CN103827790B - 触摸屏及触摸屏的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种触摸屏,包括在第1方向上延伸的多个第1透明导电图案;在与所述第1方向正交的第2方向上延伸的多个第2透明导电图案;与所述各第1透明导电图案电性连接的多条第1周边配线;及与所述各第2透明导电图案电性连接的多条第2周边配线。第1及第2周边配线、与第1及第2透明导电图案经由使一侧敞开的U字形状的绝缘膜而电性连接。第1及第2透明导电图案将自绝缘膜露出的第1及第2周边配线的全部覆盖。由此,提供即便在经由形成在绝缘膜上的通孔的接触区域中,也可与周边配线达成良好的接触(导通),更可防止周边配线的腐蚀的触摸屏。
Description
技术领域
本发明涉及一种触摸屏及触摸屏的制造方法,尤其涉及一种应用含有粘合剂(binder)与导电性纤维的透明导电图案的触摸屏的技术。
背景技术
近年来,触摸屏正受到瞩目。触摸屏主要应用于个人数字助理(Personal Digital Assistance,PDA)(移动信息终端机)或移动电话等小尺寸装置,但考虑通过应用于个人电脑用显示器等而推进大尺寸化。
作为触摸屏的透明电极,使用氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)。但是,存在如下等课题:作为ITO的原料的铟的价格高且稳定供给存在极限,因制作薄膜时需要真空过程而导致制造成本变高,另外,ITO膜脆、耐弯曲性欠佳。
因此,作为触摸屏的透明电极,正研究使用含有金属细线(导电性纤维)的透明导电膜。专利文献1揭示将如下的透明导电膜适宜地用于触摸屏等,该透明导电膜通过将透明导电纤维层转印至透明膜基材上来制造,且兼具高导电性与良好的透明性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2009-231029号公报
发明内容
发明要解决的课题
在触摸屏等电子机器中,电极配线彼此经由形成在绝缘膜上的通孔而电性连接。但是,在专利文献1中所记载的方法的情况下,会产生如下的问题:在接触区域中,电极配线彼此的接触并不充分,无法取得接触而产生导通不良。
本发明是考虑到此种课题而完成的发明。本发明的目的在于提供一种触摸屏,其即便在通过转印而形成透明导电膜的情况下,在经由形成在绝缘膜上的通孔的接触区域中,也可与周边配线进行充分的接触,并可与周边配线达成良好的接触(导通),进而可防止周边配线的腐蚀。
解决问题的技术手段
本发明的一形态的触摸屏包括:透明基板;多个第1透明导电图案,其在上述透明基板上沿第1方向而形成、且含有粘合剂与导电性纤维;多个第2透明导电图案,其在上述透明基板上沿与上述第1方向正交的第2方向而形成、且含有粘合剂与导电性纤维;多条第1周边配线,其形成在上述透明基板上,并与上述各第1透明导电图案的端部电性连接;多条第2周边配线,其形成在上述透明基板上,并与上述各第2透明导电图案的端部电性连接;第1连接构造,其连接上述各第1透明导电图案与上述各第1周边配线;以及第2连接构造,其连接上述各第2透明导电图案与上述各第2周边配线;上述第1连接构造包括上述第1周边配线、形成在上述第1周边配线上且具有用以使上述第1周边配线的一部分露出的开口的U字形状的第1绝缘膜、及覆盖所露出的上述第1周边配线的上述第1透明导电图案,且上述第1绝缘膜的膜厚与上述第1绝缘膜的开口长度的比(第1绝缘膜的开口长度/第1绝缘膜的膜厚)为25以上。
另外,在本发明的一形态的触摸屏中,优选为上述第2连接构造包括上述第2周边配线、形成在上述第2周边配线上且具有用以使上述第2周边配线的一部分露出的开口的U字形状的第2绝缘膜、及覆盖所露出的上述第2周边配线的上述第2透明导电图案,且上述第2绝缘膜的膜厚与上述第2绝缘膜的开口长度的比(第2绝缘膜的开口长度/第2绝缘膜的膜厚)为25以上。
优选为上述第1透明导电图案的膜厚与上述第1绝缘膜的膜厚的比(第1绝缘层的膜厚/第1透明导电图案的膜厚)为5以上、20以下、和/或上述第2透明导电图案的膜厚与上述第2绝缘膜的膜厚的比(第2绝缘层的膜厚/第2透明导电图案的膜厚)为5以上、20以下。
优选为上述导电性纤维为银纳米线。
优选为上述第1周边配线、及上述第2周边配线是以金属膜所构成。
优选为上述导电性纤维具有50nm以下的短轴。
根据本发明的另一形态,触摸屏的制造方法包括如下步骤:在透明基板上形成多条第1周边配线与多条第2周边配线;在上述各第1周边配线上形成具有用以使上述第1周边配线的一部分露出的开口的U字形状的第1绝缘膜、和/或在上述各第2周边配线上形成具有用以使上述第2周边配线的一部分露出的开口的U字形状的第2绝缘膜;在转印基材上形成含有粘合剂与导电性纤维的导电层;将上述转印基材上的上述导电层转印至上述透明基板上,覆盖上述第1周边配线、和/或上述第2周边配线的露出部,并将上述各第1周边配线及上述第2周边配线与上述导电层电性连接;以及将上述导电层图案化,形成在第1方向上延伸的多个第1透明导电图案、及在与上述第1方向正交的第2方向上延伸的多个第2透明导电图案。
优选为当将上述转印基材上的上述导电层转印至上述透明基板上时,上述透明基板为90℃以上、120℃以下的温度范围。
优选为当将上述转印基材上的上述导电层转印至上述透明基板上时,转印压力为0.4MPa以上、0.8MPa以下的范围。
发明的效果
根据本发明,即便在通过转印而形成透明导电膜的情况下,在接触区域中也可与周边配线达成充分的接触,因此可形成周边配线与透明导电膜的良好的接触(导通)。进而,可防止周边配线的腐蚀。
附图说明
[图1]是示意性地表示本实施形态的触摸屏的平面图
[图2A]是包含周边配线与绝缘膜的接触区域的平面图
[图2B]是沿图2A所示的平面图中的A-A线的剖面图
[图3A]是包含周边配线、绝缘膜、及透明导电图案的接触区域的平面图
[图3B]是沿图3A所示的平面图中的B-B线的剖面图
[图4]是表示导电层转印材料的一例的概略图
[图5]是表示导电层转印材料的另一例的概略图
[图6A]是说明使用导电层转印材料的转印方法的说明图(其1)
[图6B]是说明使用导电层转印材料的转印方法的说明图(其2)
[图6C]是说明使用导电层转印材料的转印方法的说明图(其3)
[图7A]是表示多个连接构造的概略图(其1)
[图7B]是表示多个连接构造的概略图(其2)
[图7C]是表示多个连接构造的概略图(其3)
[图8A]是表示其他多个连接构造的概略图(其1)
[图8B]是表示其他多个连接构造的概略图(其2)
[符号的说明]
具体实施方式
1:转印基材
2:缓冲层
3:导电层
4:密接层
6:导电层转印材料
7:导电层转印材料
8:玻璃基板
10:触摸屏
20:透明基板
30:第1透明导电图案
32:第1感知部
34:第1连接部
36:连接部
38:第1绝缘膜
40:第2透明导电图案
42:第2感知部
44:第2连接部
46:连接部
48:第2绝缘膜
50:绝缘膜
60:第1周边配线
60a、70a:线部
60b、70b:垫部
60c、70c:垫
70:第2周边配线
100:金属层
102:绝缘膜
104:透明导电膜
L:开口长度
S:传感器区域
t1、t2:膜厚
以下,根据附图对本发明的优选的实施形态进行说明。本发明是通过以下的优选的实施形态来说明,但可不脱离本发明的范围,而利用多种方法进行变更,可利用本实施形态以外的其他实施形态。因此,本发明的范围内的所有变更包含于权利要求的范围中。
以下,一面参照图1~图3B一面说明本实施形态的配线构造体、及触摸屏。
触摸屏10具备透明基板20、形成在透明基板20上的多个第1透明导电图案30、及多个第2透明导电图案40。各第1透明导电图案30沿第1方向而配置,各第2透明导电图案40沿与第1方向正交的第2方向而配置。
第1透明导电图案30具备多个第1感知部32、及将多个第1感知部32之间电性连接的第1连接部34。第1感知部32具有宽度大的菱形形状,第1连接部34具有宽度小的窄条形状(reed shape)。关于第1透明导电图案30,使第1感知部32与第1连接部34一体地形成。
