CN103700769A - 一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103700769A
CN103700769A CN201310651418.4A CN201310651418A CN103700769A CN 103700769 A CN103700769 A CN 103700769A CN 201310651418 A CN201310651418 A CN 201310651418A CN 103700769 A CN103700769 A CN 103700769A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
pbcl
pbi
pbbr
solar cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310651418.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103700769B (zh
Inventor
袁宁一
董旭
丁建宁
胡宏伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changzhou University
Original Assignee
Changzhou University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changzhou University filed Critical Changzhou University
Priority to CN201310651418.4A priority Critical patent/CN103700769B/zh
Publication of CN103700769A publication Critical patent/CN103700769A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103700769B publication Critical patent/CN103700769B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/40—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a p-i-n structure, e.g. having a perovskite absorber between p-type and n-type charge transport layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法，利用真空蒸发先后沉积PbCl2/PbBr2/PbI2，PbCl2/PbI2、PbCl2/PbBr2层或PbBr2/PbI2，然后再浸泡CH3NH3I溶液，得到CH3NH3I?PbCl2/CH3NH3I?PbBr2/CH3NH3I?PbI2钙钛矿层、CH3NH3I?PbCl2/CH3NH3I?PbI2钙钛矿层、CH3NH3I?PbCl2/CH3NH3I?PbBr2钙钛矿层或CH3NH3I?PbBr2/CH3NH3I?PbI2钙钛矿层，取代原有的单一材料的钙钛矿层；叠层结构能更有效的吸收太阳光，而且可以提高电子的跃迁。

Description

一种有机 / 无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机/无机杂化太阳能电池，且特别是涉及一种基于CH3NH3I • PbCl2 /CH3NH3I • PbBr2/ CH3NH3I • PbI2的叠层有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池。
背景技术
自从1991年染料敏化太阳能电池（DSC）被Michael Gratzel发明以来，染料敏化太阳能电池，无机量子点太阳能电池和有机聚合物太阳能电池迅速发展；近年来，随着有机/无机杂化钙钛矿材料的迅速发展，由于其在光催化过程中优异的光电性能，科学家将有机/无机杂化钙钛矿结构引入到有机/无机太阳能电池中，有效地提高有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池的效率；特别是基于CH3NH3I • PbX2(X为Cl、Br或I)的有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池的效率节节攀升，备受世界瞩目的焦点。
有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池的制造流程一般是首先在FTO玻璃上沉积TiO2（n 型半导体）层，然后在其上面利用溶液旋涂法沉积CH3NH3I • PbX2(X为Cl、Br或I)作为光吸收层，再旋涂一层spiro-OMeTAD（p型有机空穴导体），最后真空蒸发一层Au或者Ag，形成p-i-n型结构；其中TiO2层文献中有致密层和多孔层组合，也有只是致密层；钙钛矿层吸收层目前报道的都是单一材料如CH3NH3PbI3、CH3NH3I • PbCl2或CH3NH3I • PbBr2；利用CH3NH3I • PbCl2或CH3NH3I • PbBr2、 CH3NH3PbI3的带隙依次减小，把他们结合起来做成叠层结构，可以进一步扩大吸收层的光谱吸收范围，并提高电子的跃迁。
发明内容
