CN103681540A - 功率半导体装置及其制造方法 - Google Patents

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吉松直树
牛岛光一
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Abstract

本发明提供一种功率半导体装置及其制造方法，该功率半导体装置具有：功率半导体元件（1）；高压电极（2），其与功率半导体元件（1）电连接；散热板（4），其与功率半导体元件（1）连接，并具有散热性；冷却体（6），其经由绝缘膜（5）与散热板（4）连接；以及封装体（10），其覆盖高压电极（2）的一部分、冷却体（6）的一部分、功率半导体元件（1）、散热板（4）以及绝缘膜（5）。冷却体（6）包含：基座部（7），其一部分埋设在封装体（10）中；以及冷却部件（8），其与基座部（7）连接。基座部（7）和冷却部件（8）为独立部件，冷却部件（8）固定在从封装体（10）露出的基座部（7）上。

Description

功率半导体装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种功率半导体装置及其制造方法，特别地，涉及一种能够具有良好的组装性的功率半导体装置及其制造方法。
背景技术
通常，针对功率半导体元件，以从物理及化学角度保护该半导体元件为目的，将负责与外部电连接的引线框架、和用于使该引线框架和半导体元件电连接的导线等一起载置在冷却装置上，并在该状态下利用树脂封装，其中，该冷却装置用于将功率半导体元件工作时产生的热量迅速地散热。
提出了一种冷却装置，该冷却装置为了提高冷却性能，在与载置功率半导体元件的面相对的面上具有散热片。例如在日本特开2007－184315号公报和日本特开2009－295808号公报中公开了一种半导体模块，其具有带有散热片的冷却装置。
但是，对于当前具有带有散热片的冷却装置的功率半导体装置，由于在树脂封装工序之前形成功率半导体装置的冷却装置，因此，树脂封装工序之后的组装工序必须在已具有冷却装置的状态下实施。其结果，在树脂封装工序之后的工序中，因以凸起状露出的散热片而有损组装性。例如，因从与载置有功率半导体元件的面相对的面凸起的散热片，使树脂封装后的工序中的功率半导体装置的操作性降低。
发明内容
本发明就是为了解决上述问题而提出的。本发明的主要目的在于，提供一种能够提高功率半导体装置的组装性的功率半导体装置及其制造方法。
本发明的功率半导体装置具有：功率半导体元件；高压电极，其与功率半导体元件电连接；散热板，其与功率半导体元件连接，并具有散热性；冷却体，其经由绝缘膜与散热板连接；以及封装体，其覆盖高压电极的一部分、冷却体的一部分、功率半导体元件、散热板以及绝缘膜。冷却体包含：基座部，其一部分埋设在封装体中；以及冷却部件，其与基座部连接。基座部和冷却部件为独立部件，冷却部件固定在从封装体露出的基座部上。
本发明的功率半导体装置由于包含作为独立部件的基座部和冷却部件，因此能够在不将冷却部件安装在基座部上的状态下，以覆盖功率半导体元件的方式形成封装体。由此，能够提高功率半导体装置的封装体形成后的操作性，并能够提高功率半导体装置的组装性。
本发明的上述及其他目的、特征、方面及优点，通过与附图相关联而进行理解的关于本发明的下述详细说明，而变得清楚。
附图说明
图1是实施方式1的功率半导体装置的概略剖面图。
图2是实施方式2的功率半导体装置的概略剖面图。
图3是实施方式3的功率半导体装置的概略剖面图。
图4是实施方式4的功率半导体装置的概略剖面图。
图5是表示实施方式1的功率半导体装置的制造方法的流程图。
图6是表示实施方式4的功率半导体装置的制造方法的流程图。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