第2透明导电图案40具备多个第2感知部42、及将多个第2感知部42之间电性连接的第2连接部44。第2感知部42具有宽度大的菱形形状,第2连接部44具有宽度小的窄条形状。第2连接部44形成在第1连接部34上所形成的绝缘膜50上。即,在窄条形状的第1连接部34上形成实质上与第1连接部34相同形状的绝缘膜50,在绝缘膜50上形成宽度比绝缘膜50小的窄条形状的第2连接部44。关于第2透明导电图案40,使第2感知部42与 第2连接部44独立地形成。再者,对绝缘膜50要求透明性。因此,作为绝缘膜50的材料,作为无机材料,可考虑SiO2、SiOx、SiNx、SiOxNy(X、Y分别为任意的整数),作为有机材料,可考虑丙烯酸树脂等。
第1透明导电图案30与第2透明导电图案40是以于俯视(planar view)下,第1感知部32与第2感知部42不相互重叠的方式配置。另一方面,第1连接部34与第2连接部44是以于俯视下进行交叉的方式配置。但是,第1连接部34与第2连接部44通过绝缘膜50而电性分离。
通过如上述般配置第1透明导电图案30与第2透明导电图案40,而构成所谓的规则地配置的菱形图案(diamond pattern)。第1透明导电图案30与第2透明导电图案40均包含含有导电性纤维与粘合剂的透明导电膜。
作为导电性纤维的构造,并无特别限制,可根据目的而适宜选择,但优选为实心构造及中空构造的任一种。此处,有时将实心构造的纤维称为线(wire),有时将中空构造的纤维称为管(tube)。
有时将平均短轴长度为5nm~1,000nm,平均长轴长度为1μm~100μm的导电性纤维称为“纳米线”。
另外,有时将平均短轴长度为1nm~1,000nm,平均长轴长度为0.1μm~1,000μm,且具有中空构造的导电性纤维称为“纳米管”。
作为上述导电性纤维的材料,只要具有导电性,则并无特别限制,可根据目的而适宜选择,但优选为金属及碳的至少任一种。这些之中,上述导电性纤维优选为金属纳米线、金属纳米管、及碳纳米管(carbon nanotube)的至少任一种。
就透明性、雾度的观点而言,优选为平均短轴长度为50nm以下。
作为粘合剂,可自如下的碱可溶性树脂中适宜选择,该碱可溶性树脂是有机高分子聚合物、且分子(优选为将丙烯酸系共聚物作为主链的分子)中具有至少1个促进碱可溶性的基(例如羧基、磷酸基(phosphoric group)、磺酸基(sulfonic acid group)等)。
作为透明基板20的材料,例如可使用:无碱玻璃、钠玻璃等透明玻璃基板,或聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚砜(Polyethersulfone,PES)等透明合成树脂基板等。就透明度及尺寸稳定性的观点而言,优选为使用无 碱玻璃、PET。
通过多个第1透明导电图案30与多个第2透明导电图案40,而在透明基板20上形成传感器区域S。在透明基板20上的传感器区域S的外周区域,形成多条第1周边配线60与多条第2周边配线70。第1周边配线60的一端与第1透明导电图案30的一端电性连接。第1周边配线60的另一端与外部连接端子(未图示)电性连接。第1周边配线60包含宽度细的线部60a,且在一端包含相对于线部60a宽度大的垫部60b,在另一端包含相对于线部60a宽度大的垫60c。
第2周边配线70的一端与第2透明导电图案40的一端电性连接。第2周边配线70的另一端与外部连接端子(未图示)电性连接。第2周边配线70包含宽度细的线部70a,且在一端包含相对于线部70a宽度大的垫部70b,在另一端包含相对于线部70a宽度大的垫70c。
第1周边配线60与第2周边配线70以金属膜所构成。金属膜例如包含Al、Ag、Cu、Mo、Ti、Cr等材料,或这些的合金。金属膜还可包含多种材料的积层膜。例如,还可为包含Mo(或Mo合金)/Al(或Al合金)/Mo(或Mo合金)的积层膜。
第1透明导电图案30的一端包含与垫部60b电性连接的宽度大的连接部36。连接部36经由U字形状的绝缘膜38而与垫部60b电性连接。
第2透明导电图案40的一端包含与垫部70b电性连接的宽度大的连接部46。连接部46经由U字形状的绝缘膜48而与垫部70b电性连接。
图2A是表示接触区域中的垫部60b(70b)与绝缘膜38(48)的放大平面图。图2B是沿A-A线的剖面图。在透明基板(未图示)上形成宽度细的线部60a(70a),且在线部60a(70a)的一端形成相对于线部60a(70a)宽度大的垫部60b(70b)。在垫部60b(70b)上,形成具有用以使垫部60b(70b)的一部分露出的开口的U字形状的绝缘膜38(48)。在本实施形态中,用以连接上下的配线的接触孔是由俯视下一侧敞开的U字形状的绝缘膜38(48)形成。另一方面,通常的接触孔是由俯视下将周围全部包围的绝缘膜形成。在本实施形态中,绝缘膜的形状与从前不同。
U字形状的绝缘膜38(48)具有规定的开口长度L(相向的绝缘膜38间的距离)。U字形状的绝缘膜38(48)具有规定的膜厚t1。
图3A是表示接触区域中的垫部60b(70b)、绝缘膜38(48)与连接部36(46)的放大平面图。图3B是沿图3A中的B-B线的剖面图。以将自U字形状的绝缘膜38(48)的开口露出的垫部60b(70b)全部覆盖的方式形成连接部36(48)。
如图3B所示,U字形状的绝缘膜38(48)因一侧敞开,故使连接部36(46)与垫部60b(70b)确实地电性连接(接触)。
根据本实施形态的连接构造,即便在通过转印而形成透明导电膜(连接部36、连接部46)的情况下,因绝缘膜38(48)具有一侧敞开的U字型形状,故可使透明导电膜(连接部36、连接部46)与周边配线(垫部60b、垫部70b)确实地电性连接(接触)。
另外,透明导电膜(连接部36、连接部46)是以将周边配线(垫部60b、垫部70b)的露出部全部覆盖的方式形成。其结果,可防止周边配线的腐蚀。
进而,绝缘膜38(48)的膜厚t1与绝缘膜38(48)的开口长度L的比(绝缘膜的开口长度L/绝缘膜的膜厚t1)必须为25以上。通过设为该范围,含有导电性纤维与粘合剂的透明导电膜可不存在断线地确实地与周边配线电性连接(接触)。
优选的绝缘膜膜厚t1为0.2μm以上、3.0μm以下,开口长度L优选为50μm以上。
另外,当将连接部36(46)的膜厚设为t2时,连接部36(46)的膜厚t2与绝缘膜38(48)的膜厚t1的比(绝缘膜的膜厚t1/连接部的膜厚t2)优选为5以上、20以下。通过设为该范围,连接部以外的绝缘性良好,且含有导电性纤维与粘合剂的透明导电膜可不存在断线地确实地与周边配线电性连接(接触)。
<透明导电膜>
透明导电膜至少含有粘合剂与导电性纤维。粘合剂并无特别限定,但优选为含有感光性化合物,进而视需要含有其他成分。
[导电性纤维]
作为上述导电性纤维的材料,只要具有导电性,则并无特别限制,可根据目的而适宜选择。优选为金属及碳的至少任一种,这些之中,上述导电性纤维优选为金属纳米线、金属纳米管、及碳纳米管的至少任一种。
<<金属纳米线>>
-材料-
作为上述金属纳米线的材料,并无特别限制,可根据目的而适宜选择。
-金属-
作为上述金属,例如可列举:铜、银、金、铂、钯、镍、锡、钴、铑、铱、铁、钌、锇、锰、钼、钨、铌、钽、钛、铋、锑、铅、或这些的合金等。这些之中,就导电性优异的观点而言,优选为银、以及与银的合金。
作为上述与银的合金中所使用的金属,可列举:金、铂、锇、钯、铱等。这些可单独使用1种,也可并用2种以上。
-形状-
作为上述金属纳米线的形状,并无特别限制。可根据目的而适宜选择,例如可采用圆柱状、长方体状、剖面变成多边形的柱状等任意的形状。在需要高透明性的用途中,优选为圆柱状或剖面的多边形的角变圆的剖面形状。
上述金属纳米线的剖面形状可通过如下方式来调查:将金属纳米线水分散液涂布于基材上,然后利用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)观察剖面。
-平均短轴长度及平均长轴长度-
作为上述金属纳米线的平均短轴长度(有时称为“平均短轴径”、“平均直径”),优选为1nm~50nm,更优选为10nm~40nm,进而更优选为15nm~35nm。
若上述平均短轴长度未满1nm,则存在耐氧化性恶化、耐久性变差的情况,若超过50nm,则存在产生起因于金属纳米线的散射,而无法获得充分的透明性的情况。
