CN103782370A - 研磨剂及研磨方法 - Google Patents
研磨剂及研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103782370A CN103782370A CN201280043222.0A CN201280043222A CN103782370A CN 103782370 A CN103782370 A CN 103782370A CN 201280043222 A CN201280043222 A CN 201280043222A CN 103782370 A CN103782370 A CN 103782370A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- grinding
- grinding agent
- agent
- quality
- oxidant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 80
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 189
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 32
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 28
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 27
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 23
- WAEMQWOKJMHJLA-UHFFFAOYSA-N Manganese(2+) Chemical compound [Mn+2] WAEMQWOKJMHJLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910001437 manganese ion Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 claims description 12
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 abstract 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 9
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 3
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 3
- 150000004804 polysaccharides Chemical class 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- -1 vanadic acid radical ion Chemical class 0.000 description 3
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 2
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 231100000241 scar Toxicity 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 3-amino-2-(4-chlorophenyl)-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(CN)C1=CC=C(Cl)C=C1 JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBIWNQVZKHSHTI-UHFFFAOYSA-N 4-n,4-n-dimethylbenzene-1,4-diamine;oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O.CN(C)C1=CC=C(N)C=C1 KBIWNQVZKHSHTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920002558 Curdlan Polymers 0.000 description 1
- 239000001879 Curdlan Substances 0.000 description 1
- 229920002148 Gellan gum Polymers 0.000 description 1
- 229920000161 Locust bean gum Polymers 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Natural products OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010020346 Polyglutamic Acid Proteins 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000004298 Tamarindus indica Nutrition 0.000 description 1
- 240000004584 Tamarindus indica Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 235000010489 acacia gum Nutrition 0.000 description 1
