KR101898996B1 - 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 121
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 121
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 121
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 103
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 50
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 47
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 15
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 70
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWOHGFBLWUZMBB-UHFFFAOYSA-N [Cu+].C(CCC)P(CCCC)CCCC.C(CCC)P(CCCC)CCCC Chemical compound [Cu+].C(CCC)P(CCCC)CCCC.C(CCC)P(CCCC)CCCC MWOHGFBLWUZMBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- JBAKCAZIROEXGK-LNKPDPKZSA-N copper;(z)-4-hydroxypent-3-en-2-one Chemical compound [Cu].C\C(O)=C\C(C)=O JBAKCAZIROEXGK-LNKPDPKZSA-N 0.000 description 1
- ZKXWKVVCCTZOLD-FDGPNNRMSA-N copper;(z)-4-hydroxypent-3-en-2-one Chemical compound [Cu].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O ZKXWKVVCCTZOLD-FDGPNNRMSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000005527 interface trap Effects 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
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- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
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Abstract
본 발명은 제 1 도전형 실리콘 기판과,제 1 도전형 실리콘 기판의 상면에 위치하는 제 2 도전형 실리콘층과, 제 2 도전형 실리콘층의 상면이 산화 처리되어 형성되는 화학적 산화층과, 화학적 산화층의 상면에 형성되는 알루미나막과, 알루미나막의 상면에 전이 금속 산화물로 형성되는 상부 전하 선택 박막과, 제 1 도전형 실리콘 기판의 하면에 형성되는 진성 비정질 실리콘 박막과, 진성 비정질 실리콘 박막의 하면에 형성되는 제 1 도전형 실리콘 박막과, 상부 전하 선택 박막의 상면에 형성되는 상부 투명 전극 및 진성 비정질 실리콘 박막의 하면에 형성되는 하부 투명 전극을 포함하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지를 개시한다.
Description
본 발명은 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지에 관한 것이다.
일반적으로 태양 전지는 태양광을 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심 소자로서, 기본적으로 p-n 접합으로 이루어진 다이오드(Diode)라 할 수 있다.
태양광이 태양 전지에 의해 전기로 변환되는 과정을 살펴보면, 태양 전지의 p-n 접합부에 태양광이 입사되어 전자-정공쌍이 생성되고, 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 이동하게 되어 p-n 접합부 사이에 광기전력이 발생되며, 이때 태양 전지의 양단에 부하나 시스템을 연결하면 전류가 흐르게 되어 전력을 생산할 수 있게 된다.
태양 전지는 일반적으로 n형 실리콘 기판 상에 p형 실리콘 박막(p형 반도체층)이 형성된 구조를 이루는데, 이때 p형 실리콘 박막은 p형 불순물의 도핑에 의해 형성된다. 이에, 실리콘 기판의 하층부는 n형 반도체층으로 남고, 상층부는 p형 반도체층을 이루게 되어 p-n 접합부를 구성한다. 그리고 실리콘 기판의 전후면에는 p-n 접합부에 의해 광생성된 정공 및 전자를 포집하기 위한 금속 전극이 형성된다.
태양 전지는 실리콘 기판 표면의 패시베이션 특성을 향상시켜 전자 또는 정공과 같은 전하의 재결합율을 최소화시킴으로써 태양 전지의 광전변환 효율을 극대화시키는 것이 중요하다.
본 발명은 전하 선택 박막과 실리콘 사이의 계면 결함을 감소시켜 효율 특성을 향상시킬 수 있는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지는 제 1 도전형 실리콘 기판과, 상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 상면에 위치하는 제 2 도전형 실리콘층과, 상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면이 산화 처리되어 형성되는 화학적 산화층과, 상기 화학적 산화층의 상면에 형성되는 알루미나막과, 상기 알루미나막의 상면에 전이 금속 산화물로 형성되는 상부 전하 선택 박막과, 상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 하면에 형성되는 진성 비정질 실리콘 박막과, 상기 진성 비정질 실리콘 박막의 하면에 형성되는 제 1 도전형 실리콘 박막과, 상기 상부 전하 선택 박막의 상면에 형성되는 상부 투명 전극 및 상기 제 1 도전형 실리콘 박막의 하면에 형성되는 하부 투명 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 화학적 산화층은 상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면이 SC-1 솔루션, SC-2 솔루션, 질산, 염산, 황산, 인산 또는 불산으로 습식 화학적 산화 처리되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 화학적 산화층은 0.1 ~ 1nm의 두께로 형성될 수 있다.