上述金属纳米线的平均短轴长度是使用透射电子显微镜(TEM;日本电子股份有限公司制造,JEM-2000FX),观察300个金属纳米线,并根据其平均值而求出金属纳米线的平均短轴长度。再者,上述金属纳米线的短轴并非圆形时的短轴长度是将最长的作为短轴长度。
作为上述金属纳米线的平均长轴长度(有时称为“平均长度”),优选为1μm~50μm,更优选为5μm~45μm,进而更优选为10μm~40μm。
若上述平均长轴长度未满1μm,则存在难以形成紧密的网络(network), 而无法获得充分的导电性的情况,若超过50μm,则存在金属纳米线过长而在制造时缠绕,并在制造过程中产生凝聚物的情况。
上述金属纳米线的平均长轴长度是使用例如透射电子显微镜(TEM;日本电子股份有限公司制造,JEM-2000FX),观察300个金属纳米线,并根据其平均值而求出金属纳米线的平均长轴长度。再者,当上述金属纳米线弯曲时,考虑以其为弧的圆,将根据其半径及曲率所算出的值作为长轴长度。
-制造方法-
作为上述金属纳米线的制造方法,并无特别限制,可利用任何方法来制造,但优选为如以下般通过在溶解有卤素化合物与分散添加剂的溶剂中,一面进行加热一面使金属离子还原来制造。
另外,作为金属纳米线的制造方法,可使用日本专利特开2009-215594号公报、日本专利特开2009-242880号公报、日本专利特开2009-299162号公报、日本专利特开2010-84173号公报、日本专利特开2010-86714号公报等中所记载的方法。
<<金属纳米管>>
-材料-
作为上述金属纳米管的材料,并无特别限制,可为任何金属,例如可使用上述金属纳米线的材料等。
-形状-
作为上述金属纳米管的形状,可为单层,也可为多层,但就导电性及导热性优异的观点而言,优选为单层。
-平均短轴长度、平均长轴长度、厚度-
作为上述金属纳米管的厚度(外径与内径的差),优选为3nm~80nm,更优选为3nm~30nm。
若上述厚度未满3nm,则存在耐氧化性恶化、耐久性变差的情况,若超过80nm,则存在产生起因于金属纳米管的散射的情况。
上述金属纳米管的平均长轴长度优选为1μm~40μm,更优选为3μm~35μm,进而更优选为5μm~30μm。
<<碳纳米管>>
上述碳纳米管(Carbon Nanotube,CNT)是石墨状碳原子面(石墨烯片 (graphene sheet))变成单层或多层的同轴管状的物质。上述单层的碳纳米管被称为单壁纳米管(Single-Wall Nanotube,SWNT),上述多层的碳纳米管被称为多壁纳米管(Multi-Wall Nanotube,MWNT),尤其,2层的碳纳米管也被称为双壁纳米管(Double-Wall Nanotube,DWNT)。在本发明中所使用的导电性纤维中,上述碳纳米管可为单层,也可为多层,但就导电性及导热性优异的观点而言,优选为单层。
-纵横比(aspect ratio)-
作为上述导电性纤维的纵横比,优选为10以上。上述纵横比通常是指纤维状的物质的长边与短边的比(平均长轴长度/平均短轴长度的比)。
作为上述纵横比的测定方法,并无特别限制,可根据目的而适宜选择,例如可列举利用电子显微镜等进行测定的方法等。
当利用电子显微镜来测定上述导电性纤维的纵横比时,只要可通过电子显微镜的1个视场来确认上述导电性纤维的纵横比是否为10以上即可。另外,通过分别测定上述导电性纤维的长轴长度与短轴长度,可估计上述导电性纤维整体的纵横比。
再者,当上述导电性纤维为管状时,作为用以算出上述纵横比的直径,使用该管的外径。
上述导电性纤维的纵横比只要为10以上,则并无特别限制,可根据目的而适宜选择,但优选为50~1,000,000,更优选为100~1,000,000。
若上述纵横比未满10,则存在不会由上述导电性纤维形成网络而无法充分取得导电性的情况,若超过1,000,000,则存在如下的情况:在导电性纤维的形成时或其后的处理中,因导电性纤维在成膜前缠绕并凝聚,故无法获得稳定的液体。
-纵横比为10以上的导电性纤维的比率-
作为上述纵横比为10以上的导电性纤维的比率,在所有导电性组合物中以体积比计,优选为50%以上,更优选为60%以上,特别优选为75%以上。以下,有时将这些导电性纤维的比例称为“导电性纤维的比率”。
若上述导电性纤维的比率未满50%,则存在有助于导电性的导电性物质减少而导致导电性下降的情况,同时因无法形成紧密的网络,故存在产生电压集中、且耐久性下降的情况。另外,导电性纤维以外的形状的粒子不仅对 导电性的贡献不大,而且具有吸收,故欠佳。尤其在金属的情况下,当球形等的等离子体子(plasmon)吸收强时,存在透明度恶化的情况。
此处,关于上述导电性纤维的比率,例如当导电性纤维为银纳米线时,可通过如下方式来求出导电性纤维的比率:对银纳米线水分散液进行过滤,将银纳米线与其以外的粒子分离,并使用电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP)发光分析装置分别测定残留于滤纸上的银的量、及透过了滤纸的银的量。利用TEM观察残留于滤纸上的导电性纤维,并观察300个导电性纤维的短轴长度,且对其分布进行调查,借此确认其是短轴长度为200nm以下、且长轴长度为1μm以上的导电性纤维。再者,关于滤纸,优选为使用对TEM像中短轴长度为200nm以下、且长轴长度为1μm以上的导电性纤维以外的粒子的最长轴进行测量,长度为该最长轴的2倍以上、且为导电性纤维的长轴的最短长度以下的滤纸。
此处,上述导电性纤维的平均短轴长度及平均长轴长度例如可通过使用透射电子显微镜(TEM)与光学显微镜,对TEM像或光学显微镜像进行观察而求出,在本发明中,导电性纤维的平均短轴长度及平均长轴长度是利用透射电子显微镜(TEM)对300个导电性纤维进行观察,并根据其平均值而求出者。
以下,对进一步含有导电性纤维与粘合剂(感光性树脂)的导电层加以记载,但含有感光性树脂的感光层(图案化材料)可未必与含有导电性纤维的导电层一体化,也可将导电层与感光层(图案化层)积层、或在将导电层转印至被转印体上后积层转印感光层(图案化层)、或印刷抗蚀剂材料来形成图案化用遮罩。
<<粘合剂>>
作为上述粘合剂,可自如下的碱可溶性树脂中适宜选择,该碱可溶性树脂是有机高分子聚合物、且分子(优选为将丙烯酸系共聚物作为主链的分子)中具有至少1个促进碱可溶性的基(例如羧基、磷酸基、磺酸基等)。
这些之中,优选为可溶于有机溶剂且可通过弱碱性水溶液进行显影的碱可溶性树脂,另外,特别优选为具有酸解离性基、且在酸解离性基通过酸的作用而经解离时变成碱可溶的碱可溶性树脂。
此处,上述酸解离性基是指可在酸的存在下解离的官能基。
在制造上述粘合剂时,可应用例如利用公知的自由基聚合法的方法。利用上述自由基聚合法制造碱可溶性树脂时的温度、压力、自由基引发剂的种类及其量、溶剂的种类等聚合条件可由本领域从业人员容易地设定,且可实验性地规定条件。
作为上述有机高分子聚合物,优选为侧链上具有羧酸的聚合物(具有酸性基的感光性树脂)。
作为上述侧链上具有羧酸的聚合物,例如可列举如日本专利特开昭59-44615号、日本专利特公昭54-34327号、日本专利特公昭58-12577号、日本专利特公昭54-25957号、日本专利特开昭59-53836号、日本专利特开昭59-71048号的各公报中所记载的甲基丙烯酸(methacrylic acid)共聚物、丙烯酸共聚物、衣康酸共聚物、巴豆酸(crotonic acid)共聚物、顺丁烯二酸(maleic acid)共聚物、部分酯化顺丁烯二酸共聚物等、以及侧链上具有羧酸的酸性纤维素衍生物、在具有羟基的聚合物中加成酸酐而成者等,进而还可列举侧链上具有(甲基)丙烯酰基((meth)acryloyl group)的高分子聚合物作为优选的聚合物。
这些之中,特别优选为(甲基)丙烯酸苄酯(benzyl(meth)acrylate)/(甲基)丙烯酸共聚物、包含(甲基)丙烯酸苄酯/(甲基)丙烯酸/其他单体的多元共聚物。
进而,还可列举侧链上具有(甲基)丙烯酰基的高分子聚合物、或包含(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸缩水甘油酯(glycidyl(meth)acrylate)/其他单体的多元共聚物作为有用的聚合物。该聚合物能够以任意的量混合使用。
