CN106093819B - 制作全波段对比晶粒的方法及校正芯片测试机的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种制作全波段对比晶粒的方法，包括以下步骤：步骤A、确定波段数量和全波段对比晶粒的份数；步骤B、选取包含全波段的多个方片产品；步骤C、将第一个波段和最后一个波段的方片产品通过包括外围晶粒的方法进行分档，将第二个波段至倒数第二个波段的方片产品通过不包括外围晶粒的方法进行分档；步骤D、转换为分选机识别的档；步骤E、采用分选机从多个方片产品上选取同一bin的晶粒放入新的方片上得到多份具有全波段晶粒的方片产品。本发明方法工艺精简，能快速、准确获得多份全波段对比晶粒。本发明还提供一种采用上述全波段对比晶粒进行校正芯片测试机的方法，步骤精简，能够确保校正后的芯片测试机具有一致性对比效率。

Description

制作全波段对比晶粒的方法及校正芯片测试机的方法

技术领域

本发明涉及LED加工技术领域，具体涉及一种制作全波段对比晶粒的方法。

背景技术

LED的电特性参数主要包括电压(VF)、亮度(LOP)、波长(WD)、逆向电流(IR)、抗静电能力(ESD)、半波宽(HW)、逆向电压(VRD)等等，产品的这一系列电性参数需要利用当前先进的芯片测试机测试得来。

因芯片测试机之间均存在一定的误差，如果误差偏大，那么同一批产品测试得到的结果不一，从而导致产品的电性异常。因此，LED行业需要芯片机测试机之间的误差越小越好，这样才能得到最准确的数据。

现有技术中，为了尽可能地降低芯片测试机之间各个波段的数据误差，需要对各个芯片测试机进行对比，具体方法是采用每一波段分别进行校正的方法，校正速度慢，且准确度低。

综上所述，急需一种能够制作出全波段晶粒的方法用于校正芯片测试机以解决现有技术中存在的问题。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种快速、准确的制作用于LED芯片测试机校正的全波段对比晶粒的方法，具体技术方案如下：

一种制作全波段对比晶粒的方法，包括以下步骤：

步骤A、确定全波段对比晶粒包括N个波段，需要制作M份全波段对比晶粒，其中：N为5-18，M为2-20；

步骤B、选取与波段数量相同的N个方片产品，一个方片产品包括一个波段的晶粒，且第一个波段的方片产品至第N个波段的方片中的晶粒的波段依次由低到高排列，其中：第一个波段的方片产品和第N个波段的方片产品均至少包括600颗晶粒，第二个波段的方片产品至第N-1个波段的方片产品均至少包括200颗晶粒；

步骤C、将第一个波段的方片产品和第N个波段的方片产品通过包括外围晶粒的方法进行分档，将第二个波段的方片产品至第N-1个波段的方片产品通过不包括外围晶粒的方法进行分档；所述包括外围晶粒的方法具体是：将全部晶粒以P的三倍的数量为单位依次分为bin1至binM；所述不包括外围晶粒的方法具体是：将全部晶粒以P的数量为单位依次分为bin1至binM；其中：P为每行所排列的晶粒的数量，取值为10-30颗；

步骤D、将第一个波段的方片产品或第N个波段的方片产品以及第二个波段的方片产品至第N-1个波段的方片产品中的任意一个转换为分选机识别的档；

步骤E、采用分选机从N个方片产品上选取同一bin的晶粒放入新的方片上得到M份具有全波段晶粒的方片产品。

以上技术方案中优选的，所述步骤D中转换为分选机识别的档的方法是采用表达式1)和表达式2)：

X＝y 1)；

Y＝Max(x)-x+1 2)；

其中：x为转换前晶粒的横坐标，y为转换前晶粒的纵坐标，X为转换后晶粒的横坐标，Y为转换前晶粒的纵坐标。

以上技术方案中优选的，所述波段的获得以2.5nm为跨度进行分段。

以上技术方案中优选的，所述分选机为威控LS-368分选机。

应用本发明的技术方案，具有以下效果：

(1)本发明全波段对比晶粒的制作方法简单，且采用先分档再转档的方式，便于分选机进行分选，一次能准确地制作多份全波段对比晶粒；(2)采用本发明的全波段对比晶粒，一次可以实现一台芯片测试机全波段校正，与现有技术采用单波段进行校正的方法比较，大大缩短芯片测试机的校正时间；(3)多份全波段对比晶粒的制作，既可一次性完成多台待校正芯片测试机的校正，又可留有足够的全波段对比晶粒来作为备用。

