CN103681988A - 一种led标准方片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种LED标准方片及其制作方法，该标准方片包括胶膜，胶膜上设置多个晶粒，所述晶粒选自具有相同衬底、相同磊晶工艺的外延结构、相同芯片制造工艺的LED晶圆片，所述LED晶圆片的波长的标准差6≥λstd≥3、光强IV标准差IVstd≤8；所述多个晶粒划分为n个BIN，按照以下分组规则对n个BIN进行分组：至少1个BIN构成一组BIN，构成该组BIN的任意晶粒的光强符合范围IV.avg×(0.95～1.10)。本发明提升了LED晶圆片测试机校正的精准度和可靠度，同时在一定程度上改善了测试机校正或监控作业的效果、效率和成本。
Description
技术领域
本发明属于LED芯片制造领域，特别是涉及一种LED标准方片及其制作方法。
背景技术
在LED芯片制造领域中，通常会采用品质优良的LED晶圆片或LED封装器件对测试机进行一致性校正和稳定性监控，确认机台状况良好之后再投入LED量产晶圆片测试。而目前LED晶圆片测试机校正或监控的做法是，用同一张或几张LED晶圆片或一套LED封装器件来校正各测试机与标准测试机之间的一致性。但单张LED晶圆片用作校正或监控件难以覆盖到的全波长段，造成部分波长段未校正，且因不同光强的晶粒校正得出的系数也会不同，所以光强集中性差亦会造成校正系数离散、校正准确度差。同时在机台校正或监控时，若采用多张LED晶圆片作为校正或监控件，通过对其Mapping测试若干排晶粒的做法，不仅难以克服上述光强集中性差的问题，同时会增加切换校正或监控件带来测试作业手法的误差。若对该校正或监控件采用固定间隔晶粒的方式抽测，则不但会与LED量产晶圆片采用的Mapping全测存在方式上的差异而引起误差，而且多数晶粒会因被探测多次而导致电极上针痕粗大的问题，在后制程中不易被集中起来挑除导致分选时混至良品中，从而造成生产制程的其他异常问题，并且同样无法规避上述光强集中性差的问题。若采用LED封装器件作为校正或监控件，非但制作成本较高，亦会存在光衰，特别是使用时定位一致性差使发光角度偏移引起误差、而且只能通过人工逐颗定位测试，效率极低，同时，它与LED量产晶圆片存在形态上的差异亦会引起误差。因此迫切需要有一种新的完全可靠的测试机校正、监控件的出现。
发明内容
本发明提供的一种LED标准方片及其制作方法，提升了LED晶圆片测试机校正的精准度和可靠度，同时在一定程度上改善了测试机校正或监控作业的效果、效率和成本。
本发明的第一种技术解决方案是：
一种LED标准方片，其特殊之处在于：包括胶膜，胶膜上设置多个晶粒，所述晶粒选自具有相同衬底、相同磊晶工艺的外延结构、相同芯片制造工艺的LED晶圆片，所述LED晶圆片的波长的标准差6≥λstd≥3、光强IV标准差IVstd≤8；所述晶粒的漏电流Ir的最大值均相等、顺向电压Vf的最小值均相等、顺向电压Vf的最大值均相等；
所述多个晶粒按波长划分为n个BIN，分别为BIN1、BIN2、…、BINn，n为大于或等于10的自然数且小于或等于分选设备最大可分类数；BIN1、BIN2、…、BINn在胶膜上由左向右依次排布，每个BIN有I列M排；
BIN1中任意晶粒的波长为λ1，BIN2中任意晶粒的波长为λ2，…、BINn中任意晶粒的波长为λn；
λ1、λ2、…、λn符合以下条件：
x≤λ1＜x+a，x+a≤λ2＜x+2a，…，x+(n-1)a≤λn＜x+na，
其中，445nm≤x≤450nm，0.1nm≤a≤2.0nm；
按照以下分组规则对n个BIN进行分组：至少1个BIN构成一组BIN，第一组BIN中任意晶粒的光强为IV1、第二组BIN中任意晶粒的光强为IV2、…、第t组BIN中任意晶粒的光强为IVt，t为正整数；
IV1、IV2、…、IVt符合以下条件：
IV1.avg×0.95≤IV1＜IV1.avg×1.10，IV2.avg×0.95≤IV2＜IV2.avg×1.10，…、IVt.avg×0.95≤IVt＜IVt.avg×1.10；