针对背景技术中的采用单一钙钛矿层作为光吸收层的电池结构，本发明提出一种基于CH3NH3I • PbCl2 /CH3NH3I • PbBr2/ CH3NH3I • PbI2叠层结构的有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池的制备技术。
一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池，所述太阳能电池从下至上依次为FTO导电玻璃层、n型层、杂化钙钛矿结构层、spiro-OMeTAD有机p型层和金属电极，其特征在于；所述杂化钙钛矿结构层为叠层结构，从下至上依次为CH3NH3I • PbCl2 /CH3NH3I • PbBr2/ CH3NH3I • PbI2、CH3NH3I • PbCl2 / CH3NH3I • PbI2、CH3NH3I • PbCl2 / CH3NH3I • PbBr2或CH3NH3I • PbBr2/ CH3NH3I • PbI2。
所述的n型层为致密氧化钛层，层厚为20-30nm。
所述的FTO导电玻璃层的方块电阻是10-15Ω，透过率在78-85%。
所述的杂化钙钛矿结构层的层厚为300-400nm，各层厚度在100-150 nm。
所述spiro-OMeTAD有机p型层的层厚为100-150nm。
所述金属电极为Au电极或Ag电极，层厚为100-120nm。
一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括在FTO导电玻璃先沉积n型层的步骤，然后再在n型层上制备杂化钙钛矿结构层的步骤，接着在杂化钙钛矿结构层上旋涂spiro-OMeTAD有机p型层的步骤，最后在p型层上沉积金属电极层的步骤；其特征在于：采用两步浸渍法制备杂化钙钛矿结构层，杂化钙钛矿结构层为叠层结构，从下至上依次为CH3NH3I • PbCl2 /CH3NH3I • PbBr2/ CH3NH3I • PbI2、CH3NH3I • PbCl2 / CH3NH3I • PbI2、CH3NH3I • PbCl2 / CH3NH3I • PbBr2或CH3NH3I • PbBr2/ CH3NH3I • PbI2。
本发明通过下述技术方案予以实现：
一、致密层的制备
在镀了掺氟氧化锡的玻璃（FTO）上，用原子层沉积（ALD）技术生长20-30nm厚的致密的TiO2层，然后450℃退火30min。
二、两步浸渍法制备杂化钙钛矿结构层
先是在致密层上用真空蒸发依次沉积PbCl2、PbBr2与PbI2层、PbBr2与PbI2层、PbCl2与PbBr2层或PbCl2与PbI2层、在手套箱中，70℃下加热10min，将基底缓慢平稳的浸入事先先配好的CH3NH3I溶液，反应30min，取出后放到干净的异丙醇溶液中洗涤；最后放到70min环境中烘20min；CH3NH3I溶液浓度为10mg/ml。
三、空穴传导层（HTM）的制备
在手套箱中，将事先配好的Spiro-OMeTAD溶液（HTM）旋涂到钙钛矿层，控制旋速与HTM的量，控制厚度在100nm-150nm，70℃环境烘20min后，过夜放置。
四、光阴极制备
将准备好的基底，迅速的放到真空蒸发仪器中，真空度达到1×10-3pa，通过控制蒸发金属的量来控制蒸发的Au或者Ag的厚度；一般为100nm-120nm。
本发明的有益效果是提出了一种全新的基于CH3NH3I • PbX2(X为Cl、Br或I)的叠层有机/无机杂化太阳能电池；利用真空蒸发先后沉积PbCl2/PbBr2/PbI2，PbCl2/ PbI2、PbCl2/PbBr2层或PbBr2/PbI2，然后再浸泡CH3NH3I溶液，得到CH3NH3I • PbCl2 /CH3NH3I • PbBr2/ CH3NH3I • PbI2钙钛矿层、CH3NH3I • PbCl2 / CH3NH3I • PbI2钙钛矿层、CH3NH3I • PbCl2 / CH3NH3I • PbBr2钙钛矿层或CH3NH3I • PbBr2/ CH3NH3I • PbI2钙钛矿层，取代原有的单一材料的钙钛矿层；三叠层的能带结构如图2，更有效的吸收太阳光，而且可以提高电子的跃迁。
同时本发明用ALD得到的TiO2层的致密性与均匀性远高于溶液法旋涂得到的致密层；而且使用真空蒸发得到的PbCl2/PbBr2/PbI2层，厚度可以有效的进行控制，同时均匀性也很好，这是溶液法很难精确进行控制的；这两个方面的改进，可以大大的提高电池的p-n结特性，可以有效的提高电池的能量转换效率。
附图说明
图1为本发明的基于CH3NH3I • PbX2(X为Cl、Br或I)的三叠层有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池的结构示意图。
图2为基于本发明制备的的基于CH3NH3I • PbX2(X为Cl、Br或I)的三叠层有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池的电池原理示意图。
图3为本发明实例一中三叠层的CH3NH3I • PbX2(X为Cl、Br或I)的紫外-可见吸收光谱图，从图中可以看出钙钛矿的吸收光谱在800nm以下，并且有很高的吸收效率。
图4为本发明实例一、实例二的电池制备流程图。
图5为发明实例一、实例二以及对比例一、二、三电池在AM1.5光照下I-V曲线图；从图中可看出，实例一、实例二中杂化钙钛矿太阳能电池的短路电流和开路电压均有增加，随之光电转化效率增加，光电流的增加得益于吸收效率的提高；开路电压的增加得益于p-n型电池结构的优化。
具体实施方式
实例一 三叠层电池
以下结合实例进一步说明本发明的内容：