- 239000001785 acacia senegal l. willd gum Substances 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000004520 agglutination Effects 0.000 description 1
- 235000010443 alginic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000783 alginic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000615 alginic acid Polymers 0.000 description 1
- 229960001126 alginic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004781 alginic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O azanium;oxido(dioxo)vanadium Chemical compound [NH4+].[O-][V](=O)=O UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 229940105329 carboxymethylcellulose Drugs 0.000 description 1
- 235000010418 carrageenan Nutrition 0.000 description 1
- 239000000679 carrageenan Substances 0.000 description 1
- 229920001525 carrageenan Polymers 0.000 description 1
- 229940113118 carrageenan Drugs 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 235000019316 curdlan Nutrition 0.000 description 1
- 229940078035 curdlan Drugs 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229940077449 dichromate ion Drugs 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043237 diethanolamine Drugs 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010492 gellan gum Nutrition 0.000 description 1
- 239000000216 gellan gum Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 235000010420 locust bean gum Nutrition 0.000 description 1
- 239000000711 locust bean gum Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004690 nonahydrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001814 pectin Substances 0.000 description 1
- 235000010987 pectin Nutrition 0.000 description 1
- 229920001277 pectin Polymers 0.000 description 1
- 229960000292 pectin Drugs 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- DHRLEVQXOMLTIM-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;trioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.OP(O)(O)=O DHRLEVQXOMLTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYDGMDWEHDFVQI-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;trioxotungsten Chemical compound O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.OP(O)(O)=O IYDGMDWEHDFVQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 108010064470 polyaspartate Proteins 0.000 description 1
- 229920002643 polyglutamic acid Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- GGHDAUPFEBTORZ-UHFFFAOYSA-N propane-1,1-diamine Chemical compound CCC(N)N GGHDAUPFEBTORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 210000000582 semen Anatomy 0.000 description 1