除上述以外,还可列举日本专利特开平7-140654号公报中所记载的(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯/聚苯乙烯大分子单体(polystyrene macromonomer)/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯/聚甲基丙烯酸甲酯大分子单体/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸2-羟基乙酯/聚苯乙烯大分子单体/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸2-羟基乙酯/聚苯乙烯大分子单体/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物等。
作为上述碱可溶性树脂中的具体的构成单元,合适的是(甲基)丙烯酸、及可与该(甲基)丙烯酸共聚的其他单体。
作为上述可与(甲基)丙烯酸共聚的其他单体,例如可列举(甲基)丙烯酸烷 基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、乙烯基化合物等。这些的烷基及芳基的氢原子也可由取代基取代。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯或(甲基)丙烯酸芳基酯,例如可列举:(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸甲苯酯、(甲基)丙烯酸萘酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯等。这些可单独使用1种,也可并用2种以上。
作为上述乙烯基化合物,例如可列举:苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲基丙烯酸缩水甘油酯(glycidyl methacrylate)、丙烯腈(acrylonitrile)、乙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮(N-vinylpyrrolidone)、甲基丙烯酸四氢糠酯(tetrahydrofurfuryl methacrylate)、聚苯乙烯大分子单体、聚甲基丙烯酸甲酯大分子单体、CH2=CR1R2、CH2=C(R1)(COOR3)[其中,R1表示氢原子或碳数为1~5的烷基,R2表示碳数为6~10的芳香族烃环,R3表示碳数为1~8的烷基或碳数为6~12的芳烷基]等。这些可单独使用1种,也可并用2种以上。
就碱溶解速度、膜物性等的观点而言,上述粘合剂的重量平均分子量优选为1,000~500,000,更优选为3,000~300,000,进而更优选为5,000~200,000。
此处,上述重量平均分子量可通过凝胶渗透色谱法来测定,并利用标准聚苯乙烯校准曲线来求出。
上述粘合剂的含量相对于上述导电层整体,优选为40质量%~95质量%,更优选为50质量%~90质量%,进而更优选为70质量%~90质量%。若处于上述含量的范围内,则可谋求显影性与金属纳米线的导电性的并存。
-感光性化合物-
上述感光性化合物是指对导电层赋予通过曝光而形成图像的功能、或赋予通过曝光而形成图像的契机的化合物。具体而言,可列举:(1)通过曝光而产生酸的化合物(光酸产生剂)、(2)感光性的醌二叠氮(quinonediazide)化合物、(3)光自由基产生剂等。这些可单独使用1种,也可并用2种以上。另外,为了调整感光度,也可并用增感剂等。
--(1)光酸产生剂--
作为上述(1)光酸产生剂,可适宜地选择使用光阳离子聚合的光引发剂、光自由基聚合的光引发剂、色素类的光消色剂、光变色剂、或微抗蚀剂(microresist)等中所使用的通过光化射线或放射线的照射而产生酸的公知的化合物、及这些的混合物。
作为上述(1)光酸产生剂,并无特别限制,可根据目的而适宜选择,例如可列举:重氮盐(diazonium)、鳞盐、锍盐(sulfonium salts)、錪盐、酰亚胺磺酸盐(imidosulfonate)、肟磺酸盐(oxime sulfonate)、重氮二砜(diazo disulfone)、二砜、邻硝基苄基磺酸盐(o-nitrobenzyl sulfonate)等。这些之中,特别优选为作为产生磺酸的化合物的酰亚胺磺酸盐、肟磺酸盐、邻硝基苄基磺酸盐。
另外,关于将通过光化射线或放射线的照射而产生酸的基、或化合物导入至树脂的主链或侧链而成的化合物,例如可使用美国专利第3,849,137号说明书、德国专利第3914407号说明书、日本专利特开昭63-26653号、日本专利特开昭55-164824号、日本专利特开昭62-69263号、日本专利特开昭63-146038号、日本专利特开昭63-163452号、日本专利特开昭62-153853号、日本专利特开昭63-146029号的各公报等中所记载的化合物。
进而,还可使用美国专利第3,779,778号、欧州专利第126,712号等各说明书中所记载的通过光而产生酸的化合物。
--(2)醌二叠氮化合物--
作为上述(2)醌二叠氮化合物,例如可通过使1,2-醌二叠氮磺酰氯类、羟基化合物、氨基化合物等在脱盐酸剂的存在下进行缩合反应而获得。
就曝光部与未曝光部的溶解速度之差、及感光度的容许范围的观点而言,上述(1)光酸产生剂、及上述(2)醌二叠氮化合物的调配量相对于上述粘合剂的总量100质量份,优选为1质量份~100质量份,更优选为3质量份~80质量份。
再者,也可将上述(1)光酸产生剂与上述(2)醌二叠氮化合物并用。
本发明中,在上述(1)光酸产生剂之中,优选为产生磺酸的化合物,就高感光度的观点而言,特别优选为如下所述的肟磺酸盐化合物。
[化1]
作为上述(2)醌二叠氮化合物,若使用具有1,2-萘醌二叠氮基的化合物,则感光度高且显影性良好。
上述(2)醌二叠氮化合物之中,就高感光度的观点而言,优选为D独立为氢原子或1,2-萘醌二叠氮基的下述的化合物。
[化2]
--(3)光自由基产生剂--
上述光自由基产生剂具有如下的功能:直接吸收光,或者经光增感而产生分解反应或夺氢反应,并产生聚合活性自由基。上述光自由基产生剂优选为在波长为300nm~500nm的区域内具有吸收的。
上述光自由基产生剂可单独使用1种,也可并用2种以上。相对于透明导电膜用的涂布液总固体成分量,上述光自由基产生剂的含量优选为0.1质量%~50质量%,更优选为0.5质量%~30质量%,进而更优选为1质量%~20质量%。在上述数值范围内,可获得良好的感光度与图案形成性。
作为上述光自由基产生剂,并无特别限制,可根据目的而适宜选择,例如可列举日本专利特开2008-268884号公报中所记载的化合物群。这些之中, 就曝光灵敏度的观点而言,特别优选为三嗪(triazine)系化合物、苯乙酮(acetophenone)系化合物、酰基膦(氧化物)(acyl phosphine(oxide))系化合物、肟(oxime)系化合物、咪唑(imidazole)系化合物、二苯甲酮(benzophenone)系化合物。
作为上述光自由基产生剂,就曝光灵敏度与透明性的观点而言,合适的是2-(二甲氨基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-吗啉基(morpholinyl))苯基]-1-丁酮、2-苄基-2-二甲氨基-1-(4-吗啉基苯基(morpholinophenyl))-丁酮-1、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉基丙烷-1-酮、2,2′-双(2-氯苯基)-4,4′,5,5′-四苯基联咪唑、N,N-二乙氨基二苯甲酮、1,2-辛二酮,1-[4-(苯硫基)-,2-(邻苯甲酰基肟)]。
为了提升曝光灵敏度,透明导电膜用的涂布液还可并用光自由基产生剂与链转移剂。
