CN103848871A - 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 - Google Patents
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Abstract
本发明的课题是提供一种在发光层中包含可以发射磷光的有机化合物的发光元件。此外，本发明的课题是提供一种可以实现低驱动电压、高电流效率或长使用寿命的发光元件。在包含夹在一对电极之间的发光层的发光元件中，发光层包含有机化合物，有机化合物包括1,2,4三唑骨架、苯基骨架、亚芳骨架、第9族或第10族的金属，1,2,4三唑骨架的4位的氮配位在第9族或第10族的金属，1,2,4三唑骨架的1位的氮与苯基骨架键合，并且亚芳骨架与1,2,4三唑骨架的3位键合并与第9族或第10族的金属键合。
Description
技术领域
本发明涉及一种物体、方法、制造方法、工序（process）、机器（machine）、产品（manufacture）或者物质组成（composition ofmatter）。例如，本发明尤其涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、上述装置的驱动方法或者上述装置的制造方法。例如，本发明尤其涉及一种发光元件。例如，本发明尤其涉及一种包含可以将三重激发态能量转换为发光的有机化合物的发光元件。此外，例如，本发明涉及一种使用了该发光元件的发光装置、电子设备以及照明装置。
背景技术
近年来，对将发光有机化合物或无机化合物用作发光材料的发光元件积极地进行开发。尤其是，被称为EL（Electro Luminescence：电致发光）元件的发光元件的结构是在电极之间仅设置包含发光材料的发光层的简单的结构，并且具有能够实现薄型轻量、能够高速地响应输入信号及能够实现直流低电压驱动等的特性，由此作为下一代的平板显示元件受到关注。另外，使用这种发光元件的显示器还具有优异的对比度、清晰的图像质量及广视角的特征。再者，因为这种发光元件是面状光源，所以也考虑到应用于液晶显示器的背光灯和照明等的光源。
在发光物质是发光有机化合物的情况下，发光元件的发光机理是载流子注入型。换言之，通过将发光层夹在电极之间并施加电压，从电极注入的电子和空穴重新结合，发光物质成为激发态，在该激发态回到基态时发光。并且，作为激发态的种类，可以是单重激发态（S*）和三重激发态（T*）。此外，在发光元件中，单重激发态和三重激发态的统计学上的生成比率被认为是S*：T*=1：3。
通常，发光有机化合物的基态是单重态。由此，因为来自单重激发态（S*）的发光是相同的多重度之间的电子跃迁，所以被称为荧光。另一方面，因为来自三重激发态（T*）的发光是不同的多重度之间的电子跃迁，所以被称为磷光。在此，发射荧光的化合物（以下称为荧光化合物）通常在室温下仅观察到荧光，而观察不到磷光。因此，基于S*：T*=1：3，使用荧光化合物的发光元件中的内部量子效率（所产生的光子相对于所注入的载流子的比例）的理论上的极限被认为是25%。
另一方面，当作为发光有机化合物使用磷光化合物时，在理论上可以将内部量子效率增加到100%。换言之，可以实现荧光化合物的4倍的发光效率。根据这些理由，为了实现高效率的发光元件，近年来对使用磷光化合物的发光元件积极地进行开发。
尤其是，作为磷光化合物，以铱等为中心金属的有机金属配合物由于其高磷光量子产率而已受到关注。作为呈现绿色至蓝色的典型的磷光材料，有以铱（Ir）为中心金属的金属配合物（以下，称为“Ir配合物”）（例如，参照专利文献1、专利文献2及专利文献3）。在专利文献1中公开有将三唑衍生物用作配体的Ir配合物。
现有技术文献
专利文献
[专利文献1]日本专利申请公开2007-137872号公报
[专利文献2]日本专利申请公开2008-069221号公报
[专利文献3]国际公开第2008-035664号
虽然如专利文献1至专利文献3所报告那样磷光材料的开发也有进步，但是在发光效率、可靠性、发光特性、合成收率或成本等的方面上还有改良的余地，因此需要开发更优异的磷光材料。
此外，为了实现具有低耗电量及高可靠性的发光装置、电子设备及照明装置，要求驱动电压低的发光元件、电流效率高的发光元件或寿命长的发光元件。
发明内容
发明要解决的课题
鉴于上述课题，本发明的一个方式的课题是提供一种在发光层中包含能够发射磷光的有机化合物的发光元件。
或者，本发明的一个方式的课题是提供一种能够实现低驱动电压的发光元件。或者，本发明的一个方式的课题是提供一种能够实现高电流效率的发光元件。或者，本发明的一个方式的课题是提供一种能够实现长寿命的发光元件。
或者，本发明的一个方式的课题是提供一种使用上述发光元件的发光装置、电子设备及照明装置。
注意，这些课题的记载不妨碍其他课题的存在。此外，本发明的一个方式并不需要解决所有上述课题。另外，从说明书、附图、权利要求书等的记载看来这些以外的课题是显然的，且可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中抽出除了这些课题以外的课题。
用于解决课题的手段
本发明的一个方式是一种发光元件，其为包含夹在一对电极之间的发光层的发光元件，其特征在于，该发光层包含有机化合物，该有机化合物包括1,2,4三唑骨架、苯基骨架、亚芳基骨架（aryleneskeleton）、和第9族或第10族的金属，1,2,4三唑骨架的4位的氮配位在第9族或第10族的金属，并且1,2,4三唑骨架的1位的氮与苯基骨架键合，亚芳基骨架与1,2,4三唑骨架的3位键合，并且与第9族或第10族的金属键合。
此外，上述有机化合物能够发射磷光。
此外，使用上述发光元件的发光装置、电子设备及照明装置也包括在本发明的一个方式的范畴内。本说明书中的发光装置包括图像显示装置及光源。此外，如下模块也都包括在发光装置中：在面板上安装有连接器如FPC（Flexible Printed Circuit：柔性印刷电路）或TCP（Tape Carrier Package：带载封装）的模块；在TCP的端部设置有印刷布线板的模块；通过COG（Chip On Glass：玻璃覆晶封装）方式将IC（集成电路）直接安装在发光元件中的模块。
发明的效果
通过使用本发明的一个方式的发光元件，能够提供一种在发光层中包含可以发射磷光的有机化合物的发光元件。
此外，通过使用本发明的一个方式的发光元件，能够实现低驱动电压、高电流效率或长寿命。此外，能够提供一种使用该发光元件的发光装置、电子设备及照明装置。
附图说明
图1A至图1C是说明本发明的一个方式的发光元件的图；
图2A和图2B是说明本发明的一个方式的发光元件的图；
图3A和图3B是说明本发明的一个方式的发光装置的图；
图4A和图4B是说明本发明的一个方式的发光装置的图；
图5A至图5E是说明本发明的一个方式的电子设备的图；
图6A和图6B是说明本发明的一个方式的照明装置的图；
图7是由结构式（116）表示的三{3-[1-（2-甲基苯基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑-3-基-κN4]-2-萘基（naphthalenyl）-κC}铱（Ⅲ）（简称：[Ir（Prn3tz1-mp）3]）的1H NMR图；
图8是示出由结构式（116）表示的[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的LC/MS分析结果的图；
图9A和图9B是利用ToF-SIMS测量由结构式（116）表示的[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）而得到的定性光谱；
图10是二氯甲烷溶液中的由结构式（116）表示的[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的紫外·可见吸收光谱及发射光谱；
图11是由结构式（118）表示的三{4-苯基-2-[1-（2-甲基苯基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑-3-基-κN4]苯基-κC}铱（Ⅲ）（简称：[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]）的1H NMR图；
图12是示出由结构式（118）表示的[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）的LC/MS分析结果的图；
图13A和图13B是利用ToF-SIMS测量由结构式（118）表示的[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）而得到的定性光谱；
图14是二氯甲烷溶液中的由结构式（118）表示的[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）的紫外·可见吸收光谱及发射光谱；
图15是说明实施例的发光元件的图；
图16是表示发光元件1的电流密度-亮度特性的图；
图17是表示发光元件1的电压-亮度特性的图；
图18是表示发光元件1的亮度-电流效率特性的图；
图19是表示发光元件1的电压-电流特性的图；
图20是表示发光元件1的发射光谱的图；
图21是说明实施例的发光元件的图；
图22是表示发光元件2的电流密度-亮度特性的图；
图23是表示发光元件2的电压-亮度特性的图；
图24是表示发光元件2的亮度-电流效率特性的图；
图25是表示发光元件2的电压-电流特性的图；
图26是示出发光元件2的发射光谱的图；
图27是示出发光元件2的驱动时间-归一化亮度特性的图；
图28是示出以结构式（116）表示的[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的IR图；
图29是示出以结构式（118）表示的[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）的IR图；
图30A和图30B是说明本发明的一个方式的发光装置的图；
图31A和图31B是说明本发明的一个方式的发光装置的图；
图32A至图32E是说明本发明的一个方式的照明装置的图；
图33A和图33B是说明触摸传感器的图；
图34是说明触摸传感器的电路图；
图35是说明触摸传感器的截面图；
图36是说明使用本发明的一个方式的显示装置的显示模块的图。
具体实施方式
下面，参照附图对实施方式进行详细说明。但是，本发明不局限于以下说明，所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。另外，在以下说明的发明的结构中，在不同的附图之间共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。
实施方式1
在本发明的一个方式中，使用图1A至图1C说明包括夹在一对电极之间的发光层的发光元件。
首先，以下进行图1A所示的发光元件的说明。
如图1A所示那样，在本实施方式所示的发光元件中，在第一电极101与第二电极103之间夹持有EL层102，EL层102至少包含发光层113，除了发光层113以外，还包含空穴注入层111、空穴传输层112、电子传输层114和电子注入层115等而形成。此外，在本实施方式中，将第一电极101用作阳极，将第二电极103用作阴极。
发光层113包含有机化合物，该有机化合物具有1,2,4三唑骨架、苯基骨架、亚芳基骨架、第9族或第10族的金属，1,2,4三唑骨架的4位的氮配位在第9族或第10族的金属，并且1,2,4三唑骨架的1位的氮与苯基骨架键合，亚芳基骨架与1,2,4三唑骨架的3位键合，并且与第9族或第10族的金属键合。
该有机化合物能够发射磷光。尤其是，该tris型结构的有机化合物能够发射具有极高色纯度的蓝色磷光。该tris型结构包括三个1-苯基-3-芳基-1H-1,2,4-三唑骨架，该1-苯基-3-芳基-1H-1,2,4-三唑骨架的4位的氮配位在铱，芳基与铱键合。
另外，通过对在一对电极之间具有上述有机化合物的发光元件施加电压，该发光元件能够发射具有极高色纯度的蓝色磷光并能够以高效率发光。因此，通过将上述有机化合物用于发光元件，能够实现驱动电压低、电流效率高且使用寿命长的发光元件。
以下，更详细地说明本实施方式所示的发光元件。
衬底100用作发光元件的支撑体。作为衬底100，例如，可以使用玻璃、石英或塑料等。另外，还可以使用柔性衬底。柔性衬底是指能够弯曲的衬底，例如，可以举出由聚碳酸酯、聚芳酯或聚醚砜构成的塑料衬底等。另外，还可以使用膜（由聚丙烯、聚酯、聚氟乙烯、聚氯乙烯等构成的膜）、通过蒸镀形成的无机膜等。只要是在发光元件的制造工序中用作支撑体的，就可以使用上述以外的衬底。
作为第一电极101及第二电极103，可以使用金属、合金、导电化合物及它们的混合物等。具体而言，除了氧化铟-氧化锡（ITO：IndiumTin Oxide）、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡、氧化铟-氧化锌、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟、金（Au）、铂（Pt）、镍（Ni）、钨（W）、铬（Cr）、钼（Mo）、铁（Fe）、钴（Co）、铜（Cu）、钯（Pd）、钛（Ti）之外，还可以使用属于元素周期表中第1族或第2族的元素，即碱金属诸如锂（Li）和铯（Cs）等、碱土金属诸如镁（Mg）、钙（Ca）和锶（Sr）等、包含它们的合金、稀土金属诸如铕（Eu）和镱（Yb）等、包含它们的合金及石墨烯等。注意，第一电极101及第二电极103例如可以通过溅射法或蒸镀法（包括真空蒸镀法）等来形成。
作为用于空穴注入层111及空穴传输层112的空穴传输性高的物质，优选使用富π电子型杂芳族化合物（例如，咔唑衍生物或吲哚衍生物）或芳族胺化合物。例如，可以举出4，4’-双[N-（1-萘基）-N-苯基氨基]联苯（简称：NPB）、N，N'-双(3-甲基苯基)-N，N'-二苯基-[1，1'-联苯]-4，4'-二胺(简称：TPD)、4，4’-双[N-（螺-9，9’-联芴-2-基）-N-苯基氨基]联苯（简称：BSPB）、4-苯基-4'-（9-苯基芴-9-基）三苯基胺（简称：BPAFLP）、4-苯基-3’-（9-苯基芴-9-基）三苯基胺（简称：mBPAFLP）、4-苯基-4’-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）三苯基胺（简称：PCBA1BP）、4,4'-二苯基-4''-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）三苯胺（简称：PCBBi1BP）、4-（1-萘基）-4'-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）三苯胺（简称：PCBANB）、4,4'-二（1-萘基）-4''-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）三苯胺（简称：PCBNBB）、9,9'-二甲基-N-苯基-N-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]芴-2-胺（简称：PCBAF）、N-苯基-N-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]螺-9，9’-联芴-2-胺（简称：PCBASF）等具有芳族胺骨架的化合物、1,3-双（N-咔唑基）苯（简称：mCP）、4，4’-二（N-咔唑基）联苯（简称：CBP）、3，6-双（3，5-二苯基苯基）-9-苯基咔唑（简称：CzTP）、3，3’-双（9-苯基-9H-咔唑）（简称：PCCP）等具有咔唑骨架的化合物、4,4’,4’’-（苯-1,3,5-三基）三（二苯并噻吩）（简称：DBT3P-II）、2，8-二苯基-4-[4-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]二苯并噻吩（简称：DBTFLP-III）、4-[4-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]-6-苯基二苯并噻吩（简称：DBTFLP-IV）等具有噻吩骨架的化合物、4,4’,4’’-（苯-1,3,5-三基)三（二苯并呋喃)（简称：DBF3P-II）、4-{3-[3-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]苯基}二苯并呋喃（简称：mmDBFFLBi-II）等具有呋喃骨架的化合物。