（实施方式1）
参照图1，对本发明的实施方式1进行说明。本实施方式所涉及的功率半导体装置100具有：功率半导体元件1；高压电极2，其与功率半导体元件1电连接；散热板4，其与功率半导体元件1连接，并具有高散热性；冷却体6，其经由绝缘膜5与散热板4连接；以及封装体10，其对冷却体6的一部分、功率半导体元件1、散热板4以及绝缘膜5进行覆盖。
功率半导体元件1是具有例如IGBT（Insulated Gate BipolarTransistor）、FWD（Free Wheeling Diode）等的半导体芯片，是能够以高电压控制大电流的元件。功率半导体元件1的一个主面与高压电极2及信号端子20等电连接。例如，高压电极2经由焊料3而与功率半导体元件1电连接，信号端子20通过导线19进行电连接。功率半导体元件1的另一个主面经由焊料等（未图示）而保持在散热板4上。高压电极2以能够向功率半导体元件1施加高电压的任意构造设置。由于在高压电极2中流过大电流，因此，高压电极2和外部通过螺栓紧固的方法进行连接。即，高压电极2包含有用于使螺栓贯通的贯穿孔21。
散热板4是用于使功率半导体元件1产生的热量扩散的热扩散板，由散热性高的材料构成。例如，可以由铜（Cu）或铝（Al）等构成散热板4。与搭载有功率半导体元件1的面相对的面经由绝缘膜5而与冷却体6连接。绝缘膜5具有电绝缘性，例如可以由环氧树脂等构成。
冷却体6包含有作为独立部件的基座部7和冷却部件8。基座部7和冷却部件8连接而形成冷却体6，例如，基座部7是具有凹部7a的板状部件，冷却部件8是以与凹部7a嵌合的方式构成的柱状部件。基座部7及冷却部件8的材料为与散热板4相同的高散热性的材料，例如由铜或铝等构成即可。基座部7和冷却部件8的材料可以是相同材料，也可以是不同的材料。
封装体10对功率半导体元件1、高压电极2、散热板4、绝缘膜5及冷却体6进行封装。封装体10具有电绝缘性，例如由环氧树脂等构成即可。此时，高压电极2的一部分、信号端子20的一部分及冷却体6的一部分从封装体10露出。在从封装体10露出的冷却体6的一部分中，包含基座部7中的具有凹部7a的一个表面和冷却部件8。具有凹部7a的基座部7的一个表面优选形成为，该表面与平坦面相对，具有以在将功率半导体装置100载置在平坦面上时功率半导体装置100稳定的程度平坦化后的面。
并且，冷却体6以通过将冷却体6和罩部件11彼此连接而构成冷却器的方式设置。即，在本实施方式的功率半导体装置100中，通过驱动功率半导体元件1而产生的热量主要从半导体元件向散热板4、绝缘膜5、冷却体6高效地传导而通过冷却器散热。此时，在由基座部7和罩部件11包围的区域中设置有冷却部件8。由基座部7和罩部件11包围的区域优选构成为能够流动冷媒。由此，从功率半导体元件1传导至冷却体6的热量从基座部7及冷却部件8向冷媒及罩部件11散热。优选基座部7及冷却部件8的至少一方构成为与冷媒及罩部件11的接触面积较大。更优选冷却部件8构成为与罩部件11中的与凹部7a相对的面接触。由此，从功率半导体元件1传导至冷却部件8的热量向冷媒及罩部件11散热。
在将冷却体6和罩部件11连接而构成冷却器时，基座部7和罩部件11例如通过螺栓和螺母进行紧固固定。在此情况下，在基座部7及罩部件11上设置贯穿孔17、18，基座部7的贯穿孔17上方不被封装体10封装。在基座部7的贯穿孔17上方配置螺母，通过将该螺母与从罩部件11侧穿过罩部件11及基座部7的贯穿孔17后的螺栓紧固，从而能够构成具有冷却器的功率半导体装置100。
此外，在从上方观察功率半导体装置100时，以上述高压电极2的贯穿孔21与基座部7及罩部件11的贯穿孔17、18之间不重叠的方式进行设置。具体来说，贯穿孔17、18在基座部7和罩部件11的外形为矩形的情况下，分别设置在角部。另一方面，在高压电极2相对于夹在相邻的角部间的边垂直地形成多个的情况下，高压电极2的贯穿孔21沿边设置多个。