其中，IV1.avg为第一组BIN中所有晶粒的光强均值，IV2.avg为第二组BIN中所有晶粒的光强均值，…，IVt.avg为第t组BIN中所有晶粒的光强均值；
各个BIN排布的最大列数Imax＝分选设备置晶行程/Bw/n、排布的最大排数Mmax＝分选设备置晶行程/Bl；Bw为标准方片横向上相邻的两个晶粒同一侧长边的间距，B1为标准方片纵向上相邻的两个晶粒同一侧短边的间距。
上述a＝1.0nm。
上述晶粒的形状是长方形，在所述胶膜上，每个晶粒的两个长边位于左右两侧，两个短边位于上下两侧。
上述n＝30；该30个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值为1uA～2uA、晶粒的顺向电压Vf的最小值和最大值分别为2.8V～3.0V和3.2V～3.4V；
所述BIN1中λ1的最小值为445nm、λ1的最大值为445.9nm，自BIN1起，每个BIN中波长的最小值和最大值均按照等差1.0nm方式递增。
上述30个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值为1uA、晶粒的顺向电压Vf的最小值和最大值分别为2.8V和3.2V；
所述分组规则是指：设BIN1至BIN5为第一组BIN，第一组BIN中晶粒的光强的最小值为80mcd、最大值为90mcd，各组BIN中晶粒的光强的最小值和最大值均按照等差10mcd的方式递增。
本发明的第二种技术解决方案是：
LED标准方片的制作方法，其特殊之处在于：包括以下步骤：
1】挑选LED晶圆片：
从Mapping全测完的LED量产晶圆片中挑选制作LED标准方片所需的LED晶圆片；所述LED晶圆片具备相同材料和品质的衬底、相同磊晶工艺和品质的外延结构、相同芯片制造工艺和品质；且单张LED晶圆片波长λ的标准差6≥λstd≥3、光强IV标准差IVstd≤8；所述LED晶圆片的数量至少为2张；所述单张LED圆晶片的漏电流Ir、顺向电压Vf和抗静电性能ESD的良率均≥80％；
2】对步骤1】中挑选的LED晶圆片的Mapping全测值进行分类：
将步骤1】中挑选的LED晶圆片的晶粒按照以下条件划分为n个BIN：n个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值均相等，顺向电压Vf的最小值均相等，顺向电压Vf的最大值均相等；
BIN1中晶粒的波长为λ1，BIN2中晶粒的波长为λ2，…、BINn中晶粒的波长为λn；
λ1、λ2、…、λn符合以下条件：
x≤λ1＜x+a，x+a≤λ2＜x+2a，…，x+(n-1)a≤λn＜x+na，
其中，445nm≤x≤450nm，0.1nm≤a≤2.0nm；
按照以下分组规则对n个BIN进行分组：至少1个BIN构成一组BIN，第一组BIN中任意晶粒的光强为IV1、第二组BIN中任意晶粒的光强为IV2、…、第t组BIN中任意晶粒的光强为IVt，t为正整数；
IV1、IV2、…、IVt符合以下条件：
IV1.avg×0.95≤IV1＜IV1.avg×1.10，IV2.avg×0.95≤IV2＜IV2.avg×1.10，…、IVt.avg×0.95≤IVt＜IVt.avg×1.10；
其中，IV1.avg为第一组BIN中所有晶粒的光强均值，IV2.avg为第二组BIN中所有晶粒的光强均值，…，IVt.avg为第t组BIN中所有晶粒的光强均值；
按照上述条件对每张LED晶圆片的Mapping全测值进行分类，得出符合制作标准方片的类别BINn和各BIN晶粒颗数的分布；
3】预计可制作标准方片的张数Q：
结合上述BINn和各BIN晶粒颗数的分布、预设单张标准方片中每个BIN的列数I、排数M，预计总共可制作标准方片的张数Q，所述预计算法为Q＝BINn中最少晶粒颗数/I/M；
4】确定LED标准方片的参数：
确定LED标准方片所使用的胶膜材质及扩张参数、晶粒形态及晶粒与晶粒之间的间距；