尤其是，优选使用具有咔唑骨架的化合物，因为它们具有高可靠性及高空穴传输性并有助于降低驱动电压。
再者，作为用于空穴注入层111及空穴传输层112的材料，还可以使用聚（N-乙烯基咔唑）（简称：PVK）、聚（4-乙烯基三苯胺）（简称：PVTPA）、聚[N-（4-{N’-[4-（4-二苯胺）苯基]苯基-N’-苯基氨基}苯基）甲基丙烯酰胺]（简称：PTPDMA）、聚[N，N’-双（4-丁基苯基）-N，N’-双（苯基）联苯胺]（简称：Poly-TPD）等高分子化合物。
另外，空穴注入层111及空穴传输层112还可以使用上述高空穴传输性物质和具有受体性的物质的混合层。在此情况下，载流子注入性得到提高，所以是优选的。作为所使用的受体性物质，可以举出属于元素周期表中的第4族至第8族的金属氧化物。具体而言，氧化钼是特别优选的。
发光层113例如优选为使用电子传输材料、将三重激发态能量转换成发光的发光材料以及空穴传输性材料分别作为主体材料（第一有机化合物）、客体材料（第二有机化合物）以及辅助材料（第三有机化合物）而形成的层。注意，主体材料和辅助材料之间的关系不局限于此，也可以将电子传输性材料用作辅助材料，将空穴传输性材料用作主体材料。
在此，作为上述客体材料（第二有机化合物）使用一种有机化合物，该有机化合物包括1,2,4-三唑骨架、苯基骨架、亚芳基骨架、第9族或第10族的金属，1,2,4三唑骨架的4位的氮配位在第9族或第10族的金属，并且1,2,4三唑骨架的1位的氮与苯基骨架键合，亚芳基骨架与1,2,4三唑骨架的3位键合，并且与第9族或第10族的金属键合。
在上述结构中，当苯基骨架与甲基骨架键合时，合成的产率得到提高，所以是优选的。
在上述结构中，当金属是铱时，磷光量子产率得到提高，所以是优选的。另外，当金属是铱时，自旋-轨道相互作用变大，容易产生向作为配体的1,2,4-三唑骨架的电荷的移动（也称为三重态MLCT（Metalto Ligand Charge Transfer：从金属到配体的电荷转移）跃迁）。其结果，容易产生磷光发光等禁戒跃迁，并且三重激发寿命也变短，而发挥提高有机化合物的发光效率的效果，所以是优选的。
具体而言，可以由下述通式（G1）至通式（G3）表示上述有机化合物。
[化学式1]
[化学式2]
[化学式3]
在通式（G1）、通式（G2）和通式（G3）中，Ar表示取代或未取代的碳原子数为6至13的亚芳基。此外，R1表示氢或碳原子数为1至4的烷基，R2至R6分别独立地表示氢、碳原子数为1至4的烷基和取代或未取代的苯基中的任一个。M表示第9族元素或第10族元素。
另外，在通式（G2）中，当M为第9族元素时，n是3，当M为第10族元素时，n是2。
此外，在通式（G3）中，L表示单阴离子双齿配体，在M是第9族元素时，n是2，在M是第10族元素时，n是1。
因为具有由通式（G1）表示的结构的有机化合物能够发射磷光，所以当将其应用于发光元件的发光层时是有益的。
尤其是，包括由通式（G1）表示的结构且形成最低三重激发态的有机化合物能够高效地发射磷光，所以是优选的。为了实现这种方式，例如，以最低三重激发态能量相等于或低于构成该有机化合物的其他骨架（即，配体）的最低三重激发态能量方式，选择配体即可。通过采用这种结构，不管配体如何，最终分子整体形成最低三重激发态，因此可以得到磷光发光。因此，能够得到效率高的磷光发光。例如，可以举出作为侧链具有由通式（G1）表示的结构的乙烯基聚合物等。
在此，对包括由通式（G1）表示的结构的有机化合物、由通式（G2）表示的有机化合物以及由通式（G3）表示的有机化合物的合成方法的一个例子进行说明。
<由通式（G0）表示的1H-1,2,4-三唑衍生物的合成方法>
首先，说明由下述通式（G0）表示的1H-1,2,4-三唑衍生物的合成方法的一例。
[化学式4]
在通式（G0）中，Ar表示取代或未取代的碳原子数为6至13的亚芳基。此外，R1表示氢或碳原子数为1至4的烷基，R2至R6分别独立地表示氢、碳原子数为1至4的烷基和取代或未取代的苯基中的任一个。
如下述合成方案（a）所示那样，通过使酰基脒（acylamidine）化合物（A1）与肼化合物（A2）起反应，可以得到1H-1,2,4-三唑衍生物。此外，式中的Z表示因闭环反应而脱离的基团（脱离基），例如可以举出烷氧基、烷硫基、氨基、氰基等。
[化学式5]
在合成方案（a）中，Ar表示取代或未取代的碳原子数为6至13的亚芳基。此外，R1表示氢或碳原子数为1至4的烷基，R2至R6分别独立地表示氢、碳原子数为1至4的烷基和取代或未取代的苯基中的任一个。
注意，1H-1,2,4-三唑衍生物的合成方法不只局限于合成方案（a）。例如，也可以采用加热1,3,4-
二唑衍生物和芳基胺的方法。
如上所述，由通式（G0）表示的1H-1,2,4-三唑衍生物可以通过非常简单的合成方案合成。
此外，各种上述化合物（A1）、化合物（A2）是在市场上销售的或者可以合成的。例如，可以通过使氯化烷酰基（alkanoyl chloride）与芳基亚氨基醚（aryl imino ether）起反应来合成酰基脒化合物（A1），此时，脱离基Z是烷氧基。如此，可以合成各种由通式（G0）表示的1H-1,2,4-三唑衍生物。因此，包括由通式（G1）表示的结构的有机化合物有其配体的种类丰富的特征。并且，通过将配体的种类丰富的这种有机化合物用于发光元件，可以容易进行发光元件所要求的元件特性的微调整。
<由通式（G2）表示的有机化合物的合成方法>
通过下述合成方案（b），可以合成由通式（G2）表示的有机化合物。就是说，在将由通式（G0）表示的1H-1,2,4-三唑衍生物与包含卤素的第9族或第10族的金属化合物（水合氯化铑、氯化钯、氯化铱、溴化铱、碘化铱、四氯铂酸钾等）或者第9族或第10族的有机金属配合物化合物（乙酰丙酮配合物、二乙基硫醚配合物等）混合之后进行加热，由此可以得到由通式（G2）表示的有机化合物。
此外，也可以在醇类溶剂（甘油、乙二醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇等）中进行该加热工序。对加热单元没有特别的限制，也可以使用油浴（oil bath）、沙浴（sand bath）或铝块。此外，还可以作为加热单元使用微波。
[化学式6]
在合成方案（b）中，Ar表示取代或未取代的碳原子数为6至13的亚芳基。此外，R1表示氢或碳原子数为1至4的烷基，R2至R6分别独立地表示氢、碳原子数为1至4的烷基和取代或未取代的苯基中的任一个。M表示第9族元素或第10族元素。在M是第9族元素时，n是3，在M是第10族元素时，n是2。
注意，由通式（G2）表示的有机化合物的合成方法不只局限于合成方案（b）。例如，还有下述合成方案（c）所示的加热用卤素交联的双核配合物（B）与由通式（G0）表示的1H-1,2,4-三唑衍生物的方法。此时，也可以添加三氟乙酸银、三氟甲磺酸银等银盐，以促进反应。
<由通式（G3）表示的有机化合物的合成方法>
通过下述合成方案（c）可以合成由通式（G3）表示的有机化合物。就是说，通过使用无溶剂或醇类溶剂（甘油、乙二醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇等）或者一种以上的醇类溶剂和水的混合溶剂且在惰性气体气氛下对由通式（G0）表示的1H-1,2,4-三唑衍生物和包含卤素的第9族或第10族的金属化合物（水合氯化铑、氯化钯、氯化铱、溴化铱、碘化铱、四氯铂酸钾等）进行加热，可以得到具有由卤素交联的结构的有机金属配合物的一种且新颖物质的双核配合物（B）。对加热单元没有特别的限制，也可以使用油浴、沙浴或铝块。此外，还可以作为加热单元使用微波。
[化学式7]
在合成方案（c）中，X表示卤素，Ar表示取代或未取代的碳原子数为6至13的亚芳基。此外，R1表示氢或碳原子数为1至4的烷基，R2至R6分别独立地表示氢、碳原子数为1至4的烷基和取代或未取代的苯基中的任一个。M表示第9族元素或第10族元素。在M是第9族元素时，n是2，在M是第10族元素时，n是1。
再者，如下述合成方案（d）所示那样，在惰性气体气氛下使通过上述合成方案（c）得到的双核配合物（B）与单阴离子配体的原料HL起反应，HL的质子脱离而L配位到M，由此可以得到由通式（G3）表示的有机化合物。对加热单元没有特别的限制，也可以使用油浴、沙浴或铝块。此外，还可以作为加热单元使用微波。
[化学式8]
在合成方案（d）中，L表示单阴离子双齿配体，X表示卤素，Ar表示取代或未取代的碳原子数为6至13的亚芳基。此外，R1表示氢或碳原子数为1至4的烷基，R2至R6分别独立地表示氢、碳原子数为1至4的烷基和取代或未取代的苯基中的任一个。M表示第9族元素或第10族元素。在M是第9族元素时，n是2，在M是第10族元素时，n是1。
作为单阴离子双齿配体，有具有β-二酮结构的单阴离子双齿螯合物配体、具有羧基的单阴离子双齿螯合物配体、具有酚式羟基的单阴离子双齿螯合物配体、两个配体元素都是氮的单阴离子双齿螯合物配体等，但是，作为具体例子，可以举出由下述结构式（L1）至结构式（L6）表示的配体。
[化学式9]
在结构式（L1）至结构式（L6）中，R71至R90分别独立地表示氢、碳原子数为1至4的烷基、卤素基、卤代烷基、碳原子数为1至4的烷氧基和碳原子数为1至4的烷硫基中的任一个。此外，A1、A2和A3分别独立地表示氮N或碳C-R，R表示氢、碳原子数为1至4的烷基、卤素基、碳原子数为1至4的卤代烷基和苯基中的任一个。
以上，说明合成方法的例子，但是本发明的一个方式的发光元件所包含的有机化合物也可以通过其他任何合成方法合成。
此外，作为包括由通式（G1）至通式（G3）表示的结构的有机化合物的具体例子，可以举出由结构式（100）至结构式（135）表示的有机化合物。注意，用于本发明的一个方式的发光元件所包含的有机化合物不局限于此。
[化学式10]
[化学式11]
[化学式12]
[化学式13]
[化学式14]
[化学式15]
[化学式16]
注意，作为由上述结构式（100）至结构式（135）表示的有机化合物，根据配体种类可能有立体异构体，该立体异构体也全部包括在能够在本发明一个方式的发光元件中使用的有机化合物中。
此外，作为用于发光层113的空穴传输性材料，即辅助材料（第三有机化合物），使用能够用于空穴注入层111及空穴传输层112的空穴传输性高的物质即可。
尤其是，作为用于发光层113的辅助材料（第三有机化合物），优选使用包括咔唑骨架的化合物。包括咔唑骨架的化合物具有良好的可靠性和高空穴传输性，并有助于驱动电压的降低，所以是优选的。
此外，这些主体材料（第一有机化合物）和辅助材料（第三有机化合物）优选在蓝色区域不具有吸收光谱。具体而言，吸收光谱的吸收端优选为440nm以下。
电子传输层114是包含电子传输性高的物质的层。作为电子传输层114，除了上述电子传输性材料以外，还可以使用金属配合物诸如三（8-羟基喹啉）铝（简称：Alq3）、三（4-甲基-8-羟基喹啉）铝（简称：Almq3）、双（10-羟基苯并[h]喹啉）铍（简称：BeBq2）、BAlq、Zn（BOX）2或双[2-（2-羟基苯基）苯并噻唑]锌（简称：Zn（BTZ）2）等。另外，还可以使用杂芳族化合物诸如2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基苯基）-1，3，4-二唑（简称：PBD）、1，3-双[5-（对叔丁基苯基）-1，3，4-
二唑-2-基]苯（简称：OXD-7）、3-（4-叔丁基苯基）-4-苯基-5-（4-联苯基）-1，2，4-三唑（简称：TAZ）、3-（4-叔丁基苯基）-4-（4-乙基苯基）-5-（4-联苯基）-1，2，4-三唑（简称：p-EtTAZ）、红菲咯啉（简称：BPhen）、浴铜灵（简称：BCP）、4，4’-双（5-甲基苯并
唑-2-基）二苯乙烯（简称：BzOs）等。另外，还可以使用高分子化合物诸如聚（2，5-吡啶-二基）（简称：PPy）、聚[（9，9-二己基芴-2，7-二基）-共-（吡啶-3，5-二基）]（简称：PF-Py）、聚[（9，9-二辛基芴-2，7-二基）-共-（2，2’-联吡啶-6，6’-二基）]（简称：PF-BPy）。在此所述的物质主要是电子迁移率为10-6cm2/Vs以上的物质。只要是电子传输性比空穴传输性高的物质，就可以将上述物质之外的物质用于电子传输层114。
另外，电子传输层114既可由单层构成又可由层叠有两层以上的由上述物质构成的层的叠层构成。
电子注入层115是包含高电子注入性物质的层。作为电子注入层115，可以使用氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）、氟化钙（CaF2）及锂氧化物（LiOx）等碱金属或碱土金属的化合物。另外，还可以使用氟化铒（ErF3）等稀土金属化合物。另外，还可以使用上述构成电子传输层114的物质。
或者，可以将有机化合物和电子给体（供体）混合而成的复合材料用于电子注入层115。这种复合材料的电子注入性及电子传输性高，因为电子给体使电子产生在有机化合物中。在此情况下，有机化合物优选为能够容易传输所产生的电子的材料，具体而言，例如可以使用上述构成电子传输层114的物质（金属配合物和杂芳族化合物等）。电子给体只要是对有机化合物呈现电子给予性的物质即可。具体而言，优选使用碱金属、碱土金属和稀土金属，可以举出锂、铯、镁、钙、铒、镱等。另外，优选使用碱金属氧化物或碱土金属氧化物，例如可以举出锂氧化物、钙氧化物、钡氧化物等。另外，还可以使用氧化镁等路易斯碱。或者，可以使用四硫富瓦烯（简称：TTF）等有机化合物。
注意，上述空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114及电子注入层115各自可以通过蒸镀法（包括真空蒸镀法）、喷墨法、涂布法等方法而形成。
在上述发光元件中，因为在第一电极101和第二电极103之间给予的电位差而电流流过，并因为在EL层102中空穴和电子再结合而发光。然后，该光穿过第一电极101和第二电极103中的任一方或双方取出到外部。因此，第一电极101和第二电极103中的任一方或双方为具有透光性的电极。
接着，说明图1B及图1C所示的发光元件。
图1B所示的发光元件是在第一电极301与第二电极303之间具有多个发光层（第一发光层311和第二发光层312）的串联型发光元件。
第一电极301是用作阳极的电极，第二电极303是用作阴极的电极。此外，第一电极301和第二电极303可以采用与第一电极101和第二电极103相同的结构。
多个发光层（第一发光层311和第二发光层312）可以采用与发光层113相同的结构。另外，第一发光层311和第二发光层312既可以采用相同结构，又可以采用不同结构，该发光层中的任一个可具有与发光层113相同的结构。除了第一发光层311和第二发光层312以外，也可以适当地设置上述空穴注入层111、空穴传输层112、电子传输层114及电子注入层115。
在多个发光层（第一发光层311和第二发光层312）之间设置有电荷产生层313。电荷产生层313具有如下功能：当对第一电极301和第二电极303之间施加电压时，将电子注入到一方的发光层中，且将空穴注入到另一方的发光层中。在本实施方式中，当对第一电极301以电位高于第二电极303的方式施加电压时，电子从电荷产生层313被注入到第一发光层311中，而空穴从电荷产生层313被注入到第二发光层312中。
