CN103824863B - 薄膜晶体管基板 - Google Patents

Abstract

薄膜晶体管基板。本发明公开一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：多条选通线和多条数据线，多条选通线和多条数据线被排布为限定多个像素区域；以及多个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管以包括连接到相同的选通线和彼此相邻的像素区域的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的方式形成在像素区域上。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管各包括：栅极，该栅极连接到选通线；半导体层，该半导体层以八边形的形状形成在选通线上；源极，该源极连接到数据线；以及漏极，该漏极被形成为与源极相对的形状。

Description

薄膜晶体管基板

技术领域

本申请涉及有机发光显示装置。

背景技术

随着信息社会的发展，以各种方式增加了对显示装置的要求。据此，已经研究了各种平板显示装置。平板显示装置包括：液晶显示(LCD)装置、等离子体显示装置(PDP)、场致发光显示(ELD)装置、真空荧光显示(VFD)装置等。一些平板显示装置正作为显示装置用于若干装置中。

在平板显示装置中，由于LCD装置诸如图像质量出众、重量轻、外形薄且功耗低等的特征，所以LCD装置(而不是阴极射线管(CRT))如今广泛用作便携式图像显示装置。实际上，正在以各种方式对LCD装置进行开发。已开发的LCD装置正作为监视器用于诸如笔记本等的便携式装置、被构造为接收并显示广播信号的电视接收机以及台式计算机中。

图1是示出根据相关技术的LCD装置的薄膜晶体管基板的平面图。

参照图1，在根据相关技术的LCD装置的薄膜晶体管基板上形成有选通线21和与选通线21交叉的数据线31。

由彼此交叉的选通线21和数据线31限定像素区域。在像素区域中形成有薄膜晶体管T。

薄膜晶体管T包括：栅极22、源极32和漏极33。栅极22可以与选通线21结合形成为一体。数据线31可以用作源极32。漏极33可以与数据线31平行延伸，形成为“I”的形状。

在像素区域上形成有像素电极40。像素电极40可以经由像素接触孔50电连接到漏极33的一端。

漏极33部分地与栅极22交叠。由此，形成了寄生电容Cgd。

图2是例示被寄生电容Cgd改变的薄膜晶体管的漏极电压(即，像素电极的电压)的波形图。

在图2中，馈通电压ΔVp对应于数据电压Vd与液晶单元Clc的充电电压Vlc之间等的差。

【式1】

${\mathrm{\ΔV}}_p=\frac{C_{gd}}{C_{gd}+C_{lc}+C_{st}}{\mathrm{\ΔV}}_g$

在式1中，“ΔVg”是栅高压Vgh与栅低压Vgl之间的差，“Cst”是存储电容器。

馈通电压ΔVg随着寄生电容Cgd增大而增大。由此，液晶单元Clc的充电电压无法达到数据电压Vd。

发明内容

因此，本发明的实施方式旨在提供一种基本避免了由于相关技术的限制和缺点造成的一个或者更多个问题的薄膜晶体管基板。

实施方式提供适于使得图像中的闪光闪烁噪声最小化并减小寄生电容的薄膜晶体管基板。

而且，实施方式提供适于减小馈通电压的薄膜晶体管基板。

本发明的附加特征和优点将在随后的说明中进行阐述，而一部分根据描述会变得清楚，或者可以通过实践实施方式而获知。实施方式的优点可以由在说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现并获得。

根据本实施方式的第一总体方面，一种薄膜晶体管基板包括：多条选通线和多条数据线，多条选通线和多条数据线被排布为限定多个像素区域；以及多个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管以包括连接到相同的选通线和彼此相邻的像素区域的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的方式形成在所述像素区域上。所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管各包括：栅极，该栅极连接到所述选通线；半导体层，该半导体层以八边形的形状形成在所述选通线上；源极，该源极连接到所述数据线；以及漏极，该漏极被形成为与所述源极相对的形状。