作为上述链转移剂,例如可列举:N,N-二甲氨基苯甲酸乙酯等N,N-二烷基氨基苯甲酸烷基酯,2-巯基苯并噻唑、2-巯基苯并恶唑、2-巯基苯并咪唑、N-苯基巯基苯并咪唑、1,3,5-三(3-巯基丁氧基乙基)-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮等具有杂环的巯基化合物,季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)(pentaerythritol tetrakis(3-mercaptopropionate))、季戊四醇四(3-巯基丁酸酯)、1,4-双(3-巯基丁酰氧基)丁烷等脂肪族多官能巯基化合物等。这些可单独使用1种,也可并用2种以上。
上述链转移剂的含量相对于上述透明导电膜用的涂布液的总固体成分,优选为0.01质量%~15质量%,更优选为0.1质量%~10质量%,进而更优选为0.5质量%~5质量%。
-其他成分-
作为上述其他成分,例如可列举:交联剂、分散剂、溶剂、界面活性剂、抗氧化剂、抗硫化剂、抗金属腐蚀剂、粘度调整剂、防腐剂等各种添加剂等。
--交联剂--
上述交联剂是通过自由基或酸及热来形成化学键,并使导电层硬化的化合物,例如可列举:由选自羟甲基(methylol)、烷氧基甲基、酰氧基甲基中的至少1种基取代的三聚氰胺(melamine)系化合物、胍胺(guanamine)系化合物、乙炔脲(glycoluril)系化合物、脲(urea)系化合物、酚系化合物或 苯酚的醚化合物、环氧系化合物、氧杂环丁烷(oxetane)系化合物、硫环氧系化合物、异氰酸酯系化合物、或叠氮基系化合物;具有包含甲基丙烯酰基或丙烯酰基等的乙烯性不饱和基的化合物等。这些之中,就膜物性、耐热性、耐溶剂性的观点而言,特别优选为环氧系化合物、氧杂环丁烷系化合物、具有乙烯性不饱和基的化合物。
另外,上述氧杂环丁烷树脂可单独使用1种、或与环氧树脂混合使用。尤其,就反应性高、提升膜物性的观点而言,优选为与环氧树脂并用的情况。
上述交联剂的含量相对于上述粘合剂总量100质量份,优选为1质量份~250质量份,更优选为3质量份~200质量份。
--分散剂--
上述分散剂用于防止上述导电性纤维的凝聚,并使其分散。作为上述分散剂,只要可使上述导电性纤维分散,则并无特别限制,可根据目的而适宜选择,例如可利用市售的低分子颜料分散剂、高分子颜料分散剂,尤其可优选地使用具有吸附于导电性纤维的性质的高分子分散剂,例如可列举:聚乙烯基吡咯烷酮、BYK系列(毕克化学(BYK-Chemie)公司制造)、Solsperse系列(日本路博润(Lubrizol)公司制造等)、Ajisper系列(味之素股份有限公司制造)等。
作为上述分散剂的含量,相对于上述粘合剂100质量份,优选为0.1质量份~50质量份,更优选为0.5质量份~40质量份,特别优选为1质量份~30质量份。
若上述含量未满0.1质量份,则存在导电性纤维在分散液中凝聚的情况,若超过50质量份,则存在涂布步骤中无法形成稳定的液膜,而产生涂布不均的情况。
--溶剂--
作为上述溶剂,并无特别限制,可根据目的而适宜选择,例如可列举:丙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、乳酸乙酯、3-甲氧基丁醇、水、1-甲氧基-2-丙醇、乙酸异丙酯、乳酸甲酯、N-甲基吡咯烷酮(N-Methylpyrrolidone,NMP)、γ-丁内酯(Gamma-Butyrolactone,GBL)、碳酸丙烯酯等。这些可单独使用1种,也可并用2种以上。
--抗金属腐蚀剂--
作为上述抗金属腐蚀剂,并无特别限制,可根据目的而适宜选择,例如适合的是硫醇类、唑类等。
通过含有上述抗金属腐蚀剂,可发挥更优异的防锈效果。
上述抗金属腐蚀剂可通过如下方式来赋予:在溶解于透明导电膜用的涂布液的过程中,以溶解于合适的溶剂的状态或粉末的形式来添加,或者在利用透明导电膜用的涂布液制作后述的导电膜后,使该导电膜浸渍于抗金属腐蚀剂浴中。
其次,一面参照图4~图6C一面对利用转印方法的触摸屏的制造方法进行说明。
(导电层转印材料)
在触摸屏的制造方法中使用导电层转印材料。上述导电层转印材料具有转印基材,且在该转印基材上依序具有用以提升朝被转印体的转印均匀性的缓冲层、及含有粘合剂与导电性纤维的导电层。上述导电层转印材料优选为在上述导电层上具有密接层,视需要还可具有防污层、紫外线(Ultraviolet,UV)截止层、抗反射层等其他层。另外,为了防止导电层等功能层的受损或性能劣化,还可积层易粘着性的保护膜。
上述导电层转印材料只要具备上述构成,则其形状、构造、大小等并无特别限制,可根据目的而适宜选择,例如作为上述形状,可列举膜状、片状等,作为上述构造,可列举单层构造、积层构造等,作为上述大小,可根据用途等而适宜选择。
上述导电层转印材料优选为具有可挠性,且透明,上述透明除无色透明以外,包括有色透明、半透明、有色半透明等。
此处,图4是表示导电层转印材料的一例的概略图。该图4的导电层转印材料6具有转印基材1,且在该基材的一面上依序具有缓冲层2及导电层3。
另外,图5是表示导电层转印材料的另一例的概略图。该图5的导电层转印材料7是在图4的导电层转印材料6中,在导电层3上设置有密接层4的导电层转印材料。
再者,虽然省略图示,但上述导电层转印材料中的导电层可经图案化,也可未经图案化。作为上述图案化,可列举原有的ITO透明导电膜中所施行 的电极形状。具体而言,可列举WO2005/114369号手册、WO2004/061808号手册、日本专利特开2010-33478号公报、日本专利特开2010-44453号公报中所揭示的被称为条纹形状的图案、菱形图案者等。
上述导电层及上述缓冲层的合计平均厚度A与上述转印基材的平均厚度B满足下式A/B=0.01~0.7,优选为满足A/B=0.02~0.6。若上述A/B未满0.01,则存在朝被转印体的转印均匀性变低的情况,若超过0.7,则存在卷曲平衡崩溃的情况。
上述转印基材的平均厚度并无特别限制,可根据目的而适宜选择,但优选为1μm~500μm,更优选为3μm~400μm,进而更优选为5μm~300μm。
若上述平均厚度未满1μm,则存在难以处理导电层转印材料的情况,若超过500μm,则存在转印基材的刚性变高,转印均匀性受损的情况。
上述导电层的平均厚度优选为0.01μm~2μm,更优选为0.03μm~1μm。若上述平均厚度未满0.01μm,则存在导电性的面内分布变得不均匀的情况,若超过2μm,则存在透过率变低、透明性受损的情况。
上述缓冲层的平均厚度优选为1μm~50μm,更优选为1μm~30μm,进而更优选为5μm~20μm。若上述平均厚度未满1μm,则存在转印均匀性受损的情况,若超过50μm,则存在转印材料的卷曲平衡变低的情况。
此处,上述转印基材的平均厚度、上述导电层的平均厚度、及上述缓冲层的平均厚度可通过如下方式来测定:例如利用切片机切削而使材料的剖面露出后进行SEM观察、或者对以环氧树脂包埋后利用切片机所制作的切片进行TEM观察。上述各层的平均厚度为测定10个部位的平均值。
<转印基材>
上述转印基材的形状、构造、大小等并无特别限制,可根据目的而适宜选择,例如作为上述形状,可列举膜状、片状等。作为上述构造,可列举单层构造、积层构造等。作为上述大小,可根据用途等而适宜选择。
作为上述转印基材,并无特别限制,可根据目的而适宜选择,例如可列举:透明玻璃基板、合成树脂制片材(膜)、金属基板、陶瓷板、具有光电转换元件的半导体基板等。视需要,可对上述基板进行硅烷偶合剂等的化学品处理、等离子体处理、离子镀、溅射、气相反应法、真空蒸镀等前处理。
作为上述透明玻璃基板,例如可列举白板玻璃、蓝板玻璃、涂布有二氧 化硅的蓝板玻璃等。另外,也可为近年来所开发的厚度为10μm~几百μm的薄层玻璃基材。
作为上述合成树脂制片材,例如可列举:聚对苯二甲酸乙二酯(PET)片、聚碳酸酯片、三乙酸纤维素(Triacetyl Cellulose,TAC)片、聚醚砜片、聚酯片、丙烯酸树脂片、氯乙烯树脂片、芳香族聚酰胺树脂片、聚酰胺酰亚胺片、聚酰亚胺片等。
作为上述金属基板,例如可列举:铝板、铜板、镍板、不锈钢板等。
作为上述转印基材的全可见光透过率,优选为70%以上,更优选为85%以上,进而更优选为90%以上。若上述全可见光透过率未满70%,则存在透过率低且在实用上成为问题的情况。