또한, 상기 알루미나막은 원자층 증착 공정으로 형성되며, 1 ~ 2nm의 두께로 형성될 수 있다.
또한, 상기 전이 금속 산화물은 WO3, V2O5 또는 MoOx(1<x<3)일 수 있다.
또한, 상기 상부 전하 선택 박막은 1 ~ 7nm의 두께로 형성될 수 있다.
또한, 상기 화학적 산화층과 상기 알루미나막 및 상기 상부 전하 선택 박막의 전체 두께는 10nm 이하가 될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지는 제 1 도전형 실리콘 기판과, 상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 상면에 위치하는 제 2 도전형 실리콘층과, 상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 하면이 산화 처리되어 형성되는 화학적 산화층과, 상기 화학적 산화층의 하면에 형성되는 알루미나막과, 상기 알루미나막의 하면에 전이 금속 산화물로 형성되는 하부 전하 선택 박막과, 상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면에 형성되는 진성 비정질 실리콘 박막과, 상기 진성 비정질 실리콘 박막의 상면에 형성되는 상부 투명 전극 및 상기 하부 전하 선택 박막의 하면에 형성되는 하부 투명 전극을 포함할 수 있다.
상기 전이 금속 산화물은 Cu2O, SnO2 또는 TiO2일 수 있다.
본 발명의 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지는 전하 선택 박막과 실리콘 계면에 화학적 산화막과 알루미나막을 형성함으로써 전하 선택 박막과 실리콘의 계면에서의 계면 결함을 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지는 전하 선택 박막과 실리콘 계면에 화학적 산화막과 알루미나막을 형성함으로써 계면에서의 계면 트랩 전하 밀도가 증가되고 계면 특성이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명의 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지는 전하 선택 박막이 전하를 선택적으로 터널링시키면서 패시베이션 특성을 향상시켜 효율 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지의 구조를 도시한 수직 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지의 구조를 도시한 수직 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지의 구조를 도시한 수직 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지의 구조에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지의 구조를 도시한 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(100)는 제 1 도전형 실리콘 기판(110)과, 제 2 도전형 실리콘층(120)과, 화학적 산화층(130)과, 알루미나막(140)과, 상부 전하 선택 박막(150)과, 진성 비정질 실리콘 박막(160)과, 제 1 도전형 실리콘 박막(170)과 상부 투명 전극(180)과, 상부 금속 전극(185)과, 하부 투명 전극(190) 및 하부 금속 전극(195)을 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 상기 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(100)는 빛이 입사되는 방향이 상면, 하면 또는 상면 및 하면인가에 따라 상부 금속 전극(185), 하부 투명 전극(190) 또는 하부 금속 전극(195)의 어느 하나가 생략될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(100)는 화학적 산화층(130)과, 알루미나막(140) 및 상부 전하 선택 박막(150)이 전하 선택 접합을 형성하여 계면 결함이 감소되고, 전하를 터널링시켜 전기 전도도가 우수하고, 패시베이션 특성이 우수하여 발전 효율이 향상될 수 있다.
상기 제 1 도전형 실리콘 기판(110)은 대략 평평한 상면과, 이의 반대면으로서 대략 평평한 하면을 포함하는 반도체 기판으로 형성될 수 있다. 상기 제 1 도전형 실리콘 기판(110)은 n형 불순물을 포함하는 결정질 실리콘 기판이며, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 함유할 수 있다. 한편, 상기 제 1 도전형 실리콘 기판(110)은 p형 불순물을 포함하는 반도체 기판일 수 있다. 상기 제 1 도전형 실리콘 기판(110)은 반사율을 감소시키고 광 포집 효율을 향상시키기 위하여 상면 또는 상면과 하면에 미세한 텍스처 구조를 구비할 수 있다. 상기 텍스처 구조는 산성 에칭과 같은 습식 에칭으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전형 실리콘 기판(110)의 상면 또는 하면이 텍스처 구조로 형성되는 경우에, 상면 또는 하면에 추가로 형성되는 박막들오 동일하게 텍스처 구조로 형성될 수 있다.