1、致密TiO2层的制备
通过ALD使用水和四异丙醇钛作为源，在洗净的FTO导电玻璃基底上生长30nm厚的致密的TiO2层；生长工艺为：钛源加热温度70℃，腔室反应温度270℃，钛源吹扫1s--氮气通气5s--水源通气200ms--氮气通气2s，完成一个循环，每16个循环生长1nmTiO2，取出后放在马弗炉中，450℃退火30min。
2、三叠层结构钙钛矿层的制备
（1）合成CH3NH3I
将盛有20ml甲胺的圆底烧瓶放置在0℃的冰水中，将22ml氢碘酸边滴加边搅拌滴入烧瓶中，滴加完成后继续冰水浴中搅拌2h，形成无色透明的CH3NH3I溶液，溶液用旋转蒸发器烘干，然后用乙醚洗涤干净，得到白色的CH3NH3I晶体，将定量的CH3NH3I晶体溶在异丙醇中，溶液浓度为10mg/ml。
（2）钙钛矿层制备：
将PbCl2、PbBr2、PbI2粉末分别放置在蒸发源A、B、C舟上，腔室真空度达到1×10-3pa后，依次对蒸发源A、B、C进行加热蒸发，每层厚度为100nm，总厚度为300nm，然后在手套箱中70℃下烘10min后，放到CH3NH3I溶液中浸泡30min，颜色变为棕黑色，取出在异丙醇中洗涤；后70℃中烘20min，得到所需要的叠加的CH3NH3I • PbCl2 /CH3NH3I • PbBr2/ CH3NH3I • PbI2层（见图一）。
3、空穴传导层的制备
在手套箱中，取2ml 氯苯和0.2ml 乙腈混合后，依次称量68mMSpiro-OMeTAD（2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴）、55mM叔丁基吡啶和9mM Li-TFSI （二(三氟甲基磺酰)锂）加到溶液中，摇晃溶解，配制Spiro-OMeTAD（HTM）溶液。
将配好的HTM溶液旋涂到钙钛矿层上，转速为5000R/min，70℃加热20min，得到厚度为120nm的空穴传导层，最后放置到无水空气中过夜。
4、光阴极的制备
腔室真空度达到1×10-3pa后，电极加热电流调为52A，在上述样品上热蒸发沉积100nm 厚的Ag层度，电池面积为0.5cm*0.5cm。
实例二 二叠层电池
1、致密层的制备
同实例一中步骤1。
2、CH3NH3I • PbCl2钙钛矿层的制备
⑴ 合成CH3NH3I
同实例一中步骤2中的第一步。
⑵ 两叠层钙钛矿的制备
将PbCl2、PbI2粉末分别放置在蒸发源A、C舟上，腔室真空度达到1×10-3pa后，依次对蒸发源A、C进行加热蒸发，每层厚度为150nm，总厚度为300nm，然后在手套箱中70℃下烘10min后，放到CH3NH3I溶液中浸泡30min，颜色变为棕黑色，取出在异丙醇中洗涤；后70℃中烘20min，得到所需要的叠加的CH3NH3I • PbCl2 / CH3NH3I • PbI2层。
3、空穴传导层的制备
同实例一中步骤3。
4、光阴极的制备
同实例一中步骤4
对比例一
1、致密层的制备
同实例一中步骤1。
2、CH3NH3I • PbCl2钙钛矿层的制备
⑴合成CH3NH3I
同实例一中步骤2中的第一步。
⑵钙钛矿的制备
将PbCl2粉末放置在蒸发源B舟上，真空度达到1×10-3pa后，进行加热蒸发，控制厚度为300nm，然后在手套箱中70℃下烘10min后，放到CH3NH3I溶液中浸泡30min，后在异丙醇中洗涤。最后70℃中烘20min，得到所需要的CH3NH3I • PbCl2层。
3、空穴传导层的制备
同实例一中步骤3。
4、光阴极的制备
同实例一中步骤4。
对比例二
1、致密层的制备
同实例一中步骤1。
2、CH3NH3I • PbBr2钙钛矿层的制备
⑴合成CH3NH3I
同实例一中步骤2中的第一步。
⑵钙钛矿的制备
将PbBr2粉末放置在蒸发源B舟上，真空度达到1×10-3pa后，进行加热蒸发，控制厚度为300nm，然后在手套箱中70℃下烘10min后，放到CH3NH3I溶液中浸泡30min，后在异丙醇中洗涤。最后70℃中烘20min，得到所需要的CH3NH3I • PbBr2层。
3、空穴传导层的制备
同实例一中步骤3。
4、光阴极的制备
同实例一中步骤4。
对比例三
1、致密层的制备
同实例一中步骤1。
2、CH3NH3PbI3钙钛矿层的制备
⑴合成CH3NH3I
同实例一中步骤2中的第一步。
⑵钙钛矿的制备
将PbI2粉末放置在蒸发源B舟上，真空度达到1×10-3pa后，进行加热蒸发，控制厚度为300nm，然后在手套箱中70℃下烘10min后，放到CH3NH3I溶液中浸泡30min，后在异丙醇中洗涤。最后70℃中烘20min，得到所需要的CH3NH3PbI3层。
3、空穴传导层的制备
同实例一中步骤3。
4、光阴极的制备
同实例一中步骤4。
测试
将制备好的实例电池与对比例一、对比例二、对比例三的电池置于模拟AM1.5太阳光下，使用Keithley 2400电流源表记录电池的I-V曲线，见图五。

Claims (8)

1.一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池，所述太阳能电池从下至上依次为FTO导电玻璃层、n型层、杂化钙钛矿结构层、spiro-OMeTAD有机p型层和金属电极，其特征在于：所述杂化钙钛矿结构层为叠层结构，从下至上依次为CH3NH3I • PbCl2 /CH3NH3I • PbBr2/ CH3NH3I • PbI2、CH3NH3I • PbCl2 / CH3NH3I • PbI2、CH3NH3I • PbCl2 / CH3NH3I • PbBr2或CH3NH3I • PbBr2/ CH3NH3I • PbI2。
