CN103700777A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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CN103700777A CN201210367532.XA CN201210367532A CN103700777A CN 103700777 A CN103700777 A CN 103700777A CN 201210367532 A CN201210367532 A CN 201210367532A CN 103700777 A CN103700777 A CN 103700777A
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王平
黄辉
陈吉星
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法,所述有机电致发光器件为顶发射有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述空穴注入层的材质包括二氧化钛、聚3,4-二氧乙烯噻吩及聚苯乙烯磺酸。本发明的有机电致发光器件的空穴注入层中聚3,4-二氧乙烯噻吩的折射率约为1.5,使光线在玻璃基底表面发生全反射,提高器件的出光效率,同时空穴注入层中含有二氧化钛,使空穴注入层同时具有空穴注入及传输能力,使有机电致发光器件的光电转换效率得到提高,且制备方法简单,应用前景广阔。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域,特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展,利用超薄薄膜技术制备出高亮度、高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中,10V下亮度达到1000cd/m2,其发光效率为1.51lm/W,寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO),电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
在传统的发光器件中,空穴注入层的材质通常为金属氧化物(如氧化钼),但此时空穴注入层的材质选择范围窄,同时,金属氧化物在可见光范围内的吸光率较高,造成太阳光损失,且金属氧化物为无机物,与空穴传输层的有机材料性质差别较大,两者在接触的界面上相容性较差,在制备过程中易出现缺陷,造成空穴损失及器件发光效率减低。另一方面,现有的底发射有机电致发光器件一般包含带ITO功能层的玻璃基底,ITO的折射率为1.5,相邻的有机发光层材料折射率一般约为1.7,导致光从有机层出射至ITO层时发生全反射而无法从出光端发射,也导致有机电致发光器件的出光效率降低。
发明内容
为解决上述问题,本发明旨在提供一种有机电致发光器件。所述有机电致发光器件为顶发射有机电致发光器件,空穴注入层的材质为二氧化钛、聚3,4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)及聚苯乙烯磺酸(PSS),其中,二氧化钛使空穴注入层具有空穴传输的作用,而聚3,4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)的折射率约为1.5,光线在发射至玻璃基底表面时会发生全反射,金属阳极也会对光线进行反射,从而提高器件的出光效率。
本发明还提供上述有机电致发光器件的制备方法。
一方面,本发明提供一种有机电致发光器件,为顶发射有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述空穴注入层的材质包括二氧化钛、聚3,4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)及聚苯乙烯磺酸(PSS)。
优选地,所述二氧化钛的粒径为20nm~200nm。
优选地,所述的二氧化钛为锐钛型二氧化钛。锐钛型二氧化钛的比表面积大,利于提高空穴缓冲层的功函数及空穴传输性能。
优选地,所述空穴注入层的厚度为50~200nm。
所述的玻璃基底为市售普通玻璃。
优选地,所述阳极的材质为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au)。
更优选地,所述阳极的材质为银(Ag)。
优选地,所述阳极的厚度为80-250nm。更优选地,所述阳极的厚度为100nm。
优选地,所述发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-2-萘蒽(ADN)、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)或8-羟基喹啉铝(Alq3)。
更优选地,所述发光层的材质为8-羟基喹啉铝(Alq3)。
优选地,所述发光层的厚度为5~40nm。更优选地,所述发光层的厚度为15nm。
优选地,所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。
更优选地,所述电子传输层的材质为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。
优选地,所述电子传输层的厚度为40~100nm。更优选地,所述电子传输层的厚度为60nm。