상기 제 2 도전형 실리콘층(120)은 제 1 도전형 실리콘 기판(110)에서 빛이 입사되는 면에 제 1 도전형 실리콘 기판(110)의 도전형 타입과 반대인 제 2 도전형 타입의 박막으로 형성될 수 있다. 상기 제 1 도전형 실리콘 기판(110)에서 빛이 입사되는 면은 상면 또는 상면과 하면일 수 있다. 따라서, 상기 제 2 도전형 실리콘층(120)은, 도 1을 기준으로, 제 1 도전형 실리콘 기판(110)의 상면에 위치할 수 있다. 상기 제 2 도전형 실리콘층(120)은 p형 불순물을 포함하는 반도체 층으로 형성될 수 있다. 상기 제 2 도전형 실리콘층(120)은 에미터층으로 작용할 수 있다. 상기 제 2 도전형 실리콘층(120)은 p형 불순물로 도핑된 비정질 실리콘(p-type a-Si:H) 재질로서 제 1 도전형 실리콘 기판(110)과 p-n 접합을 구성할 수 있다. 한편, 상기 제 1 도전형 실리콘 기판(110)이 p형의 결정질 실리콘 기판을 사용하는 경우에, 제 2 도전형 실리콘층(120)은 n형으로 도핑된 비정질 실리콘(n-type a-Si:H) 재질로서 제 1 실리콘 기판과 n-p 접합을 형성할 수 있다.
상기 화학적 산화층(130)은 제 2 도전형 실리콘층(120)의 상면이 산화 처리되어 형성될 수 있다. 상기 화학적 산화층(130)은 실리콘 산화막(SiO2)을 포함할 수 있다. 상기 화학적 산화층(130)은 제 2 도전형 실리콘층(120)의 표면을 습식 화학적 산화(wet chemical oxidation) 처리하여 형성할 수 있다. 상기 화학적 산화층(130)은 상부 전하 선택 박막(150)의 증착을 위한 핵 성장 위치(nucleation cite)를 증가시켜, 상부 전하 선택 박막(150)이 균일하게 증착될 수 있도록 한다. 또한, 상기 화학적 산화층(130)은 상부에 형성되는 알루미나막(140)의 박막 특성을 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 화학적 산화층(130)은 알루미나막(140)의 계면 특성을 향상시키고, 알루미나막(140)의 박막 밀도를 증가시킬 수 있다. 상기 화학적 산화층(130)은, 예를 들면, SC-1 솔루션, SC-2 솔루션, 질산, 염산, 황산, 인산 또는 불산으로 제 2 도전형 실리콘층(120)을 습식 화학적 산화 처리하여 형성될 수 있다. 상기 습식 화학적 산화 처리는 1분 내지 5분 동안 진행될 수 있다. 상기 화학적 산화층(130)은 0.1 ~ 1nm의 두께로 형성될 수 있다. 상기 화학적 산화층(130)의 두께가 너무 얇으면, 알루미나막(140)의 박막 특성의 향상 정도가 낮을 수 있다. 상기 화학적 산화층(130)의 두께가 너무 두꺼우면, 전하의 터널링이 감소되어 발전 효율이 감소될 수 있다. 또한, 상기 화학적 산화층(130)의 두께가 너무 두꺼우면, 상대적으로 알루미나막(140)과 상부 전하 선택 박막(150)의 두께가 감소되어야 하며 알루미나막(140)과 상부 전하 선택 박막(150)의 기능이 저하될 수 있다.
상기 알루미나막(140)은 화학적 산화층(130)의 상면에 박막으로 형성될 수 있다. 상기 알루미나막(140)은 계면 결함을 감소시킬 수 있다. 보다 구체적으로는 상기 알루미나막(140)은 상부에 형성되는 상부 전하 선택 박막(150)과의 계면에서의 계면 결함을 감소시킬 수 있다. 또한, 상기 알루미나막(140)은 패시베이션 작용을 할 수 있다. 상기 알루미나막(140)은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition) 공정으로 형성될 수 있다. 상기 원자층 증착 공정은 소스로 Al(OC2H5)3 (Tri Methyl Aluminum; TMA)를 사용하며, 산소 공급원으로 수증기(H2O) 또는 오존(O3)를 사용하며, 공정 온도 100℃∼450℃에서 진행될 수 있다. 상기 알루미나막(140)은 1 ~ 2nm의 두께로 형성될 수 있다. 상기 알루미나막(140)의 두께가 너무 얇으면, 패시베이션 작용이 떨어질 수 있고, 계면 결함을 감소시키는 정도가 작을 수 있다. 상기 알루미나막(140)의 두께가 너무 두꺼우면, 전하 터널링이 감소되어 발전 효율이 감소될 수 있다.
상기 상부 전하 선택 박막(150)은 알루미나막(140)의 상면에 형성될 수 있다. 상기 상부 전하 선택 박막(150)은 전이 금속 산화물(Transition Metal Oxide; TMO)로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 상부 전하 선택 박막(150)은 WO3, V2O5 또는 MoOx(1<x<3)로 형성될 수 있다. 상기 상부 전하 선택 박막(150)은 전하인 정공(또는 홀(hole))을 선택적으로 터널링시키면서 패시베이션 작용을 할 수 있다. 상기 상부 전하 선택 박막(150)이 직접 제 2 도전형 실리콘층(120)의 상면에 형성되는 경우에, 실리콘과의 계면에서 계면 트랩 전하 밀도가 감소하여 계면 결함이 발생될 수 있다. 이에 비하여 상기 상부 전하 선택 박막(150)은 화학적 산화막인 실리콘 산화막(SiO2)과 알루미나막(140)의 상면에 형성되므로 실리콘에 직접 형성되는 경우에 비하여 계면 결함이 감소될 수 있다.
상기 상부 전하 선택 박막(150)은 1 ~ 7nm의 두께로 형성될 수 있다. 상기 상부 전하 선택 박막(150)의 두께가 너무 두꺼우면 접촉 저항이 증가될 수 있다. 또한, 상기 상부 전하 선택 박막(150)의 두께가 너무 얇으면 패시베이션 특성이 약해질 수 있다.
한편, 상기 상부 전하 선택 박막(150)과 알루미나막(140) 및 화학적 산화층(130)을 포함하는 터널링 산화막의 전체 두께는 10nm이하가 되도록 형성될 수 있다. 상기 터널링 산화막의 두께가 너무 두꺼우면 전자 또는 정공의 터널링 효과가 감소될 수 있다.
상기 상부 전하 선택 박막(150)은 원자층 증착 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 원자층 증착 공정은 상부 전하 선택 박막(150)을 얇은 두께로 형성할 수 있다. 상기 원자층 증착 공정은, 상부 전하 선택 박막(150)이 MoOx로 형성되는 경우에, Mo의 프리커서(precursor)로 Mo(Co)6를 사용하고, 산화제로 수증기(H2O) 또는 오존(O3)을 사용할 수 있다. 상기 원자층 증착 공정은 초기에 화학적 산화막인 실리콘 산화막과 알루미나막(140)의 상면에 Mo의 핵 생성과 Mo의 밀도를 증가시켜 계면 트랩 전하 밀도를 증가시킬 수 있다. 또한, 상기 원자층 증착 공정은 화학적 산화층(130)과 알루미나막(140)의 상면에 증착시키므로 증착 속도가 증가될 수 있다.
상기 진성 비정질 실리콘 박막(160)은 제 1 도전형 실리콘 기판(110)의 하면에 형성될 수 있다. 상기 진성 비정질 실리콘 박막(160)은 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, a-Si:H를 포함할 수 있다. 상기 진성 비정질 실리콘 박막(160)은 전자-정공의 재결합을 억제하는 패시베이션층 역할을 한다. 상기 진성 비정질 실리콘 박막(160)은 전자-정공의 개수가 현저히 적으므로, 전자-정공의 재결합이 억제되어 열의 발생을 감소시키고, 전류의 손실을 감소시킬 수 있다. 한편, 상기 진성 비정질 실리콘 박막(160)은 제 2 도전형 실리콘층(120)의 상면에도 형성될 수 있다.
상기 진성 비정질 실리콘 박막(160)은 통상의 화학적 기상증착법(CVD), 상압 화학적 기상증착법(APCVD), 저압 화학적 기상증착법(LPCVD), 플라즈마 강화 화학적 기상증착법(PECVD), 원자층 증착법(ALD), 물리적 기상증착법(PVD), 스퍼터링 또는 고온증발 증착법 등으로 형성될 수 있다.
상기 제 1 도전형 실리콘 박막(170)은 진성 비정질 실리콘 박막(160)의 하면에 형성될 수 있다. 상기 제 1 도전형 실리콘 박막(170)은 n형으로 도핑된 비정질 실리콘(n-type a-Si:H) 재질로서 형성될 수 있다. 상기 제 1 도전형 실리콘 박막(170)은 후면 전계층으로 작용할 수 있다.
상기 상부 투명 전극(180)은 상부 전하 선택 박막(150)의 상면에 형성될 수 있다. 상기 상부 투명 전극(180)은 반사 방지 역할을 하는 동시에 전극 역할을 수행할 수 있다. 상기 상부 투명 전극(180)은, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, ITO(indium tin oxide) 또는 도핑된 ZnO 박막으로 형성될 수 있다. 상기 상부 투명 전극(180)은, 제 1 도전형 실리콘 기판(110)의 상면이 텍스처 구조를 갖는 경우에, 마찬가지로 텍스처 구조를 포함하여 발전 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 상부 금속 전극(185)은 상부 투명 전극(180)의 상부에 형성될 수 있다. 상기 상부 금속 전극(185)은 그리드 형태로 형성될 수 있다. 상기 상부 금속 전극(185)은, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 팔라듐의 단독 또는 합금으로 형성될 수 있다.
상기 하부 투명 전극(190)은 제 1 도전형 실리콘 박막(150)의 하면에 형성될 수 있다. 상기 하부 투명 전극(190)은 반사 방지 역할을 하면서 전극 역할을 수행할 수 있다. 상기 하부 투명 전극(190)은, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, ITO(indium tin oxide) 또는 도핑된 ZnO 박막으로 형성될 수 있다. 상기 하부 투명 전극(190)은, 제 1 도전형 실리콘 기판(110)의 하면이 텍스처 구조를 갖는 경우에, 마찬가지로 텍스처 구조를 포함하여 발전 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 하부 금속 전극(195)은 하부 투명 전극(190)의 하부에 형성될 수 있다. 상기 하부 금속 전극(195)은 그리드 형태로 형성될 수 있다. 상기 하부 금속 전극(195)은, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 팔라듐의 단독 또는 합금으로 형성될 수 있다.
다음으로, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지의 구조에 대하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지의 구조를 도시한 단면도이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(200)는 제 1 도전형 실리콘 기판(110)과, 제 2 도전형 실리콘층(120)과, 화학적 산화층(230)과, 알루미나막(240)과, 하부 전하 선택 박막(250)과, 진성 비정질 실리콘 박막(260)과, 상부 투명 전극(180)과, 상부 금속 전극(185)과, 하부 투명 전극(190) 및 하부 금속 전극(195)을 포함하여 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(200)는 도 1의 일 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(100)와 대비하여 상부 전하 선택 박막(150) 대신에 하부 전하 선택 박막(250)이 형성되는 점에서 차이가 있다. 또한, 상기 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(200)는 화학적 산화층(230)과 알루미나막(240) 및 진성 비정질 실리콘 박막(260)의 형성 위치가 도 1의 일 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(100)와 대비하여 차이가 있다.
이하에서는 상기 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(200)에 대하여 도 1의 일 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(100)와 동일 또는 유사한 구성에 대하여는 동일한 도면 부호를 부여하며 구체적인 설명을 생략한다. 또한, 상기 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(200)에 대하여 도 1의 일 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(100)와 대비하여 차이가 있는 구성을 중심으로 설명한다.
상기 화학적 산화층(230)은 제 1 도전형 실리콘 기판(110)의 하면이 산화되어 형성될 수 있다. 상기 화학적 산화층(230)은 도 1의 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(100)의 화학적 산화층(130)과 대비하여 형성되는 위치를 제외하고 동일 또는 유사하게 형성될 수 있다. 상기 화학적 산화층(230)은 습식 화학적 산화 처리에 의하여 0.1 ~ 1nm의 두께로 형성될 수 있다.
상기 알루미나막(240)은 화학적 산화층(230)의 하면에 박막으로 형성될 수 있다. 상기 알루미나막(240)은 도 1의 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(100)의 알루미나막(140)과 대비하여 형성되는 위치를 제외하고 동일 또는 유사하게 형성될 수 있다. 상기 알루미나막(240)은 원자층 증착 공정에 의하여 1 ~ 2nm의 두께로 형성될 수 있다.
상기 하부 전하 선택 박막(250)은 알루미나막(240)의 하면에 형성될 수 있다. 상기 하부 전하 선택 박막(250)은 전이 금속 산화물(Transition Metal Oxide; TMO)로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 하부 전하 선택 박막(250)은 Cu2O, SnO2 또는 TiO2로 형성될 수 있다. 상기 하부 전하 선택 박막(250)은 전하인 전자(electron)을 선택적으로 받아들이면서 패시베이션 작용을 할 수 있다.
상기 하부 전하 선택 박막(250)은 1 ~ 7nm의 두께로 형성될 수 있다. 상기 하부 전하 선택 박막(250)의 두께가 너무 두꺼우면 접촉 저항이 증가될 수 있다. 또한, 상기 상부 전하 선택 박막(150)의 두께가 너무 얇으면 패시베이션 특성이 약해질 수 있다.
한편, 상기 하부 전하 선택 박막(250)과 알루미나막(240) 및 화학적 산화층(230)을 포함하는 터널링 산화막은 전체 두께가 10nm이하가 되도록 형성될 수 있다. 상기 터널링 산화막의 전체 두께가 너무 두꺼우면 전자 또는 전하의 터널링 효과가 감소될 수 있다.
상기 하부 전하 선택 박막(250)은 원자층 증착 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 원자층 증착 공정은, 하부 전하 선택 박막(250)이 Cu2O로 형성되는 경우에, Cu의 프리커서(precursor)로 copper (II) acetylacetonate (Cu(acac)2), bis-(dimethylamino-2-propoxide)copper[Cu(dmap)2], bis(tri-n-butylphosphane) copper(I)acetylacetonate-[(nBu3P)2Cu(acac)](nBu=n-butyl), Cu(II) b-diketonate, Cu(I) b-diketonate중에서 선택되는 어느 하나를 선택하여 사용하고, 산화제로 수증기(H2O) 또는 오존(O3)을 사용할 수 있다. 상기 원자층 증착 공정은 초기에 화학적 산화막인 실리콘 산화막과 알루미나막(240)의 상면에 Cu의 핵 생성과 Cu의 밀도를 증가시켜 계면 트랩 전하 밀도를 증가시킬 수 있다. 또한, 상기 원자층 증착 공정은 화학적 산화막인 실리콘 산화막과 알루미나막(240)의 상면에 증착시키므로 증착 속도가 증가될 수 있다.
상기 진성 비정질 실리콘 박막(260)은 제 2 도전형 실리콘층(120)의 상면에 형성될 수 있다.
상기 상부 투명 전극(180)은 진성 비정질 실리콘 박막(260)의 상면에 형성될 수 있다.
상기 하부 투명 전극(180)은 하부 전하 선택 박막(250)의 하면에 형성될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예들에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지들은 , 구체적으로 도시하지 않았지만, 태양 전지를 구성하는 각 층들 사이에 추가로 다른 층들을 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 도 1에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(100)는 제 1 도전형 실리콘 기판(110)과 제 2 도전형 실리콘층(120) 사이에 추가로 진성 비정질 실리콘 박막이 더 형성될 수 있다.