再者,在本发明中,作为转印基材,还可使用以不妨碍本发明目的的程度进行了着色的转印基材。
<缓冲层>
上述缓冲层的形状、构造、大小等并无特别限制,可根据目的而适宜选择,例如作为上述形状,可列举膜状、片状等。作为上述构造,可列举单层构造、积层构造等。作为上述大小,可根据用途等而适宜选择。
上述缓冲层是发挥提升与被转印体的转印性的作用的层,其至少含有聚合物,进而视需要含有其他成分。
-聚合物--
作为上述聚合物,只要是加热时软化的热塑性树脂,则并无特别限制,可根据目的而适宜选择,例如可列举:丙烯酸树脂、苯乙烯-丙烯酸共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、聚氯乙烯、明胶;硝化纤维素、三乙酸纤维素、二乙酸纤维素、乙酸丁酸纤维素、乙酸丙酸纤维素等纤维素酯;包含偏二氯乙烯、氯乙烯、苯乙烯、丙烯腈、乙酸乙烯酯、丙烯酸烷基(碳数为1~4)酯、乙烯吡咯烷酮等的均聚物或共聚物,可溶性聚酯,聚碳酸酯,可溶性聚酰胺等。这些可单独使用1种,也可并用2种以上。
上述缓冲层中所使用的聚合物优选为通过加热而软化的热塑性树脂。缓冲层的玻璃转移温度优选为40℃~150℃。若低于40℃,则存在室温下过软而导致处理性欠佳的情况,若高于150℃,则存在热层压方式中缓冲层不软 化而导致导电层的转印性欠佳的情况。另外,还可通过添加塑化剂等来调整玻璃转移温度。
作为上述其他成分,可列举:日本专利特开平5-72724号公报的段落[0007]以后所记载的有机高分子物质、用以调节与上述转印基材的粘着力的各种塑化剂、过冷却物质、密接改良剂、界面活性剂、脱模剂、热聚合抑制剂、溶剂等。
上述缓冲层可通过如下方式而形成:将含有上述聚合物、及视需要的上述其他成分的缓冲层用涂布液涂布于转印基材上,并使其干燥。
作为上述其他成分,并无特别限制,可根据目的而适宜选择,例如可列举:填料、界面活性剂、抗氧化剂、抗硫化剂、抗金属腐蚀剂、粘度调整剂、防腐剂等各种添加剂等。
上述缓冲层可通过如下方式而形成:将含有上述聚合物、及视需要的上述其他成分的缓冲层用涂布液涂布于基材上,并使其干燥。
作为上述涂布方法,并无特别限制,可根据目的而适宜选择,例如可列举:辊涂法、浸涂法、旋涂法、浇铸法、模涂法、刀涂法、棒涂法、凹版涂布法、帘涂法、喷涂法、刮刀涂布法等。
此处,图6A~图6C是表示使用本发明的导电层转印材料6的转印方法的一例的图。
图6A表示具有转印基材1,且在该转印基材的一面上依序具有缓冲层2及导电层3的导电层转印材料6。如图6B所示,使用层压机进行加压、加热来将图6A所示的导电层转印材料6的缓冲层2及导电层3贴合于作为被转印体的玻璃基板8(相当于触摸屏的透明基板)上。继而,如图6C所示,将转印基材1剥离,借此将缓冲层2及导电层3转印至玻璃基板8上。
当将转印基材1上的导电层3转印至玻璃基板8上时,优选为玻璃基板8为90℃以上、120℃以下的温度范围。通过设为该范围,导电层不会绝缘化,而可将导电层3转印至玻璃基板8上。当基板温度未满90℃时,无法将导电层3转印至玻璃基板8上,若超过120℃,则导电性纤维因热而产生变形,导电层3会绝缘化。
另外,当将转印基材1上的导电层3转印至玻璃基板8上时,优选为转印压力为0.4MPa以上、0.8MPa以下的范围。通过设为该范围,可不存在断 线而将导电层3转印至玻璃基板8上。若为未满0.4MPa的转印压力,则导电层因转印时的压力不足而不会转印至玻璃基板上,另外,若超过0.8MPa,则导电性纤维因转印压力而被压碎,且导电层断线。
继而,在将导电层3转印至玻璃基板8上后,对导电层3进行曝光、显影,借此形成多个第1透明导电图案、及多个第2透明导电图案。
可经过上述步骤来制造触摸屏。
[实施例]
以下,对本发明的实施例进行说明,但本发明并不受这些实施例任何限定。
(合成例1)
<粘合剂(A-1)的合成>
使用甲基丙烯酸(Methacrylic acid,MAA)7.79g、甲基丙烯酸苄酯(Benzyl Methacrylate,BzMA)37.21g作为构成共聚物的单体成分,并使用偶氮双异丁腈(Azobisisobutyronitrile,AIBN)0.5g作为自由基聚合引发剂,使这些在溶剂丙二醇单甲醚乙酸酯(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate,PGMEA)55.00g中进行聚合反应,借此获得由下述式所表示的粘合剂(A-1)的PGMEA溶液(固体成分浓度:45质量%)。再者,将聚合温度调整成温度为60℃至100℃。
粘合剂(A-1)的重量平均分子量(Mw)是使用凝胶渗透色谱法(Gel Permeation Chromatography,GPC)来测定,结果通过聚苯乙烯换算所得的重量平均分子量(Mw)为30,000,分子量分布(Mw/Mn)为2.21。
[化3]
(制备例1)
-银纳米线水分散液的制备-
事先制备下述的添加液A、添加液G、及添加液H。
[添加液A]
使硝酸银粉末0.51g溶解于纯水50mL中。其后,添加1N的氨水直至变成透明为止。然后,以使总量成为100mL的方式添加纯水。
[添加液G]
利用140mL的纯水溶解葡萄糖粉末0.5g来制备添加液G。
[添加液H]
利用27.5mL的纯水溶解溴化十六烷基三甲基铵(Hexadecyl Trimethyl Ammonium Bromide,HTAB)粉末0.5g来制备添加液H。
继而,以如下方式制备银纳米线水分散液。
将纯水410mL加入至三口烧瓶内,在20℃下一面进行搅拌,一面利用漏斗加入添加液H82.5mL、及添加液G206mL(第一阶段)。以流量2.0mL/min、搅拌转速800rpm将添加液A206mL添加至该溶液中(第二阶段)。10分钟后,加入添加液H82.5mL(第三阶段)。其后,以3℃/min将内温升温至75℃为止。其后,使搅拌转速下降至200rpm,并加热5小时。
将所获得的水分散液冷却后,利用硅酮制管将超过滤模组SIP1013(旭化成股份有限公司制造,截留分子量为6,000)、磁力泵、及不锈钢杯加以连接来作为超过滤装置。
将所获得的水分散液(水溶液)加入至不锈钢杯中,使泵运转来进行超过滤。在来自模组的滤液变成50mL的时间点,向不锈钢杯中加入950mL的蒸馏水,并进行清洗。重复进行上述清洗直至电导率变成50μS/cm以下为止,然后进行浓缩,从而获得制备例1的银纳米线水分散液。
针对所获得的制备例1的银纳米线水分散液中的银纳米线,以如下方式测定平均短轴长度、平均长轴长度。将结果示于表1。
<银纳米线的平均短轴长度(平均直径)及平均长轴长度>
使用透射电子显微镜(TEM;日本电子股份有限公司制造,JEM-2000FX),观察300个银纳米线,而求出银纳米线的平均短轴长度及平均长轴长度。
<银纳米线的短轴长度的变动系数>
使用透射电子显微镜(TEM;日本电子股份有限公司制造,JEM-2000FX),观察300个银纳米线的短轴长度,并分别测定透过了滤纸的银的量,将短轴长度为50nm以下、且长轴长度为5μm以上的银纳米线作为纵横比为10以上的银纳米线的比率(%)而求出。
再者,求出银纳米线的比率时的银纳米线的分离是使用薄膜过滤器(密理博(Millipore)公司制造,FALP02500,孔径为1.0μm)来进行。
[表1]
平均短轴长度(nm) | 平均长轴长度(μm) | |
制备例1的银纳米线 | 17.5 | 36.8 |
<试样No.101的导电层转印材料>
<<缓冲层的形成>>
在作为基材的平均厚度为30μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜上,涂布下述组成的缓冲层用涂布液,并使其干燥,而形成平均厚度为10μm的缓冲层。
-缓冲层用涂布液的组成-
·甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-乙基己酯/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物(共聚组成比(摩尔比)=55/30/10/5,重量平均分子量=10万,玻璃转移温度(Tg)=70℃)…6.0质量份
·苯乙烯/丙烯酸共聚物(共聚组成比(摩尔比)=65/35,重量平均分子量=1万,玻璃转移温度(Tg)=100℃)…14.0质量份