- CGFYHILWFSGVJS-UHFFFAOYSA-N silicic acid;trioxotungsten Chemical compound O[Si](O)(O)O.O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1.O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1.O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1.O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 CGFYHILWFSGVJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 description 1
- UHVMMEOXYDMDKI-JKYCWFKZSA-L zinc;1-(5-cyanopyridin-2-yl)-3-[(1s,2s)-2-(6-fluoro-2-hydroxy-3-propanoylphenyl)cyclopropyl]urea;diacetate Chemical compound [Zn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CCC(=O)C1=CC=C(F)C([C@H]2[C@H](C2)NC(=O)NC=2N=CC(=CC=2)C#N)=C1O UHVMMEOXYDMDKI-JKYCWFKZSA-L 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L29/1608—Silicon carbide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
本发明以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨,得到平滑的表面。本发明提供一种研磨剂,其中含有氧化还原电位为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、平均二次粒径为0.2μm以下的二氧化硅粒子、分散介质;所述氧化剂的含有比例为0.25质量%以上5质量%以下,且所述二氧化硅粒子的含有比例为0.01质量%以上且小于20质量%。
Description
技术领域
本发明涉及用于对非氧化物单晶基板进行化学机械研磨的研磨剂及研磨方法。更详细地说,涉及适合于碳化硅单晶基板等的研磨的研磨剂及使用该研磨剂的研磨方法。
背景技术
碳化硅(SiC)半导体与硅半导体相比,击穿电场、电子的饱和漂移速度和导热系数更大,因此,人们使用碳化硅半导体来研究、开发与现有的硅器件相比能在更高的温度下以更高的速度工作的功率器件。其中,用于驱动电动二轮车、电动汽车和混合动力汽车等的发动机的电源中使用的高效率的开关元件的开发正受到关注。为了实现这样的功率器件,需要用于使高品质的碳化硅半导体层外延生长的表面平滑的碳化硅单晶基板。
此外,作为用于以高密度记录信息的光源,蓝色激光二极管正受到关注,而且对于作为荧光灯和电灯泡的替代光源的白色二极管的需求提高。这样的发光元件用氮化镓(GaN)半导体制成,作为用于形成高品质的氮化镓半导体层的基板,使用碳化硅单晶基板。
对于用于这种用途的碳化硅单晶基板,在基板的平坦度、基板表面的平滑性等方面要求高加工精度。但是,碳化硅单晶的硬度极高,且耐腐蚀性优异,因此制造基板时的加工性差,难以得到平滑性高的碳化硅单晶基板。
一般来说,半导体单晶基板的平滑的面通过研磨来形成。研磨碳化硅单晶时,以比碳化硅更硬的金刚石等磨粒作为研磨材料以机械方式对表面进行研磨,形成平坦的面,但会在用金刚石磨粒研磨过的碳化硅单晶基板的表面上引入与金刚石磨粒的粒径相对应的微小的刮痕。此外,在表面上产生具有机械应变的加工变质层,置之不理的话,碳化硅单晶基板的表面的平滑性不足。
半导体单晶基板的制造中,作为使机械研磨后的半导体基板的表面平滑的方法,采用化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing:下面有时称为CMP)技术。CMP是利用氧化等化学反应使被加工物变成氧化物等、用比被加工物的硬度更低的磨粒除去生成的氧化物、从而对表面进行研磨的方法。该方法具有不会使被加工物的表面产生应变、能形成极为平滑的面的优点。
一直以来,作为用于通过CMP对碳化硅单晶基板的表面平滑地进行研磨的研磨剂,已知含有胶态二氧化硅的pH4~9的研磨用组合物(例如参照专利文献1)。此外,也提出了包含二氧化硅磨粒、过氧化氢之类的氧化剂(氧供给剂)和钒酸盐的研磨用组合物(例如参照专利文献2)。
然而,专利文献1的研磨用组合物对碳化硅单晶基板的研磨速度慢,存在研磨所需的时间非常长的问题。此外,使用专利文献2的研磨用组合物时,也存在研磨速度不足、研磨花费时间的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2005-117027号公报
专利文献2:日本专利特开2008-179655号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明是为了解决上述问题而完成的发明,其目的是提供一种用于以高研磨速度对碳化硅单晶基板等硬度高、化学稳定性高的非氧化物单晶基板进行研磨、得到平滑的表面的研磨剂及研磨方法。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明的研磨剂用于以化学机械方式对非氧化物单晶基板进行研磨,其特征在于,含有含过渡金属的氧化还原电位为0.5V以上的氧化剂、平均二次粒径为0.2μm以下的二氧化硅粒子、分散介质;所述氧化剂的含有比例为0.25质量%以上5质量%以下,且所述二氧化硅粒子的含有比例为0.01质量%以上且小于20质量%。
本发明的研磨剂中,所述氧化剂较好是高锰酸根离子。本发明的研磨剂的pH较好为11以下,更好为5以下。所述非氧化物单晶基板较好是碳化硅(SiC)单晶基板或氮化镓(GaN)单晶基板。
本发明的研磨方法是向研磨垫供给研磨剂、使作为研磨对象物的非氧化物单晶基板的被研磨面与所述研磨垫接触、通过两者间的相对运动进行研磨的方法,其特征在于,使用上述本发明的研磨剂作为所述研磨剂。