5】排布LED晶粒：
根据上述信息将LED晶圆片中BIN1、BIN2、…、BINn的晶粒逐一排布成LED标准方片，使横向上相邻两个晶粒的同侧长边以间距Bw设置、纵向上相邻两个晶粒的同侧短边以间距Bl设置，每个晶粒的两个长边位于左右两侧，两个短边位于上下两侧，分别在Q张胶膜上摆放完I列BIN1后再切换分选下一个BIN，直至Q张胶膜上分别摆放完I列最后的BINn，以此方式完成Q张LED标准方片的制作。
上述步骤2】中a＝1.0nm。
上述LED晶圆片的数量为3张，且3张LED晶圆片的波长均值分别满足：λ(n/4)-2nm≤λ1avg≤λ(n/4)+2nm、λ(2n/4)-2nm≤λ2avg≤λ(2n/4)+2nm、λ(3n/4)-2nm≤λ3avg≤λ(3n/4)+2nm；
其中，划分的n个BIN中，BIN1波长的最小值为λ1min，BINn波长的最大值为λnmax，设k＝(λnmax-λ1min)/4，K取四舍五入保留小数点后1位，λ(n/4)＝λ1min+K，λ(2n/4)＝λ1min+2K，λ(3n/4)＝λ1min+3K。
上述LED晶圆片的数量为2张，且2张LED晶圆片的波长均值分别满足：
λ(n/3)-2nm≤λ1avg≤λ(n/3)+2nm、λ(2n/3)-2nm≤λ2avg≤λ(2n/3)+2nm；
其中，划分的n个BIN中，BIN1波长的最小值为λ1min，BINn波长的最大值为λnmax，设k＝(λnmax-λ1min)/3，K取四舍五入保留小数点后1位，λ(n/3)＝λ1min+K，λ(2n/3)＝λ1min+2K。
本发明的优点：
本发明基于LED晶圆片的Mapping全测数据，制备一种具备全波长跨度、光强集中性好、电性参数良好的分选方片作为LED晶圆片测试机校正和监控用的标准方片，不但可有效解决目前采用多张LED晶圆片诸如光强集中性不好、测试作业手法误差、测试方式误差与探测针痕异常的晶粒混入良品晶粒的问题，同时也解决了LED封装器件的制作成本、发光角度变化、使用时定位一致性差及应用效率低的问题，可作为LED芯片制造领域晶圆片测试机校正或监控的通用标准件。
附图说明
图1是LED晶圆片示意图；
图2是LED标准方片示意图；
图3是LED标准方片晶粒排列方式示意图；
图4是图2中A的局部放大图。
具体实施方式
本发明的LED标准方片，包括胶膜，胶膜上设置多个晶粒，胶膜上的晶粒选自具有良好且相同材料和品质的衬底、相同磊晶工艺和品质的外延结构、相同芯片制造工艺和品质的LED晶圆片，这种做法可确保LED晶圆片中被分选作标准方片的晶粒具有相同且优良的LED特性，稳定可靠。
本发明的LED晶圆片应该具备波长跨度大(波长标准差λstd尽量大)，光强集中性好(光强标准差IVstd尽量小)且光强均值IV.avg×(0.95～1.10)代表LED量产晶圆片主产光强水平。这样可以用最少的LED晶圆片分选到最有效的LED标准方片，同时使校正系数与LED量产晶圆片匹配度最佳。所选用上述LED晶圆片的波长的标准差6≥λstd≥3、光强IV标准差IVstd≤8；
胶膜上的晶粒划分为的n个BIN，分别为BIN1、BIN2、…、BINn，n为大于或等于10的自然数且小于或等于分选设备最大可分类数；BIN1、BIN2、…、BINn在胶膜上由左向右依次排布，每个BIN有I列M排。
BIN1中任意晶粒的波长为λ1，BIN2中任意晶粒的波长为λ2，…、BINn中任意晶粒的波长为λn；λ1、λ2、…、λn符合以下条件：
x≤λ1＜x+a，x+a≤λ2＜x+2a，…，x+(n-1)a≤λn＜x+na，
其中，445nm≤x≤450nm，0.1nm≤a≤2.0nm，优选a＝1.0nm。
按照以下分组规则对n个BIN进行分组：至少1个BIN构成一组BIN，第一组BIN中任意晶粒的光强为IV1、第二组BIN中任意晶粒的光强为IV2、…、第t组BIN中任意晶粒的光强为IVt，t为正整数；
IV1、IV2、…、IVt符合以下条件：