·BPE-500(新中村化学股份有限公司制造)…9.0质量份
·Megafac F-780-F(大日本油墨化学工业股份有限公司制造)…0.5质量份
·甲醇…10.0质量份
·丙二醇单甲醚乙酸酯…5.0质量份
·甲基乙基酮…55.5质量份
<<导电层的制作>>
-银纳米线的MFG分散液(Ag-1)的制备-
向制备例1的银纳米线的水分散液中添加聚乙烯基吡咯烷酮(K-30,和 光纯药工业股份有限公司制造)与1-甲氧基-2-丙醇(MFG),在离心分离后,通过倾析(decantation)来将上清液的水去除,然后添加MFG,并进行再分散,且将该操作重复3次,而获得银纳米线的MFG分散液(Ag-1)。最后的MFG的添加量是以银的含量变成银1质量%的方式进行调节。
-负型导电层用组合物的制备-
添加合成例1的粘合剂(A-1)0.241质量份、KAYARAD DPHA(日本化药股份有限公司制造)0.252质量份、IRGACURE379(汽巴精化(Ciba Specialty Chemicals)股份有限公司制造)0.0252质量份、作为交联剂的EHPE-3150(大赛璐(Daicel)化学股份有限公司制造)0.0237质量份、Megafac F781F(迪爱生(DIC)股份有限公司制造)0.0003质量份、丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)0.9611质量份、以及1-甲氧基-2-丙醇(MFG)44.3质量份、上述银纳米线的MFG分散液(Ag-1)18.0质量份,并进行搅拌,从而制成负型导电层用组合物。
-导电层的形成-
将所获得的负型导电层用组合物涂布于形成有上述缓冲层的膜上,并使其干燥,而形成平均厚度为0.1μm的导电层。通过以上方式,制成试样No.101的导电层转印材料。
<透明导电膜的形成>
通过以下的方法来形成透明导电膜。
[被转印体]
在厚度为0.7mm的玻璃基板上准备多个被转印体,上述被转印体具备金属层、及具有用以使上述金属层的一部分露出的开口的形状不同的绝缘膜。
[转印]
将上述导电层转印材料的导电层及缓冲层转印至被转印体(厚度为0.7mm的玻璃基板)上。再者,缓冲层是通过喷淋显影来去除。
[曝光]
自遮罩上,利用高压水银灯i射线(365nm)以40mJ/cm2(照度为20mW/cm2)进行曝光。再者,本导电膜因包含负型导电层组合物,故在照射有i射线的部分形成透明导电膜。
[显影]
利用使碳酸氢钠5g与碳酸钠2.5g溶解于纯水5,000g中而成的显影液,对曝光后的基板进行30秒喷淋显影(喷淋压力为0.04MPa)。继而,通过纯水的喷淋来进行淋洗。
[连接构造]
图7A~图7C分别表示包含金属层100(相当于周边配线)、绝缘膜102、含有银纳米线的透明导电膜104(相当于透明导电图案)的连接构造1~连接构造3。关于连接构造1~连接构造3,绝缘膜102具有使一方向敞开的U字形状,且透明导电膜104将金属层100的露出部全部覆盖。在图7A所示的连接构造1中,绝缘膜102的敞开方向为与透明导电膜104的延长方向相同的方向。在图7B所示的连接构造2中,绝缘膜102的敞开方向为与透明导电膜104的延长方向相反的方向。在图7C所示的连接构造3中,绝缘膜102的敞开方向为与透明导电膜104的延长方向正交的方向。
图8A及图8B分别表示包含金属层100、绝缘膜102、透明导电膜104的连接构造4及连接构造5。在图8A所示的连接构造4中,绝缘膜102为包围金属层100的露出部的矩形,未具备敞开部。透明导电膜104将金属层100的露出部全部覆盖。
在图8B所示的连接构造5中,绝缘膜102的敞开方向为与透明导电膜104的延长方向相反的方向,透明导电膜104仅覆盖金属层100的露出部的一部分。
[制造条件]
针对连接构造1~连接构造5,准备绝缘膜102的厚度、绝缘膜102的开口长度、转印时的玻璃基板的温度、转印压力、及透明导电膜104的厚度不同的多个样品(样品1~样品21)。
[评价]
关于样品1~样品21,对金属层100与透明导电膜104的接触性、及金属层100的腐蚀性进行评价。关于接触性,通过使用测试器,测定金属层100与透明导电膜104之间的电阻值来进行评价。将电阻值为1MΩ以上者判断为接触性不良。关于腐蚀性,使样品在碱性显影液(氢氧化钾水溶液)中浸渍10分钟,以有无腐蚀来进行评价。将样品1~样品21的制造条件与评价结果示于表2中。
[表2]
样品1~样品3因绝缘膜102于俯视下具有U字形状,且开口长度/膜厚为25以上,故关于接触性、腐蚀性,获得了良好的结果。样品4因绝缘膜102为包围露出部的矩形,且未具备敞开部,故关于接触性,未获得良好的结果。样品5因金属层100的一部分未由透明导电膜104包覆,故关于腐蚀性,未获得良好的结果。
样品6~样品21应用了连接构造2。样品8、样品9因开口长度/膜厚为25以下,故关于接触性,未获得良好的结果。
样品16、样品20因未转印有透明导电膜104,故关于接触性,未获得良好的结果。
<变形例>
图1中,例示了在纵横两个方向上应用本发明的连接构造的触摸屏。但是,本发明的构成并不限定于这些例。例如,当然也可为在纵横方向中的任一方向上应用本发明的连接构造的触摸屏。
Claims (10)
1.一种触摸屏,其特征在于包括:
透明基板;
多个第1透明导电图案,在所述透明基板上沿第1方向而形成,且含有粘合剂与导电性纤维;
多个第2透明导电图案,在所述透明基板上沿与所述第1方向正交的第2方向而形成,且含有粘合剂与导电性纤维;
多条第1周边配线,形成在所述透明基板上,并与所述各第1透明导电图案的端部电性连接;
多条第2周边配线,形成在所述透明基板上,并与所述各第2透明导电图案的端部电性连接;
第1连接构造,连接所述各第1透明导电图案与所述各第1周边配线;以及
第2连接构造,连接所述各第2透明导电图案与所述各第2周边配线;
所述第1连接构造包括所述第1周边配线、形成在所述第1周边配线上且具有用以使所述第1周边配线的一部分露出的开口的U字形状的第1绝缘膜、以及覆盖所露出的所述第1周边配线的所述第1透明导电图案,且
通过将第1绝缘膜的开口长度除以第1绝缘膜的膜厚所算出的所述第1绝缘膜的开口长度与所述第1绝缘膜的膜厚的比为25以上;
所述第2连接构造包括所述第2周边配线、形成在所述第2周边配线上且具有用以使所述第2周边配线的一部分露出的开口的U字形状的第2绝缘膜、以及覆盖所露出的所述第2周边配线的所述第2透明导电图案。
2.根据权利要求1所述的触摸屏,其特征在于,通过将第2绝缘膜的开口长度除以第2绝缘膜的膜厚所算出的所述第2绝缘膜的开口长度与所述第2绝缘膜的膜厚的比为25以上。
3.根据权利要求1所述的触摸屏,其特征在于,通过将第1绝缘层的膜厚除以第1透明导电图案的膜厚所算出的所述第1绝缘膜的膜厚与所述第1透明导电图案的膜厚的比为5以上、20以下。
4.根据权利要求2所述的触摸屏,其特征在于,通过将第2绝缘层的膜厚除以第2透明导电图案的膜厚所算出的所述第2绝缘膜的膜厚与所述第2透明导电图案的膜厚的比为5以上、20以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的触摸屏,其特征在于,所述导电性纤维为银纳米线。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的触摸屏,其特征在于,所述第1周边配线、及所述第2周边配线是以金属膜所构成。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的触摸屏,其特征在于,所述导电性纤维具有1nm以上、50nm以下的短轴。
8.一种触摸屏的制造方法,其特征在于包括:
在透明基板上形成多条第1周边配线与多条第2周边配线;
在所述各第1周边配线上形成具有用以使所述第1周边配线的一部分露出的开口的U字形状的第1绝缘膜、及/或在所述各第2周边配线上形成具有用以使所述第2周边配线的一部分露出的开口的U字形状的第2绝缘膜;
在转印基材上形成含有粘合剂与导电性纤维的导电层;
将所述转印基材上的所述导电层转印至所述透明基板上,覆盖所述第1周边配线、及/或所述第2周边配线的露出部,并将所述各第1周边配线与所述第2周边配线与所述导电层电性连接;以及