发明的效果
藉由本发明的研磨剂和使用该研磨剂的研磨方法,能以高研磨速度对碳化硅单晶基板和氮化镓单晶基板之类的硬度高、化学稳定性高的非氧化物单晶基板的被研磨面进行研磨,能得到平坦且平滑的被研磨面。另外,本发明中,“被研磨面”是研磨对象物的被研磨的面,例如是指表面。
附图说明
图1是表示本发明的研磨方法的实施方式中可以使用的研磨装置的一例的图。
具体实施方式
下面,对本发明的实施方式进行说明。
[研磨剂]
本发明的研磨剂是用于以化学机械方式对非氧化物单晶基板进行研磨的研磨剂,含有含过渡金属的氧化还原电位为0.5V以上的氧化剂、作为磨粒的平均二次粒径为0.2μm以下的二氧化硅粒子、分散介质,具有浆料的形状。而且,二氧化硅粒子的含量的比例相对于研磨剂整体为0.01质量%以上且小于20质量%。此外,氧化剂的含有比例相对于研磨剂整体为0.25质量%以上5质量%以下。另外,以下记载中,有时将研磨剂记载为研磨液。
本发明的研磨剂以0.25质量%以上5质量%以下的比例含有氧化还原电位为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂,并且以0.01质量%以上且小于20质量%的较低的比例(浓度)含有平均二次粒径为0.2μm以下的二氧化硅粒子,因此能以高研磨速度对SiC单晶基板之类的硬度高、化学稳定性高的研磨对象物的被研磨面进行研磨,能得到平坦且平滑的表面。
另外,本发明的研磨剂的pH较好为11以下。为了将pH调整至11以下,可以添加pH调整剂。研磨剂的pH为11以下时,氧化剂有效地发挥作用,因此研磨特性良好,且作为磨粒的二氧化硅粒子的分散稳定性也优异。下面对本发明的研磨剂的各成分和pH进行详述。
(氧化剂)
本发明的研磨剂中所含有的氧化剂在下述的研磨对象物(例如SiC单晶基板和GaN单晶基板)的被研磨面上形成氧化层。通过将该氧化层用机械力从被研磨面除去,研磨对象物的研磨得到促进。即,虽然SiC和GaN等化合物半导体是非氧化物,是难研磨材料,但可以由研磨剂中的氧化剂在表面形成氧化层。形成的氧化层与研磨对象物相比硬度更低,更容易研磨,因此能用作为磨粒的二氧化硅粒子有效地除去。其结果是,能得到高研磨速度。
本发明的研磨剂中所含有的氧化剂是氧化还原电位为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂。作为含过渡金属的氧化还原电位为0.5V以上的氧化剂,可例举例如高锰酸根离子、钒酸根离子、重铬酸根离子、硝酸铈铵、硝酸铁(III)九水合物、硝酸银、磷钨酸、硅钨酸、磷钼酸、磷钨钼酸、磷钒钼酸等,特别好是高锰酸根离子。作为高锰酸根离子的供给源,较好是高锰酸钾和高锰酸钠等高锰酸盐。
作为SiC单晶基板的研磨中的氧化剂特别优选高锰酸根离子的原因如下所示。
(1)高锰酸根离子的氧化SiC单晶的氧化力强。
氧化剂的氧化力如果过弱,则与SiC单晶基板的被研磨面的反应不充分,其结果是,无法得到足够平滑的表面。作为氧化剂将物质氧化的氧化力的指标,采用氧化还原电位。高锰酸根离子的氧化还原电位为1.70V,与常用作氧化剂的高氯酸钾(KClO4)(氧化还原电位1.20V)和次氯酸钠(NaClO)(氧化还原电位1.63V)相比,氧化还原电位更高。
(2)高锰酸根离子的反应速度快。
高锰酸根离子与已知是氧化力强的氧化剂的过氧化氢(氧化还原电位1.76V)相比,氧化反应的反应速度更快,因此能迅速发挥出氧化力的强度。
(3)高锰酸根离子的环境负荷小。
(4)高锰酸盐完全溶解于下述的分散介质(水)。因此,溶解残渣不会对基板的平滑性造成不良影响。
为了得到提高研磨速度的效果,研磨剂中的高锰酸根离子的含有比例(浓度)较好为0.25质量%以上5质量%以下。少于0.25质量%时,无法期待作为氧化剂的效果,通过研磨而形成平滑的面需要非常长的时间,或者可能会在被研磨面上产生刮痕。高锰酸根离子的含有比例如果多于5质量%,则根据研磨液的温度的不同,高锰酸盐可能会无法完全溶解而析出,固体的高锰酸盐与被研磨面接触,从而产生刮痕。研磨剂中所含的高锰酸根离子的含有比例更好为0.5质量%以上5质量%以下,特别好为1质量%以上5质量%以下。
(二氧化硅粒子)
本发明的研磨剂中,作为研磨磨粒,以0.01质量%以上且小于20质量%的比例(浓度)含有平均二次粒径为0.2μm以下的二氧化硅粒子。二氧化硅粒子的平均二次粒径更好为0.15μm以下。作为具有这样的平均二次粒径的二氧化硅粒子,可例举胶态二氧化硅、热解法二氧化硅(也称气相二氧化硅)等。
SiC单晶基板的研磨中,将以0.01质量%以上且小于20质量%的比例含有所述二氧化硅粒子的研磨剂和所述氧化剂一起使用时,与使用以更高浓度含有二氧化硅粒子的研磨剂时相比,研磨速度快,并且表面粗糙度小,能得到平滑的表面。
此外,使用超出所述平均二次粒径的范围的二氧化硅粒子作为磨粒时,对SiC单晶基板的被研磨面造成的损伤大,难以得到平滑且高品质的表面。
另外,作为磨粒含有的二氧化硅粒子通常在研磨剂中以由一次粒子凝集而成的凝集粒子(二次粒子)的形式存在,因此二氧化硅粒子的优选的粒径以平均二次粒径(平均凝集粒径)表示。平均二次粒径是研磨剂中的二氧化硅二次粒子的直径的平均值,例如用利用动态光散射的粒度分布计测定。从研磨特性和分散稳定性的观点来看,二氧化硅粒子的一次粒径的平均值(平均一次粒径)较好是在5~150nm的范围内。这里,平均一次粒径例如根据粒子的比表面积作为等价球换算的粒径求得。该粒子的比表面积通过作为BET法已知的氮吸附法来测定。
为了得到足够的研磨速度,本发明的研磨剂中的二氧化硅粒子的含有比例(浓度)为0.01质量%以上且小于20质量%。二氧化硅粒子的含有比例小于0.01质量%时,难以得到足够的研磨速度。为20质量%以上时,研磨速度显著降低,也不理想。更优选的含有比例为0.05~15质量%,进一步更优选的含有比例为0.1~10质量%。
(pH和pH调整剂)
从研磨特性和作为磨粒的二氧化硅粒子的分散稳定性的观点来看,本发明的研磨剂的pH较好为11以下,更好为5以下,特别好为3以下。pH为11以上时,不仅无法得到足够的研磨速度,而且被研磨面的平滑性可能会变差。
