CN103688347A - 有机发光二极管的薄膜封装 - Google Patents

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Abstract

一种封装有机发光二极管（OLED）的低温度、低成本方法，该方法能够避免对OLED器件的损伤。一种方法包括使用等离子体、UV-臭氧或湿法化学处理形成金属钝化层，其中金属钝化层用于封装和保护OLED免受湿气和氧气。另一种方法包括在OLED上形成缓冲层和金属层，然后使用等离子体、UV-臭氧或湿法化学处理对金属层进行处理，以形成用于封装和保护OLED免受湿气和氧气的金属钝化层。

Description

有机发光二极管的薄膜封装
发明领域
本发明涉及用于有机发光二极管（OLED）的封装的新方法。
背景技术
OLED是一类发光二极管，其中发射的电致发光层是响应于电流而发光的有机化合物膜。有机材料夹在两个电极之间，至少一个电极是透光电极。OLED呈现高发光性、高效率且需要低驱动电压，因此是用于显示器屏幕的良好候选，例如用于电视、计算机监视器、移动电话屏幕等等。OLED能够有效地用于分辨率极高的大平板面积、全彩显示器。
然而，将OLED用于显示器需要特定的处理。具体而言，暴露在湿气或氧气下会对有机发光层产生严重损伤。因此，对OLED的封装十分关键，以保护器件免受湿气和氧气。已经有多种用于封装的方法，但是它们都有缺点。具体而言，用于封装OLED的一种方法是用由环氧树脂固定的金属或玻璃层覆盖该器件。在使用粘性附连的金属或玻璃封装层时，通常将干燥材料（诸如氧化钙或氧化钡）纳入器件中。这种封装方法成本高却有效性低。它还造成最终器件具有相对较高的外形。
封装OLED的另一种方法是使用沉积到器件上的无机、有机或混合层（例如SiNx，SiOx或Al2O3）。该层可以通过许多标准沉积技术中的任一种进行沉积，包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）或原子层沉积（ALD）。所有这些沉积技术都要求超过OLED器件的正常极限的温度，因此可能在处理过程中损伤器件，尤其是有机发光层。此外，这些沉积所需的设备昂贵，且沉积时间相对较长，显著增加了器件的制造成本。
因此，现有技术中需要对用于OLED的封装技术的改进。
发明内容
本发明提供一种低温度、低成本的OLED封装方法，该方法避免了对OLED器件的损伤。
附图说明
图1是示出OLED器件的示意图。
图2是示出根据本发明一个实施例的OLED封装过程的示意图。
图3是示出根据本发明第二实施例的OLED封装过程的示意图。
具体实施方式
本发明提供一种低温度、低成本的OLED封装方法，该方法避免了对OLED器件的损伤。具体而言，本发明的一个实施例提供使用等离子体、UV－臭氧或湿法化学处理形成金属钝化层的方法，其中金属钝化层用于封装和保护OLED免受湿气和氧气。
本发明的第二实施例提供在OLED结构上形成缓冲层和金属层，然后使用等离子体、UV-臭氧或湿法化学处理进行处理，以形成用于封装和保护OLED免受湿度和氧气的金属钝化层的方法。参照附图更详细地描述本发明。
图1是示出OLED器件的示意图。具体而言，OLED器件包括衬底1，在其上形成阳极层2。在阳极层2上形成有机电致发光层3，且阴极层4覆盖有机层3，以完成OLED器件。阳极层2通常由氧化铟锡形成，且阴极层4通常由铝制成。有机层3包括三个独立层，空穴传输层（HTL）3a、发光层（EML）3b和电子传输层（ETL）3c。
图2是示出根据本发明一个实施例的OLED封装过程的示意图。具体而言，使具有图1所示各层（即衬底1、阳极层2、有机电致发光层3（具有HTL3a、EML3b、和ETL3c）和阴极层4）的所制造OLED器件10经受处理装置20的处理，以在阴极层4的表面上产生钝化层5。例如，如果阴极层4是铝层，则钝化层5是金属氧化铝层。钝化层5封装OLED10，并保护它免受湿气和氧气。
根据本发明，处理装置20可以是在不损害OLED10的温度下提供对阴极层4的氧化的任何装置。例如，处理装置可以是等离子体、UV-臭氧或湿法化学处理装置。根据本发明的特定实施例，处理装置20是UV源，且在UV腔中对OLED10进行处理，并将金属阴极4暴露在UV光下10至30分钟。
图3是示出根据本发明另一个实施例的OLED封装过程的示意图。具体而言，使具有图1所示各层（即衬底1、阳极层2、有机电致发光层3（具有HTL3a、EML3b、和ETL3c）和阴极层4）的所制造OLED器件100具有在其上形成的缓冲层50和金属层60。然后使该组件经受处理装置200的处理，以产生钝化层70。缓冲层50可以是ZnS层，且金属层60可以是铝层。两个层都可以通过蒸镀来产生。如果金属层60是铝层，则钝化层70是金属氧化铝层。钝化层70封装OLED100，并保护它免受湿气和氧气。
根据本发明，处理装置200可以是在不损害OLED100的温度下提供对金属层60的氧化的任何装置。例如，处理装置200可以是等离子体、UV-臭氧或湿法化学处理装置。具体而言，本发明可以包括以下阶段：
缓冲层50，通过蒸镀制造以产生约100nm的层厚；
金属层60，通过蒸镀制造以产生约30nm的层厚；
将OLED器件100置于UV腔中；以及
将金属层60暴露在UV光下10至30分钟。
本发明提供优于现有封装方法的若干优势。例如，根据本发明的创建金属钝化层的过程或者形成缓冲层和金属层、之后创建金属钝化层的过程是简单的过程，并且能够容易地在量产中使用。此外，处理温度低，由此避免对OLED器件的损伤。此外，不需要新设备来执行该过程，由此显著降低成本。而且，只需要较少的处理和转移时间，由此能够实现更高的产出和更低的运营成本。
应当理解，本文所述的实施例仅仅是示例性的，本领域的技术人员可以在不背离本发明精神和范围的情况下进行许多变化和更改。所有的这些变化和更改都包括在以上描述的本发明的范围之内。此外，所披露的所有实施例不一定是选择性的，因为本发明的各实施例可被组合以提供期望的结果。