本发明的第二目的在于提供一种校正芯片测试机的方法，包括以下步骤：

第一步、采用标准芯片测试机测试权利要求1-4任意一项所得全波段对比晶粒，得到标准参数数据；

第二步、采用待校正的新测试机测试权利要求1-4任意一项所得全波段对比晶粒，得到各个待校正芯片测试机的测试数据；

第三步、比较各个待校正芯片测试机的测试数据与标准参数数据，分别对各个待校正芯片测试机进行调整；采用校正后的各芯片测试机再次测试权利要求1-4任意一项所得全波段对比晶粒，得到再次测试数据；

第四步、判断校正是否完成，具体是：若再次测试数据与标准参数数据相同，则完成校正；若再次测试数据与标准参数数据不同，则返回第三步。

采用本发明的校正方法，具体是：将制作好的全波段对比晶粒在最标准的芯片测试机上得出标准数据，再利用该产品协同标准数据对其它芯片测试机进行对比，使其他芯片测试机测试全波段对比晶粒的数据与标准数据一致，这样在生产过程中就能大大减小各个芯片测试机之间的误差，从而保证产品的数据正常，提升LED行业芯片测试机一致性对比效率。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照具体实施例，对本发明作进一步详细的说明。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明的技术方案进行详细说明，但是本发明可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

实施例1：

制作10份08mil*12mil芯片的全波段对比晶粒，要求：波段(WD)为447.5-470nm(以2.5nm差值分为9档)，LOP(亮度)为11-19HW(以2HW差值分档)，电压(VF)为2.8-3.6V(以0.2V差值分档)。

制作全波段对比晶粒的方法具体包括以下步骤：

步骤A、确定全波段对比晶粒包括9个波段(波段的数量取决于不同产品的波长范围，一般以2.5nm为跨度进行分段)，需要制作10份全波段对比晶粒(全波段对比晶粒的份数取决于生产需求来定，假如机台多，那么所需要的份数也就越多)；

步骤B、选取9个方片产品，一个方片产品包括一个波段的晶粒，且第一个波段的方片产品至第N个波段的方片中的晶粒的波段依次由低到高排列(如第一方片产品中所有晶粒的波段均为447.5-450nm，第二方片产品中所有晶粒的波段均为450-452.5nm等等)，第一个波段的方片产品和第9个波段的方片产品均包括600颗晶粒，第二个波段的方片产品至第8个波段的方片产品均包括200颗晶粒；

步骤C、将第一个波段的方片产品和第9个波段的方片产品通过包括外围晶粒的方法进行分档，将第二个波段的方片产品至第8个波段的方片产品通过不包括外围晶粒的方法进行分档；所述包括外围晶粒的方法具体是：将全部晶粒以P的三倍的数量(即60颗)为单位依次分为bin1至bin10；所述不包括外围晶粒的方法具体是：将全部晶粒以P的数量为单位依次分为bin1至bin10(即分为10个档)；其中：P为每行所排列的晶粒的数量，取值为20颗(也可以根据实际情况采用其他的数量，如25颗、30颗等等)；

步骤D、将第一个波段的方片产品和第二个波段的方片产品转换为分选机识别的档，具体是：转换为分选机识别的档的方法是采用表达式1)和表达式2)(将晶粒的坐标逆时针旋转90°)：

X＝y 1)；

Y＝Max(x)-x+1 2)；

其中：x为转换前晶粒的横坐标，y为转换前晶粒的纵坐标，X为转换后晶粒的横坐标，Y为转换前晶粒的纵坐标；

步骤E、采用分选机从9个方片产品上选取同一bin(如均选bin1的晶粒至一个新的方片上，均选bin2的晶粒至另一个新的方片上，bin指档))的晶粒放入新的方片上得到10份具有全波段晶粒的方片产品。

应用本发明的全波段对比晶粒时，新的方片产品上最前和最后两个波段均有两排作为外围晶粒，而其左右两侧可以除去位于两端的两颗(或其他数量)的晶粒作为外围晶粒不用，确保不会出现边缘晶粒因遮光不同而导致的电性不准确的现象发生，提高标准数据的可靠性。

