CN103664508A - 偏氟乙烯单体的生产方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种偏氟乙烯单体的生产方法包括如下步骤：1）采用二氟一氯乙烷作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解；2）前处理：除碳、水洗、碱洗、压缩、冷脱；3）偏氟乙烯脱轻塔脱除轻组分；4）偏氟乙烯精馏塔得到偏氟乙烯单体；5）侧线除杂塔除去杂质和高沸物，塔顶塔釜回收偏氟乙烯，塔釜底部采出高沸物杂质，塔顶温度-35℃，塔釜温度90-95℃，塔顶压力2MPa，全塔压降控制在9KPa，摩尔回流比为80；6）回收偏氟乙烯单体和未参与反应的二氟一氯乙烷。本发明偏氟乙烯单体的生产方法，其能有效去除裂解气中所含的杂质。

Description

偏氟乙烯单体的生产方法

技术领域

本发明涉及偏氟乙烯单体的生产方法。

背景技术

目前生产VDF单体的方法主要采用二氟一氯乙烷作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解，在经过一系列的前处理步骤，最终通过精馏得到VDF单体。该方法在实际生产过程中，裂解气中所含的杂质，没有合适的办法从精馏系统中采出，大部分还是循环回到前面的流程，而杂质的存在与积累会影响产品VDF的纯度，并且会对实际的生产操作有比较大的影响。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种偏氟乙烯单体的生产方法，其能有效去除裂解气中所含的杂质。

为实现上述目的，本发明的技术方案是设计一种偏氟乙烯单体的生产方法包括如下步骤：

1）采用二氟一氯乙烷作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解；

2）前处理：除碳、水洗、碱洗、压缩、冷脱；

3）偏氟乙烯脱轻塔脱除轻组分；

4）偏氟乙烯精馏塔得到偏氟乙烯单体；

5）侧线除杂塔除去杂质和高沸物，塔顶塔釜回收偏氟乙烯，塔釜底部采出高沸物杂质，塔顶温度-35℃，塔釜温度90-95℃，塔顶压力2MPa，全塔压降控制在9KPa，摩尔回流比为80；

6）回收偏氟乙烯单体和未参与反应的二氟一氯乙烷。 

本发明的优点和有益效果在于：提供一种偏氟乙烯单体的生产方法，其能有效去除裂解气中所含的杂质。

具体实施方式

下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。

本发明具体实施的技术方案是：

实施例1

一种偏氟乙烯单体的生产方法包括如下步骤：

1）采用二氟一氯乙烷作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解；

2）前处理：除碳、水洗、碱洗、压缩、冷脱；

3）偏氟乙烯脱轻塔脱除轻组分；

4）偏氟乙烯精馏塔得到偏氟乙烯单体；

5）侧线除杂塔除去杂质和高沸物，塔顶塔釜回收偏氟乙烯，塔釜底部采出高沸物杂质，塔顶温度-35℃，塔釜温度95℃，塔顶压力2MPa，全塔压降控制在9KPa，摩尔回流比为80；

6）回收偏氟乙烯单体和未参与反应的二氟一氯乙烷。

实施例2

一种偏氟乙烯单体的生产方法包括如下步骤：

1）采用二氟一氯乙烷作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解；

2）前处理：除碳、水洗、碱洗、压缩、冷脱；

3）偏氟乙烯脱轻塔脱除轻组分；

4）偏氟乙烯精馏塔得到偏氟乙烯单体；

5）侧线除杂塔除去杂质和高沸物，塔顶塔釜回收偏氟乙烯，塔釜底部采出高沸物杂质，塔顶温度-35℃，塔釜温度90℃，塔顶压力2MPa，全塔压降控制在9KPa，摩尔回流比为80；

6）回收偏氟乙烯单体和未参与反应的二氟一氯乙烷。

实施例3

一种偏氟乙烯单体的生产方法包括如下步骤：

1）采用二氟一氯乙烷作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解；

2）前处理：除碳、水洗、碱洗、压缩、冷脱；

3）偏氟乙烯脱轻塔脱除轻组分；

4）偏氟乙烯精馏塔得到偏氟乙烯单体；

5）侧线除杂塔除去杂质和高沸物，塔顶塔釜回收偏氟乙烯，塔釜底部采出高沸物杂质，塔顶温度-35℃，塔釜温度93℃，塔顶压力2MPa，全塔压降控制在9KPa，摩尔回流比为80；

6）回收偏氟乙烯单体和未参与反应的二氟一氯乙烷。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (1)

1.偏氟乙烯单体的生产方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）采用二氟一氯乙烷作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解；

2）前处理：除碳、水洗、碱洗、压缩、冷脱；

3）偏氟乙烯脱轻塔脱除轻组分；

4）偏氟乙烯精馏塔得到偏氟乙烯单体；

5）侧线除杂塔除去杂质和高沸物，塔顶塔釜回收偏氟乙烯，塔釜底部采出高沸物杂质，塔顶温度-35℃，塔釜温度90-95℃，塔顶压力2MPa，全塔压降控制在9KPa，摩尔回流比为80；

6）回收偏氟乙烯单体和未参与反应的二氟一氯乙烷。