根据本实施方式的第二总体方面的薄膜晶体管基板包括：多条选通线和多条数据线，多条选通线和多条数据线被排布为限定多个像素区域；以及形成在所述像素区域上的多个薄膜晶体管。可以按照随着选通线被顺序地使能，以两个行为单位奇数编号列的像素区域和偶数编号列的像素区域被交替地选择的方式来扫描像素区域。

其它系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员在研究下面的附图和详细说明后都是明显的，或变得明显。希望所有的这些附加系统、方法、特征和优点包含在本说明书中、在本公开的范围内且被下面的权利要求所保护。本部分内容不应对那些权利要求的内容产生限制。另外的方面和优点将结合实施方式在下面说明。应该理解的是，上文对本公开的概述与下文对本公开的详述都是示例性和解释性的，旨在提供对要求保护的本公开的进一步解释。

附图说明

附图被包括进来以提供对本实施方式的进一步理解并被并入且构成本申请的一部分，附图例示本公开的实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开。在附图中：

图1是示出根据相关技术的LCD装置的薄膜晶体管基板的平面图；

图2是例示被寄生电容Cgd改变的薄膜晶体管的漏极电压(即，像素电压)的波形图；

图3是示出根据本公开的实施方式的LCD装置的框图；

图4是示出根据本公开的第一实施方式的LCD装置的薄膜晶体管基板的布局的电路图；

图5是示出根据本公开的第一实施方式的LCD装置的薄膜晶体管基板的平面图；

图6是示出沿图5中的A-A’线截取的LCD装置的薄膜晶体管基板的截面图；以及

图7是示出根据本公开的第二实施方式的LCD装置的薄膜晶体管基板的平面图。

具体实施方式

现在将详细阐述本公开的实施方式，在附图中示出了这些实施方式的示例。提供以下所介绍的实施方式作为示例向本领域普通技术人员传递本发明的精神。因此，这些实施方式可以按照不同的形式实施，而不限于本文描述的实施方式。为了方便说明，在附图中，可以增大装置的尺寸、厚度等。在任何可能的情况下，本公开(包括附图)都将通篇使用相同的标号来表示相同或相似的部件。

根据本公开的实施方式的一种薄膜晶体管基板可以包括：多条选通线和多条数据线，多条选通线和多条数据线被排布为限定多个像素区域；以及多个薄膜晶体管，薄膜晶体管以包括连接到相同的选通线和彼此相邻的像素区域的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的方式形成在像素区域上。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管各包括：栅极，该栅极连接到选通线；半导体层，该半导体层以八边形的形状形成在选通线上；源极，该源极连接到数据线；以及漏极，该漏极被形成为与源极相对的形状。

第一薄膜晶体管的半导体层和第二薄膜晶体管的半导体层可以形成为相同尺寸。

栅极可以形成为与半导体层相同的形状且比半导体层大的尺寸。

栅极可以形成在选通线与数据线的交叉处。

源极可以通过从数据线弯曲而形成为半椭圆形。

漏极可以包括以与源极平行的结构而形成的端部。

半导体层可以关于数据线两侧对称。

第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管具有彼此交替的形状。

源极与数据线结合形成为一体，并且栅极与选通线结合形成为一体。

源极可以包括：第一源极部，该第一源极部与数据线平行；第二源极部，该第二源极部锐角倾斜并且被构造为将数据线连接到第一源极部；以及第三源极部，该第三源极部以该锐角倾斜并且被构造为将数据线连接到第一源极部。

漏极的端部包括：与所述第一源极部平行的第一边缘；与所述第二源极部平行的第二边缘；以及与所述第三源极部平行的第三边缘。

根据本实施方式的第二总体方面的薄膜晶体管基板包括：多条选通线和多条数据线，多条选通线和多条数据线被排布为限定多个像素区域；以及形成在像素区域上的多个薄膜晶体管。可以以随着选通线被顺序地使能，以两个行为单位奇数编号列的像素区域和偶数编号列的像素区域被交替地选择的方式来扫描像素区域。