研磨剂的pH可通过作为pH调整剂的酸或碱性化合物的添加、掺入来调整。作为酸,可使用硝酸、硫酸、磷酸、盐酸之类的无机酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸等饱和羧酸、乳酸、苹果酸、柠檬酸等羟基酸、邻苯二甲酸、水杨酸等芳香族羧酸、乙二酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、富马酸、马来酸等二羧酸、氨基酸、杂环系的羧酸之类的有机酸。优选使用硝酸和磷酸,其中特别优选使用硝酸。作为碱性化合物,可使用氨、氢氧化锂、氢氧化钾、氢氧化钠等无机碱、四甲基铵等季铵化合物、一乙醇胺、乙基乙醇胺、二乙醇胺、丙二胺等有机胺。优选使用氢氧化钾、氢氧化钠,特别优选氢氧化钾。
这些酸或碱性化合物的含有比例(浓度)是将研磨剂的pH调整至规定的范围(pH11以下、更好是5以下)的量。
(分散介质)
本发明的研磨剂中含有水作为分散介质。水是使二氧化硅粒子稳定地分散、并且用于将氧化剂和根据需要添加的下述的任意成分分散、溶解的介质。对于水无特别限制,从对掺入成分的影响、杂质的混入、对pH等的影响的观点来看,较好是纯水、超纯水、离子交换水(去离子水)。
(研磨剂的制备和任意成分)
本发明的研磨剂调制成以所述特定的比例含有所述成分、二氧化硅粒子均一地分散、除此以外的成分均一地溶解的混合状态来使用。混合可以采用研磨剂的制造中常用的搅拌混合方法,例如采用使用超声波分散机、均化器等的搅拌混合方法。本发明的研磨剂未必需要预先将构成的研磨成分全部混合好再供给至研磨场所。供给至研磨场所时,可以将研磨成分混合而达到研磨剂的组成。
本发明的研磨剂中,只要不违反本发明的技术思想,就可以根据需要适当含有防凝集剂或分散剂(下面记作分散剂)、润滑剂、螯合剂、还原剂、粘性赋予剂或粘度调节剂、防锈剂等。这里,这些添加剂具有氧化剂、酸或碱性化合物的功能时,可以视作氧化剂、酸或碱性化合物。
分散剂是为了使作为磨粒的二氧化硅粒子稳定地分散在纯水等分散介质中而添加的。此外,润滑剂适度地调整与研磨对象物之间产生的研磨应力,实现稳定的研磨。作为分散剂,可使用阴离子型、阳离子型、非离子型、两性的表面活性剂和具有表面活性作用的水溶性聚合物。此外,作为润滑剂,可使用阴离子型、阳离子型、非离子型、两性的表面活性剂、多糖类、水溶性高分子等。
这里,作为表面活性剂,可使用具有脂肪族烃基、芳香族烃基作为疏水基团、且在这些疏水基团内引入有1个以上的酯、醚、酰胺等键合基团、酰基、烷氧基等连接基团,具有羧酸、磺酸、硫酸酯、磷酸、磷酸酯、氨基酸作为亲水基团的表面活性剂。
作为多糖类,可使用褐藻酸、果胶、羧甲基纤维素、凝胶多糖、普鲁兰多糖、黄原胶、角叉菜胶、结冷胶、刺槐豆胶、阿拉伯胶、罗望子、洋车前子等。
作为水溶性高分子,可使用聚丙烯酸、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酰胺、聚天冬氨酸、聚谷氨酸、聚乙烯亚胺、聚烯丙胺、聚苯乙烯磺酸等。使用分散剂和润滑剂时,其含有比例相对于各研磨剂的总质量较好是在0.001~5质量%的范围内。
[研磨对象物]
使用本发明的研磨剂进行研磨的研磨对象物是非氧化物单晶基板。作为非氧化物单晶基板,可例举SiC单晶基板和GaN单晶基板之类的化合物半导体基板。特别是通过在所述SiC单晶基板和GaN单晶基板之类的修正莫氏硬度为10以上的单晶基板的研磨中使用本发明的研磨剂,能更好地得到高速研磨的效果。
[研磨方法]
作为使用本发明的研磨剂对作为研磨对象物的非氧化物单晶基板进行研磨的方法,较好是一边向研磨垫供给研磨剂、一边使研磨对象物的被研磨面与研磨垫接触、通过两者间的相对运动进行研磨的方法。
上述研磨方法中,作为研磨装置,可使用现有公知的研磨装置。
图1所示为本发明的实施方式中可以使用的研磨装置的一例,但本发明的实施方式中使用的研磨装置不限定于这样的结构。
图1所示的研磨装置10中,研磨平台1设置成以能绕着其垂直的轴心C1旋转的方式支承的状态,该研磨平台1在平台驱动电动机2的作用下,沿着图中以箭头表示的方向旋转驱动。该研磨平台1的上表面粘贴有公知的研磨垫3。
另一方面,在研磨平台1上的偏离轴心C1的位置上支承有基板保持构件(载体)5,使其能绕着其轴心C2旋转,并且能沿着轴心C2方向移动,在该基板保持构件5的下表面上用吸附或保持框等保持SiC单晶基板等研磨对象物4。该基板保持构件5构成为在未图示的工作驱动电动机的作用下、或者在从上述研磨平台1受到的旋转力矩的作用下、沿着箭头表示的方向旋转。在基板保持构件5的下表面、即与上述研磨垫3相向的面上保持有研磨对象物4。研磨对象物4以规定的荷重被按压向研磨垫3。
此外,在基板保持构件5的附近设置有滴液喷嘴6等,从未图示的罐送出的本发明的研磨剂(下面也记作研磨液)7被供给至研磨平台1上。
用该研磨装置10进行研磨时,研磨平台1和粘贴于其上的研磨垫3以及基板保持构件5和保持于其下表面的研磨对象物4在平台驱动电动机2和工作驱动电动机的作用下绕着各自的轴心旋转驱动。接着,在该状态下从滴液喷嘴6等向研磨垫3的表面供给研磨剂7,保持于基板保持构件5的研磨对象物4被按压于该研磨垫3。藉此,研磨对象物4的被研磨面、即与研磨垫3相向的面受到化学机械研磨。
基板保持构件5不仅可以旋转运动,也可以直线运动。此外,研磨平台1和研磨垫3也可以不进行旋转运动,例如可以以带式沿着一个方向移动。
作为研磨垫3,可使用由无纺布、发泡聚氨酯之类的多孔质树脂、非多孔质树脂等构成的研磨垫。作为研磨垫3,较好是不含有磨粒的研磨垫。此外,为了促进研磨液7向研磨垫3的供给、或者为了使研磨垫3中贮留一定量的研磨液7,可以对研磨垫3的表面实施格子状、同心圆状、螺旋状等的槽加工。还可以根据需要一边使研磨垫整理器(pad conditioner)与研磨垫3的表面接触来进行研磨垫3表面的整理,一边进行研磨。
使用该研磨装置10的研磨条件无特别限制,可以通过对基板保持构件5施加荷重将其按压于研磨垫3,从而进一步提高研磨压力,提高研磨速度。研磨压力较好为5~80kPa左右,从被研磨面内的研磨速度的均一性、平坦性、防止刮痕等研磨缺陷的观点来看,更好为10~50kPa左右。研磨平台1和基板保持构件5的转速较好为50~500rpm左右,但不限定于此。此外,对于研磨液7的供给量,根据被研磨面的构成材料和研磨液的组成、上述研磨条件等来适当调整、选择。