下面，对本实施方式所涉及的功率半导体装置100的制造方法进行说明。参照图5，本实施方式所涉及的功率半导体装置100的制造方法具有：工序（S01），在该工序中，形成对冷却体6的一部分和功率半导体元件1进行覆盖的封装体10，该冷却体6用于冷却功率半导体元件1；以及工序（S03），在该工序中，将冷却部件8安装在从封装体10露出的冷却体6上。
首先，在工序（S01）中，通过以覆盖冷却体6的一部分和功率半导体元件1的方式形成封装体10，从而在与冷却体6连接的状态下利用树脂等进行封装，由此得到功率半导体装置100。在此，所谓冷却体6的一部分是指基座部7的一个表面，在本工序（S01）中，冷却部件8尚未与基座部7连接。除了功率半导体元件1和冷却体6之外，还可以对与功率半导体元件1电连接的高压电极2及信号端子20、与功率半导体元件1连接并具有高散热性的散热板4、使散热板4和冷却体6绝缘的绝缘膜5进行封装。此时，如上所述，高压电极2的一部分及基座部7的一个表面从封装体10露出。
下面，作为工序（S02），对功率半导体元件1的特性实施检查。在该工序（S02）中，例如检查功率半导体元件1的电气特性和可靠性。此时，在功率半导体装置100的基座部7上没有设置冷却部件8。
下面，在工序（S03）中，在从封装体10露出的基座部7上安装冷却部件8而形成冷却体6。例如如上所述，在基座部7的与罩部件11相对的一侧形成有凹部7a的情况下，可以使冷却部件8与凹部7a嵌合。此时，以不向功率半导体装置100施加负载的方式，使基座部7的凹部7a与冷却部件8嵌合。特别地，由于在绝缘膜5受到压力时容易产生裂纹等，因此，以不施加强烈振动等的方式向基座部7安装冷却部件8。如上所述，通过实施上述工序（S01）至工序（S03），而完成本实施方式的功率半导体装置100的制造方法。
如上所述，根据本实施方式，功率半导体装置100由于具有通过作为独立部件的基座部7和冷却部件8形成的冷却体6，因此，在功率半导体装置100的制造方法中通过包含工序（S01）和工序（S03）在内的工序，从而将基座部7和冷却部件8形成为功率半导体装置100的冷却体6。即，在通过工序（S01）对具有基座部7的功率半导体装置100进行封装后，能够通过工序（S03）在从封装体10露出的基座部7的一个表面上安装冷却部件8而形成冷却体6。其结果，从封装体10露出的基座部7的一个表面由于在安装冷却部件8之前是平坦面，因此，与现有的功率半导体装置100的制造方法相比，能够提高操作性等。因此，根据本实施方式，能够提高利用封装体10对功率半导体装置100进行封装后的组装性。
在本实施方式中，如上所述，冷却体6可以由具有凹部7a的基座部7和与凹部7a嵌合的冷却部件8构成，但并不限定于此。例如，也可以由板状的基座部7和利用粘接剂等与基座部7接合的冷却部件8构成。只要不对功率半导体装置100的特性造成影响，能够以任意方法将基座部7和冷却部件8连接而形成冷却体6。
另外，在本实施方式中，绝缘膜5及封装体10可以具有在将基座部7和冷却部件8连接时不发生变形的程度的刚性。由此，在工序（S03）中，在经由基座部7向功率半导体装置100内部施加力时，能够抑制绝缘膜5及封装体10的变形或损伤，从而能够防止散热板4和基座部7的泄漏（leakage）等。