优选地,所述电子注入层的材质为碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、叠氮化铯(CsN3)或者氟化锂(LiF)。
更优选地,所述电子注入层的材质为氟化锂(LiF)。
优选地,所述电子注入层的厚度为0.5~10nm。更优选地,所述电子注入层的厚度为1nm。
优选地,所述阴极的材质为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au)。
更优选地,所述阴极的材质为银(Ag)。
优选地,所述阴极的厚度为5~20nm。更优选地,所述阴极的厚度为10nm。
本发明进一步提供一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下操作步骤:
将玻璃基底清洁后,进行预处理,然后在玻璃基底上蒸镀制备阳极;
在阳极上旋涂制备空穴注入层,所述空穴注入层的材质包括二氧化钛、聚3,4-二氧乙烯噻吩及聚苯乙烯磺酸,空穴注入层的具体制备方法为:将聚3,4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)与聚苯乙烯磺酸(PSS)加入水中得到聚3,4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯乙烯磺酸(PSS)水溶液(简称PEDOT/PSS水溶液),将二氧化钛加入PEDOT/PSS水溶液中混合均匀,得到混合物,在阳极上旋涂所述混合物后烘干,得到空穴注入层;
在空穴注入层上依次蒸镀制备发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,得到有机电致发光器件。
优选地,所述二氧化钛的粒径为20nm~200nm。
优选地,所述的二氧化钛为锐钛型二氧化钛。锐钛型二氧化钛可由金红石型二氧化钛经过处理后得到,处理方法为:将金红石型二氧化钛与水中配成质量分数为15~45%的胶体,加入1~10ml的乙酰丙酮后研磨10~30min,置于300~500℃煅烧30~50min,降温至常温,研磨均匀,得到锐钛型二氧化钛。一般二氧化钛商品的晶型为金红石型,经过上述处理步骤将金红石型二氧化钛转变为锐钛型二氧化钛,以扩大其比表面积,提高功函数及掺杂后的空穴注入层的空穴传输性能。
优选地,所述二氧化钛的质量为PEDOT/PSS水溶液质量的5~30%。
优选地,所述的PEDOT/PSS水溶液中,PEDOT的质量分数为1%~5%。
优选地,所述PEDOT:PSS的质量比为2:1~6:1。
优选地,所述空穴注入层的厚度为50~150nm。
优选地,所述空穴缓冲层的制备中,旋涂速率为2000~6000rpm,时间为10~30s。
所述的玻璃基底为市售普通玻璃。所述清洁是将玻璃基底进行光刻处理后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇和异丙醇超声清洗15min,去除基底表面的有机污染物。
优选地,所述阳极的材质为Ag、Al、Pt或Au。
更优选地,所述阳极的材质为Ag。
优选地,所述阳极的厚度为80~250nm。更优选地,所述阳极的厚度为100nm。
优选地,所述蒸镀制备阳极采用真空蒸镀,蒸镀时的压力为2×10-3~5×10-5Pa,蒸镀速率为1~10nm/s。
优选地,所述发光层的材质为DCJTB、ADN、BCzVBi或Alq3
更优选地,所述发光层的材质为Alq3
优选地,所述发光层的厚度为5~40nm。更优选地,所述发光层的厚度为15nm。
优选地,所述蒸镀制备发光层采用真空蒸镀,蒸镀时的压力为2×10-3~5×10-5Pa,蒸镀速率为0.1~1nm/s。
优选地,所述电子传输层的材质为Bphen、TAZ或TPBI。
更优选地,所述电子传输层的材质为TPBi。
优选地,所述电子传输层的厚度为40~100nm。更优选地,所述电子传输层的厚度为60nm。
优选地,所述蒸镀制备电子传输层采用真空蒸镀,蒸镀时的压力为2×10-3~5×10-5Pa,蒸镀速率为0.1~1nm/s。
优选地,所述电子注入层的材质为Cs2CO3、CsF、CsN3或者LiF。
更优选地,所述电子注入层的材质为LiF。
优选地,所述电子注入层的厚度为0.5~10nm。更优选地,所述电子注入层的厚度为1nm。
优选地,所述蒸镀制备电子注入层采用真空蒸镀,蒸镀时的压力为2×10-3~5×10-5Pa,蒸镀速率为0.1~1nm/s。
优选地,所述阴极的材质为Ag、Al、Pt或Au。
更优选地,所述阴极的材质为Ag。
优选地,所述阴极的厚度为5~20nm。更优选地,所述阴极的厚度为10nm。
优选地,所述蒸镀制备阴极采用真空蒸镀,蒸镀时的压力为2×10-3~5×10-5Pa,蒸镀速率为1~10nm/s。
本发明提供的有机电致发光器件包含材质为二氧化钛和聚3,4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)及聚苯乙烯磺酸(PSS)的空穴注入层。其中,二氧化钛优选锐钛矿结构的二氧化钛,其比表面积较大,且为立体网状结构,有利于空穴的传输,掺杂后使空穴注入层同时具有传输能力,而且功函数比一般的电子传输材料的LUMO能级高(电子主要通过LUMO能级进行传输),可以起到阻挡电子的作用,防止电子遂穿到阳极而被淬灭,降低空穴电子的复合几率,提高光电转换效率。同时,PEDOT/PSS水溶液与二氧化钛形成均一的凝胶状,不会形成较大的颗粒,使旋涂制备的空穴注入层较平整,有效防止膜层缺陷的产生。此外,PEDOT的折射率为1.5左右,使光线在发射至玻璃基底表面时发生全反射,金属阳极也会对光线进行反射,使光线从底部反射回来从顶部射出,提高有机电致发光器件的出光效率。