实施例
下面通过实施例和比较例对本发明进行更具体的说明,但是本发明不被这些实施例所限定。例1~21是本发明的实施例,例22~29是比较例。
(1)研磨剂的制备
(1-1)
如下所示制备例1的研磨剂。在作为氧化剂的高锰酸钾粉末中加入纯水,搅拌10分钟。接着,加入胶态二氧化硅分散液,搅拌3分钟,进而缓慢添加作为pH调整剂的硝酸,调整至表1所示的规定的高锰酸钾浓度、磨粒浓度和表2所示的pH,得到研磨剂。例2~21的各实施例中,也通过与例1同样的方法制备表1和表2中记载的各研磨剂。另外,表1中的氧化剂浓度不是高锰酸根离子的浓度,而是高锰酸钾的浓度。
(1-2)
如下所示制备例22~29的研磨剂。例22中,在胶态二氧化硅分散液中加入纯水,搅拌10分钟,接着,向该液中一边搅拌一边加入作为金属盐的钒酸铵,最后添加过氧化氢水溶液,搅拌30分钟,得到调整至表1和表2所示的规定的各成分浓度的研磨剂。关于例23~25和例29,通过与例1同样的方法进行制备,得到调整至表1和表2中记载的各成分浓度的研磨剂。关于例26~29,在胶态二氧化硅分散液中加入纯水,搅拌10分钟,接着,向该液中缓慢添加作为pH调整剂的硝酸,得到调整至表1和表2所示的规定的各成分浓度的研磨剂。
另外,例1~29中掺入的二氧化硅粒子的二次粒径用マイクロトラックUPA(Microtrac UPA,日机装株式会社(日機装社)制)测定。
(2)pH的测定
使用横河电机株式会社(横河電機社)制的pH81-11,在25℃下测定例1~29中得到的研磨剂的pH。测定结果示于表2。
(3)研磨特性
使用例1~29中得到的研磨剂,在如下所示的条件下进行研磨。
(3-1)研磨条件
作为研磨机,使用MAT公司制的小型研磨装置。作为研磨垫,使用SUBA800-XY-groove(霓塔哈斯公司(ニッタハース社)制),在研磨前用金刚石磨盘和刷子进行5分钟的整理。此外,将研磨剂的供给速度设为25cm3/分钟,将研磨平台的转速设为68rpm,将基板保持构件的转速设为68rpm,将研磨压力设为5psi(34.5kPa),进行30分钟的研磨。
(3-2)被研磨物
作为被研磨物,使用利用金刚石磨粒进行了预研磨处理的直径3英寸的4H-SiC基板。使用主面(0001)相对于C轴的斜角在4°±0.5°以内的SiC单晶基板(下面记作4度斜基板),对Si面侧进行研磨,评价研磨特性(研磨速度)。
(3-3)研磨速度的测定
研磨速度用所述SiC单晶基板的每单位时间的厚度的变化量(nm/hr)来评价。具体而言,测定已知厚度的未研磨基板的质量和进行各时间的研磨后的基板的质量,根据其差来求出质量变化。接着,用下式算出根据该质量变化求得基板厚度的单位时间的变化。研磨速度的计算结果示于表2。
(研磨速度(V)的计算式)
Δm=m0-m1
V=Δm/m0×T0×60/t
(式中,Δm(g)表示研磨前后的质量变化,m0(g)表示未研磨基板的初始质量,m1(g)表示研磨后基板的质量,V表示研磨速度(nm/hr),T0表示未研磨基板的厚度(nm),t表示研磨时间(min)。)
[表1]
[表2]
由表2可知,使用例1~21的研磨剂时,对于斜角在4°±0.5°以内的SiC单晶基板得到了高研磨速度,能实现高速研磨。此外,作为研磨对象物的SiC单晶基板的被研磨面上未产生由研磨引起的伤痕,能得到平坦性和平滑性优异的表面。
与之相对,例22的研磨剂中,因为不是含有高锰酸钾、而是含有过氧化氢作为氧化剂,所以SiC单晶基板的研磨速度比例1~21慢。例23~25的研磨剂中,因为作为磨粒的胶态二氧化硅的含有比例(浓度)为20质量%以上,在本发明的范围外,所以与例1~21相比研磨速度大幅降低。例29的研磨剂中,因为作为氧化剂的高锰酸钾的含有比例(浓度)为0.2质量%,在本发明的范围外,所以与例1~21相比研磨速度大幅降低。例26~28的研磨剂中,因为不含有作为氧化剂的高锰酸钾,所以对SiC单晶基板的研磨速度显著降低,为0(零)或接近于0(零)。
产业上利用的可能性
藉由本发明的研磨剂,能以高速对非氧化物单晶基板、特别是SiC单晶基板和GaN单晶基板之类的硬度高、化学稳定性高的化合物半导体基板进行研磨,并且能得到没有伤痕、平坦性和平滑性优异的研磨面。因此,能有助于这些基板的生产性的提高。
符号的说明
1…研磨平台、2…平台驱动电动机、3…研磨垫、4…研磨对象物、5…基板保持构件、6…滴液喷嘴、7…研磨剂、10…研磨装置。
Claims (6)
1.研磨剂,其用于以化学机械方式对非氧化物单晶基板进行研磨,其特征在于,
含有含过渡金属的氧化还原电位为0.5V以上的氧化剂、平均二次粒径为0.2μm以下的二氧化硅粒子、分散介质;
所述氧化剂的含有比例为0.25质量%以上5质量%以下,且所述二氧化硅粒子的含有比例为0.01质量%以上且小于20质量%。
2.如权利要求1所述的研磨剂,其特征在于,所述氧化剂是高锰酸根离子。
3.如权利要求1或2所述的研磨剂,其特征在于,pH为11以下。
4.如权利要求3所述的研磨剂,其特征在于,pH为5以下。
5.如权利要求1~4中任一项所述的研磨剂,其特征在于,所述非氧化物单晶基板是碳化硅(SiC)单晶基板或氮化镓(GaN)单晶基板。
6.研磨方法,该方法是向研磨垫供给研磨剂、使作为研磨对象物的非氧化物单晶基板的被研磨面与所述研磨垫接触、通过两者间的相对运动进行研磨的方法,其特征在于,使用权利要求1~5中任一项所述的研磨剂作为所述研磨剂。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011-192887 | 2011-09-05 | ||
JP2011192887 | 2011-09-05 | ||
PCT/JP2012/071266 WO2013035539A1 (ja) | 2011-09-05 | 2012-08-23 | 研磨剤および研磨方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103782370A true CN103782370A (zh) | 2014-05-07 |