另外，从光提取效率的观点来看，电荷产生层313优选具有透射可见光的性质（具体而言，对于电荷产生层313的可见光的透射率为40%以上）。另外，电荷产生层313即使在其电导率小于第一电极301或第二电极303的状态下也能够发挥其作用。
电荷产生层313既可具有对空穴传输性高的有机化合物添加了电子受体的结构又可具有对电子传输性高的有机化合物添加了电子给体的结构。或者，还可以层叠有这两种结构。
在采用对空穴传输性高的有机化合物添加了电子受体的结构的情况下，作为空穴传输性高的有机化合物，例如可以使用芳族胺化合物诸如NPB、TPD、TDATA、MTDATA或4，4’-双[N-（螺-9，9’-联芴-2-基）-N-苯基氨基]联苯（简称：BSPB）等。在此所述的物质主要是空穴迁移率为10-6cm2/Vs以上的物质。但是，只要是空穴传输性比电子传输性高的有机化合物，就可以使用上述物质之外的物质。
作为电子受体，可以举出7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷（简称：F4-TCNQ）、氯醌等。另外，还可以举出过渡金属氧化物。另外，可以举出属于元素周期表中第4族至第8族的金属氧化物。具体而言，优选使用氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰和氧化铼，这是因为它们具有高电子接受性。尤其是，优选使用氧化钼，因为氧化钼在大气中稳定且其吸湿性低，所以容易进行处理。
另一方面，在采用对电子传输性高的有机化合物添加了电子给体的结构的情况下，作为电子传输性高的有机化合物，例如可以使用具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物等诸如Alq、Almq3、BeBq2或BAlq等。除此之外，还可以使用具有
唑系配体或噻唑系配体的金属配合物诸如Zn（BOX）2或Zn（BTZ）2等。再者，除了金属配合物之外，还可以使用PBD、OXD-7、TAZ、BPhen、BCP等。在此所述的物质主要是电子迁移率为10-6cm2/Vs以上的物质。但是，只要是其电子传输性比空穴传输性高的有机化合物，就可以使用上述物质之外的物质。
作为电子给体，可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属或属于元素周期表中第13族的金属及它们的氧化物和碳酸盐。具体而言，优选使用锂（Li）、铯（Cs）、镁（Mg）、钙（Ca）、镱（Yb）、铟（In）、氧化锂、碳酸铯等。此外，也可以将如四硫萘并萘（tetrathianaphthacene）的有机化合物用作电子给体。
通过使用上述材料形成电荷产生层313，可以抑制在层叠发光层时造成的驱动电压的增大。
虽然在图1B中，对具有两个发光层的发光元件进行说明，但是，如图1C所示那样，可以同样地采用层叠n个（注意，n是3以上的整数）发光层的发光元件。如根据本实施方式的发光元件那样，当在一对电极之间具有多个发光层时，通过将电荷产生层313设置在发光层与发光层之间，可以在保持低电流密度的同时实现高亮度区域中的发光。因为可以保持低电流密度，所以可以实现使用寿命长的元件。另外，当采用发光面积大的发光装置时，因为可以减小由于电极材料的电阻导致的电压下降，所以可以实现大面积的均匀发光。
此外，通过使各发光层发射互不相同颜色的光，可以使发光元件整体发射所需颜色的光。例如，在具有两个发光层的发光元件中，使第一发光层的发光颜色和第二发光层的发光颜色处于补色关系，因此作为整体发光元件可以得到发射白色发光的发光元件。注意，词语“补色关系”表示当颜色混合时得到非彩色的颜色关系。也就是说，通过混合从其发光颜色彼此处于补色关系的发光物质得到的光，可以得到白色发光。
另外，具有三个发光层的发光元件的情况也与此同样，例如，当第一发光层的发光颜色是红色，第二发光层的发光颜色是绿色，第三发光层的发光颜色是蓝色时，发光元件作为整体可以得到白色发光。
如上所述，在本实施方式所示的包含夹在一对电极之间的发光层的发光元件中，发光层包含有机化合物，该有机化合物包括1,2,4三唑骨架、苯基骨架、亚芳基骨架、第9族或第10族的金属，1,2,4三唑骨架的4位的氮配位在第9族或第10族的金属，并且1,2,4三唑骨架的1位的氮与苯基骨架键合，亚芳基骨架与1,2,4三唑骨架的3位键合，并且与第9族或第10族的金属键合。
通过对在一对电极之间具有上述有机化合物的发光元件施加电压，该发光元件可以发射具有极高色纯度的蓝色磷光并可以以高效率发光。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。
实施方式2
在本实施方式中，使用图2A和图2B说明其中将形成激基复合物（也称为“exciplex”）的有机化合物用于发光层的发光元件。
如图2A所示那样，本实施方式所示的发光元件具有在第一电极201与第二电极203之间具有EL层210的结构。EL层210至少包括发光层223，还可以包括空穴注入层221、空穴传输层222、电子传输层224和电子注入层225等。作为可以用于空穴注入层221、空穴传输层222、电子传输层224和电子注入层225的材料，可以分别适当地使用可以用于空穴注入层111、空穴传输层112、电子传输层114和电子注入层115的实施方式1所示的材料。此外，在本实施方式中，将第一电极201用作阳极，将第二电极203用作阴极。
发光层223包含第一有机化合物213、第二有机化合物214以及第三有机化合物215。在本实施方式中，将第一有机化合物213用作主体材料，将第二有机化合物214用作客体材料，并且将第三有机化合物215用作辅助材料。
在发光层223中，通过采用将上述客体材料分散在主体材料中的结构，可以抑制发光层的结晶化。另外，可以抑制由于客体材料的高浓度导致的浓度猝灭并提高发光元件的发光效率。
另外，第一有机化合物213（主体材料）和第三有机化合物215（辅助材料）的各自的三重激发态能量的能级（T1能级）优选高于第二有机化合物214（客体材料）的T1能级。这是因为如下缘故：如果第一有机化合物213（或第三有机化合物215）的T1能级低于第二有机化合物214的T1能级，则第一有机化合物213（或第三有机化合物215）使有助于发光的第二有机化合物214的三重激发态能量猝灭（quench），而导致发光效率的下降。
在此，为了提高从主体材料到客体材料的能量转移效率，优选的是，在考虑到作为分子之间的能量转移机理周知的福斯特（）机理（偶极-偶极相互作用）及德克斯特（Dexter）机理（电子交换相互作用）的情况下，主体材料的发射光谱（在考察单重激发态下的能量转移时相当于荧光光谱，而在考察三重激发态下的能量转移时相当于磷光光谱）与客体材料的吸收光谱（更详细地说，最长波长（低能量）一侧的吸收带中的光谱）的重叠的部分大。但是，在使用通常的磷光客体材料的情况下，难以使主体材料的荧光光谱与客体材料的最长波长（低能量）一侧的吸收带中的吸收光谱重叠。这是因为如下缘故：如果这样做，则因为主体材料的磷光光谱位于比荧光光谱更长的波长（低能量）一侧而使主体材料的T1能级低于磷光化合物的T1能级，这导致上述猝灭的问题。另一方面，为了避免猝灭的问题，当将主体材料的T1能级设定为高于磷光化合物的T1能级时，主体材料的荧光光谱漂移到短波长（高能量）一侧，因此该荧光光谱与客体材料的最长波长（低能量）一侧的吸收带中的吸收光谱不重叠。从而，通常，难以使主体材料的荧光光谱与客体材料的最长波长（低能量）一侧的吸收带中的吸收光谱重叠并最大限度地提高主体材料的从单重激发态的能量转移。
于是，在本实施方式中，第一有机化合物213和第三有机化合物215的组合优选是形成激基复合物的组合。由此，在发光层223中，观察不到第一有机化合物213的荧光光谱及第三有机化合物215的荧光光谱，并且得到位于更长波长一侧的激基复合物的发射光谱。只要以使激基复合物的发射光谱与客体材料（第二有机化合物214）的吸收光谱重叠的部分变大的方式选择第一有机化合物213和第三有机化合物215，就可以最大限度地提高从单重激发态的能量转移（参照图2B）。
至于三重激发态，也可以被认为发生来自激基复合物的能量转移，而不发生来自主体材料单独的激发态的能量转移。
作为第一有机化合物213，优选使用实施方式1所示的电子传输材料。另外，作为第二有机化合物214，使用一种包括1,2,4三唑骨架、苯基骨架、亚芳基骨架、第9族或第10族的金属的有机化合物，其中1,2,4三唑骨架的4位的氮配位在第9族或第10族的金属，并且1,2,4三唑骨架的1位的氮与苯基骨架键合，亚芳基骨架与1,2,4三唑骨架的3位键合，并且与第9族或第10族的金属键合。作为第三有机化合物215，优选使用实施方式1所示的空穴传输材料。
上述第一有机化合物213和第三有机化合物215的组合只是能够形成激基复合物的组合的一个例子，只要该激基复合物的发射光谱与第二有机化合物214的吸收光谱重叠，并且该激基复合物的发射光谱的峰位于比第二有机化合物214的吸收光谱的峰长波长一侧即可。
另外，因为由电子传输性材料和空穴传输性材料构成第一有机化合物213和第三有机化合物215，所以可以根据其混合比控制载流子平衡。具体而言，优选第一有机化合物和第三有机化合物的比例为1：9至9：1。
本实施方式所示的发光元件因为可以利用起因于激基复合物的发射光谱与磷光化合物的吸收光谱之间的重叠的能量转移而提高能量转移效率，由此可以实现外部量子效率高的发光元件。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。
实施方式3
在本实施方式中，参照图3A及图3B说明应用本发明的一个方式的发光元件的发光装置。图3A是示出发光装置的俯视图，图3B是沿着图3A的A-B和C-D截断的截面图。
本实施方式的发光装置包括驱动电路部的源极侧驱动电路401及栅极侧驱动电路403、像素部402、密封衬底404、密封剂405、FPC（柔性印刷电路）409以及元件衬底410。被密封剂405包围的部分是空间。
注意，引线408是用来传输被输入到源极侧驱动电路401及栅极侧驱动电路403的信号的布线，并接收来自用作外部输入端子的FPC409的视频信号、时钟信号、起始信号、复位信号等。在此，尽管只示出FPC，但是可以在该FPC安装有印刷线路板（PWB）。本说明书中的发光装置不仅包括发光装置主体，而且还包括安装有FPC或PWB的发光装置。
在图3A所示的元件衬底410上形成有驱动电路部和像素部。在图3B中示出作为驱动电路部的源极侧驱动电路401和像素部402中的一个像素。
另外，在源极侧驱动电路401中形成组合n沟道型TFT423和p沟道型TFT424而成的CMOS电路。此外，驱动电路也可以使用由TFT形成的各种CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路形成。虽然在本实施方式中描述在衬底上形成驱动电路的驱动器一体型，但是本发明不一定需要限于这种类型，也可以不在衬底上，而在外部形成驱动电路。
此外，像素部402由多个像素形成，该像素包括开关TFT411、电流控制TFT412和与电流控制TFT412的漏极电连接的第一电极413。注意，以覆盖第一电极413的端部的方式形成有绝缘体414。在此，使用正型光敏丙烯酸树脂膜形成绝缘体414。
此外，为了改进覆盖性，在绝缘体414的上端部或下端部形成具有曲率的曲面。例如，当使用正型光敏丙烯酸树脂作为绝缘体414的材料时，优选仅使绝缘体414的上端部具有曲率半径（0.2μm至3μm）的曲面。
在第一电极413上形成有EL层416及第二电极417。可以使用在实施方式1中举出的材料形成第一电极413、EL层416和第二电极417。
再者，通过使用密封剂405将密封衬底404和元件衬底410贴合，在由元件衬底410、密封衬底404和密封剂405围绕的空间407中设置有发光元件418。在空间407中填充有填料，并且除了填充有惰性气体（如氮气或氩气等）之外，有时填充有密封剂。
优选将环氧类树脂用作密封剂405。此外，这些材料优选是尽量不使水分或氧透过的材料。此外，除了玻璃衬底或石英衬底之外，还可以使用包括由FRP（Fiber-Reinforced Plastics：纤维增强的塑料）、PVF（polyvinyl fluoride：聚氟乙烯）、聚酯、丙烯酸类等构成的塑料衬底作为用于密封衬底404的材料。
如上所述，可以得到具有本发明的一个方式的发光元件的有源矩阵型发光装置。
另外，本发明的一个方式的发光元件可以用于无源矩阵型发光装置，而不局限于上述有源矩阵型发光装置。图4A和图4B示出使用本发明的一个方式的发光元件的无源矩阵型发光装置的透视图和截面图。注意，图4A是发光装置的透视图，图4B是沿着图4A的X-Y截断的截面图。
在图4A和图4B中，在衬底501上的第一电极502和第二电极503之间设置有EL层504。第一电极502的端部被绝缘层505覆盖。而且，在绝缘层505上设置有分隔层506。分隔层506的侧壁具有倾斜而使两个侧壁之间的距离向衬底面的方向逐渐变窄。换言之，分隔层506的短边方向上的截面为梯形，并且底边（与绝缘层505接触的一边）比上边（不与绝缘层505接触的一边）短。像这样，通过设置分隔层506可以防止发光元件因为串扰等产生缺陷。
因此，可以得到应用本发明的一个方式的发光元件的发光装置。
此外，由于本实施方式所示的发光装置都使用本发明的一个方式的发光元件形成，因此可以得到驱动电压低、电流效率高且使用寿命长的发光装置。
注意，本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
实施方式4
在本实施方式中，参照图5A至图5E以及图6A和图6B对使用本发明的一个方式的发光装置来完成的各种各样的电子设备以及照明装置的一个例子进行说明。
作为电子设备，例如可以举出电视装置（也称为电视或电视接收机）、用于计算机等的监视器、数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机（也称为移动电话、移动电话装置）、便携式游戏机、便携式信息终端、音频再现装置、弹珠机等的大型游戏机等。
通过在具有柔性的衬底上制造本发明的一个方式的发光元件，可以实现包括具有曲面的发光部的电子设备或照明装置。
另外，通过使用对可见光具有透光性的材料而形成本发明的一个方式的发光元件所包括的一对电极，可以实现包括透视发光部的电子设备或照明装置。
此外，应用本发明的一个方式的发光装置还可以应用于汽车的照明，例如可以将该照明设置在仪表板、挡风玻璃、天花板等。
图5A示出电视装置的一个例子。在电视装置7100中，框体7101组装有显示部7103。由显示部7103能够显示图像，并可以将发光装置用于显示部7103。另外，在此示出利用支架7105支撑框体7101的结构。
可以通过利用框体7101所具备的操作开关、另外提供的遥控操作机7110进行电视装置7100的操作。通过利用遥控操作机7110所具备的操作键7109，可以进行频道及音量的操作，并可以对在显示部7103上显示的图像进行操作。另外，也可以采用在遥控操作机7110中设置显示从该遥控操作机7110输出的信息的显示部7107的结构。
另外，电视装置7100采用具备接收机及调制解调器等的结构。可以通过利用接收机接收一般的电视广播。再者，通过调制解调器连接到有线或无线方式的通信网络，从而也可以进行单向（从发送者到接收者）或双向（发送者和接收者之间或在接收者之间等）的信息通信。
图5B示出计算机，该计算机包括主体7201、框体7202、显示部7203、键盘7204、外部连接端口7205、指向装置7206等。另外，该计算机是通过将本发明的一个方式的发光装置用于其显示部7203来制造的。