图3是示出根据本公开的实施方式的LCD装置的框图。

参照图3，根据本公开的实施方式的LCD装置可以包括LCD板1、定时控制器10、选通驱动器20和数据驱动器30。

LCD板1可以包括多条选通线GL1-GLn和沿与选通线GL1-GLn交叉的方向形成的多条数据线DL1-DLm。由多条选通线GL1-GLn和多条数据线DL1-DLm可以限定多个像素区域。在各个像素区域中可以形成薄膜晶体管T。薄膜晶体管T可以电连接到选通线GL1-GLn中的一条和数据线DL1-DLm中的一条。这样的LCD板1可以由数据驱动器30以多个反转模式中的一个来驱动。

可以由通过选通线GL1-GLn中的一条而施加的选通信号来使薄膜晶体管T导通。在使薄膜晶体管T导通时，数据线DL1-DLm中的一条上的数据电压可以被传递到像素电极。可以由像素电极上的电压与公共电压之间的电势差来产生电场。该电场使液晶分子位移(或重新配向)。由此可见，可以调整从背光穿透液晶层的光的亮度。据此，可以显示图像。

定时控制器10可以外部接收视频数据RGB、水平同步信号H、垂直同步信号V和时钟信号CLK。而且，定时控制器10可以从水平同步信号H和垂直同步信号V以及时钟信号CLK得到选通控制信号GDC和数据控制信号DDC。选通控制信号GDC用于控制选通驱动器20。数据控制信号DDC用于控制数据驱动器30。

选通驱动器20可以包括：移位寄存器、电平偏移器阵列和输出缓冲器阵列。移位寄存器回应来自定时控制器10的选通控制信号GDC并且顺序产生扫描脉冲。电平偏移器阵列被构造为使移位寄存器中顺序产生的多个扫描脉冲电平偏移到驱动液晶单元所需的电压电平。输出缓冲器阵列缓冲电平偏移后的扫描脉冲并且输出已缓冲的扫描脉冲作为选通信号。这种选通驱动器20向选通线GL1-GLn顺序施加选通信号。由此可见，使连接到选通线GL1-GLn的薄膜晶体管T在单条线中顺序导通。而且，可以在单条水平线中选择液晶单元，以便各液晶单元接收数据电压。据此，数据驱动器30中所产生的数据电压可以施加于由选通信号选择的单条水平线上的液晶单元。

数据驱动器30对从定时控制器10施加的视频数据RGB进行采样，并且锁存所采样的视频数据RGB。而且，数据驱动器30将锁存的视频数据转换为数据电压。

这种选通驱动器20可以由至少一个集成电路芯片实现。类似地，数据驱动器30可以由至少一个数据集成电路芯片实现。

图4是示出根据本公开的第一实施方式的LCD装置的薄膜晶体管基板的布局的电路图。

参照图4，根据本公开的第一实施方式的LCD装置的薄膜晶体管基板可以包括第一薄膜晶体管T1至第十薄膜晶体管T10。虽然图4示出了第一薄膜晶体管T1至第十薄膜晶体管T10以及连接到薄膜晶体管T1-T10的第一选通线GL1至第三选通线GL3和第一数据线DL1至第四数据线DL4，但是本实施方式不限于这些。薄膜晶体管的数量、选通线的数量和数据线的数量取决于LCD装置的定义。据此，薄膜晶体管的数量、选通线的数量和数据线的数量不限于图4中的那些。

在薄膜晶体管T1-T10中，彼此相邻的奇数编号行的薄膜晶体管和偶数编号行的薄膜晶体管可以以相应的选通线作为中心轴线形成为交替形状(或半转动形状或半跨形状)。奇数编号行的薄膜晶体管和偶数编号行的薄膜晶体管可以连接到同一选通线。

而且，各个奇数编号列中的薄膜晶体管可以按照以单个对共享到该奇数编号选通线并且以该单个对连接到该奇数编号选通线的方式彼此交替排布。类似地，各个偶数编号列中的薄膜晶体管可以按照以单个对共享到该偶数编号选通线并且以该单个对连接该偶数编号选通线的方式彼此交替排布。

例如，第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可以形成为在第一选通线GL1中具有彼此交替形状(或半转动形状或半跨形状)并且共同连接到第一选通线GL1。第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4可以形成为在第一选通线GL1中具有彼此交替形状(或半转动形状或半跨形状)并且共同连接到第一选通线GL1。第五薄膜晶体管T5和第六薄膜晶体管T6可以形成为在第二选通线GL2中具有彼此交替形状(或半转动形状或半跨形状)并且共同连接到第二选通线GL2。第七薄膜晶体管T7和第八薄膜晶体管T8可以形成为在第三选通线GL3中具有彼此交替形状(或半转动形状或半跨形状)并且共同连接到第三选通线GL3。第九薄膜晶体管T9和第十薄膜晶体管T10可以形成为在第三选通线GL3中具有彼此交替形状(或半转动形状或半跨形状)并且共同连接到第三选通线GL3。

更具体地，第一薄膜晶体管T1可以电连接到第一选通线GL1和第一数据线DL1。第二薄膜晶体管T2可以电连接到第一选通线GL1和第二数据线DL2。第三薄膜晶体管T3可以电连接到第一选通线GL1和第三数据线DL3。第四薄膜晶体管T4可以电连接到第一选通线GL1和第四数据线DL4。第五薄膜晶体管T5可以电连接到第二选通线GL2和第二数据线DL2。第六薄膜晶体管T6可以电连接到第二选通线GL2和第三数据线DL3。第七薄膜晶体管T7可以电连接到第三选通线GL3和第一数据线DL1。第八薄膜晶体管T8可以电连接到第三选通线GL3和第二数据线DL2。第九薄膜晶体管T9可以电连接到第三选通线GL3和第三数据线DL3。第十薄膜晶体管T10可以电连接到第三选通线GL3和第四数据线DL4。

薄膜晶体管T1-T10布置在由选通线GL1-GL3和数据线DL1-DL4限定的像素区域中。可以按照随着选通线被顺序地使能，以两个行为单位奇数编号列的像素区域和偶数编号列的像素区域被交替地选择的方式来扫描像素区域。

为此，可以随着选通线GL1-GL3被选通信号顺序地使能，以两个行为单位顺序地驱动第一薄膜晶体管T1至第十薄膜晶体管T10。更具体地，当第一选通线GL1被使能时，第一薄膜晶体管T1至第四薄膜晶体管T4导通。当第二选通线GL2被使能时，第五薄膜晶体管T5和第六薄膜晶体管T6导通。，当第三选通线GL3被使能时，第七薄膜晶体管T7至第十薄膜晶体管T10导通。

这样，可以同时扫描沿上下方向彼此相邻的两个像素区域。因此，像素区域内的液晶单元的充电电压可以几乎不被相邻像素区域内的液晶单元的充电电压影响。据此，可以减小馈通电压ΔVp。因此，可以提高图像质量。

图5是示出根据本公开的第一实施方式的LCD装置的薄膜晶体管基板的平面图。图6是示出沿图5中的A-A’线截取的LCD装置的薄膜晶体管基板的截面图。

如图5所示，在薄膜晶体管基板上可以形成有奇数编号行的薄膜晶体管和偶数编号行的另一个薄膜晶体管。为了方便说明，第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2将被称作奇数编号行的薄膜晶体管和偶数编号行的薄膜晶体管。

参照图5和图6，在基板103上形成有选通线121和栅极122。栅极122可以与选通线121结合形成为一体。而且，栅极122可以形成在与第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2对应的区域上。而且，栅极122可以形成为具有比选通线121宽的宽度。此外，各个栅极122可以形成为八边形形状。

因为栅极122形成为八边形形状，所以可以使被包括在像素区域中的、不允许光透过的栅极122的形成区域最小。据此，可以增大像素区域的孔径比。

选通线121和栅极122可以由栅金属形成。栅金属可以包括从由钛Ti、铬Cr、镍Ni、铝Al、铂Pt、金Au、钨W、铜Cu和钼Mo组成的组选择的至少一种。

在设置有选通线121和栅极122的基板103上可以形成有栅绝缘膜105。栅绝缘膜105可以用于使选通线121和栅极122与将在随后形成的各个线和电极电绝缘。由此可见，栅绝缘膜105必须具有优异的绝缘特性。为此，栅绝缘膜105可以由无机材料和有机材料中的一种形成。无机材料可以包括氮化硅SiNx和氧化硅SiOx。有机材料可以包括苯并环丁烯(benzocyclobutene)BCB。

在栅绝缘膜105上可以形成有半导体层125，半导体层125与栅极122相对。半导体层125的一个边缘可以形成为与栅极122相同的形状，而半导体层125的另一个边缘可以形成为三棱锥。第一薄膜晶体管T1的半导体层125的远离第二薄膜晶体管T2的一个边缘可以形成为与栅极122相同的形状，而第一薄膜晶体管T1的半导体层125的与第二薄膜晶体管T2相邻的另一个边缘可以形成为三棱锥。

半导体层125可以包括沟道区域、源区域和漏区域。源区域和漏区域可以形成在沟道区域的两端中。

在设置有半导体层125的栅绝缘膜105上可以形成有数据线131、源极132和漏极133。

源极132可以与半导体层125的源区域接触。漏极133可以与半导体层125的漏区域接触。数据线131可以沿与选通线121交叉的方向形成。

源极132可以与数据线131结合形成为一体。而且，源极可以通过从数据线131弯曲而形成为半椭圆形。而且，源极132可以形成为与栅极122相对的形状。这种源极132可以包括第一源部132a、第二源部132b和第三源部132c。

第一源部132a可以沿与数据线131平行的方向形成。第二源部132b以与数据线131成锐角的方式弯曲(或倾斜)。而且，第二源部132b可以将第一源部132a电连接到数据线131。类似地，第三源部132c以与数据线131成锐角的方式弯曲(或倾斜)。而且，第三源部132c可以将第一源部132a电连接到数据线131。

漏极133可以形成为朝着半导体层125中的源极132。换言之，漏极133的一端可以朝着源极132。漏极133的一端可以包括第一漏边缘部133a、第二漏边缘部133b和第三漏边缘部133c。

第一漏边缘部133a可以与第一源部132a平行形成。第二漏边缘部133b可以与第二源部132b平行形成。第三漏边缘部133c可以与第三源部132c平行形成。

换言之，漏极133的一端的边缘与弯曲的源极133平行形成。由此可见，漏极133与源极132之间的距离(或间隙)可以变得均匀。据此，可以均匀维持沟道区域的长度。

这样，源极132通过从数据线131弯曲而形成为半椭圆形，并且漏极133的一端可以形成为与源极132相对的形状。由此可见，与具有“I”的形状的相关技术的薄膜晶体管不同，根据第一实施方式的薄膜晶体管可以减小栅极122与漏极133之间的交叠区域。而且，可以减小栅极122与漏极133之间存在的寄生电容Cgd。据此，馈通电压ΔVp可以减小。因此，可以增强LCD装置的图像质量。

而且，根据第一实施方式的薄膜晶体管T强制性使半导体层125上的源极132与漏极133之间的间隙不小于具有“I”形状的相关技术的薄膜晶体管的源极、漏极之间的间隙。由此可见，根据第一实施方式的薄膜晶体管可以形成为具有不小于具有“I”的形状的相关技术的薄膜晶体管的沟道宽度。据此，可以提高与沟道宽度成比例的信号传播速度比例。增强的信号传播特性可以使图像质量变的更高。

数据线131、源极132和漏极133可以由数据金属形成。该数据金属可以包括从由钛Ti、铬Cr、镍Ni、铝Al、铂Pt、金Au、钨W、铜Cu和钼Mo组成的组选择的至少一种。

在设置有数据线131、源极132和数据线133的栅绝缘膜105上可以形成有层间绝缘膜107。层间绝缘膜107可以用于使数据线131、源极132和漏极133与将在随后形成的不同线和电极电绝缘。由此可见，层间绝缘膜107必须具有优异的绝缘特性。为此，层间绝缘膜107可以由无机材料和有机材料中的一种形成。无机材料可以包括氮化硅SiNx和氧化硅SiOx。有机材料可以包括苯并环丁烯(benzocyclobutene)BCB。

在层间绝缘膜107中可以形成有像素接触孔150。该像素接触孔150穿透层间绝缘膜107并且露出漏极133。

像素电极140可以形成在层间绝缘膜107上，像素电极140与像素区域相对。像素电极140可以经由像素接触孔150电连接到漏极133。这种像素电极140可以由铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物及其合金中的一种形成。

因此，第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可以相对于彼此形成为交替形状(或半转动形状或半跨形状)。而且，第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可以连接到同一选通线。

这样，第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可以相对于彼此形成为交替形状(或半转动形状或半跨形状)。由此可见，可以减小黑底的形成区域并且LCD装置的孔径比可以增大。据此，可以增强LCD装置的图像质量。

图7是示出根据本公开的第二实施方式的LCD装置的薄膜晶体管基板的平面图。

除了半导体层的形状不同之外，根据第二实施方式的LCD装置的薄膜晶体管基板的构造与第一实施方式的LCD装置的薄膜晶体管基板的构造相同。由此可见，第二实施方式中具有与第一实施方式的组件相同功能和形状的那些组件将由相同的附图标记和名称来表示。而且，将省略第二实施方式中与第一实施方式交叠的描述。

参照图7，根据本公开的第二实施方式的LCD装置的薄膜晶体管基板包括选通线221和与选通线221交叉的数据线231。在选通线221与数据线231的交叉处形成有薄膜晶体管。作为薄膜晶体管的示例，将参照图7来描述第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2。

在选通线221与数据线231的交叉处形成有栅极222。该栅极222可以形成为各具有比选通线221宽的宽度。而且，栅极222可以形成为八边形形状。

在栅绝缘膜(未示出)上可以形成有半导体层225，半导体层225与栅极222相对的。半导体层225可以形成为比栅极222的尺寸小。而且，半导体层225可以形成为与栅极222相同的形状。

源极232和漏极233可以形成在各个半导体层225上。源极232可以与相邻的数据线231结合形成为一体。而且，源极232可以通过从数据线231弯曲而形成为半椭圆形。

源极232可以形成为与半导体层225的相邻边缘线平行。由此可见，即使掩膜在光刻工序中对偏，源极232也可以形成在半导体层225上。据此，整个源极232可以用作薄膜晶体管的操作部。

半导体层225可以形成为关于数据线231两侧对称的八边形形状。而且，第一薄膜晶体管T1的半导体层可以具有与第二薄膜晶体管T2的半导体层相同的形状和相同的尺寸。

第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可以相对于彼此形成为交替形状(或半转动形状或半跨形状)。而且，第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2的半导体层可以形成为具有相同尺寸的八边形形状。由此可见，即使在形成源极232和漏极233时掩膜对偏到左方向、右方向、上方向或下方向，第一薄膜晶体管T1的沟道宽度W1和第二薄膜晶体管T2的沟道宽度W2也可以是相同尺寸。

实际上，源极232和漏极233在工艺容限范围内被误排到左方向、右方向、上方向或下方向。但是，形成在源极232与漏极233之间的半导体层的沟道宽度不变。由此可见，第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可以维持彼此相同的沟道宽度。