本发明提供一种有机电致发光器件及其制备方法,具有以下有益效果:
(1)本发明通过在空穴注入层中掺杂锐钛矿型二氧化钛,使空穴注入层同时具有空穴注入及传输能力,防止电子遂穿到阳极而被淬灭,提高光电转换效率。
(2)PEDOT/PSS水溶液可与二氧化钛形成均一的凝胶状,使旋涂制备的空穴注入层较平整,防止膜层缺陷的产生。
(3)空穴注入层中PEDOT的折射率为1.5左右,使光线在底部玻璃基底表面上发生全反射,金属阳极也会对光线进行反射,可提高器件的出光效率。
附图说明
图1为本发明制备的有机电致发光器件的结构图,包括依次层叠的玻璃基底1、阳极2、空穴注入层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6和阴极7。
图2是实施例一制备的有机电致发光器件与对比器件的亮度-流明效率变化曲线,分别对应曲线1和曲线2。
具体实施方式
以下所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
实施例一
一种有机电致发光器件,制备方法包括以下步骤:
(1)先将尺寸为2×2cm2的玻璃基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇和异丙醇超声清洗清洗15min,去除玻璃表面的有机污染物,在玻璃基底上用高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司,压强<1×10-3Pa,下同)蒸镀制备阳极Ag,厚度为100nm,蒸镀时的压力为5×10-4Pa,蒸镀速率为7nm/s;
(2)由金红石型二氧化钛制备锐钛型二氧化钛,制备方法为:将金红石型二氧化钛与水配成二氧化钛质量分数为35%的胶体,加入2ml的乙酰丙酮,然后研磨30min,置于马弗炉中于450℃煅烧30min,降温至常温后研磨1h,得到粒径为20nm-200nm的锐钛型二氧化钛,然后在阳极上制备空穴注入层,制备方法为:将PEDOT与PSS按质量比为5:1加入水中得到PEDOT/PSS水溶液,PEDOT的质量分数为3%,将锐钛型二氧化钛加入PEDOT/PSS水溶液中混合均匀,锐钛型二氧化钛的质量为PEDOT/PSS水溶液质量的20%,得到混合物,在5000rpm的转速下旋涂所述混合物,旋涂时间为20s,然后干燥,除去水分,得到空穴注入层,厚度为150nm;
(3)在空穴注入层上依次蒸镀制备发光层BCzVBi、电子传输层TPBi、电子注入层LiF和阴极Ag,蒸镀发光层时的压力为5×10-4Pa,蒸镀速率为0.3nm/s,厚度为15nm;蒸镀电子传输层时的压力为5×10-4Pa,蒸镀速率为0.5nm/s,厚度为60nm;蒸镀电子注入层时的压力为5×10-4Pa,蒸镀速率为0.2nm/s,厚度为1nm;蒸镀阴极时的压力为5×10-4Pa,蒸镀速率为5nm/s,厚度为10nm,得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件为顶发射有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基底1、阳极2、空穴注入层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6和阴极7,结构见图1,具体为:玻璃基底/Ag/(TiO2:PEDOT:PSS)/BCzVBi/TPBi/LiF/Ag。
另制备用于对比的有机电致发光器件,简称对比器件,为底发射有机电致发光器件,其结构具体为:玻璃基底/ITO/WO3/NPB/Alq3/TPBi/LiF/Ag,除玻璃基底外依次对应阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,ITO为阳极,厚度为120nm,直接购买带有ITO层的ITO玻璃,空穴注入层的厚度为150nm,蒸镀制备时的压力为5×10-4Pa,蒸镀速率为0.5nm/s,空穴传输层的厚度为40nm,蒸镀制备时的压力为5×10-4Pa,蒸镀速率为0.5nm/s,其余各层厚度以及制备方法与本发明有机电致发光器件的相应层一致。对比可知,本发明采用金属作为阳极材质,可对光线产生散射作用,且空穴注入层的材质包括二氧化钛、PEDOT和PSS,同时起到空穴注入与传输的作用,在提高空穴传输速率的同时,简化了制备过程。
实施例二
一种有机电致发光器件,制备方法包括以下步骤:
(1)先将尺寸为2×2cm2的玻璃基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇和异丙醇超声清洗清洗15min,去除玻璃表面的有机污染物,在玻璃基底上先蒸镀制备阳极Pt,厚度为80nm,蒸镀时的压力为2×10-3Pa,蒸镀速率为10nm/s;
(2)由金红石型二氧化钛制备锐钛型二氧化钛,制备方法为:将金红石型二氧化钛与水配成二氧化钛质量分数为45%的胶体,加入10ml的乙酰丙酮,然后研磨20min,置于马弗炉中于500℃煅烧30min,降温至常温后研磨0.5h,得到粒径为20nm-200nm的锐钛型二氧化钛,然后在阳极上制备空穴注入层,制备方法为:将PEDOT与PSS按质量比为2:1加入水中得到PEDOT/PSS水溶液,PEDOT的质量分数为5%,将锐钛型二氧化钛加入PEDOT/PSS水溶液中混合均匀,锐钛型二氧化钛的质量为PEDOT/PSS水溶液质量的5%,得到混合物,在2000rpm的转速下旋涂所述混合物,旋涂时间为10s,然后干燥,除去水分,得到空穴注入层,厚度为100nm;