图5C示出便携式游戏机。该便携式游戏机由框体7301和框体7302的两个框体构成，并且通过连接部7303可以开闭地连接。框体7301组装有显示部7304，而框体7302组装有显示部7305。另外，图5C所示的便携式游戏机还具备扬声器部7306、记录介质插入部7307、LED灯7308、输入单元（操作键7309、连接端子7310、传感器7311（包括测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转数、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、斜率、振动、气味或红外线）、麦克风7312）等。当然，便携式游戏机的结构不局限于上述结构，只要在显示部7304和显示部7305中的双方或一方中使用发光装置即可，而可以采用适当地设置有其他附属设备的结构。图5C所示的便携式游戏机具有如下功能：读出储存在记录介质中的程序或数据并将其显示在显示部上；以及通过与其他便携式游戏机进行无线通信而实现信息共享。另外，图5C所示的便携式游戏机所具有的功能不局限于此，而可以具有各种各样的功能。
图5D示出移动电话机的一个例子。移动电话机7400除了组装在框体7401的显示部7402之外还具备操作按钮7403、外部连接端口7404、扬声器7405、麦克风7406等。另外，将发光装置用于显示部7402来制造移动电话机7400。
图5D所示的移动电话机7400可以用手指等触摸显示部7402来输入信息。另外，可以用手指等触摸显示部7402来进行打电话或编写电子邮件等的操作。
显示部7402主要有三种屏幕模式。第一模式是主要用于显示图像的显示模式。第二模式是主要用于输入诸如文本的信息的输入模式。第三模式是混合显示模式和输入模式这两种模式的显示和输入模式。
例如，在打电话或编写邮件的情况下，为显示部7402选择主要用于输入文本的文本输入模式以便可以输入在屏幕上显示的文本。在此情况下，优选的是，在显示部7402的画面的大多部分中显示键盘或号码按钮。
另外，通过在移动电话机7400内部设置加速度传感器等检测倾斜度的传感器或陀螺仪等的检测装置，判断移动电话机7400的方向（纵向或横向），而可以对显示部7402的屏幕显示进行自动切换。
通过触摸显示部7402或对框体7401的操作按钮7403进行操作，切换屏幕模式。或者，可以根据显示在显示部7402上的图像的类型而切换屏幕模式。例如，当显示在显示部上的图像信号为动态图像的数据时，将屏幕模式切换成显示模式，而当显示在显示部上的图像信号为文字数据时，将屏幕模式切换成输入模式。
另外，当在输入模式下通过检测出显示部7402的光传感器所检测的信号得知在一定期间内没有显示部7402的触摸操作输入时，也可以进行控制以将画面模式从输入模式切换成显示模式。
还可以将显示部7402用作图像传感器。例如，通过用手掌或手指触摸显示部7402，来拍摄掌纹、指纹等，而可以进行个人识别。另外，通过将发出近红外光的背光灯或发出近红外光的传感用光源用于显示部，还可以拍摄手指静脉、手掌静脉等。
图5E示出台式照明装置，其包括照明部7501、灯罩7502、可调支架（adjustable arm）7503、支柱7504、台7505、电源7506。另外，台式照明装置是通过将发光装置用于照明部7501来制造的。注意，照明装置包括固定到天花板上的照明装置、挂在墙上的照明装置等。
图6A示出将发光装置用作室内照明装置601的例子。发光装置可以实现大面积化，因此可以用作大面积的照明装置。另外，还可以将发光装置用于辊式（roll-type）照明装置602。另外，如图6A所示，也可以在具备室内照明装置601的房间内同时使用台式照明装置603。
图6B示出其他照明装置的例子。图6B所示的台式照明装置包括照明部9501、支柱9503、支架9505等。照明部9501包括本发明的一个方式的发光装置。如此，通过在具有柔性的衬底上制造发光元件，可以实现其发光部具有曲面的照明装置或具有柔性照明部的照明装置。如此，通过使用具有柔性的发光装置作为照明装置，不但提高照明装置的设计的自由度，而且例如可以将照明装置设置在例如汽车的天花板上和仪表板上等具有曲面的地方。
如上所述，通过使用发光装置，可以得到电子设备或照明设备。发光装置的应用范围极为宽，而可以应用于所有领域的电子设备。
注意，本实施方式所示的结构可以适当地与其他实施方式所示的结构组合而使用。
实施方式5
在本实施方式中，使用图30A和图30B说明使用本发明的一个方式的发光元件制造的发光装置。
图30A示出本实施方式所示的发光装置的平面图以及沿着平面图中的点划线E-F的截面图。
图30A所示的发光装置在第一衬底2001上具有包括发光元件的发光部2002。此外，发光装置具有以围绕发光部2002的外周的方式设置有第一密封剂2005a，以围绕第一密封剂2005a的外周的方式设置有第二密封剂2005b的结构（所谓的双重密封结构）。
因此，发光部2002配置在由第一衬底2001、第二衬底2006和第一密封剂2005a围绕的空间中。
注意，在本说明书中，第一密封剂2005a和第二密封剂2005b不一定接触第一衬底2001和第二衬底2006。例如，也可以具有形成在第一衬底2001上的绝缘膜或导电膜与第一密封剂2005a接触的结构。
在上述结构中，通过作为第一密封剂2005a使用包含干燥剂的树脂层，作为第二密封剂2005b使用玻璃层，可以提高抑制来自外部的水分或氧等杂质的侵入的效果（也称为密封性）。
如此，通过作为第一密封剂2005a使用树脂层，可以抑制在作为第二密封剂2005b的玻璃层上发生破裂或开裂（以下，称为裂缝）。另外，在第二密封剂2005b的密封性不足够的情况下，即使在水分或氧等杂质侵入第一空间2013中时，由于第一密封剂2005a的高密封性，而可以抑制杂质侵入第二空间2011中。因此，可以抑制杂质侵入发光部2002中，而包含在发光元件中的有机化合物或金属材料等劣化。
此外，作为另一个结构，如图30B所示那样，也可以作为第一密封剂2005a使用玻璃层，作为第二密封剂2005b使用包含干燥剂的树脂层。
在本实施方式所示的发光装置中，越靠向外周部，外力等所导致的应变越大。由此，通过作为外力等所导致的应变较小的第一密封剂2005a使用玻璃层，作为第二密封剂2005b使用具有良好的耐冲击性及良好的耐热性并由于外力等的变形而不容易破坏的树脂层，可以抑制水分或氧等杂质侵入第一空间2013中。
除了上述结构以外，也可以采用第一空间2013或第二空间2011包含用作干燥剂的材料的结构。
当作为第一密封剂2005a或第二密封剂2005b使用玻璃层时，例如可以使用玻璃料或玻璃带等。注意，玻璃料或玻璃带至少包含玻璃材料。
上述玻璃料包含玻璃材料作为玻璃料材料（frit material），例如包含氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡、氧化铯、氧化钠、氧化钾、氧化硼、氧化钒、氧化锌、氧化碲、氧化铝、二氧化硅、氧化铅、氧化锡、氧化磷、氧化钌、氧化铑、氧化铁、氧化铜、二氧化锰、氧化钼、氧化铌、氧化钛、氧化钨、氧化铋、氧化锆、氧化锂、氧化锑、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃或硼硅酸盐玻璃等。为了使该材料吸收红外光，优选至少包含一种以上的过渡金属。
当使用上述玻璃料形成玻璃层时，例如在衬底上涂敷玻璃料糊，对其进行加热处理或激光照射等。玻璃料糊包含上述玻璃料材料及使用有机溶剂稀释的树脂（也称为粘合剂）。玻璃料糊可以使用各种材料及结构。另外，也可以使用对玻璃料材料添加吸收激光的波长的光的吸收剂的材料。作为激光器，优选例如使用Nd：YAG激光器或半导体激光器等。进行激光照射时的激光的照射形状也可以是圆形或四角形。
此外，所形成的玻璃层的热膨胀率优选与衬底的热膨胀率接近。两者的热膨胀率越近，越可以抑制由于热应力在玻璃层或衬底中产生裂缝。
当作为第一密封剂2005a或第二密封剂2005b使用树脂层时，可以使用紫外线固化树脂等光固化树脂或热固化树脂等各种材料，但是特别优选使用不使水分或氧透过的材料。尤其是，优选使用光固化树脂。发光元件有时包含耐热性低的材料。由于光固化树脂通过光被照射来固化，所以可以抑制在对发光元件进行加热时产生的膜质的变化及有机化合物本身的退化，所以是优选的。而且，也可以使用可以用于本发明的一个方式的发光元件的有机化合物。
此外，作为上述树脂层、第一空间2013或第二空间2011所包含的干燥剂，可以使用已知的材料。作为干燥剂，可以使用通过化学吸附来吸附水分等的物质或者通过物理吸附来吸附水分等的物质。例如，可以举出碱金属的氧化物、碱土金属的氧化物（氧化钙或氧化钡等）、硫酸盐、金属卤化物、高氯酸盐、沸石或硅胶等。
上述第一空间2013和第二空间2011中的一方或双方例如也可以包含稀有气体或氮气气体等惰性气体或者有机树脂等。此外，这些空间内处于大气压状态或减压状态。
如上所述，本实施方式所示的发光装置具有双重密封结构并具有可以包含干燥剂的结构，由此可以提高抑制来自外部的水分或氧等杂质的侵入的密封性，该双重密封结构是指第一密封剂2005a和第二密封剂2005b中的一个包括具有良好的生产率或密封性的玻璃层，另一个包括具有良好的耐冲击性或耐热性并由于外力等的变形不容易破坏的树脂层的结构。
因此，通过使用本实施方式所示的结构，可以提供一种水分及氧等杂质所导致的发光元件的劣化被抑制的发光装置。
此外，本实施方式所示的结构可以与其他实施方式或实施例所示的结构适当地组合而使用。
实施方式6
在本实施方式中，参照图31A及图31B对应用本发明的一个方式的发光元件制造的发光装置进行说明。
图31A及图31B示出包括多个发光元件的发光装置的截面图的例子。图31A所示的发光装置3000包括发光元件3020a、发光元件3020b、发光元件3020c。
在发光装置3000中，在衬底3001上设置有相互被隔开成岛状的下部电极3003a、下部电极3003b、下部电极3003c。可以将下部电极3003a、下部电极3003b、下部电极3003c用作发光元件的阳极。另外，也可以设置反射电极作为下部电极3003a、下部电极3003b、下部电极3003c。另外，也可以在下部电极3003a、下部电极3003b、下部电极3003c上设置透明导电层3005a、透明导电层3005b、透明导电层3005c。优选的是，透明导电层3005a、透明导电层3005b、透明导电层3005c的各厚度根据发射不同颜色的元件而不同。
此外，发光装置3000包括分隔壁3007a、分隔壁3007b、分隔壁3007c、分隔壁3007d。更具体而言，分隔壁3007a覆盖下部电极3003a及透明导电层3005a的一个端部。分隔壁3007b覆盖下部电极3003a及透明导电层3005a的另一个端部以及下部电极3003b及透明导电层3005b的一个端部。分隔壁3007c覆盖下部电极3003b及透明导电层3005b的另一个端部以及下部电极3003c及透明导电层3005c的一个端部。分隔壁3007d覆盖下部电极3003c及透明导电层3005c的另一个端部。
此外，在发光装置3000中，在下部电极3003a、下部电极3003b、下部电极3003c以及分隔壁3007a、分隔壁3007b、分隔壁3007c、分隔壁3007d上设置有空穴注入层3009。
另外，在发光装置3000中，在空穴注入层3009上设置有空穴传输层3011。另外，在空穴传输层3011上设置有发光层3013a、发光层3013b、发光层3013c。此外，在发光层3013a、发光层3013b、发光层3013c上设置有电子传输层3015。
另外，在发光装置3000中，在电子传输层3015上设置有电子注入层3017。另外，在电子注入层3017上设置有上部电极3019。可以将上部电极3019用作发光元件的阴极。
此外，虽然图31A示出将下部电极3003a、下部电极3003b、下部电极3003c用作发光元件的阳极并将上部电极3019用作发光元件的阴极的例子，但也可以调换阴极与阳极的叠层顺序。此时，适当地调换电子注入层、电子传输层、空穴传输层以及空穴注入层的叠层顺序，即可。
本发明的一个方式的发光元件可以应用于发光层3013a、发光层3013b、发光层3013c。由于该发光元件可以实现低驱动电压、高电流效率或长使用寿命，因此可以提供耗电量低或使用寿命长的发光装置3000。
图31B所示的发光装置3100包括发光元件3120a、发光元件3120b、发光元件3120c。另外，发光元件3120a、发光元件3120b、发光元件3120c是在下部电极3103a、下部电极3103b、下部电极3103c与上部电极3119之间包括多个发光层的串联型发光元件。
在发光装置3100中，在衬底3101上设置有相互被隔开成岛状的下部电极3103a、下部电极3103b、下部电极3103c。可以将下部电极3103a、下部电极3103b、下部电极3103c用作发光元件的阳极。也可以设置反射电极作为下部电极3103a、下部电极3103b、下部电极3103c。另外，也可以在下部电极3103a、下部电极3103b上设置透明导电层3105a、透明导电层3105b。优选的是，透明导电层3105a、透明导电层3105b的各厚度根据发射不同颜色的元件而不同。虽然未图示，但也可以在下部电极3103c上设置透明导电层。
此外，发光装置3100包括分隔壁3107a、分隔壁3107b、分隔壁3107c、分隔壁3107d。更具体而言，分隔壁3107a覆盖下部电极3103a及透明导电层3105a的一个端部。分隔壁3107b覆盖下部电极3103a及透明导电层3105a的另一个端部以及下部电极3103b及透明导电层3105b的一个端部。分隔壁3107c覆盖下部电极3103b及透明导电层3105b的另一个端部以及下部电极3103c及透明导电层3105c的一个端部。分隔壁3107d覆盖下部电极3103c及透明导电层3105c的另一个端部。
另外，在发光装置3100中，在下部电极3103a、下部电极3103b、下部电极3103c以及分隔壁3107a、分隔壁3107b、分隔壁3107c、分隔壁3107d上设置有空穴注入层以及空穴传输层3110。
此外，在发光装置3100中，在空穴注入层以及空穴传输层3110上设置有第一发光层3112。另外，在第一发光层3112上隔着电荷产生层3114设置有第二发光层3116。
此外，在发光装置3100中，在第二发光层3116上设置有电子传输层以及电子注入层3118。并且，在电子传输层以及电子注入层3118上设置有上部电极3119。可以将上部电极3119用作发光元件的阴极。
此外，虽然图31B示出将下部电极3103a、下部电极3103b、下部电极3103c用作发光元件的阳极并将上部电极3119用作发光元件的阴极的例子，但也可以调换阴极与阳极的叠层顺序。此时，适当地调换电子注入层、电子传输层、空穴传输层以及空穴注入层的叠层顺序，即可。
本发明的一个方式的发光元件可以应用于第一发光层3112、第二发光层3116。由于该发光元件可以实现低驱动电压、高电流效率或长使用寿命，因此可以提供耗电量低或使用寿命长的发光装置3100。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式或实施例所示的结构适当地组合。
实施方式7
在本实施方式中，参照图32A至图32E对应用本发明的一个方式的发光元件制造的照明装置进行说明。
图32A至图32E示出照明装置的平面图以及截面图的例子。图32A至图32C示出在衬底一侧取出光的底部发射型照明装置。图32B示出图32A的锁链线G-H间的截面。
在图32A及图32B所示的照明装置4000中，在衬底4005上设置有发光元件4007。另外，在衬底4005的外侧设置有具有凹凸的衬底4003。发光元件4007包括下部电极4013、EL层4014以及上部电极4015。
下部电极4013与电极4009电连接，上部电极4015与电极4011电连接。另外，也可以设置与下部电极4013电连接的辅助布线4017。