2.如权利要求1所述的一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述的n型层为致密氧化钛层，层厚为20-30nm。
3.如权利要求1所述的一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述的FTO导电玻璃层的方块电阻是10-15Ω，透过率在78-85%。
4.如权利要求1所述的一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述的杂化钙钛矿结构层的层厚为300-400nm，各层厚度在100-150 nm。
5.如权利要求1所述的一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述spiro-OMeTAD有机p型层的层厚为100-150nm。
6.如权利要求1所述的一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述金属电极为Au电极或Ag电极，层厚为100-120nm。
7.如权利要求1所述的一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括在FTO导电玻璃先沉积n型层的步骤，然后再在n型层上制备杂化钙钛矿结构层的步骤，接着在杂化钙钛矿结构层上旋涂spiro-OMeTAD有机p型层的步骤，最后在p型层上沉积金属电极层的步骤；其特征在于：采用两步浸渍法制备杂化钙钛矿结构层，杂化钙钛矿结构层为叠层结构，从下至上依次为CH3NH3I • PbCl2 /CH3NH3I • PbBr2/ CH3NH3I • PbI2、CH3NH3I • PbCl2 / CH3NH3I • PbI2、CH3NH3I • PbCl2 / CH3NH3I • PbBr2或CH3NH3I • PbBr2/ CH3NH3I • PbI2。
8.如权利要求7所述的一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于所述的步浸渍法制备杂化钙钛矿结构层指：先是在致密TiO2层上用真空蒸发依次沉积PbCl2、PbBr2与PbI2层、PbBr2与PbI2层、PbCl2与PbBr2层或PbCl2与PbI2层、在手套箱中，70℃下加热10min，再缓慢平稳的浸入事先先配好的CH3NH3I溶液，反应30min，取出后放到干净的异丙醇溶液中洗涤；最后放到70min环境中烘20min；CH3NH3I溶液浓度为10mg/ml。
CN201310651418.4A 2013-12-03 2013-12-03 一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法 Expired - Fee Related CN103700769B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310651418.4A CN103700769B (zh) 2013-12-03 2013-12-03 一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310651418.4A CN103700769B (zh) 2013-12-03 2013-12-03 一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103700769A true CN103700769A (zh) 2014-04-02
CN103700769B CN103700769B (zh) 2016-05-04

Family

ID=50362235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310651418.4A Expired - Fee Related CN103700769B (zh) 2013-12-03 2013-12-03 一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103700769B (zh)

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104022135A (zh) * 2014-05-19 2014-09-03 清华大学 一种光耦器件及其制备方法
CN104037324A (zh) * 2014-06-24 2014-09-10 浙江大学 一种基于硫化镉纳米阵列的钙钛矿杂化太阳电池
CN104112786A (zh) * 2014-04-22 2014-10-22 武汉鑫神光电科技有限公司 一种铜铟硫/钙钛矿体异质结太阳能电池及其制备方法
CN104112793A (zh) * 2014-04-25 2014-10-22 武汉鑫神光电科技有限公司 一种低温全溶液法制备钙钛矿太阳能电池的方法
CN104131352A (zh) * 2014-07-17 2014-11-05 南京信息工程大学 大尺寸钙钛矿结构甲胺碘铅晶体的制备方法
CN104141166A (zh) * 2014-07-17 2014-11-12 南京信息工程大学 大尺寸钙钛矿结构甲胺溴铅晶体的制备方法
CN104393109A (zh) * 2014-10-28 2015-03-04 合肥工业大学 一种钙钛矿太阳能电池的化学气相沉积制备方法
CN104538192A (zh) * 2014-12-19 2015-04-22 常州大学 一种多孔结构有机/无机杂化钙钛矿电池及其制备方法
