CN103681903A - 太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

一种太阳能电池，包括第一导电型基底、第一电极、介电质层、第二导电型区与第二电极。第一导电型基底具有彼此相对的正面与背面。第一电极配置于正面上。介电质层具有电荷，配置于正面上，且位于第一电极的两侧。第二导电型区配置于第一导电型基底与第一电极之间，且仅配置于第一电极下方。第二电极配置于背面上。

Description

太阳能电池
技术领域
本发明是有关于一种光电元件，且特别是有关于一种太阳能电池。
背景技术
太阳能是一种几乎永不耗尽且本质上没有污染的能源，面对地球暖化与能源危机的议题，太阳能一直是最受瞩目的解决方案。太阳能电池（solar cell）可直接将太阳能转换为电能，因此是当前相当重要的研究课题。
举例来说，公知的太阳能电池可包括n型硅基底以及形成在n型硅基底上的p型发射极。此外，p型发射极上还可配置抗反射层，以减少光的反射。在n型硅基底下方可形成背面电场层，以减少载流子复合现象（carrierrecombination）。
光入射到太阳能电池时，先经过p型发射极而被吸收。电子空穴对受到入射光的激发而产生。空乏区的电场作用力有助于把电子拉到背面，远离发射极区，避免在晶片表面与发射极区的复合。虽然p-n接面是很好的电池结构，但发射极毕竟是高掺杂的区域，其深度达到数百个纳米以上，产生的载流子在这高掺杂区域发生严重的载流子复合，使产生的电流与电压下降。高掺杂发射极区域也是限制效率的主要因素之一。有鉴于此，超薄发射极设计的异质非晶硅接面结构（heterojunction with intrinsic thin layer,HIT）、全背接面式（interdigitated back contact,IBC）结构因应而生，这两种结构都具有高效率的特性。此外，发射极钝化背面局部扩散（passivated emitter and rear-locallydiffused,PERL）结构也是一种效率很高的结构。近年来，太阳能电池结构的研发大多建立在前述三大类型的基础上。
发明内容
本发明提供一种太阳能电池，具有高光电转换效率。
本发明提出一种太阳能电池，包括第一导电型基底、第一电极、第一介电质层、第二导电型区以及第二电极。第一导电型基底具有彼此相对的正面与背面。第一电极配置于正面上。第一介电质层具有第一型电荷，第一介电质层配置于正面上，且位于第一电极的两侧。第二导电型区配置于第一导电型基底与第一电极之间，且仅位于第一电极下方。第二电极配置于背面上。
在本发明的一实施例中，第一导电型基底是n型基底时，第一型电荷为负电荷；第一导电型基底是p型基底时，第一型电荷为正电荷。
在本发明的一实施例中，上述第一介电质层的电荷密度例如大于1012q/cm-2。
在本发明的一实施例中，第一型电荷为负电荷时，第一介电质层的材料包括Al2O3、HfO2或其组合；第一型电荷为正电荷时，第一介电质层的材料包括SiNx:H、SiO2、Y2O3、La2O3或其组合。
在本发明的一实施例中，上述的太阳能电池更包括抗反射层，且其配置于第一介电质层上。
在本发明的一实施例中，上述第二导电型区例如是配置于第一导电型基底中的掺杂区。
在本发明的一实施例中，上述第二导电型区例如是配置于第一导电型基底上的沉积层。
在本发明的一实施例中，上述第二导电型区的材料例如是掺杂非晶硅。
在本发明的一实施例中，上述的太阳能电池更包括本征非晶硅层，且其配置于第二导电型区与正面之间。
在本发明的一实施例中，上述的太阳能电池更包括透明导电层，且其配置于第一电极与第二导电型区之间。
在本发明的一实施例中，上述的太阳能电池更包括第一导电型区，且其配置于第一导电型基底与第二电极之间。
在本发明的一实施例中，上述的第一导电型区仅配置于第二电极上方，且太阳能电池更包括第二介电质层。第二介电质层具有第二型电荷，配置于背面上，且位于第二电极的两侧。
在本发明的一实施例中，在第一型电荷为负电荷时，第二型电荷为正电荷；在第一型电荷为正电荷时，第二型电荷为负电荷。
在本发明的一实施例中，第二型电荷为正电荷时，第二介电质层的材料包括SiNx:H、SiO2、Y2O3、La2O3或其组合；第二型电荷为负电荷时，第二介电质层的材料包括Al2O3、HfO2或其组合。
在本发明的一实施例中，上述第一导电型区例如是配置于第一导电型基底中的重掺杂区。
在本发明的一实施例中，上述第一导电型区例如是配置于第一导电型基底上的沉积层。
在本发明的一实施例中，上述第一导电型区的材料例如是掺杂非晶硅。
在本发明的一实施例中，上述太阳能电池更包括本征非晶硅层，且其配置于第一导电型区与背面之间。
在本发明的一实施例中，上述太阳能电池更包括透明导电层，其配置于第一导电型区与该第二电极之间。
基于上述，在本发明的太阳能电池中，第二导电型区（即射极区域）仅配置于电极下方，受光面没有发射极，因此，载流子的复合变少，短路电流、开路电压都会上升。太阳能电池的光电转换效率可从而提高。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1是根据第一实施例绘示的太阳能电池的剖面示意图。
图2是根据第二实施例绘示的太阳能电池的剖面示意图。
图3是根据第三实施例绘示的太阳能电池的剖面示意图。
图4是根据第四实施例绘示的太阳能电池的剖面示意图。
图5是根据第五实施例绘示的太阳能电池的剖面示意图。
图6A至图6D是一种太阳能电池的制作方法的剖面示意图。
附图标记说明
100、200、300、400、500：太阳能电池
101、201、301、401、501：第一导电型基底
101a、201a、401a、600a：正面
101b、201b、301b、401b、501b、600b：背面
102、202、302、402、502：第一电极
104、204、304、404、504：第一介电质层
106、206、306、406、506：第二导电型区
108、208、308、408、508：第二电极
205、305、405、505：抗反射层
209、309、409、509：第一导电型区
310、510：第二介电质层
412、413、512、513：本征非晶硅层
414、415、514、515：透明导电层
600：n型硅晶片
602、603：氧化铝薄膜
604、605：氮化硅薄膜
606：p型重掺杂区
608：n型重掺杂区
610：正面电极
612：背面电极
W1、W2：宽度
具体实施方式
图1是根据第一实施例绘示的太阳能电池的剖面示意图。
请参照图1，太阳能电池100包括第一导电型基底101、第一电极102、第一介电质层104、第二导电型区106以及第二电极108。
在本实施例以及以下各实施例中，以第一导电型基底101是n型硅基底为例来进行说明，但本发明不限于此，在其他可能的实施例中，第一导电型基底101也可以是p型硅基底或其他适合的任意基底。
第一导电型基底101具有正面101a以及与其相对的背面101b。在图1中，将正面101a与背面101b绘示为平整表面，但本发明不限于此，在其他可能的实施例中，正面101a也可以具有表面织化（texture）结构，以降低表面反射率，延长光在第一导电型基底101中的行进路径，增加光被吸收的机会。
第一电极102配置于正面101a上。第一电极102的材料可包括金属，例如银或铜。
第一介电质层104配置于正面101a上，且位于第一电极102的两侧。第一介电质层104具有第一型电荷。第一型电荷可为正电荷或负电荷，其选择视第一导电型基底101的导电类型而定。具体地说，第一型电荷应吸引第一导电型基底101中的少数载流子；亦即，如果第一导电型是n型，则第一型电荷应是负电荷；如果第一导电型是p型，则第一型电荷应是正电荷。
在第一实施例中，第一介电质层104例如是Al2O3，这是一种带有负电荷的材料，且其电荷密度大于1012q/cm-2，甚至可大于1013q/cm-2，受光激发而产生的空穴会被负电荷吸引，聚集在正面101a附近，形成高空穴浓度的聚集层（未绘示），此聚集层的空穴浓度大于原本第一导电型基底101的掺杂浓度，有时，在本技术领域中此聚集层又被称为反转层（inversion layer）。反转层有助于空穴电流的传导，可降低传导的阻值。此外，具有第一型电荷的第一介电质层104可排斥第一导电型基底101中的主要载流子，吸引少数载流子，因此也可以作为表面钝化层，抑制电子空穴对的复合。在其他实施例中，第一介电质层104也可包括其他材料，例如HfO2。
第二导电型区106配置于第一导电型基底101与第一电极102之间，且第二导电型区106仅位于第一电极102下方。如果第一导电型是n型，则第二导电型为p型；如果第一导电型是p型，则第二导电型为n型。在本说明书中，「第二导电型区106仅位于第一电极102下方」的描述，表示在本发明的概念中，第二导电型区106实质上不会从图1所示的配置位置水平延伸至他处，例如不会延伸至第一介电质层104下方。亦即，第二导电型区106与第一电极102在垂直方向上重合，且第二导电型区106的宽度W1等于第一电极102的宽度W2。然而在此应理清的是，实际制作太阳能电池时，不见得能够以理想化的方式控制工艺，因此，第二导电型区106的宽度W1略大于第一电极102的宽度W2是可能的。此外，若有需要，第二导电型区106的尺寸沿着水平方向缩小，而其宽度W1小于第一电极102的宽度W2也是可能的实施型态。
在一实施例中，第二导电型区106例如是形成在第一导电型基底101中的第二导电型重掺杂区（请注意，虽然在此状况下，第二导电型区106形成在第一导电型基底101中，但本说明书仍将这种配置情形称为「第二导电型区106配置于第一导电型基底101与第一电极102之间」）。第二导电型区106例如是具有p型杂质（如硼）的第二导电型重掺杂区。第二导电型区106即为太阳能电池100的发射极，其与第一导电型基底101之间的p-n接面可分离电子空穴对，使太阳能电池100能够输出电力。
太阳能电池100还可具有第二电极108，其配置在背面101b上。第二电极108的材料可包括金属，例如铝、铜或银。
图2是根据第二实施例绘示的太阳能电池的剖面示意图。
参照图2，太阳能电池200包括第一导电型基底201、第一电极202、第一介电质层204、第二导电型区206、第二电极208、抗反射层205与第一导电型区209。
第一导电型基底201、第一电极202、第一介电质层204、第二导电型区206与第二电极208可与第一实施例中对应者相同，于此不再重述。
抗反射层205配置于第一介电质层204上。抗反射层205可以减少光在正面201a处的反射，提高光的利用效率，其材料例如是Si3N4、TiO2、SiO2、MgF、ZnO等。
第一导电型区209例如是配置在第一导电型基底201的背面201b处的第一导电型重掺杂区，相较于第一导电型基底201，其具有更高的掺杂浓度，可以排斥少数载流子，藉此抑制电子空穴对在背面101b处的复合。在本技术领域中，通常将这种类型的第一导电型区209称为背面电场层。
图3是根据第三实施例绘示的太阳能电池的剖面示意图。
参照图3，太阳能电池300包括第一导电型基底301、第一电极302、第一介电质层304、抗反射层305、第二导电型区306、第二电极308、第一导电型区309以及第二介电质层310。
第一导电型基底301、第一电极302、第一介电质层304、抗反射层305、第二导电型区306以及第二电极308可与第二实施例中对应者相同，于此不再重述。
第一导电型区309配置于第一导电型基底301与第二电极308之间，且仅配置于第二电极308上方。此处，所谓「仅配置于第二电极308上方」，与前文对「第二导电型区106仅位于第一电极102下方」的定义类似。亦即，虽然在图3中将第一导电型区309绘示为在垂直方向上与第二电极308完全重合，但第一导电型区309沿水平方向略微延伸，而导致一小部份的第一导电型区309延伸至第二介电质层310上方是可能的。此外，第一导电型区309沿水平方向缩小，使其宽度小于第二电极308的宽度也是可能的。
在第三实施例中，第一导电型区309例如是形成在第一导电型基底301中的重掺杂区（请注意，本说明书中仍将这种配置情形称为「第一导电型区309配置于第一导电型基底301与第二电极308之间」）。在第一导电型基底301是n型硅基底的实施例中，第一导电型区309例如是具有n型杂质（如磷）的重掺杂区。
第二介电质层310配置于第一导电型基底301的背面301b上，且位于第二电极308的两侧。第二介电质层310具有第二型电荷。第二型电荷可以是正电荷或负电荷，其选择视第一导电型基底301的导电类型而定。具体地说，第二型电荷应排斥第一导电型基底301中的少数载流子；亦即，如果第一导电型是n型，则第二型电荷应是正电荷；如果第一导电型是p型，则第二型电荷应是负电荷。换句话说，在第三实施例中，第一介电质层301具有的第一型电荷为负电荷，第二介电质层310具有的第二型电荷为正电荷。当然，本发明不限于此，在其他实施例中，第一型电荷也可以是正电荷，同时第二型电荷为负电荷。在第三实施例中，第二介电质层310的材料例如是SiNx:H。SiNx:H具有表面钝化并减少载流子复合的效果。
在第三实施例中，抗反射层305的材料例如是SiNx:H。由于SiNx:H具有抗反射的效果，因此抗反射层305也可作为配置于太阳能电池正面的抗反射层。在其他实施型态中，如果抗反射层305材料可镀有多层抗反射的结构，也可以在抗反射层305上再沉积一层抗反射层（未绘示）。除了SiN以外，抗反射层305的材料还可以是Si3N4、TiO2、SiO2、MgF、ZnO。
图4是根据第四实施例绘示的太阳能电池的剖面示意图。
参照图4，太阳能电池400包括第一导电型基底401、第一电极402、第一介电质层层404、抗反射层405、第二导电型区406、第二电极408、第一导电型区409、本征非晶硅层412、本征非晶硅层413、透明导电层414与透明导电层415。
第一导电型基底401、第一电极402、第一介电质层404、抗反射层405与第二电极408可与第三实施例中对应者相同，于此不再重述。
在第四实施例中，第二导电型区406是形成在第一导电型基底401的正面401a上的沉积层，其材料例如是p型掺杂非晶硅。第二导电型区406配置于第一电极402与第一导电型基底401之间，且仅配置于第一电极402下方。形成第二导电型区406与第一电极402时，通常须在第一介电质层404与抗反射层405中形成开口，接着再依序形成第二导电型区406与第一电极402，以填满开口。因此，此处所谓「第二导电型区406仅配置于第一电极402下方」，可以指第二导电型区406的宽度与第一电极402的宽度实质上相同的情形；此外，也可以指第二导电型区406的宽度小于第一电极402的宽度的情形。
在第四实施例中，第二导电型区406与正面401a（即第一导电型基底401）之间还可配置有本征非晶硅层412，使第二导电型区406/本征非晶硅层412/第一导电型基底401形成异质接面（HIT,Heterojunction with Intrinsic Thinlayer）。再者，在第一电极402与第二导电型区406之间可以选择性地配置透明导电层414。透明导电层414的材料例如是透明导电氧化物，例如铟锡氧化物（ITO）。
在第四实施例中，第一导电型区409是形成在第一导电型基底401的背面401b上的沉积层，其材料例如是n型掺杂非晶硅。在第一导电型区409与背面401b（即第一导电型基底401）之间还配置有本征非晶硅层413。此外，在第一导电型区409与第二电极408之间还可选择性地配置透明导电层415，其材料例如与透明导电层414相同。
图5是根据第五实施例绘示的太阳能电池的剖面示意图。
参照图5，太阳能电池500包括第一导电型基底501、第一电极502、第一介电质层504、抗反射层505、第二导电型区506、第二电极508、第一导电型区509、第二介电质层510、本征非晶硅层512、本征非晶硅层513、透明导电层514与透明导电层515。
第一导电型基底501、第一电极502、第一介电质层504、抗反射层505、第二导电型区506、第二电极508、本征非晶硅层512以及透明导电层514可与第四实施例中对应者相同，于此不再重述。
第二介电质层510可与第三实施例中对应者相同。
在第五实施例中，第一导电型区509是配置在第一导电型基底501的背面501b上的沉积层，其材料可为n型掺杂非晶硅。第一导电型区509仅配置在第二电极508上方。此处，所谓「第一导电型区509仅配置在第二电极508上方」与前述针对第二导电型区406所述的定义类似，亦即，可以指第一导电型区509的宽度与第二电极508的宽度实质上相同的情形；也可以指第一导电型区509的宽度小于第二电极508的宽度的情形。
在第一导电型基底501与第一导电型区509之间可配置有本征非晶硅层513。在第一导电型区509和第二电极508之间还可配置有透明导电层515。透明导电层515的材料例如与透明导电层514相同。
以上，根据本发明的概念而说明了多种实施例。在此，应指出，本发明并不限于前述实施例。在以上各个实施例中所述的各个构成要素，必要且适当时，可以互相组合而构成新的实施型态。例如，第二实施例的背面结构（包括第二电极208与第一导电型区209）可与第四实施例的正面结构（包括第一电极402、第一介电质层404、抗反射层405、第二导电型区406、本征非晶硅层412与透明导电层414）结合，形成一种新的太阳能电池结构。此结构以及其它可能的结构均落于本发明的范畴之内。
〈制造方法〉
以下，将参照图6A至图6D，说明一种依照本发明一实施例来制造太阳能电池的方法。
请参照图6A，首先提供切割完成的n型硅晶片600。而后使n型硅晶片600经过化学蚀刻处理，在其正面600a形成微米等级的金字塔（pyramid）表面织化结构，如此可以降低入射光的反射率。前述的化学蚀刻处理例如是使用碱性蚀刻液的湿式蚀刻。此外，利用酸性蚀刻或是碱性蚀刻使n型硅晶片600的背面600b形成为平坦表面，如此可以提升背面的反射率并且降低载流子在表面复合的速度。
请继续参照图6A，接着使n型硅晶片600经过清洗而去除蚀刻液，然后，将其置放在原子层沉积（atomic layer deposition,ALD）反应器中，分别在正面600a与背面600b上成长氧化铝（Al2O3）薄膜602与氧化铝薄膜603，其厚度约在5nm～30nm的范围内。考虑抗反射的效果，在一实施例中，氧化铝薄膜602的厚度可为10nm。之后，于氧化铝薄膜602上，以等离子辅助化学气相沉积法（PECVD）沉积氮化硅薄膜604，其厚度需视反射率之需求而经最佳化。氧化铝薄膜602可作为表面钝化层；而氧化铝薄膜602与氮化硅薄膜604可一同作为抗反射层。
请参照图6B，移除背面600b上的氧化铝薄膜603，并以等离子辅助化学气相沉积法沉积氮化硅薄膜605。移除氧化铝薄膜603的方法例如是湿式蚀刻工艺。氮化硅薄膜605可作为前述实施例中的第二介电质层（例如第二介电质层310或第二介电质层510）。
请参照图6C，利用激光化学掺杂工艺（laser chemical doping），在氧化铝薄膜602与氮化硅薄膜604中开出待形成正面电极的开口，在氮化硅薄膜605中开出待形成背面电极的开口，并在n型硅晶片600中形成p型重掺杂区606以及n型重掺杂区608。
激光化学掺杂工艺是一种混合激光的局部加热与溶液掺杂的工艺，可同时达到电极开孔与化学掺杂的目的。一般而言，使用硼酸溶液来达到掺硼的目的，使用磷酸溶液来达到掺磷的目的。也就是说，在正面600a处以硼酸加激光来形成p型重掺杂区606，在背面600b处以磷酸加激光来形成n型重掺杂区608。
请参照图6D，p型重掺杂区606与n型重掺杂区608形成以后，使n型硅晶片600再次经历清洗工艺。最后，以电镀金属的方式形成正面电极610与背面电极612，藉此完成太阳能电池的制作。
通过前述方法制得的太阳能电池可具有与第三实施例相似的结构。此外，第四实施例与第五实施例中的透明导电层、本征非晶硅层与掺杂非晶硅层例如是使用等离子辅助气相层积的方法形成。当然，本发明并不限于前述的特定方法。只要是所属技术领域中具有通常知识者所知的方法，均可用来形成本发明的各实施例的太阳能电池。
〈模拟实验〉
为了进一步证实本发明的效果，以商用元件模拟软体进行了模拟实验。在模拟实验中，比较例对应于图1所绘示的习知结构；实验例1对应于第三实施例的结构；实验例2对应于第四实施例的结构；实验例3对应于第五实施例的结构；实验例4亦对应于第五实施例的结构，但其第一导电型基底的厚度达到400μm，掺杂浓度为1015cm-3，载流子生命周期为5ms。Al2O3与基板接面电荷密度为-1013q/cm-2，Al2O3厚度为10nm，抗反射层SiN:H厚度为60nm，P型重掺杂区表面浓度为1020cm-3。电池正面为具有金字塔的表面织化抗反射结构。表1呈现短路电流密度（JSC）、开路电压（VOC）、填充因子（fill factor,FF）与光电转换效率（Efficiency,Eff.）的模拟结果。
表1
Figure BDA00002409749600111
由表1可以看出，本发明的太阳能电池比习知的太阳能电池有更高的光电转换效率，且其短路电流、开路电压与填充因子均有全面性的提升。
综上所述，上述实施例将太阳能电池的发射极区域缩小至仅配置于正面电极下方，并利用带电荷的介电质层在基底的受光面形成反转层。反转层结构有利于电流的传导，且由于受光面没有发射极，载流子的复合变少，因此短路电流、开路电压都会上升。此外，一些实施例（例如第四实施例及第五实施例）将前述结构与异质接面（HIT）技术结合，可进一步降低接面处的载流子复合，再提升开路电压。
应指出，上述实施例的太阳能电池的开路电压随着硅基底的掺杂浓度降低而提升，亦即，即使使用高阻值的晶片，仍然可以制作出高效率的太阳能电池。具体地说，即使硅基底的阻值超过5Ωcm，太阳能电池仍能保持高效率，这与习知的太阳能电池（硅基底的阻值约在1Ωcm到5Ωm）是不同的。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围以权利要求书为准。

Claims (19)

1.一种太阳能电池，包括：
第一导电型基底，具有彼此相对的正面与背面；
第一电极，配置于该正面上；
第一介电质层，具有第一型电荷，该第一介电质层配置于该正面上，且位于该第一电极的两侧；
第二导电型区，配置于该第一导电型基底与该第一电极之间且仅位于该第一电极下方；以及
第二电极，配置于该背面上。
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该第一导电型基底是n型基底时，该第一型电荷为负电荷；该第一导电型基底是p型基底时，该第一型电荷为正电荷。
3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该第一介电质层的电荷密度大于1012q/cm-2。
4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在该第一型电荷为负电荷时，该第一介电质层的材料包括Al2O3、HfO2或其组合；在该第一型电荷为正电荷时，该第一介电质层的材料包括SiNx:H、SiO2、Y2O3、La2O3或其组合。
5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，更包括抗反射层，配置于该第一介电质层上。
6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该第二导电型区是配置于该第一导电型基底中的掺杂区。
7.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该第二导电型区是配置于该第一导电型基底上的沉积层。
8.如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，该第二导电型区的材料包括掺杂非晶硅。
9.如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，更包括本征非晶硅层，配置于该第二导电型区与该正面之间。
10.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，更包括透明导电层，配置于该第一电极与该第二导电型区之间。
11.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，更包括第一导电型区，配置于该第一导电型基底与该第二电极之间。
12.如权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，该第一导电型区仅配置于该第二电极上方，且该太阳能电池更包括：
第二介电质层，具有第二型电荷，该第二介电质层配置于该背面上，且位于该第二电极的两侧。
13.如权利要求12所述的太阳能电池，其特征在于，在该第一型电荷为负电荷时，该第二型电荷为正电荷；在该第一型电荷为正电荷时，该第二型电荷为负电荷。
14.如权利要求12所述的太阳能电池，其特征在于，在该第二型电荷为正电荷时，该第二介电质层的材料包括SiNx:H、SiO2、Y2O3、La2O3或其组合；在该第二型电荷为负电荷时，该第二介电质层的材料包括Al2O3、HfO2或其组合。
15.如权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，该第一导电型区是配置于该第一导电型基底中的重掺杂区。
16.如权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，该第一导电型区是配置于该第一导电型基底上的沉积层。
17.如权利要求16所述的太阳能电池，其特征在于，该第一导电型区的材料包括掺杂非晶硅。
18.如权利要求16所述的太阳能电池，其特征在于，更包括本征非晶硅层，配置于该第一导电型区与该背面之间。
19.如权利要求16所述的太阳能电池，其特征在于，更包括透明导电层，配置于该第一导电型区与该第二电极之间。
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