衬底4005与密封衬底4019由密封剂4021粘合。另外，优选在密封衬底4019与发光元件4007之间设置有干燥剂4023。
由于衬底4003具有如图32A所示那样的凹凸，因此可以提高取出在发光元件4007中产生的光的效率。另外，如图32C所示的照明装置4001那样，也可以在衬底4025的外侧设置扩散板4027代替衬底4003。
图32D及图32E示出在与衬底相反的一侧取出光的顶部发射型照明装置。
在图32D所示的照明装置4100中，在衬底4125上设置有发光元件4107。发光元件4107包括下部电极4113、EL层4114以及上部电极4115。
下部电极4113与电极4109电连接，上部电极4115与电极4111电连接。另外，也可以设置与上部电极4115电连接的辅助布线4117。另外，也可以在辅助布线4117下设置绝缘层4131。
衬底4125与具有凹凸的密封衬底4103由密封剂4121粘合。另外，也可以在密封衬底4103与发光元件4107之间设置平坦化膜4105以及阻挡膜4129。
由于密封衬底4103具有如图32D所示那样的凹凸，因此可以提高取出在发光元件4107中产生的光的效率。另外，如图32E所示的照明装置4101那样，也可以在发光元件4107上设置扩散板4127代替密封衬底4103。
本发明的一个方式的发光元件可以应用于EL层4014以及EL层4114所包含的发光层。由于该发光元件可以实现低驱动电压、高电流效率或长使用寿命，因此可以提供耗电量低或使用寿命长的照明装置4000、照明装置4001、照明装置4100、照明装置4101。
另外，本实施方式所示的结构可以与其他实施方式或实施例所示的结构适当地组合。
实施方式8
在本实施方式中，使用图33A至图36说明可以与本发明的一个方式的发光装置组合的触摸传感器及显示模块。
图33A是示出触摸传感器4500的结构例子的分解斜视图，图33B是示出触摸传感器4500的结构例子的平面图。
在图33A和图33B所示的触摸传感器4500中，在衬底4910上形成有在X轴方向上排列的导电层4510、在与X轴方向交叉的Y轴方向上排列的导电层4520。在图33A和图33B中，分离而示出触摸传感器4500的形成有导电层4510的平面图和形成有导电层4520的平面图。
图34是图33A和图33B所示的传感器4500中的导电层4510与导电层4520的交叉部分的等效电路图。如图34所示那样，在导电层4510与导电层4520交叉的部分形成电容4540。
导电层4510、导电层4520具有四边形状的多个导电膜彼此连接的结构。以导电膜的四边形状的部分的位置不重叠的方式配置有导电层4510及导电层4520。在导电层4510与导电层4520交叉的部分处，在其间设置有绝缘膜，以防止导电层4510和导电层4520接触。
图35是导电层4510a、导电层4510b和导电层4510c与导电层4520的连接结构的一个例子的截面图，示出导电层4510a、导电层4510b、导电层4510c与导电层4520交叉的部分的截面图作为一个例子。
如图35所示那样，导电层4510由第一层的导电层4510a和导电层4510b以及绝缘层4810上的第二层的导电层4510c构成。导电层4510a和导电层4510b由导电层4510c连接。导电层4520使用第一层的导电层形成。以覆盖导电层4710的一部分、导电层4510a、导电层4510b、导电层4510c及导电层4520的方式形成绝缘层4810、绝缘层4820。作为绝缘层4810、绝缘层4820，例如形成氧氮化硅膜即可。此外，也可以在衬底4910与导电层4710、导电层4510a、导电层4510b和导电层4520之间形成由绝缘膜而成的基底膜。作为基底膜，例如可以形成氧氮化硅膜。
导电层4510a、导电层4510b、导电层4510c和导电层4520由对可见光具有透光性的导电材料形成。例如，作为具有透光性的导电材料，有包含氧化硅的氧化铟锡、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、添加有镓的氧化锌等。
导电层4510a与导电层4710连接。导电层4710构成与FPC的连接用端子。导电层4520也与导电层4510a相同地连接到其他导电层4710。导电层4710例如可以使用钨膜形成。
以覆盖导电层4710的一部分、导电层4510a、导电层4510b、导电层4510c以及导电层4520的方式形成绝缘层4820。为了使导电层4710与FPC电连接，在导电层4710上的绝缘层4810及绝缘层4820中形成有开口。在绝缘层4820上，由粘合剂或胶膜等粘合有衬底4920。通过使用粘合剂或胶膜使衬底4910一侧设置在显示面板的滤色片衬底上，构成触摸传感器。
接着，使用图36说明可以使用本发明的一个方式的显示装置的显示模块。
图36所示的显示模块5000在上部外壳5001和下部外壳5002之间包括连接到FPC5003的触摸屏5004、连接到FPC5005的显示面板5006、背光灯单元5007、框架5009、印刷衬底5010和电池5011。
根据触摸屏5004及显示面板5006的尺寸，可以适当地改变上部外壳5001及下部外壳5002的形状或尺寸。
可以使电阻膜方式或静电容量方式的触摸屏重叠于显示面板5006来使用触摸屏5004。另外，也可以使显示面板5006的对置衬底（密封衬底）具有触摸屏功能。也可以在显示面板5006的各像素内设置光传感器，而用作光学触摸屏。
背光灯单元5007具有光源5008。注意，在图36中，例示出在背光灯单元5007上配置光源5008的结构，但是该结构不局限于此。例如，也可以采用在背光灯单元5007的边缘配置光源5008，而且使用光扩散板的结构。此外，也可以采用不设置背光灯单元5007的结构。
框架5009除了具有保护显示面板5006的功能以外，还具有用来遮断因印刷衬底5010的工作而产生的电磁波的电磁屏蔽的功能。此外，框架5009也可以具有放热板的功能。
印刷衬底5010具有用来输出电源电路、视频信号及时钟信号的信号处理电路。将电力供应到电源电路的电源可以是外部的商业电源或另行设置的电池5011的电源。当使用商业电源时，可以省略电池5011。
此外，在显示模块5000中也可以还设置偏振片、相位差板、棱镜片等的构件。
本实施方式所示的结构等可以与其他实施方式或实施例所示的结构适当地组合而实施。
实施例1
《合成例1》
在本实施例中，具体地示出实施方式1的由结构式（116）表示的三{3-[1-（2-甲基苯基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑-3-基-κN4]-2-萘基（naphthalenyl）-κC}铱（Ⅲ）（别名：三[1-（2-甲基苯基）-3-（2-萘基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑（triazolato）]铱（Ⅲ）（简称：[Ir（Prn3tz1-mp）3]）的合成例。以下示出[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的结构。
[化学式17]
<步骤1：N-（1-乙氧基-2-亚萘基（naphthylidene））丁酰胺的合成>
首先，将5g的2-萘甲亚胺酸乙酯盐酸盐、50mL的甲苯、4.3g的三乙胺（Et3N）放入300mL三口烧瓶中，在室温下搅拌该混合物10分钟。使用50mL滴液漏斗对该混合物滴加2.3g的正丁酰氯和30mL的甲苯，在室温下搅拌该混合物41.5小时。在经过预定的时间之后，对反应混合物进行抽滤，浓缩滤液，而得到N-（1-乙氧基-2-亚萘基）丁酰胺（黄色油状物，收率100%）。下述（A-1）示出步骤1的合成方案。
[化18]
<步骤2：1-甲基苯基-3-（2-萘基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑（简称：HPrn3tz1-mp）的合成>
接着，将4.0g的邻-甲苯基肼盐酸盐、100mL的四氯化碳放入300mL三口烧瓶中，对该混合物逐渐滴加3.0g的三乙胺（Et3N），在室温下搅拌该混合物1小时。在经过预定的时间之后，将6.8g的通过上述步骤1得到的N-（1-乙氧基-2-亚萘基）丁酰胺添加到该混合物，在室温下搅拌该混合物24小时。在经过预定的时间之后，对反应溶液添加水并搅拌该混合物。使用氯仿对该混合物的水层进行萃取，混合所得到的萃取溶液和有机层，使用饱和食盐水进行洗涤并添加无水硫酸镁以进行干燥。对所得到的混合物进行自然过滤，并浓缩滤液，而得到油状物。通过硅胶柱层析法对该所得到的油状物进行精制。作为展开溶剂，使用己烷：乙酸乙酯=10：1（v/v）的混合溶剂。通过浓缩得到的馏分而得到1-甲基苯基-3-（2-萘基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑（简称：HPrn3tz1-mp）（淡红色固体，收率36%）。下述（A-2）示出步骤2的合成方案。
[化19]
<步骤3：二-μ-氯-四{3-[1-（2-甲基苯基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑-3-基-κN4]-2-萘基（naphthalenyl）-κC}二铱（Ⅲ）（简称：[Ir（Prn3tz1-mp）2Cl]2）的合成>
接着，将0.8g的通过上述步骤2得到的配体HPrn3tz1-mp、0.35g的氯化铱水合物、12mL的2-乙氧基乙醇和4mL的水放入50mL茄形烧瓶中，对烧瓶进行氩气置换。通过在100℃、100W的条件下对该反应容器进行1小时的微波照射使其反应。在经过预定的时间之后，对所得到的反应混合物进行抽滤，使用乙醇对所得到的固体进行洗涤，而得到双核配合物[Ir（Prn3tz1-mp）2Cl]2（简称）（黄色粉末，收率93%）。下述（A-3）示出步骤3的合成方案。
[化20]
<步骤4：三{3-[1-（2-甲基苯基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑-3-基-κN4]-2-萘基（naphthalenyl）-κC}铱（Ⅲ）（简称：[Ir（Prn3tz1-mp）3]）的合成>
接着，将0.96g的通过上述步骤3得到的双核配合物[Ir（Prn3tz1-mp）2Cl]2（简称）、2.1g的通过上述步骤2得到的配体HPrn3tz1-mp和0.56g的三氟甲基磺酸银（TfOAg）放入安装有三通旋塞和冷凝管的反应容器中，对反应容器进行氩气置换。以170℃加热搅拌混合物45小时。将所得到的混合物溶解于二氯甲烷中，进行抽滤而去除不溶固体。使用水和饱和食盐水对所得到的滤液进行洗涤，对有机层添加无水硫酸镁以进行干燥。对该混合物进行自然过滤，并浓缩滤液，而得到油状物。通过硅胶柱层析法对该油状物进行精制。作为展开溶剂，使用二氯甲烷：己烷=5：1（v/v）的混合溶剂。通过浓缩所得到的馏分而得到固体。使用乙醇对该固体进行洗涤，使用二氯甲烷和乙醇的混合溶剂使所得到的固体再结晶，而得到[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）（黄色粉末，收率10%）。下述（A-4）示出步骤4的合成方案。
[化学式21]
以下示出利用核磁共振波谱法（1H NMR）对通过上述步骤4得到的黄色粉末进行分析的结果。此外，图7示出1H NMR图。从该结果可知，在本合成实例1中，可以得到由上述结构式（116）表示的[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）。
以下示出所得到的物质的1H NMR数据。
1H NMR.δ（CDCl3）：0.54（t,9H），0.93-1.13（m,6H），1.58（s,9H），2.24-2.37（m,6H），7.13-7.29（m,21H），7.35（t,3H），7.71（d,3H），8.29（s,3H）。
接着，利用液相层析质谱分析（Liquid Chromatography MassSpectrometry，简称：LC/MS分析）对通过本实施例得到的[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）进行分析。
在LC/MS分析中，使用Waters（沃特世）Corporation制造的Acquity UPLC及Waters Corporation制造的Xevo G2Tof MS。
在MS分析中，通过电喷雾离子化法（ElectroSpray Ionization，简称：ESI）进行离子化。此时，将毛细管电压设定为3.0kV，将样品锥孔电压设定为30V，并且以正模式进行检测。再者，将以上述条件被离子化了的成分在碰撞室（collision cell）内碰撞到氩气体来使其离解为多个子离子（product ion，产物离子）。将氩碰撞时的能量（碰撞能量）设定为70eV。另外，进行检测的质量电荷比范围是m/z=100至1200。
图8示出进行MS分析的测量结果。从图8的结果可知，主要在m/z=835附近及m/z=845附近，检测出在本实施例中得到的[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的来源于子离子的峰，在m/z=1172附近检测出其来源于前体离子的峰。
在此，在LC/MS分析中，“附近”意味着由于氢离子的有无及同位素的存在而发生的子离子和前体离子的数值变化，该数值变化在于包括在相同程度的骨架的允许范围内。另外，图8所示的结果示出来源于[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的特征，由此可以说是为了识别混合物所包含的[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）而重要的数据。
另外，图9A和图9B示出利用飞行时间二次离子质谱分析仪（Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometer：ToF-SIMS）测量的在本实施例中得到的[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的定性光谱。
图9A示出正离子的测量结果，横轴表示0至500范围的m/z，纵轴表示强度（任意单位）。另外，图9B示出正离子的测量结果，横轴表示400至1200范围的m/z，纵轴表示强度（任意单位）。
作为装置使用TOF SIMS5（ION-TOF公司制造），作为一次离子源使用Bi3 ++。以脉冲宽度为11.3ns的脉冲状的方式照射一次离子，其照射量为8.2×1010ions/cm2至6.7×1011ions/cm2（1×1012ions/cm2以下），加速电压为25keV，电流值为0.2pA。另外，作为样品使用[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的粉末进行测量。
由图9A和图9B的结果可知，主要在m/z=91附近、m/z=160附近、m/z=514附近及m/z=838附近，检测出本发明的一个方式的[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的部分骨架的子离子的峰，主要在m/z=1171附近检测出其来源于前体离子的峰。
在此，在ToF-SIMS分析中，“附近”意味着由于氢离子的有无及同位素的存在而发生的子离子和前体离子的数值变化，该数值变化在于包括在相同程度的骨架的允许范围内。
另外，图9A和图9B所示的结果示出来源于[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的特征，由此可以说是为了识别混合物所包含的[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）而重要的数据。m/z=91附近的峰被认为来源于包括在[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的甲基苯基骨架的峰，m/z=160附近的峰被认为来源于包括在[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的甲基苯基骨架与1,2,4三唑骨架键合的部分骨架的峰。