CN104815691A (zh) * 2015-04-17 2015-08-05 郑州大学 具有光催化降解废水中有机污染物的超分子聚合物及其制备方法和应用
CN104836519A (zh) * 2015-03-24 2015-08-12 东南大学 基于钙钛矿太阳能电池供电的一体化智能玻璃窗及其制造方法
CN104916783A (zh) * 2015-06-11 2015-09-16 华中科技大学 钙钛矿纳米线、光电探测器和太阳能电池的制备及应用
CN105098082A (zh) * 2015-08-10 2015-11-25 北京大学深圳研究生院 一种钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN105226196A (zh) * 2015-10-20 2016-01-06 上海交通大学 一种盐酸辅助制备有机无机杂化钙钛矿材料的方法
CN105280817A (zh) * 2014-07-16 2016-01-27 财团法人工业技术研究院 太阳能电池与其形成方法
CN105481697A (zh) * 2015-11-26 2016-04-13 上海交通大学 气液或者气固两相原位反应制备有机无机杂化钙钛矿材料
CN105591032A (zh) * 2016-02-03 2016-05-18 大连理工大学 一种钙钛矿光吸收复合层、钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN105591030A (zh) * 2016-03-11 2016-05-18 华中科技大学 一种半透明钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106450001A (zh) * 2016-10-31 2017-02-22 电子科技大学 一种复合叠层钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108447992A (zh) * 2018-04-03 2018-08-24 常州大学 一种提高有机金属卤化物钙钛矿太阳电池稳定性和效率的方法
JP2018535537A (ja) * 2015-09-17 2018-11-29 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 放射線検出器及び放射線検出器の製造方法
CN109478598A (zh) * 2016-12-28 2019-03-15 松下知识产权经营株式会社 太阳能电池、光吸收层以及光吸收层的形成方法
CN109564977A (zh) * 2016-07-29 2019-04-02 株式会社Lg化学 用于制造有机-无机杂化太阳能电池的方法
CN109603909A (zh) * 2019-01-26 2019-04-12 济宁学院 有机无机杂化碘化铅可见光催化材料及其制备方法
CN111916561A (zh) * 2020-07-22 2020-11-10 隆基绿能科技股份有限公司 钙钛矿太阳能电池、叠层太阳能电池以及电池组件
CN112366275A (zh) * 2020-10-15 2021-02-12 南方科技大学 MXene的应用和含有MXene的钙钛矿太阳能电池
CN112952001A (zh) * 2019-12-10 2021-06-11 中国科学院大连化学物理研究所 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN114300625A (zh) * 2021-11-30 2022-04-08 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 钙钛矿层制备方法、钙钛矿电池及叠层电池
CN114507353A (zh) * 2022-01-13 2022-05-17 常州大学 有机杂化钙钛矿/金属有机框架材料的制备方法及应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3505568B2 (ja) * 1999-11-29 2004-03-08 独立行政法人産業技術総合研究所 太陽電池の光吸収層形成用材料
CN102321475A (zh) * 2011-05-30 2012-01-18 同济大学 一种钙钛矿结构的氧化物上转换发光材料及其制备方法
CN103346018A (zh) * 2013-06-26 2013-10-09 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 通过固液反应制备具有钙钛矿结构的碘化物太阳能电池

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3505568B2 (ja) * 1999-11-29 2004-03-08 独立行政法人産業技術総合研究所 太陽電池の光吸収層形成用材料
CN102321475A (zh) * 2011-05-30 2012-01-18 同济大学 一种钙钛矿结构的氧化物上转换发光材料及其制备方法
CN103346018A (zh) * 2013-06-26 2013-10-09 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 通过固液反应制备具有钙钛矿结构的碘化物太阳能电池