应用本发明所得包含全波段对比晶粒的方片产品进行芯片测试机校正，具体是：

第一步、采用最标准的芯片测试机测试方片产品得出标准参数数据；

第二步、再采用其他待校正的芯片测试机测试方片产品得出各待校正的芯片测试机测量数据；

第三步、将标准数据和测量数据进行对比，对待校正的芯片测试机进行校正，采用校正后的芯片测试机再次测试方片产品，得到再次测试数据；

第四步、判断校正是否完成，具体是：若再次测试数据与标准参数数据相同，则完成校正；若再次测试数据与标准参数数据不同，则返回第三步重新测试，从而使得校正后的芯片测试机的测试数据与标准数据一致(此处，也可以根据实际情况确认无需要对芯片测试机进行参数微调，如误差在一定允许的范围之内，即可不需再次微调)。

采用本发明方法的校正方法能一次性将多个波段对比完成，无需目前单个波段一一对比，只需要现有技术中一个波段对比所有时间，提升了生产效率，并确保其他芯片测试机测试该全波段产品的数据与标准数据一致，大大减小各个芯片测试机之间的误差，提升LED行业芯片测试机一致性对比效率。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种制作全波段对比晶粒的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤A、确定全波段对比晶粒包括N个波段，需要制作M份全波段对比晶粒，其中：N为5-18，M为2-20；

步骤B、选取与波段数量相同的N个方片产品，一个方片产品包括一个波段的晶粒，且第一个波段的方片产品至第N个波段的方片中的晶粒的波段依次由低到高排列，其中：第一个波段的方片产品和第N个波段的方片产品均至少包括600颗晶粒，第二个波段的方片产品至第N-1个波段的方片产品均至少包括200颗晶粒；

步骤C、将第一个波段的方片产品和第N个波段的方片产品通过包括外围晶粒的方法进行分档，将第二个波段的方片产品至第N-1个波段的方片产品通过不包括外围晶粒的方法进行分档；所述包括外围晶粒的方法具体是：将全部晶粒以P的三倍的数量为单位依次分为bin1至binM；所述不包括外围晶粒的方法具体是：将全部晶粒以P的数量为单位依次分为bin1至binM；其中：P为每行所排列的晶粒的数量，取值为10-30颗；

步骤D、将第一个波段的方片产品或第N个波段的方片产品以及第二个波段的方片产品至第N-1个波段的方片产品中的任意一个转换为分选机识别的档；

步骤E、采用分选机从N个方片产品上选取同一bin的晶粒放入新的方片上得到M份具有全波段晶粒的方片产品，且新的方片产品上最前和最后两个波段均有作为外围晶粒。

2.根据权利要求1所述的制作全波段对比晶粒的方法，其特征在于，所述步骤D中转换为分选机识别的档的方法是采用表达式1)和表达式2)：

X＝y 1)；

Y＝Max(x)-x+1 2)；

其中：x为转换前晶粒的横坐标，y为转换前晶粒的纵坐标，X为转换后晶粒的横坐标，Y为转换前晶粒的纵坐标。

3.根据权利要求1所述的制作全波段对比晶粒的方法，其特征在于，所述波段的获得以2.5nm为跨度进行分段。

4.根据权利要求1所述的制作全波段对比晶粒的方法，其特征在于，所述分选机为威控LS-368分选机。

5.一种校正芯片测试机的方法，其特征在于：一次能够实现一台芯片测试机全波段校正，具体包括以下步骤：

第一步、采用标准芯片测试机测试权利要求1-4任意一项所得全波段对比晶粒，得到标准参数数据；

第二步、采用待校正的新测试机测试权利要求1-4任意一项所得全波段对比晶粒，得到各个待校正芯片测试机的测试数据；

第三步、比较各个待校正芯片测试机的测试数据与标准参数数据，分别对各个待校正芯片测试机进行调整；采用校正后的各芯片测试机再次测试权利要求1-4任意一项所得全波段对比晶粒，得到再次测试数据；

第四步、判断校正是否完成，具体是：若再次测试数据与标准参数数据相同，则完成校正；若再次测试数据与标准参数数据不同，则返回第三步。