将所述导电层图案化,形成在第1方向上延伸的多个第1透明导电图案、及在与所述第1方向正交的第2方向上延伸的多个第2透明导电图案。
9.根据权利要求8所述的触摸屏的制造方法,其特征在于,当将所述转印基材上的所述导电层转印至所述透明基板上时,所述透明基板为90℃以上、120℃以下的温度范围。
10.根据权利要求8或9所述的触摸屏的制造方法,其特征在于,当将所述转印基材上的所述导电层转印至所述透明基板上时,转印压力为0.4MPa以上、0.8MPa以下的范围。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011217887A JP5721601B2 (ja) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | タッチパネル、及びタッチパネルの製造方法 |
JP2011-217887 | 2011-09-30 | ||
PCT/JP2012/074643 WO2013047556A1 (ja) | 2011-09-30 | 2012-09-26 | タッチパネル、及びタッチパネルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103827790A CN103827790A (zh) | 2014-05-28 |
CN103827790B true CN103827790B (zh) | 2016-10-12 |
Family
ID=47995587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201280046982.7A Active CN103827790B (zh) | 2011-09-30 | 2012-09-26 | 触摸屏及触摸屏的制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5721601B2 (zh) |
KR (1) | KR101637106B1 (zh) |
CN (1) | CN103827790B (zh) |
TW (1) | TW201314532A (zh) |
WO (1) | WO2013047556A1 (zh) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10029916B2 (en) | 2012-06-22 | 2018-07-24 | C3Nano Inc. | Metal nanowire networks and transparent conductive material |
US9920207B2 (en) | 2012-06-22 | 2018-03-20 | C3Nano Inc. | Metal nanostructured networks and transparent conductive material |
JP6075754B2 (ja) * | 2012-09-24 | 2017-02-08 | 京セラ株式会社 | 入力装置、表示装置、および電子機器 |
CN104345929B (zh) * | 2013-07-25 | 2018-01-12 | 南昌欧菲光科技有限公司 | 触摸屏 |
US9759846B2 (en) * | 2013-09-27 | 2017-09-12 | Cam Holding Corporation | Silver nanostructure-based optical stacks and touch sensors with UV protection |
US11274223B2 (en) | 2013-11-22 | 2022-03-15 | C3 Nano, Inc. | Transparent conductive coatings based on metal nanowires and polymer binders, solution processing thereof, and patterning approaches |
US10266701B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-04-23 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming protective film for transparent conductive film |
CN104020893B (zh) * | 2014-05-30 | 2017-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种内嵌式触摸屏及显示装置 |
CN105448423B (zh) * | 2014-06-12 | 2018-06-22 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 导电膜的制作方法及触控面板的制作方法及触控面板 |
US9183968B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-11-10 | C3Nano Inc. | Metal nanowire inks for the formation of transparent conductive films with fused networks |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP5401814B2 (ja) | 2008-03-22 | 2014-01-29 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電性フィルムの製造方法及び透明導電性フィルム |
KR101726623B1 (ko) * | 2010-03-16 | 2017-04-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 패널 |
KR101101053B1 (ko) * | 2010-03-16 | 2011-12-29 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 터치 스크린 패널 및 그 제조방법 |
-
2011
- 2011-09-30 JP JP2011217887A patent/JP5721601B2/ja active Active
-
2012
- 2012-09-26 CN CN201280046982.7A patent/CN103827790B/zh active Active
- 2012-09-26 KR KR1020147008305A patent/KR101637106B1/ko active IP Right Grant
- 2012-09-26 WO PCT/JP2012/074643 patent/WO2013047556A1/ja active Application Filing
- 2012-09-28 TW TW101135978A patent/TW201314532A/zh unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101637106B1 (ko) | 2016-07-06 |
KR20140069060A (ko) | 2014-06-09 |
JP2013077234A (ja) | 2013-04-25 |
JP5721601B2 (ja) | 2015-05-20 |
CN103827790A (zh) | 2014-05-28 |
WO2013047556A1 (ja) | 2013-04-04 |
TW201314532A (zh) | 2013-04-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |