CN103803604A - 一种六方片状氢氧化镁晶体的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种氢氧化镁的制备方法,尤其涉及一种六方片状氢氧化镁晶体的制备方法。包括以下步骤:将氯化镁与葡萄糖置入水浴锅中,反应时间4-10h、反应温度40-80℃;在上述混合液中滴加氨水溶液,控制速度大约为30-60ml/min,得到白色沉淀;将所述白色中间产物转到反应釜中,水热反应时间14-28h、反应温度140-180℃;再经后处理后最终得到六方片状氢氧化镁晶体。所述葡萄糖试剂、氯化镁试剂均为分析纯。本发明的有益效果是:氢氧化镁通过沉淀剂浓度的改变,达到对片状氢氧化镁的粒径调控的目地。
Description
技术领域
本发明涉及一种氢氧化镁的制备方法,尤其涉及一种六方片状氢氧化镁晶体的制备方法。
背景技术
到目前为止,已经制备出各种形貌的氢氧化镁,如片状、棒状及针状等。氢氧化镁的晶体结构为六方片状,由其热力学驱动,很容易制备出片状氢氧化镁,但其粒径的调控却不容易。
发明内容
本发明针对上述现有技术的不足,提供一种六方片状氢氧化镁晶体的制备方法。即可得到形貌均一的片状氢氧化镁。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种六方片状氢氧化镁晶体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将氯化镁与葡萄糖置入水浴锅中,反应时间4-10h、反应温度40-80℃;
在上述混合液中滴加氨水溶液,控制速度大约为30-60 ml/min,得到白色沉淀;
将所述白色中间产物转到反应釜中,水热反应时间14-28h、反应温度140-180℃;
再经后处理后最终得到六方片状氢氧化镁晶体。
所述葡萄糖试剂、氯化镁试剂均为分析纯。
本发明的有益效果是:氢氧化镁通过沉淀剂浓度的改变,达到对片状氢氧化镁的粒径调控的目地。
具体实施方式
以下对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
一种六方片状氢氧化镁晶体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将氯化镁与葡萄糖置入水浴锅中,反应时间10h、反应温度80℃;在上述混合液中滴加氨水溶液,控制速度大约为30 ml/min,得到白色沉淀;将所述白色中间产物转到反应釜中,水热反应时间24h、反应温度160℃;再经后处理后最终得到六方片状氢氧化镁晶体。所述葡萄糖试剂、氯化镁试剂均为分析纯。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1. 一种六方片状氢氧化镁晶体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将氯化镁与葡萄糖置入水浴锅中,反应时间4-10h、反应温度40-80℃;
在上述混合液中滴加氨水溶液,控制速度大约为30-60 ml/min,得到白色沉淀;
将所述白色中间产物转到反应釜中,水热反应时间14-28h、反应温度140-180℃;
再经后处理后最终得到六方片状氢氧化镁晶体。
2.根据权利要求1所述的一种六方片状氢氧化镁晶体的制备方法,其特征在于,所述葡萄糖试剂、氯化镁试剂均为分析纯。
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CN201210457865.1A CN103803604A (zh) | 2012-11-15 | 2012-11-15 | 一种六方片状氢氧化镁晶体的制备方法 |
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Publications (1)
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Country Status (1)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104528775A (zh) * | 2014-12-28 | 2015-04-22 | 北京工业大学 | 一种制备多孔状氢氧化镁和氧化镁六角片的方法 |
CN107433180A (zh) * | 2017-08-23 | 2017-12-05 | 内江师范学院 | 一种碳包覆氧化镁的三明治结构纳米吸附剂及其制备方法 |
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2012
- 2012-11-15 CN CN201210457865.1A patent/CN103803604A/zh active Pending
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CN107433180A (zh) * | 2017-08-23 | 2017-12-05 | 内江师范学院 | 一种碳包覆氧化镁的三明治结构纳米吸附剂及其制备方法 |
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140521 |