换言之，彼此相邻的薄膜晶体管可以维持相同的沟道宽度。因此，可以防止因非均匀沟道引起的图像质量下降。因此，可以使图像中产生的闪烁噪声最小化。

尽管仅根据上述实施方式而有限度地说明了本发明，但本领域普通技术人员将理解，本发明不限于这些实施方式，而是在不偏离本公开的精神的情况下可以有各种变型或修改。因此，本公开的范围仅由所附权利要求书及其等同物确定。

本申请要求2012年11月19日提交的韩国专利申请No.10-2012-0131213的权益，此处以引证的方式并入其全部内容。

Claims (17)

1.一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：

多条选通线和多条数据线，所述多条选通线和所述多条数据线被排布为限定多个像素区域；以及

多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管以包括连接到相同的选通线和沿上下方向彼此相邻的像素区域的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的方式形成在所述像素区域上，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管各包括：

栅极，该栅极与所述选通线结合形成为一体并且形成在所述选通线和所述数据线的交叉处；

半导体层，该半导体层形成在八边形形状的所述栅极和与所述栅极相对的栅绝缘膜上；

源极，该源极与相邻数据线结合形成为一体，形成在所述半导体层上，且通过从所述数据线弯曲而形成为半椭圆形；以及

漏极，该漏极被形成为与所述源极相对的形状。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一薄膜晶体管的所述半导体层和第二薄膜晶体管的所述半导体层形成为相同尺寸。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述栅极形成为与所述半导体层相同的形状且比所述半导体层大的尺寸。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述栅极形成在所述选通线与所述数据线的交叉处。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述漏极包括以与所述源极平行的结构而形成的端部。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述半导体层关于所述数据线两侧对称。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管具有彼此交替的形状。

8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，所述源极包括：

第一源极部，该第一源极部与所述数据线平行；

第二源极部，该第二源极部以锐角倾斜并且被构造为将所述数据线连接到所述第一源极部；以及

第三源极部，该第三源极部以所述锐角倾斜并且被构造为将所述数据线连接到所述第一源极部。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其中，所述漏极的所述端部包括：

与所述第一源极部平行的第一边缘；

与所述第二源极部平行的第二边缘；以及

与所述第三源极部平行的第三边缘。

10.一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：

多条选通线和多条数据线，所述多条选通线和所述多条数据线被排布为限定多个像素区域；以及

形成在所述像素区域上的多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管包括：

各个奇数编号列中的第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管彼此交替布置成以单个对共享到奇数编号选通线并且以该单个对连接到所述奇数编号选通线；以及

各个偶数编号列中的第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管彼此交替布置成以单个对共享到偶数编号选通线并且以该单个对连接到所述偶数编号选通线，

其中，按照随着所述选通线被顺序地使能，以两个行为单位奇数编号列的所述像素区域和偶数编号列的所述像素区域被交替地选择的方式来扫描所述像素区域。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管各包括：

栅极，该栅极连接到所述选通线；

半导体层，该半导体层以八边形的形状形成在所述选通线上；

源极，该源极连接到所述数据线；以及

漏极，该漏极被形成为与所述源极相对的形状。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一薄膜晶体管的所述半导体层和第二薄膜晶体管的所述半导体层形成为相同尺寸。

13.根据权利要求11所述的薄膜晶体管基板，其中，所述栅极形成为与所述半导体层相同的形状且比所述半导体层大的尺寸。

14.根据权利要求11所述的薄膜晶体管基板，其中，所述栅极形成在所述选通线与所述数据线的交叉处。

15.根据权利要求11所述的薄膜晶体管基板，其中，所述源极通过从所述数据线弯曲而形成为半椭圆形。

16.根据权利要求15所述的薄膜晶体管基板，其中，所述漏极包括以与所述源极平行的结构而形成的端部。

17.根据权利要求11所述的薄膜晶体管基板，其中，所述半导体层关于所述数据线两侧对称。