Family
ID=47831989
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201280043222.0A Pending CN103782370A (zh) | 2011-09-05 | 2012-08-23 | 研磨剂及研磨方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140187043A1 (zh) |
JP (1) | JPWO2013035539A1 (zh) |
KR (1) | KR20140062107A (zh) |
CN (1) | CN103782370A (zh) |
DE (1) | DE112012003686T5 (zh) |
TW (1) | TW201313885A (zh) |
WO (1) | WO2013035539A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110091219A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-08-06 | 林德谊 | 一种银或银合金的表面抛光处理工艺 |
CN113993968A (zh) * | 2019-06-17 | 2022-01-28 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物 |
WO2022143719A1 (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-07 | 安集微电子科技(上海)股份有限公司 | 一种化学机械抛光液及其使用方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6656829B2 (ja) | 2014-11-07 | 2020-03-04 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
US11015086B2 (en) | 2016-02-09 | 2021-05-25 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Polishing slurry and polishing material |
JP6788474B2 (ja) * | 2016-10-18 | 2020-11-25 | 山口精研工業株式会社 | 窒化物半導体基板用研磨剤組成物 |
US10294399B2 (en) * | 2017-01-05 | 2019-05-21 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing silicon carbide |
US10907073B2 (en) * | 2017-01-11 | 2021-02-02 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
JP6901297B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2021-07-14 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
CN106978088B (zh) * | 2017-04-18 | 2018-11-20 | 海安县中丽化工材料有限公司 | 一种硅溶胶抛光液的制备方法 |
CN111378973A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 安集微电子科技(上海)股份有限公司 | 一种化学机械抛光液及其应用 |
KR102001458B1 (ko) | 2019-03-08 | 2019-07-18 | 김병호 | 정반 보호패드가 구비된 연마장치 |
CN115223846A (zh) * | 2021-04-15 | 2022-10-21 | 环球晶圆股份有限公司 | 半导体衬底的制造方法 |
WO2023218809A1 (ja) * | 2022-05-11 | 2023-11-16 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板、炭化珪素エピタキシャル基板、炭化珪素基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007103457A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ポリシングスラリー、iii族窒化物結晶の表面処理方法、iii族窒化物結晶基板、エピタキシャル層付iii族窒化物結晶基板、半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2009238891A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Hitachi Metals Ltd | SiC単結晶基板の製造方法 |
CN102017093A (zh) * | 2008-03-05 | 2011-04-13 | 卡伯特微电子公司 | 使用水溶性氧化剂的碳化硅抛光方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4187206B2 (ja) * | 2002-10-04 | 2008-11-26 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
US7736405B2 (en) * | 2003-05-12 | 2010-06-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same |