Claims (16)

1.一种封装有机发光二极管的方法，包括：
提供经制造的有机发光二极管，所述有机发光二极管具有衬底、在所述衬底上形成的阳极层、在所述阳极层上形成的有机电致发光层以及在所述有机电致发光层上形成的阴极层；以及
处理所述阴极层以在所述阴极层的表面上产生钝化层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阳极层是氧化铟锡层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阴极层是铝层。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机电致发光层包括空穴传输层、发光层和电子传输层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，处理包括用等离子体、UV-臭氧或湿法化学进行处理。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，处理包括将所述阴极层暴露在UV光下10至30分钟。
7.一种封装有机发光二极管的方法，包括：
提供经制造的有机发光二极管，所述有机发光二极管具有衬底、在所述衬底上形成的阳极层、在所述阳极层上形成的有机电致发光层以及在所述有机电致发光层上形成的阴极层；
在所述阴极层上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成金属层；以及
处理所述金属层以在所述金属层的表面上产生钝化层。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述阳极层是氧化铟锡层。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述阴极层是铝层。
10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述有机电致发光层包括空穴传输层、发光层和电子传输层。
11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述缓冲层是ZnS层。
12.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属层是铝层。
13.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述缓冲层和金属层是通过蒸镀产生的。
14.如权利要求7所述的方法，其特征在于，处理包括用等离子体、UV-臭氧或湿法化学进行处理。
15.如权利要求7所述的方法，其特征在于，处理包括将所述金属层暴露在UV光下10至30分钟。
16.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述缓冲层包括蒸镀所述缓冲层至100nm厚；形成所述金属层包括蒸镀所述金属层至30nm厚；以及处理包括将所述金属层暴露在UV光下10至30分钟。
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