IV1.avg×0.95≤IV1＜IV1.avg×1.10，IV2.avg×0.95≤IV2＜IV2.avg×1.10，…、IVt.avg×0.95≤IVt＜IVt.avg×1.10。
其中，IV1.avg为第一组BIN中所有晶粒的光强均值，IV2.avg为第二组BIN中所有晶粒的光强均值，…，IVt.avg为第t组BIN中所有晶粒的光强均值。
各个BIN排布的最大列数Imax＝分选设备置晶行程/Bw/n、排布的最大排数Mmax＝分选设备置晶行程/Bl；Bw为标准方片横向上相邻的两个晶粒同一侧长边的间距，B1为标准方片纵向上相邻的两个晶粒同一侧短边的间距。
本发明可通过预设各个BIN的最大列数I使LED标准方片中每排最大限度的排布全波长晶粒，尤其适用于大尺寸晶粒制作标准方片，在Mmax范围以内可根据LED标准方片的使用频率设定M值，便于实际应用过程中标准方片的管理。
如图2中以每个BIN连续排布列数I＝3为例。每张标准方片所含排数M可结合实际使用情况进行设置，如每天使用1排，则可按周、月分别设置M＝7、30，亦可根据机台数量等设置M值。所以，单张LED标准方片含晶粒数为I*n*M。
本发明标准方片中晶粒的形状是长方形，在胶膜上，每个晶粒的两个长边位于左右两侧，两个短边位于上下两侧。本发明胶膜的材质及扩张参数与LED量产晶圆片所使用的胶膜是完全一致的。
本发明可以设置30个BIN，该30个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值可以为1uA～2uA，具体可以为1uA；晶粒的顺向电压Vf的最小值和最大值可以分别为2.8V～3.0V和3.2V～3.4V，晶粒的顺向电压Vf的最小值和最大值具体可以分别为2.8V和3.2V。
当有30个BIN时，a＝1.0nm，BIN1中晶粒的波长的最小值为445nm、最大值为445.9nm。自BIN1起，每个BIN中波长的最小值和最大值均按照等差1.0nm方式递增。其中，第一组BIN中晶粒的光强的最小值可以为80mcd、最大值可以为90mcd，设BIN1至BIN5为第一组BIN，各组BIN中晶粒的光强的最小值和最大值均按照等差10mcd的方式递增。
LED标准方片上的晶粒形态与LED量产晶圆片应保持完全相同。且不限于晶粒间距、胶膜材质和胶膜是否扩张。标准方片中晶粒形态完全仿真或等效于LED量产晶圆片中晶粒所处的形态，以规避各方面的误差。
假设在市场上主流运用的蓝光LED晶圆片波长范围为445nm～475nm(即全波长段)，且BIN有30个，a＝1.0nm。另外，假若445nm～450nm～455nm～460nm～465nm～470nm～475nm对应LED量产晶圆片主产光强IV.avg×0.95～IV.avg×1.10分别为80mcd～90mcd～100mcd～110mcd～120mcd～130mcd～140mcd，漏电流Ir≤1uA，2.8≤顺向电压Vf≤3.2。则制作该蓝光LED标准方片的分类BIN表如表1所示。
表1LED晶圆片分类BIN表
| 分类 | Irmax | Vfmin | Vfmax | λmin | λmax | IVmin | IVmax |
| 规格 | (uA) | (V) | (V) | (nm) | (nm) | (mcd) | (mcd) |
| BIN1 | 1 | 2.8 | 3.2 | 445 | 445.9 | 80 | 90 |
| BIN2 | 1 | 2.8 | 3.2 | 446 | 446.9 | 80 | 90 |
| BIN3 | 1 | 2.8 | 3.2 | 447 | 447.9 | 80 | 90 |
| BIN4 | 1 | 2.8 | 3.2 | 448 | 448.9 | 80 | 90 |
| BIN5 | 1 | 2.8 | 3.2 | 449 | 449.9 | 80 | 90 |
| BIN6 | 1 | 2.8 | 3.2 | 450 | 450.9 | 90 | 100 |