另外，在本实施方式中，如上所述，高压电极2通过螺栓紧固而与外部连接。可以将此时的与螺栓相紧固的螺母设为螺母套筒。具体来说，可以在高压电极2和基座部7之间的区域设置螺母套筒。螺母套筒具有中空构造，并包含固定在内部的螺母，在螺母侧具有开口部。在此情况下，在工序（S01）中，在将螺母套筒配置在高压电极2和基座部7之间的区域中的状态下通过封装体10进行封装。由此，由于螺母套筒的周围被封装体10覆盖，因此，能够使得高压电极2和基座部7之间的区域也由封装体10进行封装。由此，在工序（S01）中，无需以在高压电极2和基座部7之间的区域不形成封装体10的方式进行控制，能够提高功率半导体装置的组装性。此时，通过将螺栓从高压电极2侧穿过设置在高压电极2上的贯穿孔和螺母套筒的开口部而与螺母套筒内的螺母紧固，由此，能够将高压电极2和外部电连接。
（实施方式2）
下面，参照图2，对本发明的实施方式2的功率半导体装置200及其制造方法进行说明。本实施方式所涉及的功率半导体装置200及其制造方法具有基本上与实施方式1所涉及的功率半导体装置100及其制造方法相同的结构，与实施方式1所涉及的功率半导体装置100的不同点在于，冷却部件8具有带有弹性的弹性部8a。在本实施方式中，冷却部件8构成为，在一个端部具有与基座部7的凹部7a嵌合的根部8c，在另一个端部具有弹性部8a，该冷却部件8以一定的接触压力而与罩部件11抵接。这样，即使在基座部7和与基座部7相对的罩部件11之间的距离或冷却部件8的长度存在一定量的波动的情况下，冷却部件8也能够与罩部件11接触。其结果，能够实现与实施方式1相同的效果，并且，能够提高功率半导体装置的冷却性。
在本实施方式中，如上所述，可以利用弹性部8a与罩部件11抵接，但并不限定于此。例如，弹性部8a可以被热传导性高的罩8b覆盖，该罩8b与罩部件11抵接。此时，由于罩8b还与根部8c连接，因此，能够形成从根部8c经由罩8b至罩部件11为止的传热路径。由此，能够提高向冷媒及罩部件11的热传导，能够提高冷却体的冷却性。另外，通过利用罩8b使相邻的冷却部件8之间的区域变窄，从而能够使冷媒有效地在冷却部件8之间流动，能够提高冷却性。
（实施方式3）
下面，参照图3，对本发明的实施方式3的功率半导体装置300及其制造方法进行说明。本实施方式所涉及的功率半导体装置300及其制造方法具有基本上与实施方式1所涉及的功率半导体装置100及其制造方法相同的结构，与实施方式1所涉及的功率半导体装置100及其制造方法的不同点在于，冷却部件包含有金属带12。在本实施方式中，金属带12在工序（S03）中以形成与基座部7之间能够流过冷媒的空间的方式而与基座部7进行超声波接合。此时，绝缘膜5及封装体10可以具有不会因在超声波接合时所产生的振动等而发生变形的程度的刚性。由此，能够增大冷却部件和冷媒的接触面积。另外，金属带12的材料为高散热性的材料，可以使用例如Al。其结果，能够实现与实施方式1相同的效果，并且，能够提高功率半导体装置300的冷却性。金属带12和基座部7在多个部位进行接合，且优选金属带12设置为在与冷媒能够流动的方向垂直的方向上延伸。由此，能够增大金属带12和冷媒的接触面积，并能够提高功率半导体装置300的冷却性。更优选设置为金属带12和罩部件11接触。由此，能够增大金属带12与冷媒及罩部件11之间的接触面积，从而能够进一步提高功率半导体装置300的冷却性。
在本实施方式中，如上所述，冷却部件可以包含金属带12，但并不限定于此。只要冷却部件以形成与基座部7之间能够流过冷媒的空间的方式而与基座部7进行接合，则也可以包含金属导线等。由此，也能够增大冷却部件和冷媒的接触面积。
（实施方式4）
在上述实施方式中，对冷却部件和基座部构成为独立部件时的实施方式进行了说明，但在下面的实施方式中，对冷却部件和基座部一体构成的例子进行说明。
作为现有技术，在将具有冷却装置的功率半导体装置安装在冷却器上时，为了抑制紧固力随时间的劣化，且抑制功率半导体装置尺寸的增大，在日本特开2007－184315号公报中提出了一种半导体模块，其将树脂封装区域限定为不对螺栓紧固部进行封装。另外，由于在高压电极中流过大电流，因此，高压电极和外部端子的连接必须通过使螺栓和螺母紧固而进行。此时，必须进行控制以使得树脂不会流入至构成螺栓-螺母紧固部的高压电极和冷却装置之间的区域。由此，功率半导体装置的树脂封装工序的组装性受损。本实施方式的功率半导体装置及其制造方法就是为解决上述问题而提出的。
本实施方式的功率半导体装置具有：功率半导体元件；高压电极，其与功率半导体元件电连接；散热板，其与功率半导体元件连接，并具有散热性；冷却体，其经由绝缘膜与所述散热板连接；螺母套筒，其位于高压电极和冷却体之间的区域中；以及封装体，其对高压电极的一部分、冷却体的一部分、功率半导体元件、散热板、绝缘膜及螺母套筒进行覆盖，螺母套筒包含螺母，该螺母套筒在与高压电极2接触的这一侧具有开口部，冷却体的所述基座部包含贯穿孔，螺母及开口部位于贯穿孔的上方。
根据本实施方式的功率半导体装置及其制造方法，由于在使螺母套筒位于高压电极和冷却体之间且配置在冷却体的贯穿孔上方的状态下形成封装体，因此，无需以使树脂不会流入至处于高压电极和冷却体之间且位于冷却体的贯穿孔上方的区域的方式进行控制。其结果，能够提高功率半导体装置的组装性。
下面，参照图4，对本发明实施方式4的功率半导体装置400及其制造方法进行具体说明。图4是具有螺母套筒14的类型的功率半导体装置400的概略剖面图。本实施方式所涉及的功率半导体装置400，如上述所示，具有：功率半导体元件1；高压电极2，其与功率半导体元件1电连接；散热板4，其与功率半导体元件1连接，并具有散热性；冷却体16，其经由绝缘膜5与散热板4连接；螺母套筒14，其位于高压电极2和冷却体16之间的区域中；以及封装体10，其对高压电极2的一部分、冷却体16的一部分、功率半导体元件1、散热板4、绝缘膜5及螺母套筒14进行覆盖。
功率半导体元件1由具有例如IGBT（Insulated Gate BipolarTransistor）、FWD（Free Wheeling Diode）等的半导体芯片构成。功率半导体元件1的一个主面与高压电极2和信号端子20等电连接。例如，高压电极2经由焊料等而与功率半导体元件1电连接，信号端子20通过导线接合法等进行电连接。功率半导体元件1的另一个主面经由焊料等（未图示）而保持在散热板4上。高压电极2以能够向功率半导体元件1施加高电压的任意构造进行设置。由于在高压电极2中流过大电流，因此，高压电极2和外部通过螺栓紧固的方法进行连接。即，高压电极2包含有用于使螺栓贯通的贯穿孔21。
散热板4是用于使功率半导体元件1产生的热量扩散的热扩散板，由散热性高的材料构成。例如，由铜（Cu）或铝（Al）等构成散热板4即可。与搭载有功率半导体元件1的面相对的面经由绝缘膜5而与冷却体16连接。
绝缘膜5具有电绝缘性，例如由环氧树脂等构成即可。
冷却体16设置为通过与罩部件11彼此连接而构成冷却器。即，在本实施方式的功率半导体装置400中，通过驱动功率半导体元件1而产生的热量主要从半导体元件向散热板4、绝缘膜5、冷却体16高效地传导而散热。
在本实施方式中，冷却体16包含一体的基座部7和冷却部件8。冷却体16的材料为与散热板4相同的高散热性的材料，例如为铜或铝等即可。基座部7和冷却部件8的材料可以是相同材料，也可以是不同的材料。
并且，冷却体16设置为通过与罩部件11彼此连接而构成冷却器。即，在本实施方式的功率半导体装置400中，通过驱动功率半导体元件1所产生的热量主要从半导体元件向散热板4、绝缘膜5、冷却体16高效地传导而通过冷却器进行散热。
在将冷却体16和罩部件11连接而构成冷却器时，例如在基座部7及罩部件11上设置贯穿孔17、18，基座部7及罩部件11通过螺栓和螺母进行紧固固定。由此能够构成具有冷却器的功率半导体装置400。此外，在从上方观察功率半导体装置400时，以上述高压电极2的贯穿孔21与基座部7及罩部件11的贯穿孔17、18之间不重叠的方式进行设置。贯穿孔17、18在基座部7和罩部件11的外形为矩形的情况下，分别设置在角部。另一方面，在高压电极2相对于夹在相邻的角部间的边垂直地形成多个的情况下，高压电极2的贯穿孔21沿边设置多个。
高压电极2和外部的端子通过将螺栓和螺母15紧固而进行连接。螺母15以收容在螺母套筒14中的状态进行设置。螺母套筒14具有中空构造，包含固定在内部的螺母15，在螺母15侧具有开口部。螺母套筒14设置为位于高压电极2和冷却体16（基座部7）之间的区域，其开口部位于高压电极2的贯穿孔21下方。此时，除了开口部之外，螺母套筒14的周围由封装体10覆盖。通过将螺栓从高压电极2侧穿过高压电极2的贯穿孔21和螺母套筒14的开口部而与螺母套筒14内的螺母15紧固，从而能够将高压电极2和外部电连接。
封装体10对功率半导体元件1、高压电极2、信号端子20、散热板4、绝缘膜5、冷却体16及螺母套筒14进行封装。封装体10具有电绝缘性，例如由环氧树脂等构成即可。此时，高压电极2的一部分、信号端子20的一部分及冷却体16的一部分从封装体10露出。此外，在本实施方式中，贯穿孔17、18的上部没有被封装体10封装。如上所述，由于贯穿孔17、18的上部没有设置高压电极2，因此，在以贯穿孔17、18的上部不被封装体10封装的方式形成封装体10的情况下，功率半导体装置400的组装性也不会受损。另一方面，在以图4所示的高压电极2和冷却体16之间的区域不被封装体10封装的方式形成封装体10的情况下，功率半导体装置400的组装性受损。由此，如图4所示，通过设置螺母套筒14，能够由封装体10进行覆盖，能够提高组装性。
下面，对本实施方式所涉及的功率半导体装置400的制造方法进行说明。参照图6，本实施方式所涉及的功率半导体装置400的制造方法具有下述工序：工序（S10），在该工序中，准备功率半导体元件1、与功率半导体元件1电连接并包含贯穿孔21的高压电极2、与功率半导体元件1连接并具有散热性的散热板4、经由绝缘膜5与散热板4连接的冷却体16；工序（S20），在该工序中，准备螺母套筒14，其具有中空构造，内部包含螺母15，并且该螺母套筒14具有开口部；以及工序（S30），在该工序中，以开口部位于高压电极2的贯穿孔下方的方式将螺母套筒14配置在高压电极2和冷却体16之间的区域，并形成对高压电极2的一部分、冷却体16的一部分、功率半导体元件1、散热板4、绝缘膜5和螺母套筒14进行覆盖的封装体10。
首先，在工序（S10）中，通过准备功率半导体元件1、与功率半导体元件1电连接并包含贯穿孔21的高压电极2、与功率半导体元件1连接并具有散热性的散热板4、经由绝缘膜5与散热板4连接的冷却体16，从而在与冷却体16连接的状态下，得到没有被封装体10封装的功率半导体装置400。
然后，在工序（S20）中准备螺母套筒14。关于螺母套筒14，只要具有中空构造，在内部包含螺母15，并且该螺母套筒14具有开口部即可，可以形成为任意的形状。
然后，在工序（S30）中，在功率半导体装置400上形成封装体10。在该工序（S30）中，以开口部位于功率半导体装置400的基座部7的贯穿孔17上方的方式将螺母套筒14配置在高压电极2和冷却体16之间的区域，形成对高压电极2的一部分、冷却体16的一部分、散热板4、绝缘膜5和螺母套筒14进行覆盖的封装体10。由此，除了开口部之外，能够使得螺母套筒14的周围被封装体10覆盖。由此，与必须进行设计使得树脂不向高压电极2和冷却体16之间的区域中的位于高压电极2的贯穿孔下方的部分流入的现有功率半导体装置的制造方法相比，能够容易地形成封装体10，能够提高组装性。
如上所述，根据本实施方式，在将用于连接固定高压电极2和外部端子的固定部件设置在高压电极2和冷却体16之间的区域时，通过对预先准备的螺母套筒14进行定位后实施封装，从而能够在不限制封装体10的形成的条件下形成固定部件。因此，能够提高功率半导体装置400的组装性。
对本发明进行了详细说明，但这些仅用于例示，并不作为限定性的内容，可以明确地知晓发明的范围由所付的权利要求书进行解释。

Claims (11)

1.一种功率半导体装置，其具有：
功率半导体元件；
高压电极，其与所述功率半导体元件电连接；
散热板，其与所述功率半导体元件连接，并具有散热性；
冷却体，其经由绝缘膜与所述散热板连接；以及
封装体，其覆盖所述高压电极的一部分、所述冷却体的一部分、所述功率半导体元件、所述散热板以及所述绝缘膜，
所述冷却体包含：基座部，其一部分埋设在所述封装体中；以及冷却部件，其与所述基座部连接，
所述基座部和所述冷却部件为独立部件，所述冷却部件固定在从所述封装体露出的所述基座部上。
2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其中，
所述基座部具有凹部，
所述冷却部件与所述凹部嵌合。
3.根据权利要求2所述的功率半导体装置，其中，
所述冷却部件在一个端部具有与所述凹部嵌合的根部，在另一个端部具有带有弹性的弹性部，
该功率半导体装置具有罩部件，该罩部件以与所述弹性部接触的方式设置。
4.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其中，
所述冷却部件以在与所述基座部之间形成能够流过冷媒的空间的方式，与所述基座部接合。
5.根据权利要求4所述的功率半导体装置，其中，
所述冷却部件包含金属带，
所述金属带与所述冷媒能够流动的方向垂直地延伸。
6.根据权利要求5所述的功率半导体装置，其中，
该功率半导体装置具有罩部件，该罩部件以与所述冷却部件接触的方式设置。
7.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其中，
在所述高压电极和所述冷却体之间的区域还具有螺母套筒，
所述螺母套筒包含螺母，并具有开口部，
所述螺母及所述开口部位于所述高压电极下方，
通过所述封装体对除了所述螺母套筒之外的所述区域进行覆盖。
8.一种功率半导体装置，其具有：
功率半导体元件；
高压电极，其与所述功率半导体元件电连接；
散热板，其与所述功率半导体元件连接，并具有散热性；
冷却体，其经由绝缘膜与所述散热板连接；
螺母套筒，其位于所述高压电极和所述冷却体之间的区域；以及
封装体，其覆盖所述高压电极的一部分、所述冷却体的一部分、所述功率半导体元件、所述散热板、所述绝缘膜以及所述螺母套筒，
所述高压电极包含贯穿孔，
所述螺母套筒包含螺母，并在与所述高压电极接触侧具有开口部，所述螺母及所述开口部位于所述贯穿孔的下方。
9.一种功率半导体装置的制造方法，其具有下述工序：
形成封装体的工序，该封装体覆盖对功率半导体元件进行冷却的冷却体的一部分和所述功率半导体元件；以及
将冷却部件安装在从所述封装体露出的所述冷却体上的工序。
10.根据权利要求9所述的功率半导体装置的制造方法，其中，
在将所述冷却部件向所述冷却体安装前，进行所述功率半导体元件的检查。
11.一种功率半导体装置的制造方法，其具有下述工序：
准备功率半导体元件、高压电极、散热板以及冷却体的工序，其中，该高压电极与所述功率半导体元件电连接，并包含贯穿孔，该散热板与所述功率半导体元件连接，并具有散热性，该冷却体经由绝缘膜与所述散热板连接；
准备螺母套筒的工序，该螺母套筒具有中空构造，在内部包含螺母，并且该螺母套筒具有开口部；以及
以使所述开口部位于所述贯穿孔的下方的方式，将所述螺母套筒配置在所述高压电极和所述冷却体之间的区域，并形成封装体的工序，该封装体对所述高压电极的一部分、所述冷却体的一部分、所述功率半导体元件、所述散热板、所述绝缘膜以及所述螺母套筒进行覆盖。
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