(3)在空穴注入层上依次蒸镀制备发光层Alq3、电子传输层TPBi、电子注入层Cs2CO3和阴极Au,蒸镀发光层时的压力为2×10-3Pa,蒸镀速率为0.1nm/s,厚度为40nm;蒸镀电子传输层时的压力为2×10-3Pa,蒸镀速率为0.1nm/s,厚度为40nm;蒸镀电子注入层时的压力为2×10-3Pa,蒸镀速率为0.1nm/s,厚度为10nm;蒸镀阴极时的压力为2×10-3Pa,蒸镀速率为10nm/s,厚度为20nm,得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件为顶发射有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,具体为:玻璃基底/Pt/(TiO2:PEDOT:PSS)/Alq3/TPBi/Cs2CO3/Au。
实施例三
一种有机电致发光器件,制备方法包括以下步骤:
(1)先将尺寸为2×2cm2的玻璃基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇和异丙醇超声清洗清洗15min,去除玻璃表面的有机污染物,在玻璃基底上先蒸镀制备阳极Au,厚度为250nm,蒸镀时的压力为5×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s;
(2)由金红石型二氧化钛制备锐钛型二氧化钛,制备方法为:将金红石型二氧化钛与水配成二氧化钛质量分数为15%的胶体,加入10ml的乙酰丙酮,然后研磨10min,置于马弗炉中于300℃煅烧50min,降温至常温后研磨2h,得到粒径为20nm-200nm的锐钛型二氧化钛,然后在阳极上制备空穴注入层,制备方法为:将PEDOT与PSS按质量比为6:1加入水中得到PEDOT/PSS水溶液,PEDOT的质量分数为1%,将锐钛型二氧化钛加入PEDOT/PSS水溶液中混合均匀,锐钛型二氧化钛的质量为PEDOT/PSS水溶液质量的30%,得到混合物,在6000rpm的转速下旋涂所述混合物,旋涂时间为30s,然后干燥,除去水分,得到空穴注入层,厚度为50nm;
(3)在空穴注入层上依次蒸镀制备发光层DCJTB、电子传输层TAZ、电子注入层CsN3和金属阴极Al,蒸镀发光层时的压力为5×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s,厚度为5nm;蒸镀电子传输层时的压力为5×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s,厚度为40nm;蒸镀电子注入层时的压力为5×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s,厚度为0.5nm;蒸镀阴极时的压力为5×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s,厚度为5nm,得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件为顶发射有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,具体为:玻璃基底/Au/(TiO2:PEDOT:PSS)/DCJTB/TAZ/CsN3/Al。
实施例四
一种有机电致发光器件,制备方法包括以下步骤:
(1)先将尺寸为2×2cm2的玻璃基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇和异丙醇超声清洗清洗15min,去除玻璃表面的有机污染物,在玻璃基底上先蒸镀制备阳极Al,厚度为100nm,蒸镀时的压力为8×10-5Pa,蒸镀速率为6nm/s;
(2)由金红石型二氧化钛制备锐钛型二氧化钛,制备方法为:将金红石型二氧化钛与水配成二氧化钛质量分数为20%的胶体,加入8ml的乙酰丙酮,然后研磨15min,置于马弗炉中于500℃煅烧25min,降温至常温后研磨1h,得到粒径为20nm-200nm的锐钛型二氧化钛,然后在阳极上制备空穴注入层,制备方法为:将PEDOT与PSS按质量比为2:1加入水中得到PEDOT/PSS水溶液,PEDOT的质量分数为4%,将锐钛型二氧化钛加入PEDOT/PSS水溶液中混合均匀,锐钛型二氧化钛的质量为PEDOT和PSS水溶液质量的30%,得到混合物,在3000rpm的转速下旋涂所述混合物,旋涂时间为15s,然后干燥,除去水分,得到空穴注入层,厚度为150nm;
(3)在空穴注入层上依次蒸镀制备发光层ADN、电子传输层Bphen、电子注入层CsF和金属阴极Al,蒸镀发光层时的压力为8×10-5Pa,蒸镀速率为0.3nm/s,厚度为10nm;蒸镀电子传输层时的压力为8×10-5Pa,蒸镀速率为0.4nm/s,厚度为100nm;蒸镀电子注入层时的压力为8×10-5Pa,蒸镀速率为0.2nm/s,厚度为0.5nm;蒸镀阴极时的压力为8×10-5Pa,蒸镀速率为2nm/s,厚度为8nm,得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件为顶发射有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,具体为:玻璃基底/Al/(TiO2:PEDOT:PSS)/ADN/Bphen/CsF/Al。