| BIN7 | 1 | 2.8 | 3.2 | 451 | 451.9 | 90 | 100 |
| BIN8 | 1 | 2.8 | 3.2 | 452 | 452.9 | 90 | 100 |
| BIN9 | 1 | 2.8 | 3.2 | 453 | 453.9 | 90 | 100 |
| BIN10 | 1 | 2.8 | 3.2 | 454 | 454.9 | 90 | 100 |
| BIN11 | 1 | 2.8 | 3.2 | 455 | 455.9 | 100 | 110 |
| BIN12 | 1 | 2.8 | 3.2 | 456 | 456.9 | 100 | 110 |
| BIN13 | 1 | 2.8 | 3.2 | 457 | 457.9 | 100 | 110 |
| BIN14 | 1 | 2.8 | 3.2 | 458 | 458.9 | 100 | 110 |
| BIN15 | 1 | 2.8 | 3.2 | 459 | 459.9 | 100 | 110 |
| BIN16 | 1 | 2.8 | 3.2 | 460 | 460.9 | 110 | 120 |
| BIN17 | 1 | 2.8 | 3.2 | 461 | 461.9 | 110 | 120 |
| BIN18 | 1 | 2.8 | 3.2 | 462 | 462.9 | 110 | 120 |
| BIN19 | 1 | 2.8 | 3.2 | 463 | 463.9 | 110 | 120 |
| BIN20 | 1 | 2.8 | 3.2 | 464 | 464.9 | 110 | 120 |
| BIN21 | 1 | 2.8 | 3.2 | 465 | 465.9 | 120 | 130 |
| BIN22 | 1 | 2.8 | 3.2 | 466 | 466.9 | 120 | 130 |
| BIN23 | 1 | 2.8 | 3.2 | 467 | 467.9 | 120 | 130 |
| BIN24 | 1 | 2.8 | 3.2 | 468 | 468.9 | 120 | 130 |
| BIN25 | 1 | 2.8 | 3.2 | 469 | 469.9 | 120 | 130 |
| BIN26 | 1 | 2.8 | 3.2 | 470 | 470.9 | 130 | 140 |
| BIN27 | 1 | 2.8 | 3.2 | 471 | 471.9 | 130 | 140 |
| BIN28 | 1 | 2.8 | 3.2 | 472 | 472.9 | 130 | 140 |
| BIN29 | 1 | 2.8 | 3.2 | 473 | 473.9 | 130 | 140 |
| BIN30 | 1 | 2.8 | 3.2 | 474 | 474.9 | 130 | 140 |
本发明LED标准方片的制作方法包括以下步骤：
1】挑选LED晶圆片：
从Mapping测试完的LED量产晶圆片中挑选制作LED标准方片所需的LED晶圆片。这些LED晶圆片必须同时满足以下几个条件：
1、具备良好且相同材料和品质的衬底，相同磊晶工艺和品质的外延结构，相同芯片制造工艺和品质的特点。确保LED标准方片中的晶粒特性相近，校正系数集中或监控偏差离散性小。
2、单张LED晶圆片波长λ跨度大(6≥波长标准差λstd≥3)、光强IV(光强标准差IVstd≤8)符合LED量产晶圆片主产光强规格档，LED晶圆片的数量可以采用至少2张。
当选取2张LED晶圆片时，2张LED晶圆片的波长均值分别满足：λ(n/3)-2nm≤λ1avg≤λ(n/3)+2nm、λ(2n/3)-2nm≤λ2avg≤λ(2n/3)+2nm；其中，n个BIN中，BIN1波长的最小值为λ1min，BINn波长的最大值为λnmax，设k＝(λnmax-λ1min)/3，K取四舍五入保留小数点后1位，λ(n/3)＝λ1min+K，λ(2n/3)＝λ1min+2K。