此外，图9A和图9B所示的结果示出作为有机化合物的一个方式对[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）进行ToF-SIMS分析时的结果，当该有机化合物的结构不同时，进行ToF-SIMS分析时的结果当然示出不同的结果。例如，当该有机化合物是实施方式1的结构式（127）所示的配合物时，有可能前体离子的数值比本实施例所示的[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）小。因此，检测出前体离子的优选的范围是m/z=600以上且2000以下。此外，当键合于1,2,4三唑骨架的骨架为苯基骨架时，在m/z=76附近检测出来源于苯基骨架的子离子。当采用联苯骨架、烷基和甲基苯基骨架键合于1,2,4三唑骨架的复合骨架时，在m/z=300附近检测出来源于该复合骨架的子离子。
当进行ToF-SIMS分析时，容易从前体离子解离的部分作为子离子被检测出。作为尤其容易被检测的子离子，可以举出1,2,4三唑骨架和苯基骨架键合的子离子以及苯基骨架的子离子。因此，上述两个子离子的差异相当于1,2,4三唑骨架的分子量（69）。
接着，利用红外吸收分光法（以下，称为“IR分析”）进行通过本实施例得到的[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的分析。此外，在IR光谱的测量中，使用傅立叶变换红外光谱仪（Fourier TransformInfrared Spectroscopy，Thermo Nicolet Corporation制造，Nexus670型）。作为红外吸收分光法（“IR分析”）的测量法，也可以采用压片法或液膜法，在该压片法中，将样品与使红外线穿过的纯卤化碱（溴化钾、氯化钠、氯化钾等）粉粹，混合并通过加压进行成形，在该液膜法中，混合样品与具有不影响到所测量的吸收带的吸收光谱的液体（液体石腊等）以形成糊剂。此外，在本实施例中，采用使用溴化钾的压片法进行测量。
图28示出进行IR分析的结果。从图28所示的结果可知，在3500cm-1至1500cm-1之间，主要在3030cm-1附近、1600cm-1附近及1540cm-1附近检测出通过本实施例得到的[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的吸收峰。此外，如图28所示那样，除了上述吸收峰以外，还观察到来源于烷基的多个吸收峰等。
在此，在IR分析中，“附近”在其范围内包括上述数值的±30cm-1的数值。这是因为在进行IR分析时，产生起因于溶剂的吸收带的影响或测量误差。3030cm-1附近的吸收峰被认为来源于C-H伸缩振动的信号，1600cm-1附近的吸收峰被认为来源于C-C伸缩振动的信号，1540cm-1附近的吸收峰被认为来源于C=N伸缩振动的信号。尤其是，1540cm-1附近的吸收峰显著地被检测。图28所示的结果示出来源于[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的特征，由此可以说是为了识别混合物所包含的[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）而重要的数据。
接着，测量[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的二氯甲烷溶液的紫外可见吸收光谱（下面，简单地称为“吸收光谱”）及发射光谱。当测量吸收光谱时，使用紫外可见分光光度计（日本分光株式会社制造，V550型），将二氯甲烷溶液（0.087mmol/L）放在石英池，并在室温下进行测量。此外，当测量发射光谱时，使用荧光分光光度计（日本滨松光子学株式会社制造，FS920），将脱气的二氯甲烷溶液（0.087mmol/L）放在石英池，并在室温下进行测量。图10示出所得到的吸收光谱及发射光谱的测量结果。横轴表示波长，纵轴表示吸收强度及发光强度。此外，在图10中表示两个实线，细的实线表示吸收光谱，粗的实线表示发射光谱。图10所示的吸收光谱表示从将二氯甲烷溶液（0.087mmol/L）放在石英池而测量的吸收光谱减去只将二氯甲烷放在石英池而测量的吸收光谱来得到的结果。
如图10所示，[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）在520nm及562nm具有发光峰，并且从二氯甲烷溶液观察到黄色的发光。
实施例2
《合成例2》
在本实施例中，具体地示出实施方式1的由结构式（118）表示的三{4-苯基-2-[1-（2-甲基苯基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑-3-基-κN4]苯基-κC}铱（Ⅲ）（别名：三[3-（3-联苯）-1-（2-甲基苯基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑（triazolato）]铱（Ⅲ）（简称：[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]））的合成例。以下示出[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）的结构。
[化学式22]
<步骤1：N-（1-乙氧基-3-溴亚苄基（bromobenzylidene））丁酰胺的合成>
首先，将10g的3-溴苯甲亚胺酸乙酯盐酸盐（ethyl3-bromobenzimidate hydrochloride）、100mL的甲苯、8.9g的三乙胺（Et3N）放入300mL三口烧瓶中，在室温下搅拌该混合物10分钟。使用50mL滴液漏斗对该混合物滴加4.7g的正丁酰氯和30mL的甲苯，在室温下搅拌该混合物24小时。在经过预定的时间之后，对反应混合物进行抽滤，浓缩滤液，而得到N-（1-乙氧基-3-溴亚苄基）丁酰胺（黄色油状物，收率93%）。下述（B-1）示出步骤1的合成方案。
[化23]
<步骤2：3-（3-溴苯基）-1-（2-甲基苯基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑的合成>
接着，将6.5g的邻-甲苯基肼盐酸盐、100mL的四氯化碳放入200mL三口烧瓶中，对该混合物逐渐地滴加4.1g的三乙胺（Et3N），在室温下搅拌该混合物1小时。在经过预定的时间之后，将12g的通过上述步骤1得到的N-（1-乙氧基-3-溴亚苄基）丁酰胺添加到该混合物，在室温下搅拌该混合物48小时。在反应结束之后，对反应混合物添加水，使用氯仿对水层进行萃取。混合有机层和所得到的萃取溶液，使用水和饱和食盐水进行洗涤。对有机层添加无水硫酸镁以进行干燥，浓缩所得到的混合物，而得到油状物。通过快速柱（flash column）层析法对该所得到的油状物进行精制。作为展开溶剂，使用己烷：乙酸乙酯=5：1（v/v）的混合溶剂。通过浓缩得到的馏分而得到3-（3-溴苯基）-1-（2-甲基苯基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑（红色油状物，收率80%）。下述（B-2）示出步骤2的合成方案。
[化24]
<步骤3：3-（3-联苯）-1-（2-甲基苯基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑（简称：HPr5b3tz1-mp）的合成>
接着，将12g的通过上述步骤2得到的3-（3-溴苯基）-1-（2-甲基苯基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑、4.8g的苯基硼酸、0.30g的三（邻甲苯基）膦、100mL的甲苯、15mL的乙醇以及39mL的2M碳酸钾水溶液放入200mL三口烧瓶中，对烧瓶进行氮气置换。对该混合物添加0.073g（0.33mmol）的醋酸钯（Ⅱ），以80℃加热搅拌该混合物10小时。使用甲苯对所得到的反应溶液的水层进行萃取，混合所得到的萃取溶液和有机层，使用饱和碳酸氢钠水溶液和饱和食盐水进行洗涤。对有机层添加无水硫酸镁以进行干燥，对所得到的混合物进行自然过滤，而得到滤液。浓缩所得到的滤液得到油状物。通过快速柱层析法对该油状物进行精制。作为展开溶剂，使用己烷：乙酸乙酯=5：1（v/v）的混合溶剂。通过浓缩得到的馏分而得到3-（3-联苯）-1-（2-甲基苯基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑（简称：HPr5b3tz1-mp）（淡黄色油状物，收率84%）。下述（B-3）示出步骤3的合成方案。
[化学式25]
<步骤4：二-μ-氯-四{4-苯基-2-[1-（2-甲基苯基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑-3-基-κN4]苯基-κC}二铱（Ⅲ）（简称：[Ir（Pr5b3tz1-mp）2Cl]2）的合成>
接着，将1.5g的通过上述步骤3得到的配体HPr5b3tz1-mp、0.61g的氯化铱水合物、12mL的2-乙氧基乙醇和4mL的水放入50mL茄形烧瓶中，对烧瓶进行氩气置换。通过在100℃、100W的条件下对该反应容器进行1.5小时的微波照射使其反应。对所得到的反应混合物进行抽滤，使用乙醇对所得到的固体进行洗涤，而得到双核配合物[Ir（Pr5b3tz1-mp）2Cl]2（简称）（黄褐色粉末，收率8.4%）。下述（B-4）示出步骤4的合成方案。
[化26]
<步骤5：三{4-苯基-2-[1-（2-甲基苯基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑-3-基-κN4]苯基-κC}铱（Ⅲ）（简称：[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]的合成>
接着，将0.60g的通过上述步骤4得到的双核配合物[Ir（Pr5b3tz1-mp）2Cl]2（简称）、1.7g的配体HPr5b3tz1-mp和0.39g的三氟甲基磺酸银（TfOAg）放入安装有三通旋塞和冷凝管的反应容器中，在氮气气氛下，以170℃加热搅拌该混合物42小时。将所得到的反应混合物溶解于二氯甲烷中，去除不溶固体。在使用水和饱和食盐水对所得到的滤液进行洗涤之后，对有机层添加无水硫酸镁以进行干燥。对所得到的混合物进行自然过滤，并浓缩滤液，而得到固体。通过硅胶柱层析法对该固体进行精制。作为展开溶剂，使用二氯甲烷：己烷=2：1（v/v）的混合溶剂。通过浓缩得到的馏分而得到固体。使用二氯甲烷和乙醇的混合溶剂使该固体再结晶，而得到本发明的有机金属配合物[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）（淡黄色粉末，收率48%）。下述（B-5）示出步骤5的合成方案。
[化学式27]
以下示出利用核磁共振波谱法（1H NMR）对通过上述步骤5得到的淡黄色粉末进行分析的结果。此外，图11示出1H NMR图。从该结果可知，在本合成实例2中，可以得到由上述结构式（118）表示的[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）。
以下示出所得到的物质的1H NMR数据。
1H NMR.δ（CD2Cl2）：0.54（t,9H），0.99-1.14（m,6H），1.83（s,9H），2.22-2.38（m,6H），6.82（d,3H），7.09（dd,3H），7.21-7.23（t,6H），7.27-7.41（m,15H），7.62（d,6H），7.97（d,3H）。
接着，利用液相层析质谱分析对通过本实施例得到的[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）进行分析。
在LC/MS分析中，使用Waters Corporation制造的Acquity UPLC及Waters Corporation制造的Xevo G2Tof MS。
在MS分析中，通过电喷雾离子化法（ESI）进行离子化，此时，将毛细管电压设定为3.0kV，将样品锥孔电压设定为30V，并且以正模式进行检测。再者，将以上述条件被离子化了的成分在碰撞室（collision cell）内碰撞到氩气体来使其离解为多个子离子。将氩碰撞时的能量（碰撞能量）设定为70eV。另外，进行检测的质量范围是m/z=100至1300。
图12示出进行MS分析的测量结果。从图12的结果可知，主要在m/z=354附近、m/z=541附近、m/z=705附近、m/z=888附近及m/z=897附近，检测出本发明的一个方式的[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）的来源于子离子的峰，在m/z=1249附近检测出其来源于前体离子的峰。
在此，在LC/MS分析中，“附近”意味着由于氢离子的有无及同位素的存在而发生的子离子和前体离子的数值变化，该数值变化在于包括在相同程度的骨架的允许范围内。另外，图12所示的结果示出来源于[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）的特征，由此可以说是为了识别混合物所包含的[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）而重要的数据。
另外，图13A和图13B示出利用飞行时间二次离子质谱分析仪（ToF-SIMS）测量的本发明的一个方式的[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）的定性光谱。
另外，图13A示出正离子的测量结果，横轴表示0至500范围的m/z，纵轴表示强度（任意单位）。另外，图13B示出正离子的测量结果，横轴表示400至1300范围的m/z，纵轴表示强度（任意单位）。
作为装置使用TOF SIMS5（ION-TOF公司制造），作为一次离子源使用Bi3 ++。以脉冲宽度为11.3ns的脉冲状的方式照射一次离子，其照射量为8.2×1010ions/cm2至6.7×1011ions/cm2（1×1012ions/cm2以下），加速电压为25keV，电流值为0.2pA。另外，作为样品使用[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）的粉末进行测量。
由图13A和图13B的结果可知，主要在m/z=91、m/z=160、m/z=538及m/z=890附近，检测出本发明的一个方式的[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）的部分骨架的子离子的峰，主要在m/z=1250附近检测出其来源于前体离子的峰。
在此，在ToF-SIMS分析中，“附近”意味着由于氢离子的有无及同位素的存在而发生的子离子和前体离子的数值变化，该数值变化在于包括在相同程度的骨架的允许范围内。
另外，图13A和图13B所示的结果示出来源于[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）的特征，由此可以说是为了识别混合物所包含的[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）而重要的数据。m/z=91附近的峰被认为来源于包括在[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）的甲基苯基骨架的峰，m/z=160附近的峰被认为来源于包括在[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）的甲基苯基骨架与1,2,4三唑骨架键合而成的部分骨架的峰。
接着，利用红外吸收分光法（以下，称为“IR分析”）进行通过本实施例得到的[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）的分析。此外，在IR光谱的测量中，使用傅立叶变换红外光谱仪（Fourier TransformInfrared Spectroscopy，Thermo Nicolet Corporation制造，Nexus670型），采用使用溴化钾的压片法进行测量。
图29示出进行IR分析的结果。从图29所示的结果可知，在3500cm-1至1500cm-1之间，主要在3030cm-1附近、1600cm-1附近及1540cm-1附近检测出通过本实施例得到的[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）的吸收峰。此外，如图29所示那样，除了上述吸收峰以外，还观察到来源于烷基的多个吸收峰等。
在此，在IR分析中，“附近”在其范围内包括上述数值的±30cm-1的数值。这是因为当进行IR分析时，产生来源于溶剂的吸收带的影响或测量误差。3030cm-1附近的吸收峰被认为来源于C-H伸缩振动的信号，1600cm-1附近的吸收峰被认为来源于C-C伸缩振动的信号，1540cm-1附近的吸收峰被认为来源于C=N伸缩振动的信号。尤其是，1540cm-1附近的吸收峰显著地被检测。图29所示的结果示出来源于[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）的特征，由此可以说是为了识别混合物所包含的[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）而重要的数据。
接着，测量[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）的二氯甲烷溶液的紫外可见吸收光谱（下面，简单地称为“吸收光谱”）及发射光谱。当测量吸收光谱时，使用紫外可见分光光度计（日本分光株式会社制造，V550型），将二氯甲烷溶液（0.041mmol/L）放在石英池，并在室温下进行测量。此外，当测量发射光谱时，使用荧光分光光度计（日本滨松光子学株式会社制造，FS920），将脱气的二氯甲烷溶液（0.041mmol/L）放在石英池，并在室温下进行测量。图14示出所得到的吸收光谱及发射光谱的测量结果。横轴表示波长，纵轴表示吸收强度及发光强度。此外，在图14中表示两个实线，细的实线表示吸收光谱，粗的实线表示发射光谱。图14所示的吸收光谱表示从将二氯甲烷溶液（0.041mmol/L）放在石英池而测量的吸收光谱减去只将二氯甲烷放在石英池而测量的吸收光谱来得到的结果。
如图14所示，[Ir（Pr5b3tz1-mp）3]（简称）在469nm及497nm具有发光峰，并且从二氯甲烷溶液观察到淡蓝色的发光。
实施例3
在本实施例中，对将实施方式1及实施例1所示的由结构式（116）表示的有机化合物用于发光层的发光元件1进行评价。以下，示出在本实施例中使用的材料的化学式。
[化学式28]
使用图15说明发光元件1。以下，示出本实施例的发光元件1的制造方法。
（发光元件1）
首先，在衬底1100上通过溅射法形成包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡化合物（ITO-SiO2，以下简称为ITSO）形成第一电极1101。另外，所使用的靶材的组成比为In2O3：SnO2：SiO2=85：10：5[wt.%]。另外，将第一电极1101的厚度设定为110nm，且将其电极面积设定为2mm×2mm。在此，第一电极1101是用作发光元件的阳极的电极。
接着，作为用来在衬底1100上形成发光元件的预处理，在用水洗涤衬底1100表面并以200℃进行焙烧1小时之后，对该衬底1100进行UV臭氧处理370秒。
然后，将衬底1100放进到真空蒸镀装置中，其内部被减压到10-4Pa左右。在真空蒸镀装置内的加热室中，以170℃进行30分钟的真空焙烧，然后使衬底1100冷却30分钟左右。
接着，以使形成有第一电极1101的面朝下的方式将形成有第一电极1101的衬底1100固定在设置在真空蒸镀装置内的衬底支架上，并将压力降低到10-4Pa左右，然后在第一电极1101上通过共蒸镀4,4’-二（N-咔唑基）联苯（简称：CBP）和氧化钼，形成空穴注入层1111。将其厚度设定为60nm，将CBP（简称）与氧化钼的重量比调节为4：2（=CBP：氧化钼）。另外，共蒸镀法是指在一个处理室中从多个蒸发源同时进行蒸镀的蒸镀法。
接着，在空穴注入层1111上形成厚度为20nm的1,3-双（N-咔唑基）苯（简称：mCP）的膜，来形成空穴传输层1112。
而且，共蒸镀mCP（简称）与在实施例1中合成的[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称），来在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，将mCP（简称）与[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的重量比调节为1：0.06（=mCP：[Ir（Prn3tz1-mp）3]）。此外，将发光层1113的厚度设定为30nm。
在发光层1113中，[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）是客体材料（掺杂剂）。
接着，在发光层1113上形成厚度为20nm的2-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑（简称：mDBTBIm-II），来形成第一电子传输层1114a。
接着，在第一电子传输层1114a上形成厚度为15nm的红菲绕啉（简称：BPhen）的膜，来形成第二电子传输层1114b。
而且，在第二电子传输层1114b上以1nm的厚度蒸镀氟化锂（LiF）,来形成电子注入层1115。
最后，作为用作阴极的第二电极1103通过以200nm的厚度蒸镀铝膜来制造本实施例的发光元件1。
表1示出通过上述步骤得到的本实施例中的发光元件1的元件结构。
[表1]
接着，在氮气气氛的手套箱中，密封发光元件1以不使其暴露于大气（具体而言，将密封剂涂敷在元件的周围，在进行密封时，以80℃进行热处理1小时）。然后，对该发光元件1的工作特性进行测量。另外，在室温（保持为25℃的气氛）下进行测量。
图16示出发光元件1的电流密度-亮度特性。在图16中，横轴表示电流密度（mA/cm2），纵轴表示亮度（cd/m2）。图17示出发光元件1的电压-亮度特性。在图17中，横轴表示电压（V），纵轴表示亮度（cd/m2）。图18示出发光元件1的亮度-电流效率特性。在图18中，横轴表示亮度（cd/m2），纵轴表示电流效率（cd/A）。图19示出发光元件1的电压-电流特性。在图19中，横轴表示电压（V），纵轴表示电流（mA）。
从图16及图18可知，发光元件1是高效率的发光元件。另外，从图16、图17及图19可知，发光元件1是电压驱动低且耗电量低的发光元件。
接着，表2表示亮度为1275cd/m2时的发光元件1的电压（V）、电流密度（mA/cm2）、CIE色度坐标（x,y）、亮度（cd/m2）、电流效率（cd/A）以及外部量子效率（%）。
[表2]
图20示出发光元件1的电流密度为2.5mA/cm2时的发射光谱。如图20所示那样，发光元件1的发射光谱在517nm、557nm及609nm处具有峰。
此外，如表2所示那样，亮度为1275cd/m2时的发光元件1的CIE色度坐标是（x,y）=（0.37,0.61）。由此可知，可以得到来源于掺杂剂的发光。
如上所述，将[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）用于发光层的发光元件1可以高效地发射蓝绿色波长区域中的光。由此可知，[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）是适合于在蓝色至黄色的波长区域中发射光的发光材料的客体材料。
实施例4
在本实施例中，对在与上述实施例3所示的发光元件1不同的结构的发光元件2进行评价。以下，示出在本实施例中使用的材料的化学式。
[化学式29]
使用图21说明发光元件2。以下，示出本实施例的发光元件2的制造方法。
（发光元件2）
首先，在衬底1100上通过溅射法形成包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡化合物（ITSO）形成第一电极1101。另外，所使用的靶材的组成比为In2O3：SnO2：SiO2=85：10：5[wt.%]。另外，将第一电极1101的厚度设定为110nm，且将其电极面积设定为2mm×2mm。在此，第一电极1101是用作发光元件的阳极的电极。
接着，作为用来在衬底1100上形成发光元件的预处理，在用水洗涤衬底1100表面并以200℃进行焙烧1小时之后，对该衬底1100进行UV臭氧处理370秒。
然后，将衬底1100放进到真空蒸镀装置中，其内部被减压到10-4Pa左右。在真空蒸镀装置内的加热室中，以170℃进行30分钟的真空焙烧，然后使衬底1100冷却30分钟左右。
接着，以使形成有第一电极1101的面朝下的方式将形成有第一电极1101的衬底1100固定在设置在真空蒸镀装置内的衬底支架上，并将压力降低到10-4Pa左右，然后在第一电极1101上通过共蒸镀4,4’-二（N-咔唑基）联苯（简称：CBP）和氧化钼，从而形成空穴注入层1111。将空穴注入层1111的厚度设定为60nm，将CBP（简称）与氧化钼的重量比调节为4：2（=CBP：氧化钼）。
接着，在空穴注入层1111上形成厚度为20nm的4-苯基-4’-（9-苯基芴-9-基）三苯胺（简称：BPAFLP）的膜，来形成空穴传输层1112。
而且，共蒸镀2-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑（简称：mDBTBIm-II）、9-苯基-9H-3-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）-咔唑（简称：PCCP）和在实施例1中合成的三{3-[1-（2-甲基苯基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑-3-基-κN4]-2-萘基（naphthalenyl）-κC}铱（Ⅲ）（别名：三[1-（2-甲基苯基）-3-（2-萘基）-5-丙基-1H-1,2,4-三唑（triazolato）]铱（Ⅲ）（简称：[Ir（Prn3tz1-mp）3]）），来在空穴传输层1112上形成第一发光层1113a。在此，将mDBTBIm-II（简称）、PCCP（简称）和[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的重量比调节为1：0.3：0.06（=mDBTBIm-II：PCCP：[Ir（Prn3tz1-mp）3]）。此外，将第一发光层1113a的厚度设定为20nm。
接着，在第一发光层1113a上共蒸镀mDBTBIm-II（简称）和[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称），来形成第二发光层1113b。在此，将mDBTBIm-II（简称）和[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）的重量比调节为1：0.06（=mDBTBIm-II：[Ir（Prn3tz1-mp）3]）。此外，将第二发光层1113b的厚度设定为20nm。
此外，在第一发光层1113a和第二发光层1113b中，[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）是客体材料（掺杂剂）。
接着，在第二发光层1113b上形成厚度为15nm的mDBTBIm-II（简称）的膜，来形成第一电子传输层1114a。
接着，在第一电子传输层1114a上形成厚度为20nm的BPhen（简称）的膜，来形成第二电子传输层1114b。
而且，在第二电子传输层1114b上以1nm的厚度蒸镀氟化锂（LiF）,来形成电子注入层1115。
最后，作为用作阴极的第二电极1103，通过以200nm的厚度蒸镀铝膜来制造本实施例的发光元件2。
表3示出通过上述步骤得到的发光元件2的元件结构。
[表3]
接着，在氮气气氛的手套箱中，密封发光元件2以不使其暴露于大气（具体而言，将密封剂涂敷在元件的周围，当进行密封时，以80℃进行热处理1小时）。然后，对该发光元件2的工作特性进行测量。另外，在室温（保持为25℃的气氛）下进行测量。
图22示出发光元件2的电流密度-亮度特性。在图22中，横轴表示电流密度（mA/cm2），纵轴表示亮度（cd/m2）。图23示出发光元件2的电压-亮度特性。在图23中，横轴表示电压（V），纵轴表示亮度（cd/m2）。图24示出发光元件2的亮度-电流效率特性。在图24中，横轴表示亮度（cd/m2），纵轴表示电流效率（cd/A）。图25示出发光元件2的电压-电流特性。在图25中，横轴表示电压（V），纵轴表示电流（mA）。
从图22及图24可知，发光元件2是高效率的发光元件。另外，从图22、图23及图25可知，发光元件2是电压驱动低且耗电量低的发光元件。
表4表示亮度为989cd/m2时的发光元件2的电压（V）、电流密度（mA/cm2）、CIE色度坐标（x,y）、亮度（cd/m2）、电流效率（cd/A）以及外部量子效率（%）。
[表4]
图26示出发光元件2的电流密度为2.5mA/cm2时的发射光谱。如图26所示那样，发光元件2的发射光谱在518nm、559nm及607nm处具有峰。
此外，如表4所示那样，亮度为989cd/m2时的发光元件2的CIE色度坐标是（x，y）=（0.36,0.61）。由此可知，可以得到来源于掺杂剂的发光。
如上所述，将[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）用于发光层的发光元件2可以高效地发射蓝绿色波长区域中的光。由此可知，[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）是适合于在蓝色至黄色的波长区域中发射光的发光材料的客体材料。
接着，对上述发光元件2进行可靠性试验。图27示出可靠性试验的结果。
在可靠性试验中，在将初始亮度设定为1000cd/m2并电流密度恒定的条件下驱动发光元件2。图27示出其结果。横轴表示元件的驱动时间（h），纵轴表示起始亮度为100%时的归一化亮度（%）。从图27可知，直到发光元件2的归一化亮度降低到50%以下为止，需要57小时左右的驱动时间。
从图27可知，发光元件2具有长使用寿命。
从上述结果，将[Ir（Prn3tz1-mp）3]（简称）用于发光层的发光元件2具有高效率、低驱动电压、低耗电量以及长使用寿命。
符号说明
100 衬底
101 第一电极
102 EL层
103 第二电极
111 空穴注入层
112 空穴传输层
113 发光层
114 电子传输层
115 电子注入层
201 第一电极
203 第二电极
210 EL层
213 第一有机化合物
214 第二有机化合物
215 第三有机化合物
221 空穴注入层
222 空穴传输层
223 发光层
224 电子传输层
225 电子注入层
301 第一电极
303 第二电极
311 第一发光层
312 第二发光层
313 电荷产生层
401 源极侧驱动电路
402 像素部
403 栅极侧驱动电路
404 密封衬底
405 密封剂
407 空间
408 布线
409 FPC
410 元件衬底
411 开关TFT
412 电流控制TFT
413 第一电极
414 绝缘体
416 EL层
417 第二电极
418 发光元件
423 n沟道型TFT
424 p沟道型TFT
501 衬底
502 第一电极
503 第二电极
504 EL层
505 绝缘层
506 分隔层
601 照明装置
602 照明装置
603 台式照明装置
1100 衬底
1101 第一电极
1103 第二电极
1111 空穴注入层
1112 空穴传输层
1113 发光层
1113a 第一发光层
1113b 第二发光层
1114a 第一电子传输层
1114b 第二电子传输层
1115 电子注入层
2001 第一衬底
2002 发光部
2005a 第一密封剂
2005b 第二密封剂
2006 第二衬底
2011 第二空间
2013 第一空间
3000 发光装置
3001 衬底
3003a 下部电极
3003b 下部电极
3003c 下部电极
3005a 透明导电层
3005b 透明导电层
3005c 透明导电层
3007a 分隔壁
3007b 分隔壁
3007c 分隔壁
3007d 分隔壁
3009 空穴注入层
3011 空穴传输层
3013a 发光层
3013b 发光层
3013c 发光层
3015 电子传输层
3017 电子注入层
3019 上部电极
3020a 发光元件
3020b 发光元件
3020c 发光元件
3100 发光装置
3101 衬底
3103a 下部电极
3103b 下部电极
3103c 下部电极
3105a 透明导电层
3105b 透明导电层
3107a 分隔壁
3107b 分隔壁
3107c 分隔壁
3107d 分隔壁
3110 空穴注入层以及空穴传输层
3112 第一发光层
3114 电荷产生层
3116 第二发光层
3118 电子传输层以及电子注入层
3119 上部电极
3120a 发光元件
3120b 发光元件
3120c 发光元件
4000 照明装置
4001 照明装置
4003 衬底
4005 衬底
4007 发光元件
4009 电极
4011 电极
4013 下部电极
4014 EL层
4015 上部电极
4017 辅助布线
4019 密封衬底
4021 密封剂
4023 干燥剂
4025 衬底
4027 扩散板
4100 照明装置
4101 照明装置
4103 密封衬底
4105 平坦化膜
4107 发光元件
4109 电极
4111 电极
4113 下部电极
4114 EL层
4115 上部电极
4117 辅助布线
4121 密封剂
4125 衬底
4127 扩散板
4129 阻挡膜
4131 绝缘层
4500 触摸传感器
4510 导电层
4510a 导电层
4510b 导电层
4510c 导电层
4520 导电层
4540 电容器
4710 电极
4810 绝缘层
4820 绝缘层
4910 衬底
4920 衬底
5000 显示模块
5001 上部外壳
5002 下部外壳
5003 FPC
5004 触摸屏
5005 FPC
5006 显示面板
5007 背光灯单元
5008 光源
5009 框架
5010 印刷衬底
5011 电池
7100 电视装置
7101 框体
7103 显示部
7105 支架
7107 显示部
7109 操作键
7110 遥控操作机
7201 主体
7202 框体
7203 显示部
7204 键盘
7205 外部连接端口
7206 指向装置
7301 框体
7302 框体
7303 联结部
7304 显示部
7305 显示部
7306 扬声器部
7307 记录媒体插入部
7308 LED灯
7309 操作键
7310 连接端子
7311 传感器
7312 麦克风
7400 移动电话机
7401 框体
7402 显示部
7403 操作按钮
7404 外部连接端口
7405 扬声器
7406 麦克风
7501 照明部
7502 灯罩
7503 可调支架（adjustable arm）
7504 支柱
7505 台
7506 电源
9501 照明部
9503 支柱
9505 支架
Claims (18)
1.一种有机化合物，包括：
1,2,4-三唑骨架；
苯基骨架；
亚芳基骨架；以及
选自第9族或第10族的金属,
其中，位于所述1,2,4-三唑骨架的4位的氮与所述金属配位，位于所述1,2,4-三唑骨架的1位的氮与所述苯基骨架键合，
所述亚芳基骨架与所述1,2,4-三唑骨架的3位和所述金属键合，
其中，由ToF-SIMS分析，所述有机化合物在m/z=600至m/z=2000的范围内呈现前体离子的峰，在m/z=75至m/z=300的范围内呈现子离子的峰。
2.根据权利要求1所述的有机化合物，其中所述有机化合物在m/z=91附近呈现第一子离子的峰，在m/z=160附近呈现第二子离子的峰，在m/z=1171附近呈现前体离子的峰。
3.根据权利要求2所述的有机化合物，其中所述第一子离子的峰与所述第二子离子的峰之间的m/z差异对应于所述1,2,4-三唑骨架的分子量。
4.根据权利要求1所述的有机化合物，其中所述有机化合物在m/z=91附近呈现第一子离子的峰，在m/z=160附近呈现第二子离子的峰，在m/z=1250附近呈现前体离子的峰。
5.根据权利要求1所述的有机化合物，其中所述金属为铱。
6.一种包括根据权利要求1所述的有机化合物的发光元件。
7.一种发光元件，包括：
第一电极；
与所述第一电极对置的第二电极；以及
所述第一电极与所述第二电极之间的包含有机化合物的发光层，
其中，所述有机化合物包括：
1,2,4-三唑骨架；
苯基骨架；
亚芳基骨架；以及
选自第9族或第10族的金属,
其中，位于所述1,2,4-三唑骨架的4位的氮与所述金属配位，位于所述1,2,4-三唑骨架的1位的氮与所述苯基骨架键合，
所述亚芳基骨架与所述1,2,4-三唑骨架的3位和所述金属键合，
其中，由ToF-SIMS分析，所述有机化合物在m/z=600至m/z=2000的范围内呈现前体离子的峰，在m/z=75至m/z=300的范围内呈现子离子的峰。
8.根据权利要求7所述的发光元件，其中所述有机化合物在m/z=91附近呈现第一子离子的峰，在m/z=160附近呈现第二子离子的峰，在m/z=1171附近呈现前体离子的峰。
9.根据权利要求8所述的发光元件，其中所述第一子离子的峰与所述第二子离子的峰之间的m/z差异对应于所述1,2,4-三唑骨架的分子量。
10.根据权利要求7所述的发光元件，其中所述有机化合物在m/z=91附近呈现第一子离子的峰，在m/z=160附近呈现第二子离子的峰，在m/z=1250附近呈现前体离子的峰。
11.根据权利要求7所述的发光元件，其中所述金属为铱。
12.一种包括根据权利要求7所述的发光元件的发光装置。
13.根据权利要求12所述的发光装置，还包括触摸传感器。
14.一种有机化合物，包括：
1,2,4-三唑骨架；
苯基骨架；
亚芳基骨架；以及
选自第9族或第10族的金属,
其中，位于所述1,2,4-三唑骨架的4位的氮与所述金属配位，位于所述1,2,4-三唑骨架的1位的氮与所述苯基骨架键合，
其中，所述亚芳基骨架与所述1,2,4-三唑骨架的3位和所述金属键合，
其中，由IR分析，所述有机化合物在1540cm-1附近呈现峰。
15.根据权利要求14所述的有机化合物，其中所述有机化合物在3030cm-1附近及1600cm-1附近还呈现峰。
16.根据权利要求14所述的有机化合物，其中所述1540cm-1附近的峰来源于C=N伸缩振动。
17.根据权利要求14所述的有机化合物，其中所述金属为铱。
18.一种包括根据权利要求14所述的有机化合物的发光元件。
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|---|---|---|---|---|
| KR102027246B1 (ko) * | 2013-03-14 | 2019-10-01 | 삼성전자주식회사 | 디지타이저 및 그 제조 방법 |
| JP7124589B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2022-08-24 | 住友化学株式会社 | 発光素子 |
| CN109935730B (zh) * | 2019-03-28 | 2021-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| JP7286465B2 (ja) * | 2019-08-02 | 2023-06-05 | キヤノン株式会社 | 有機化合物及び有機発光素子 |
| KR20220007827A (ko) * | 2020-07-10 | 2022-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 재료의 정제 방법 및 상기 방법으로 정제된 재료를 포함하는 발광 소자 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1696243A (zh) * | 2005-06-28 | 2005-11-16 | 友达光电股份有限公司 | 发光材料及使用其的有机电激发光组件 |
| CN1791655A (zh) * | 2003-05-16 | 2006-06-21 | 埃西斯创新有限公司 | 有机发磷光物质和有机光电子器件 |
| JP2008069268A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| US20090102370A1 (en) * | 2006-04-20 | 2009-04-23 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Compound, electroluminescent element containing the same, illuminating device and display device |
| JP2011253980A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、表示装置及び照明装置 |
| CN102574883A (zh) * | 2009-11-02 | 2012-07-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 有机金属配合物、发光元件、显示器件、电子器件和照明器件 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8852755B2 (en) | 2004-08-13 | 2014-10-07 | Merck Patent Gmbh | Oxadiazole metallic complexes and their electronic and opto-electronic applications |
| JP5072312B2 (ja) | 2005-10-18 | 2012-11-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機金属錯体及びそれを用いた発光素子、発光装置 |
| US7807839B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometallic complex, and light-emitting element and light-emitting device using the same |
| JP2007208102A (ja) | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| JP5181448B2 (ja) | 2006-09-13 | 2013-04-10 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料 |
| JP5644050B2 (ja) | 2006-09-20 | 2014-12-24 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料 |
| WO2009107497A1 (ja) | 2008-02-27 | 2009-09-03 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及び表示装置 |
| US8513883B2 (en) * | 2008-12-31 | 2013-08-20 | Nokia Corporation | Electroluminescent device having piezoelectric component |
| JP5787538B2 (ja) | 2010-02-16 | 2015-09-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機金属錯体及びそれを用いた発光素子、発光装置及び電子機器 |
| US9005773B2 (en) | 2010-03-15 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometallic complex, light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| JP2013010752A (ja) | 2011-06-03 | 2013-01-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機金属錯体、有機発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 |
| JP5905270B2 (ja) | 2012-01-18 | 2016-04-20 | 住友化学株式会社 | 金属錯体及び該金属錯体を含む発光素子 |
-
2013
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1791655A (zh) * | 2003-05-16 | 2006-06-21 | 埃西斯创新有限公司 | 有机发磷光物质和有机光电子器件 |
| CN1696243A (zh) * | 2005-06-28 | 2005-11-16 | 友达光电股份有限公司 | 发光材料及使用其的有机电激发光组件 |
| US20090102370A1 (en) * | 2006-04-20 | 2009-04-23 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Compound, electroluminescent element containing the same, illuminating device and display device |
| JP2008069268A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| CN102574883A (zh) * | 2009-11-02 | 2012-07-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 有机金属配合物、发光元件、显示器件、电子器件和照明器件 |
| JP2011253980A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、表示装置及び照明装置 |
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