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104112786A (zh) * 2014-04-22 2014-10-22 武汉鑫神光电科技有限公司 一种铜铟硫/钙钛矿体异质结太阳能电池及其制备方法
CN104112786B (zh) * 2014-04-22 2016-08-24 武汉鑫神光电科技有限公司 一种铜铟硫/钙钛矿体异质结太阳能电池及其制备方法
CN104112793A (zh) * 2014-04-25 2014-10-22 武汉鑫神光电科技有限公司 一种低温全溶液法制备钙钛矿太阳能电池的方法
CN104112793B (zh) * 2014-04-25 2016-06-08 武汉鑫神光电科技有限公司 一种低温全溶液法制备钙钛矿太阳能电池的方法
CN104022135A (zh) * 2014-05-19 2014-09-03 清华大学 一种光耦器件及其制备方法
CN104022135B (zh) * 2014-05-19 2017-05-03 清华大学 一种光耦器件及其制备方法
CN104037324A (zh) * 2014-06-24 2014-09-10 浙江大学 一种基于硫化镉纳米阵列的钙钛矿杂化太阳电池
US9768395B2 (en) 2014-07-16 2017-09-19 Industrial Technology Research Institute Solar cell and method for manufacturing the same
CN105280817A (zh) * 2014-07-16 2016-01-27 财团法人工业技术研究院 太阳能电池与其形成方法
CN105280817B (zh) * 2014-07-16 2017-11-07 财团法人工业技术研究院 太阳能电池与其形成方法
CN104141166A (zh) * 2014-07-17 2014-11-12 南京信息工程大学 大尺寸钙钛矿结构甲胺溴铅晶体的制备方法
CN104131352B (zh) * 2014-07-17 2016-05-04 南京信息工程大学 大尺寸钙钛矿结构甲胺碘铅晶体的制备方法
CN104131352A (zh) * 2014-07-17 2014-11-05 南京信息工程大学 大尺寸钙钛矿结构甲胺碘铅晶体的制备方法
CN104141166B (zh) * 2014-07-17 2016-05-25 南京信息工程大学 大尺寸钙钛矿结构甲胺溴铅晶体的制备方法
CN104393109B (zh) * 2014-10-28 2016-05-11 合肥工业大学 一种钙钛矿太阳能电池的化学气相沉积制备方法
CN104393109A (zh) * 2014-10-28 2015-03-04 合肥工业大学 一种钙钛矿太阳能电池的化学气相沉积制备方法
CN104538192B (zh) * 2014-12-19 2017-12-12 常州大学 一种多孔结构有机/无机杂化钙钛矿电池及其制备方法
CN104538192A (zh) * 2014-12-19 2015-04-22 常州大学 一种多孔结构有机/无机杂化钙钛矿电池及其制备方法
CN104836519A (zh) * 2015-03-24 2015-08-12 东南大学 基于钙钛矿太阳能电池供电的一体化智能玻璃窗及其制造方法
CN104815691A (zh) * 2015-04-17 2015-08-05 郑州大学 具有光催化降解废水中有机污染物的超分子聚合物及其制备方法和应用
CN104916783A (zh) * 2015-06-11 2015-09-16 华中科技大学 钙钛矿纳米线、光电探测器和太阳能电池的制备及应用
CN105098082A (zh) * 2015-08-10 2015-11-25 北京大学深圳研究生院 一种钙钛矿太阳能电池的制备方法
JP2018535537A (ja) * 2015-09-17 2018-11-29 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 放射線検出器及び放射線検出器の製造方法
CN105226196A (zh) * 2015-10-20 2016-01-06 上海交通大学 一种盐酸辅助制备有机无机杂化钙钛矿材料的方法
CN105481697A (zh) * 2015-11-26 2016-04-13 上海交通大学 气液或者气固两相原位反应制备有机无机杂化钙钛矿材料
CN105481697B (zh) * 2015-11-26 2017-07-28 上海交通大学 气液或者气固两相原位反应制备有机无机杂化钙钛矿材料
CN105591032A (zh) * 2016-02-03 2016-05-18 大连理工大学 一种钙钛矿光吸收复合层、钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN105591030A (zh) * 2016-03-11 2016-05-18 华中科技大学 一种半透明钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN109564977B (zh) * 2016-07-29 2022-11-18 株式会社Lg化学 用于制造有机-无机杂化太阳能电池的方法
CN109564977A (zh) * 2016-07-29 2019-04-02 株式会社Lg化学 用于制造有机-无机杂化太阳能电池的方法