当选取3张LED晶圆片时，3张LED晶圆片的波长均值分别满足：λ(n/4)-2nm≤λ1avg≤λ(n/4)+2nm、λ(2n/4)-2nm≤λ2avg≤λ(2n/4)+2nm、λ(3n/4)-2nm≤λ3avg≤λ(3n/4)+2nm；。其中，n个BIN中，BIN1波长的最小值为λ1min，BINn波长的最大值为λnmax，设k＝(λnmax-λ1min)/4，K取四舍五入保留小数点后1位，λ(n/4)＝λ1min+K，λ(2n/4)＝λ1min+2K，λ(3n/4)＝λ1min+3K。3张LED晶圆片可组成一套全波段LED晶圆片，一般至少准备2套LED晶圆片，以确保制作LED标准方片的各类BIN的晶粒数量相对充足。
3、LED晶圆片的漏电流Ir、顺向电压Vf、抗静电性能ESD按照自定标准良率均≥80％，确保LED标准方片中的晶粒具优良的LED特性和稳定性。
2】对步骤1】中挑选的LED晶圆片的Mapping全测值进行分类：
将步骤1】中挑选的LED晶圆片的晶粒按照以下条件划分为n个BIN：n个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值均相等，顺向电压Vf的最小值均相等，顺向电压Vf的最大值均相等；
BIN1中晶粒的波长为λ1，BIN2中晶粒的波长为λ2，…、BINn中晶粒的波长为λn；
λ1、λ2、…、λn符合以下条件：
x≤λ1＜x+a，x+a≤λ2＜x+2a，…，x+(n-1)a≤λn＜x+na，
其中，445nm≤x≤450nm，0.1nm≤a≤2.0nm；优选a＝1.0nm。
按照以下分组规则对n个BIN进行分组：至少1个BIN构成一组BIN，第一组BIN中任意晶粒的光强为IV1、第二组BIN中任意晶粒的光强为IV2、…、第t组BIN中任意晶粒的光强为IVt，t为正整数；
IV1、IV2、…、IVt符合以下条件：
IV1.avg×0.95≤IV1＜IV1.avg×1.10，IV2.avg×0.95≤IV2＜IV2.avg×1.10，…、IVt.avg×0.95≤IVt＜IVt.avg×1.10。
其中，IV1.avg为第一组BIN中所有晶粒的光强均值，IV2.avg为第二组BIN中所有晶粒的光强均值，…，IVt.avg为第t组BIN中所有晶粒的光强均值；
按照上述条件对每张LED晶圆片的Mapping全测值进行分类，得出符合制作标准方片的类别BINn和各BIN晶粒颗数的分布；
3】预计可制作标准方片的张数Q：
结合上述BINn和各BIN晶粒颗数的分布、预设单张标准方片中每个BIN的列数I、排数M，预计总共可制作标准方片的的张数Q，其算法为Q＝BINn中最少晶粒颗数/I/M。
4】确定LED标准方片的参数：
根据LED量产晶圆片Mapping全测时所使用的胶膜的色泽、厚度、黏附性、胶体厚度、均匀性、扩张参数，所使用的晶粒形态、晶粒与晶粒之间的间距来确定LED标准方片所使用的胶膜材质及扩张参数、晶粒形态及晶粒与晶粒之间的间距；最好使LED标准方片所使用的胶膜材质及扩张参数、晶粒形态及晶粒与晶粒之间的间距与LED量产晶圆片是完全一致的，以实现标准方片最大程度的等效于LED量产晶圆片。
5】排布LED晶粒：
根据上述信息将LED晶圆片中BIN1、BIN2、…、BINn的晶粒逐一排布成LED标准方片，使LED标准方片中晶粒的长边以间距Bw设置、短边以间距Bl设置，每个晶粒的两个长边位于左右两侧，两个短边位于上下两侧，分别在Q张胶膜上摆放完I列BIN1后再切换分选下一个BIN，直至Q张胶膜上分别摆放完I列最后的BINn，以此方式完成Q张LED标准方片的制作。
将LED晶圆片排布时使方片中每个晶粒的两个长边位于左右两侧，两个短边位于上下两侧，以实现单排可排布的BIN数最多。