测试实施例
采用电流-电压测试仪(美国Keithly公司,型号:2602)、电致发光光谱测试仪(美国photo research公司,型号:PR650)以及屏幕亮度计(北京师范大学,型号:ST-86LA)测试有机电致发光器件的流明效率随亮度变化曲线,由变化曲线可得最大流明效率,以考察器件的发光效率,测试对象包括实施例一~四制备的有机电致发光器件以及对比器件。图2是实施例一制备的包含掺杂空穴注入层的有机电致发光器件与对比器件的亮度-流明效率变化曲线,分别对应曲线1和曲线2。实施例一~四制备的有机电致发光器件以及对比器件的最大流明效率数据见表1。
表1本发明的有机电致发光器件及对比器件的最大流明效率数据表
Figure BDA00002204929500131
由图2及表1可见,在不同亮度下,实施例一制备的有机电致发光器件的流明效率都比对比器件的流明效率高,而且对比器件的流明效率随着亮度的增大而快速下降,实施例一~四制备的有机电致发光器件的最大流明效率为14.8~25.8lm/W,而对比器件仅为13.9lm/W,即实施例一制备的器件发光效率及稳定性比对比器件高。说明本发明利用二氧化钛、PEDOT及PSS为材质制备的空穴注入层同时具备注入和空穴传输能力,可提高空穴和电子的复合几率及有机电致发光器件的光电转换效率,同时空穴注入层中的PEDOT的折射率为1.5左右,使光线在底部玻璃基底表面发生全反射,金属阳极也会对光线进行反射,从而提高了器件的发光效率。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件,为顶发射有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述空穴注入层的材质包括二氧化钛、聚3,4-二氧乙烯噻吩及聚苯乙烯磺酸。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述二氧化钛的粒径为20nm~200nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述的二氧化钛为锐钛型二氧化钛。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴注入层的厚度为50~200nm。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阳极的材质为银、铝、铂或金。
6.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下操作步骤:
将玻璃基底清洁后,进行预处理,然后在玻璃基底上蒸镀制备阳极;
在阳极上旋涂制备空穴注入层,所述空穴注入层的材质包括二氧化钛、聚3,4-二氧乙烯噻吩及聚苯乙烯磺酸,空穴注入层的具体制备方法为:将聚3,4-二氧乙烯噻吩与聚苯乙烯磺酸加入水中得到聚3,4-二氧乙烯噻吩/聚苯乙烯磺酸水溶液,将二氧化钛加入聚3,4-二氧乙烯噻吩/聚苯乙烯磺酸水溶液中混合均匀,得到混合物,在阳极上旋涂所述混合物后烘干,得到空穴注入层;
在空穴注入层上依次蒸镀制备发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,得到有机电致发光器件。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述的二氧化钛为锐钛型二氧化钛,由金红石型二氧化钛经过处理得到锐钛型二氧化钛的方法为:将金红石型二氧化钛与水配成质量分数为15-45%的胶体,加入1-10ml的乙酰丙酮后研磨10~30min,置于300~500℃煅烧30~50min,降温至常温,研磨0.5~2h,得到锐钛型二氧化钛。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述二氧化钛的质量为聚3,4-二氧乙烯噻吩/聚苯乙烯磺酸水溶液质量的5%~30%,所述的聚3,4-二氧乙烯噻吩/聚苯乙烯磺酸水溶液中,聚3,4-二氧乙烯噻吩的质量分数为1%~5%。
9.如权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述聚3,4-二氧乙烯噻吩:聚苯乙烯磺酸的质量比为2:1~6:1。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述空穴缓冲层的制备中,旋涂速率为2000~6000rpm,时间为10~30s。
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CN107359259A (zh) * 2017-06-20 2017-11-17 深圳市华星光电技术有限公司 有机电致发光器件及其制造方法
CN113471374A (zh) * 2021-06-28 2021-10-01 武汉华星光电技术有限公司 有机发光二极管及其制备方法、显示面板

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107359259A (zh) * 2017-06-20 2017-11-17 深圳市华星光电技术有限公司 有机电致发光器件及其制造方法
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