CN103630817A

CN103630817A - 调节器装置

Info

Publication number: CN103630817A
Application number: CN201310286567.5A
Authority: CN
Inventors: 清水弘文; 春日和则; 近藤胜利
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2012-08-20
Filing date: 2013-07-09
Publication date: 2014-03-12
Also published as: JP2014039442A; US9197130B2; JP5998739B2; US20140049242A1

Abstract

一种调节器装置包括：电源输入端；电源输出端；多个调节器，每个调节器包括操作FET和将要与所述操作FET一起驱动的监视FET，所述多个调节器并联地布置在所述电源输入端与所述电源输出端之间；以及控制器，其配置成驱动所述调节器中的一个调节器中包括的操作FET和监视FET，当所述控制器确定所述调节器中的所述一个调节器中包括的监视FET已劣化时，所述控制器配置成停止驱动所述调节器中的所述一个调节器中包括的操作FET和监视FET，并且配置成驱动所述调节器中的另一个调节器中包括的操作FET和监视FET。

Description

调节器装置

技术领域

本文中讨论的实施例涉及调节器装置。

背景技术

迄今，存在如下一种半导体设备，该半导体设备包括：设定值存储单元，其存储基于半导体设备的初始特性值所确定的设定值；以及检测器，其基于半导体设备在给定时刻的特性值和设定值存储单元中存储的设定值来检测半导体设备的特性的劣化。

传统的半导体设备诊断半导体设备中包括的半导体器件如功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的劣化。在半导体设备执行用于向外部装置供电的正常操作时，半导体器件被驱动。

因为这个原因，当诊断半导体器件的劣化时，半导体设备不能执行正常操作，并且必须停止向外部装置供电。同样地，在劣化诊断期间，传统的半导体设备必须停止操作。

以下是参考文献。

[文献1]日本公开专利公布第2011-071174号。

发明内容

根据本发明的一个方面，调节器装置包括：电源输入端；电源输出端；多个调节器，每个调节器包括操作FET和将要与所述操作FET一起驱动的监视FET，所述多个调节器并联地布置在所述电源输入端和所述电源输出端之间；以及控制器，其配置成驱动所述调节器中的一个调节器中包括的操作FET和监视FET，当所述控制器确定所述调节器中的所述一个调节器中包括的监视FET已劣化时，所述控制器配置成停止驱动所述调节器中的所述一个调节器中包括的操作FET和监视FET，并且配置成驱动所述调节器中的另一个调节器中包括的操作FET和监视FET。

借助于在权利要求书中特别指出的要素和组合，将会实现并获得本发明的目的和优点。应当理解，如所声明的，前面的总体描述和以下详细描述均是示例性和说明性的，而并非限制本发明。

附图说明

图1是图示DMOS晶体管中的导通电阻的随时间变化的图；

图2是图示实施例的调节器装置的框图；

图3是图示用在实施例的调节器装置中的调节器的内部配置的电路图；以及

图4是图示用于通过使用实施例的调节器装置来改变调节器的过程的流程图。

具体实施方式

在下文中描述将本公开的调节器装置应用于其中的实施例。

<实施例>

图1是图示双扩散金属氧化物半导体（DMOS）晶体管中的导通电阻的随时间变化的图。

本实施例的调节器装置通过切换并驱动其导通电阻在热载流子的影响下增加的器件（例如DMOS晶体管）来转换电力。因为这个原因，在描述本实施例的调节器装置之前，现在将给出DMOS晶体管中的导通电阻的随时间变化的描述。

在图1中，水平轴表示时间（应力时间（s）），在该时间期间，将热载流子应力施加至DMOS晶体管，并且垂直轴表示劣化级别（%）。施加热载流子应力的时间是切换并驱动DMOS晶体管的时间。垂直轴上的劣化级别（%）表示DMOS晶体管的导通电阻（Ron）、电导（gm）和漏极电流（Id）相对于它们的初始值的变化量。这些量被表达为百分比。

在图1中，三角形（Δ）表示DMOS晶体管的导通电阻（Ron），正方形（□）表示DMOS晶体管的电导（gm），并且圆圈（Ο）表示漏极电流（Id）。

如图1所示，随着将热载流子应力施加至DMOS晶体管的时间过去，DMOS晶体管的导通电阻增加，并且电导和漏极电流降低。

通过这种方式可以发现：将热载流子应力施加至DMOS晶体管的时间越长（亦即使用晶体管的时间越长），则DMOS晶体管的导通电阻劣化越严重。

注意，导通电阻沿着水平轴在刚刚超过1E+4（s）处达到峰值，然后降低，并且电导和漏极电流在刚刚超过1E+4（s）处到达最低点，然后增加。然而，在导通电阻达到峰值并且电导和漏极电流到达最低点之前，DMOS晶体管通常超过了劣化的容限。

亦即，其中导通电阻在达到峰值之后降低并且电导和漏极电流在到达最低点之后增加的区域处于以下状态：劣化已增至通常不使用DMOS晶体管的级别。

例如，在“Hot-Carrier Degradation Phenomena in Lateral andVertical DMOS Transistors”，IEEE TRANSACTIONS ELECTRONDEVICES,VOL.51，NO.4，2004年4月中，描述了这样的DMOS晶体管中的导通电阻的随时间变化。

接下来，将描述本实施例的调节器装置。图2是图示本实施例的调节器装置100的框图。

本实施例的调节器装置100包括：三个调节器10A、10B和10C；控制器集成电路（IC）50；电源输入端101；电源输出端102；电抗器103A、103B和103C；二极管104A、104B和104C；电容器105；以及输出电流检测单元106。

