4C圖為一剖面圖，用以說明第4B圖之液晶顯示裝置2000中的二相鄰像素區域100a’及100b’，其中此二相鄰像素區域100a’及100b’皆為開啟狀態。與第1E圖相似，與像素電極圖案80a’相關之電場99a’產生於實質上平行於基板10上表面之一平面中的像素區域100a’中，與像素電極圖案80b’相關之電場99b’亦產生於實質上平行於基板表面之一平面中的像素區域100b’中。特別需要注意的是，現在前述一對第二共用電極88形成於相鄰二像素區域100a’及100b’之間的前述一對資料線12上，藉由將電場99a’或99b’限制於其對應的像素區域100a’或 100b’，有助於降低或消除漏光及混色。第4D圖為一剖面圖，用以說明第4B圖之液晶顯示裝置中的二相鄰像素區域，其中一像素區域為開啟狀態，另一像素區域為關閉狀態。參照第4D圖，僅像素區域100a’為開啟狀態，而像素區域100b’為關閉狀態，電場99a’則被限制於像素區域100a’。電場因第二共用電極88而被限制於對應之像素區域的理由可能為前述一對第二共用電極88具有屏蔽功能。降低或消除延伸進相鄰像素區域之電場的結果，可減少像素區域100a’中像素電極圖案80a’的第一柱狀體P1a’及像素區域100b’中像素電極圖案80b’的第一柱狀體P1b’之間的最短距離D’。如上所述，液晶顯示裝置2000的第一部分P1’可與液晶顯示裝置1000的第一部分P1具有相似結構。然而，當最短距離D’減少時，若第一柱狀體的間距保持不變，則第一部分P1’的結構可能具有超過二個以上的第一柱狀體P1a’，如第4A圖所示。因此，可增加液晶顯示裝置2000的儲存電容Cst’。
雖然前述一對第二共用電極88的排列可能已經大幅降低或消除漏光及混色，可選擇性地使用與液晶顯示裝置2000中相同的方式提供如第2圖所示之至少一遮光元件S1~S3。在一些實施例中，為進一步消除漏光及混色，背光模組77’可使用準直光源。在一些實施例中，可選擇性地在對立基板30與相對之基板10上設置一非必要的擴散膜150。
在本實施例中，第一共用電極60可電性連接至前述一對第二共用電極88。舉例而言，第一共用電極60可藉由形成於絕緣層70中且藉由在第一共用電極60與前述一對第二共用電極88之間的複數介層窗63電性連接至前述一對第二共用電極88，如第 4B圖所示。在一些實施例中，複數介層窗63亦可分別形成於前述一對閘極線11與前述一對資料線12的交點上。此外，為便於輸入一並聯之共同電壓(未繪示)，包括複數介層窗63之像素區域100a’或100b’可為基板10之一像素陣列(未繪示)中的一週邊像素區域，如第4A圖所示。
第5A~5B圖為沿第4A圖之B-B’線所作的剖面圖，分別顯示了未發生及發生間隔物誤對準之液晶顯示裝置2000。應理解的是，在另一實施例中(未繪示)，電性連接結構E可與第3C~3D圖相似。在本實施例中，第一共用電極60可填充進第一介層窗開口103以電性連接至露出的金屬層101，第二絕緣層70可設置於第一共用電極60上，其中一第二介層窗開口109形成於第二絕緣層70中以露出第一共用電極60，一導電層90可設置於第二絕緣層70上並填充進第二介層窗開口109以電性連接至第一共用電極60。因此，金屬層101及導電層90可藉由第一共用電極60彼此電性連接。參照第5A~5B圖，可在基板10與對立基板30之間的液晶層20中形成至少一間隔物500’。在本實施例中，間隔物500’相較於前述第3A~3B圖之間隔物500可具有明顯較大的尺寸。特別是間隔物500’可具有明顯大於第二介層窗開口109的尺寸(或直徑)，使得無論間隔物500’形成於何處，間隔物500’底部區域的支持皆保持相對不變，如第5A~5B圖所示。因此，雖然間隔物500’可形成於不同區域中，第5A及5B圖的間隔物500’的穩定區域A1’及A2’仍可相似。因此，因間隔物誤對準所引起的不良影響可藉由使用本發明實施例之改進的間隔物設計來消除。
已知間隔物500’可具有任意尺寸(或直徑)或形 狀，只要其尺寸(或直徑)明顯大於第二介層窗開口109。在一實施例中，間隔物500’可為長軸實質上沿第二方向Y的橢圓形。在另一實施例中，間隔物500’可為長軸實質上沿第一方向X的橢圓形。在又一實施例中，間隔物500’可為實質圓形。因此，已改善穩定性之液晶顯示裝置2000的間隔物500’提升了液晶顯示裝置2000的結構完整性。此外，由於間隔物誤對準為重要的問題，故本發明允許更靈活的間隔物設計。
根據前述實施例，本發明提供一種提昇的液晶顯示裝置，其具有高的儲存電容、減少或沒有漏光及混色問題、改善的間隔物穩定性及液晶顯示裝置的結構完整性、以及更靈活的間隔物設計。
雖然本發明已藉由舉出較佳實施例詳述如上，可理解的是，本發明並不限於前述揭露之實施例。相反地，本發明包含各種修改及相似排列(如同對本技術領域中具有通常知識者為顯而易見者)。因此，本發明所請之申請專利範圍應根據最廣義的解釋以涵蓋所有修改及相似的排列。
10‧‧‧基板
12‧‧‧資料線
20‧‧‧液晶層
25‧‧‧彩色濾光層
25a、25b‧‧‧彩色濾光區域
30‧‧‧對立基板
50‧‧‧第一絕緣層
60‧‧‧第一共用電極
70‧‧‧第二絕緣層
77‧‧‧背光模組
100a、100b‧‧‧像素區域
1000‧‧‧液晶顯示裝置
Cst‧‧‧儲存電容
D‧‧‧最短距離
P1a‧‧‧第一柱狀體

Claims (18)

  1. 一種液晶顯示裝置，包括：一基板，具有向一第一方向延伸之一對閘極線及向一第二方向延伸之一對資料線所定義之至少一像素區域；一第一絕緣層，設置於該基板上並對應於該像素區域；一第一共用電極，設置於該第一絕緣層上；一像素電極圖案，設置於該第一共用電極上；一第二絕緣層，設置於該第一共用電極與該像素電極圖案之間；一對第二共用電極，形成於該第二絕緣層上並對應於該對資料線，其中該第一共用電極與該對第二共用電極於該基板的投影面積覆蓋該對資料線；以及一對立基板，相對於該基板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該第一共用電極、該像素電極圖案、或該對第二共用電極由一透明導電材料形成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該第一共用電極藉由形成於該第二絕緣層中之複數介層窗電性連接至該第二共用電極。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示裝置，其中該些介層窗形成於該像素區域之該對閘極線之一與該對資料線的交點上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之液晶顯示裝置，其中該像素區域為該基板之一像素陣列的一週邊像素區域。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該像素電極圖案包括一結構，其具有至少二個第一柱狀體，彼此分離且實質上向該第二方向延伸，其中該些第一柱狀體的每一者各自連接至實質上向該第一方向延伸之一第二柱狀體。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該對第二共用電極實質上向該第二方向延伸。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，更包括一彩色濾光層形成於該對立基板與該基板之間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該像素電極圖案包括一導電層，該液晶顯示裝置更包括一電性連接結構電性連接至該對資料線其中之一，其中該電性連接結構包括：一金屬層，嵌入於該第一絕緣層中，其中一第一介層窗開口形成於該第一絕緣層中以露出該金屬層；一第二介層窗開口，形成於該第二絕緣層中，以露出該金屬層；以及該導電層，設置於該第二絕緣層上且填充進該第一介層窗開口及該第二介層窗開口，以電性連接至該金屬層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示裝置，更包括一間隔物，位於該基板與該對立基板之間的一液晶層中，其中 該間隔物的尺寸大於該第二介層窗開口的直徑。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之液晶顯示裝置，該間隔物為圓形或長軸實質上沿該第一方向或該第二方向之橢圓形。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該像素電極圖案包括一導電層，該液晶顯示裝置更包括一電性連接結構，電性連接至該對資料線中的其中之一，其中該電性連接結構包括：一金屬層，嵌入於該第一絕緣層中，其中一第一介層窗開口形成於該第一絕緣層中以露出該金屬層；該第一共用電極，填充進該第一介層窗開口，以電性連接至該露出的金屬層；該第二絕緣層，設置於該第一共用電極上，其中一第二介層窗開口形成於該第二絕緣層中以露出該第一共用電極；以及該導電層，設置於該第二絕緣層上且填充進該第二介層窗開口，以電性連接至該第一共用電極。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置，更包括一間隔物，位於該基板與該對立基板之間的一液晶層中，其中該間隔物的尺寸大於該第二介層窗開口的直徑。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之液晶顯示裝置，該間隔物為圓形或長軸實質上沿該第一方向或該第二方向之橢圓 形。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，更包括設置於該基板下的背光模組。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之液晶顯示裝置，其中該背光模組使用一準直光源。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，更包括一擴散膜，位於該對立基板上且相對於該基板。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，更包括至少一遮光元件，嵌入於該第一絕緣層或形成於該對立基板上。
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