CN106450001A (zh) * 2016-10-31 2017-02-22 电子科技大学 一种复合叠层钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN109478598A (zh) * 2016-12-28 2019-03-15 松下知识产权经营株式会社 太阳能电池、光吸收层以及光吸收层的形成方法
CN108447992A (zh) * 2018-04-03 2018-08-24 常州大学 一种提高有机金属卤化物钙钛矿太阳电池稳定性和效率的方法
CN108447992B (zh) * 2018-04-03 2021-07-27 常州大学 一种提高有机金属卤化物钙钛矿太阳电池稳定性和效率的方法
CN109603909A (zh) * 2019-01-26 2019-04-12 济宁学院 有机无机杂化碘化铅可见光催化材料及其制备方法
CN112952001A (zh) * 2019-12-10 2021-06-11 中国科学院大连化学物理研究所 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN111916561A (zh) * 2020-07-22 2020-11-10 隆基绿能科技股份有限公司 钙钛矿太阳能电池、叠层太阳能电池以及电池组件
CN112366275A (zh) * 2020-10-15 2021-02-12 南方科技大学 MXene的应用和含有MXene的钙钛矿太阳能电池
CN114300625A (zh) * 2021-11-30 2022-04-08 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 钙钛矿层制备方法、钙钛矿电池及叠层电池
CN114507353A (zh) * 2022-01-13 2022-05-17 常州大学 有机杂化钙钛矿/金属有机框架材料的制备方法及应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN103700769B (zh) 2016-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103700769B (zh) 一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN104183697B (zh) 一种钙钛矿结构的太阳能电池及其制备方法
CN103700768B (zh) 一种钙钛矿结构太阳能电池及其制备方法
CN104362253B (zh) 全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法
CN105047825A (zh) 一种有机/无机钙钛矿电池及其制备方法
CN107482122B (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN109524548B (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN103474575B (zh) 一种以硫氧化锌为电子传输层的杂化太阳能电池及其制备
CN108389969B (zh) 一种用于制备钙钛矿太阳能电池钙钛矿层的绿色溶剂体系及混合溶液
CN104218109B (zh) 一种高效率钙钛矿薄膜太阳电池及其制备方法
CN108288675B (zh) 一种铁盐掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及含该空穴传输层的太阳能电池
CN107369766A (zh) 一种高质量金属氧化物电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN110112258A (zh) 钙钛矿太阳能电池及其制造方法
CN108922971B (zh) 一种快速提升基于有机空穴传输层钙钛矿太阳能电池性能的工艺
CN109065733A (zh) 一种全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN103296211B (zh) 有机-二维晶体-无机杂化的异质结太阳能电池器件及其制备方法
Cho et al. The effect of a sol-gel formed TiO2 blocking layer on the efficiency of dye-sensitized solar cells
CN105470399A (zh) 基于无掺杂有机空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN111261745A (zh) 一种钙钛矿电池及其制备方法
CN106299141A (zh) 一种复合电子传输层结构的钙钛矿太阳能电池的制造方法
CN113421969A (zh) 一种hf改性二氧化锡作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN117202743A (zh) 一种自组装单分子层修饰宽带隙钙钛矿太阳电池的方法
CN100541822C (zh) 一种纳米晶薄膜的染料敏化太阳能电池及其制备方法
CN113421970B (zh) 一种HCl改性二氧化锡作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN101814376A (zh) 染料敏化太阳能电池ZnO复合电极及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160504

Termination date: 20211203