如图3所示，LED标准方片以纵向每相邻的两颗晶粒同一侧短边间距Bl、横向上每相邻的两颗晶粒同一侧长边间距Bw的N字形方式排布(LED标准方片的置晶方式)，分别在Q张胶膜上摆放完I列BIN1后再切换排布下一个BIN，直至Q张胶膜上分别摆放完I列最后的BINn，以此方式完成Q张LED标准方片的制作。并对每张LED标准方片做编号标识即可投入使用，且规定LED标准方片的存储有效期为半年或晶粒点测次数累计不超过40次。
Claims (9)
1.一种LED标准方片，其特征在于：包括胶膜，胶膜上设置多个晶粒，所述晶粒选自具有相同衬底、相同磊晶工艺的外延结构、相同芯片制造工艺的LED晶圆片，所述LED晶圆片的波长的标准差6≥λstd≥3、光强IV标准差IVstd≤8；所述晶粒的漏电流Ir的最大值均相等、顺向电压Vf的最小值均相等、顺向电压Vf的最大值均相等；
所述多个晶粒按波长划分为n个BIN，分别为BIN1、BIN2、…、BINn，n为大于或等于10的自然数且小于或等于分选设备最大可分类数；BIN1、BIN2、…、BINn在胶膜上由左向右依次排布，每个BIN有I列M排；
BIN1中任意晶粒的波长为λ1，BIN2中任意晶粒的波长为λ2，…、BINn中任意晶粒的波长为λn；
λ1、λ2、…、λn符合以下条件：
x≤λ1＜x+a，x+a≤λ2＜x+2a，…，x+(n-1)a≤λn＜x+na，
其中，445nm≤x≤450nm，0.1nm≤a≤2.0nm；
按照以下分组规则对n个BIN进行分组：至少1个BIN构成一组BIN，第一组BIN中任意晶粒的光强为IV1、第二组BIN中任意晶粒的光强为IV2、…、第t组BIN中任意晶粒的光强为IVt，t为正整数；
IV1、IV2、…、IVt符合以下条件：
IV1.avg×0.95≤IV1＜IV1.avg×1.10，IV2.avg×0.95≤IV2＜IV2.avg×1.10，…、IVt.avg×0.95≤IVt＜IVt.avg×1.10；
其中，IV1.avg为第一组BIN中所有晶粒的光强均值，IV2.avg为第二组BIN中所有晶粒的光强均值，…，IVt.avg为第t组BIN中所有晶粒的光强均值；
各个BIN排布的最大列数Imax＝分选设备置晶行程/Bw/n、排布的最大排数Mmax＝分选设备置晶行程/Bl；Bw为标准方片横向上相邻的两个晶粒同一侧长边的间距，B1为标准方片纵向上相邻的两个晶粒同一侧短边的间距。
2.根据权利要求1所述的LED标准方片，其特征在于：所述a＝1.0nm。
3.根据权利要求1或2所述的LED标准方片，其特征在于：所述晶粒的形状是长方形，在所述胶膜上，每个晶粒的两个长边位于左右两侧，两个短边位于上下两侧。
4.根据权利要求3所述的LED标准方片，其特征在于：所述n＝30；该30个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值为1uA～2uA、晶粒的顺向电压Vf的最小值和最大值分别为2.8V～3.0V和3.2V～3.4V；
所述BIN1中λ1的最小值为445nm、λ1的最大值为445.9nm，自BIN1起，每个BIN中波长的最小值和最大值均按照等差1.0nm方式递增。
5.根据权利要求4所述的LED标准方片，其特征在于：
所述30个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值为1uA、晶粒的顺向电压Vf的最小值和最大值分别为2.8V和3.2V；
所述分组规则是指：设BIN1至BIN5为第一组BIN，第一组BIN中晶粒的光强的最小值为80mcd、最大值为90mcd，各组BIN中晶粒的光强的最小值和最大值均按照等差10mcd的方式递增。
6.权利要求1所述LED标准方片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
1】挑选LED晶圆片：
从Mapping全测完的LED量产晶圆片中挑选制作LED标准方片所需的LED晶圆片；所述LED晶圆片具备相同材料和品质的衬底、相同磊晶工艺和品质的外延结构、相同芯片制造工艺和品质；且单张LED晶圆片波长λ的标准差6≥λstd≥3、光强IV标准差IVstd≤8；所述LED晶圆片的数量至少为2张；所述单张LED圆晶片的漏电流Ir、顺向电压Vf和抗静电性能ESD的良率均≥80％；