JP5336699B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2013-11-06 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 結晶材料の研磨加工方法 |
JP4835749B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2011-12-14 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物結晶基板、エピ層付iii族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法 |
KR101839633B1 (ko) * | 2010-02-22 | 2018-03-16 | 바스프 에스이 | 구리, 루테늄 및 탄탈룸 층을 포함하는 기판의 화학 기계적 평탄화 |
-
2012
- 2012-08-23 KR KR1020147008711A patent/KR20140062107A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-08-23 CN CN201280043222.0A patent/CN103782370A/zh active Pending
- 2012-08-23 WO PCT/JP2012/071266 patent/WO2013035539A1/ja active Application Filing
- 2012-08-23 DE DE112012003686.7T patent/DE112012003686T5/de not_active Ceased
- 2012-08-23 JP JP2013532532A patent/JPWO2013035539A1/ja not_active Withdrawn
- 2012-08-28 TW TW101131241A patent/TW201313885A/zh unknown
-
2014
- 2014-03-05 US US14/197,844 patent/US20140187043A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007103457A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ポリシングスラリー、iii族窒化物結晶の表面処理方法、iii族窒化物結晶基板、エピタキシャル層付iii族窒化物結晶基板、半導体デバイスおよびその製造方法 |
CN102017093A (zh) * | 2008-03-05 | 2011-04-13 | 卡伯特微电子公司 | 使用水溶性氧化剂的碳化硅抛光方法 |
JP2009238891A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Hitachi Metals Ltd | SiC単結晶基板の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110091219A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-08-06 | 林德谊 | 一种银或银合金的表面抛光处理工艺 |
CN113993968A (zh) * | 2019-06-17 | 2022-01-28 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物 |
WO2022143719A1 (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-07 | 安集微电子科技(上海)股份有限公司 | 一种化学机械抛光液及其使用方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112012003686T5 (de) | 2014-07-10 |
WO2013035539A1 (ja) | 2013-03-14 |
US20140187043A1 (en) | 2014-07-03 |
JPWO2013035539A1 (ja) | 2015-03-23 |
KR20140062107A (ko) | 2014-05-22 |
TW201313885A (zh) | 2013-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103782370A (zh) | 研磨剂及研磨方法 | |
CN103503118B (zh) | 研磨剂及研磨方法 | |
CN103493183B (zh) | 非氧化物单晶基板的研磨方法 | |
CN104979184B (zh) | 碳化硅单晶基板及研磨液 | |
JP5385141B2 (ja) | 水に可溶性酸化剤を使用する炭化ケイ素の研磨方法 | |
JP2012248569A (ja) | 研磨剤および研磨方法 | |
KR20150065682A (ko) | 사파이어 표면 폴리싱 방법 | |
KR20140109392A (ko) | 연마제용 첨가제 및 연마 방법 | |
CN107001914A (zh) | 研磨用组合物及使用其的基板的制造方法 | |
TW201500533A (zh) | 包含n,n,n’,n’-肆(2-羥基丙基)乙二胺或甲磺酸之化學機械拋光組成物 | |
JP2011161570A (ja) | 研磨剤および研磨方法 | |
JP2014168067A (ja) | 非酸化物単結晶基板の研磨方法 | |
JP2011029515A (ja) | 研磨剤、研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140507 |