또한, 도 1 에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(100)는 제 1 도전형 실리콘 박막(170) 대신에 도 2의 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(200)의 하부 전하 선택 박막(250)이 형성될 수 있다. 이때는 상기 하부 전하 선택 박막(과 진성 비정질 실리콘 박막(160) 사이에 화학적 산화층(140)이 더 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지(100)는 상부 즉, 상부 금속 전극(185)의 방향에서 광이 입사하는 구조 또는 상부 금속 전극(185)과 하부 금속 전극(195)의 방향에서 모두 광이 입사하는 구조로 형성될 수 있다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
100, 200: 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지
110: 제 1 도전형 실리콘 기판 120: 제 2 도전형 실리콘층
130, 230: 화학적 산화층 140, 240: 알루미나막
150: 상부 전하 선택 박막 250: 하부 전하 선택 박막
160: 진성 비정질 실리콘 박막 180: 상부 투명 전극
185: 상부 금속 전극 190: 하부 투명 전극
195: 하부 금속 전극
110: 제 1 도전형 실리콘 기판 120: 제 2 도전형 실리콘층
130, 230: 화학적 산화층 140, 240: 알루미나막
150: 상부 전하 선택 박막 250: 하부 전하 선택 박막
160: 진성 비정질 실리콘 박막 180: 상부 투명 전극
185: 상부 금속 전극 190: 하부 투명 전극
195: 하부 금속 전극
Claims (9)
- 제 1 도전형 실리콘 기판과,
상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 상면에 위치하는 제 2 도전형 실리콘층과,
상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면이 산화 처리되어 형성되는 화학적 산화층과,
상기 화학적 산화층의 상면에 형성되는 알루미나막과,
상기 알루미나막의 상면에 전이 금속 산화물로 형성되는 상부 전하 선택 박막과,
상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 하면에 형성되는 진성 비정질 실리콘 박막과,
상기 진성 비정질 실리콘 박막의 하면에 형성되는 제 1 도전형 실리콘 박막과,
상기 상부 전하 선택 박막의 상면에 형성되는 상부 투명 전극 및
상기 제 1 도전형 실리콘 박막의 하면에 형성되는 하부 투명 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지. - 제 1 항에 있어서,
상기 화학적 산화층은 상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면이 SC-1 솔루션, SC-2 솔루션, 질산, 염산, 황산, 인산 또는 불산으로 습식 화학적 산화 처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지. - 제 1 항에 있어서,
상기 화학적 산화층은 0.1 ~ 1nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지. - 제 1 항에 있어서,
상기 알루미나막은 원자층 증착 공정으로 형성되며, 1 ~ 2nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지. - 제 1 항에 있어서,
상기 전이 금속 산화물은 WO3, V2O5 또는 MoOx(1<x<3)인 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지. - 제 1 항에 있어서,
상기 상부 전하 선택 박막은 1 ~ 7nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지. - 제 1 항에 있어서,
상기 화학적 산화층과 상기 알루미나막 및 상기 상부 전하 선택 박막의 전체 두께는 10nm 이하가 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지. - 제 1 도전형 실리콘 기판과,
상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 상면에 위치하는 제 2 도전형 실리콘층과,
상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 하면이 산화 처리되어 형성되는 화학적 산화층과,
상기 화학적 산화층의 하면에 형성되는 알루미나막과,
상기 알루미나막의 하면에 전이 금속 산화물로 형성되는 하부 전하 선택 박막과,
상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면에 형성되는 진성 비정질 실리콘 박막과,
상기 진성 비정질 실리콘 박막의 상면에 형성되는 상부 투명 전극 및
상기 하부 전하 선택 박막의 하면에 형성되는 하부 투명 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지. - 제 8 항에 있어서,
상기 전이 금속 산화물은 Cu2O, SnO2 또는 TiO2인 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170149731A KR101898996B1 (ko) | 2017-11-10 | 2017-11-10 | 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170149731A KR101898996B1 (ko) | 2017-11-10 | 2017-11-10 | 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101898996B1 true KR101898996B1 (ko) | 2018-09-14 |
Family
ID=63599478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170149731A KR101898996B1 (ko) | 2017-11-10 | 2017-11-10 | 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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