2】对步骤1】中挑选的LED晶圆片的Mapping全测值进行分类：
将步骤1】中挑选的LED晶圆片的晶粒按照以下条件划分为n个BIN：n个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值均相等，顺向电压Vf的最小值均相等，顺向电压Vf的最大值均相等；
BIN1中晶粒的波长为λ1，BIN2中晶粒的波长为λ2，…、BINn中晶粒的波长为λn；
λ1、λ2、…、λn符合以下条件：
x≤λ1＜x+a，x+a≤λ2＜x+2a，…，x+(n-1)a≤λn＜x+na，
其中，445nm≤x≤450nm，0.1nm≤a≤2.0nm；
按照以下分组规则对n个BIN进行分组：至少1个BIN构成一组BIN，第一组BIN中任意晶粒的光强为IV1、第二组BIN中任意晶粒的光强为IV2、…、第t组BIN中任意晶粒的光强为IVt，t为正整数；
IV1、IV2、…、IVt符合以下条件：
IV1.avg×0.95≤IV1＜IV1.avg×1.10，IV2.avg×0.95≤IV2＜IV2.avg×1.10，…、IVt.avg×0.95≤IVt＜IVt.avg×1.10；
其中，IV1.avg为第一组BIN中所有晶粒的光强均值，IV2.avg为第二组BIN中所有晶粒的光强均值，…，IVt.avg为第t组BIN中所有晶粒的光强均值；
按照上述条件对每张LED晶圆片的Mapping全测值进行分类，得出符合制作标准方片的类别BINn和各BIN晶粒颗数的分布；
3】预计可制作标准方片的张数Q：
结合上述BINn和各BIN晶粒颗数的分布、预设单张标准方片中每个BIN的列数I、排数M，预计总共可制作标准方片的张数Q，所述预计算法为Q＝BINn中最少晶粒颗数/I/M；
4】确定LED标准方片的参数：
确定LED标准方片所使用的胶膜材质及扩张参数、晶粒形态及晶粒与晶粒之间的间距；
5】排布LED晶粒：
根据上述信息将LED晶圆片中BIN1、BIN2、…、BINn的晶粒逐一排布成LED标准方片，使横向上相邻两个晶粒的同侧长边以间距Bw设置、纵向上相邻两个晶粒的同侧短边以间距Bl设置，每个晶粒的两个长边位于左右两侧，两个短边位于上下两侧，分别在Q张胶膜上摆放完I列BIN1后再切换分选下一个BIN，直至Q张胶膜上分别摆放完I列最后的BINn，以此方式完成Q张LED标准方片的制作。
7.根据权利要求6所述的LED标准方片的制作方法，其特征在于：所述步骤2】中a＝1.0nm。
8.根据权利要求7所述的LED标准方片的制作方法，其特征在于：所述LED晶圆片的数量为3张，且3张LED晶圆片的波长均值分别满足：λ(n/4)-2nm≤λ1avg≤λ(n/4)+2nm、λ(2n/4)-2nm≤λ2avg≤λ(2n/4)+2nm、λ(3n/4)-2nm≤λ3avg≤λ(3n/4)+2nm；
其中，划分的n个BIN中，BIN1波长的最小值为λ1min，BINn波长的最大值为λnmax，设k＝(λnmax-λ1min)/4，K取四舍五入保留小数点后1位，λ(n/4)＝λ1min+K，λ(2n/4)＝λ1min+2K，λ(3n/4)＝λ1min+3K。
9.根据权利要求7所述的LED标准方片的制作方法，其特征在于：所述LED晶圆片的数量为2张，且2张LED晶圆片的波长均值分别满足：
λ(n/3)-2nm≤λ1avg≤λ(n/3)+2nm、λ(2n/3)-2nm≤λ2avg≤λ(2n/3)+2nm；
其中，划分的n个BIN中，BIN1波长的最小值为λ1min，BINn波长的最大值为λnmax，设k＝(λnmax-λ1min)/3，K取四舍五入保留小数点后1位，λ(n/3)＝λ1min+K，λ(2n/3)＝λ1min+2K。
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