调节器装置100是构建到信息处理装置如服务器或移动电话的基站中的装置，并且例如将电力从电源输出端供应给信息处理装置。

调节器10A、10B和10C（在下文中被表示为10A至10C）并联连接在电源输入端101与电源输出端102之间。调节器10A至10C具有相同的内部配置。调节器10A至10C每个包括操作场效应晶体管（FET）和监视FET。

操作FET是用于在电力转换时执行切换的切换装置。监视FET是具有与操作FET相同的类型和尺寸的FET，并且与操作FET一起切换。然而，监视FET不是用于电力的转换，而是用于监视劣化级别。操作FET和监视FET的尺寸是相等的。换言之，例如，操作FET和监视FET的栅极宽度和栅极长度是相等的。

注意，将参照图3在下面描述调节器10A至10C的详细内部配置。此外，如果调节器10A至10C未彼此区分，则将调节器10A至10C中的每个调节器称为调节器10。

此外，这里通过示例的方式假设：在执行用于改变调节器10A至10C的过程之前，调节器10A和10B被控制器IC50选择，并且转换从电源输入端101输入的电力（逐步降低电压），以及将该电力输出至电源输出端102。

如此，本实施例的调节器装置100没有使用用于电力转换操作的多个调节器中的至少一个调节器（在本示例中的调节器10C），并且使该至少一个调节器处于备用状态。以此方式使调节器10C处于备用状态，使得在调节器10A或10B出现劣化时进行从调节器10A或10B到调节器10C的变化。

由于以这样的方式使至少一个调节器处于备用状态，所以调节器装置100的输出容量被设置成使得处于如下状态的调节器装置100能够将电力供应给信息处理装置，在所述状态下，从调节器装置100排除了处于备用的所述至少一个调节器。

例如，在调节器装置100构建于其中的信息处理装置使用40W的功率的情况下，如果将电力从调节器10A至10C中的两个调节器供应给信息处理装置，则可以将调节器10A至10C的输出容量每个均设置成20W。

控制器IC50包括接口单元51、主控制单元52和存储器单元53。接口单元51是用于在调节器10A至10C与控制器IC50之间输入和输出数据的单元。

主控制单元52包括驱动控制单元521、劣化确定单元522和变化控制单元523。主控制单元52例如可以通过中央处理单元（CPU）来实施。

驱动控制单元521控制对包括在调节器10A至10C中的操作FET和监视FET的驱动。基于由输出电流检测单元106检测的电流值，驱动控制单元521确定用于驱动调节器10A至10C的操作FET的驱动信号的占空比。驱动控制单元521确定该占空比以逐步降低从电源输入端101输入的电源电压，并使得从电源输出端102输出的电压具有固定值。

这里，通过示例的方式假设：在执行用于改变调节器10的过程之前，驱动控制单元521控制调节器10A和10B的驱动，并且不控制调节器10C的驱动。

劣化确定单元522确定包括在调节器10A至10C中的监视FET是否已劣化。劣化确定单元522测量包括在调节器10A至10C中的监视FET的导通电阻，并且对所测量的导通电阻与存储在存储器单元53中的阈值进行比较，从而确定包括在调节器10A至10C中的监视FET是否已劣化。

这里，通过示例的方式假设：在执行用于改变调节器10的过程之前，劣化确定单元522做出关于包括在调节器10A和10B中的监视FET是否存在劣化的确定。

注意，这里通过示例的方式，尽管调节器10C是其中监视FET未出现劣化的调节器，但是劣化确定单元522可以做出关于调节器10C中的监视FET是否存在劣化的确定，以检查从而发现调节器10C中的监视FET未出现劣化。

变化控制单元523是以下变化控制单元：其进行从监视FET已劣化的调节器（调节器10A至10C中的任一调节器）到监视FET还未劣化的另一调节器（调节器10A至10C中的任一调节器）的变化。

这里，通过示例的方式，在执行用于改变调节器10的过程之前，驱动控制单元521控制调节器10A和10B的驱动。然而，如果劣化确定单元522确定调节器10A的监视FET已劣化，则变化控制单元523进行从调节器10A到调节器10C的变化。在从调节器10A变化至调节器10C之后，调节器装置100通过使用调节器10B和10C向信息处理装置供应电力。

将由变化控制单元523生成的、用于控制调节器10A至10C变化的变化指令发送给驱动控制单元521。驱动控制单元521将驱动信号供应给在基于变化指令的变化之后选择的调节器（调节器10A至10C中的任意两个调节器）。

存储器单元53是存储阈值数据的存储器，该阈值数据指示关于调节器10A至10C的监视FET的导通电阻的阈值。例如，通过阈值数据指示的导通电阻阈值是尚未使用的监视FET的导通电阻（初始值）的+10%。根据监视FET的操作特征等，通过阈值数据指示的导通电阻阈值可以设置成不给调节器装置100的操作带来妨碍的适当值。

非易失性存储器例如用作存储器单元53。这是因为非易失性存储器使得阈值数据能够在即使调节器装置100断电的情况下也被保持。也可以将指示由劣化确定单元522计算出的导通电阻的数据存储在存储器单元53中。存储器单元53是存储单元的示例。

电源输入端101是这样一种端子，将要向调节器装置100构建于其中的服务器供应的电力（Vin）被输入至该端子。例如，将5V至12V的直流电压输入至电源输入端101。在调节器装置100中将输入至电源输入端101的直流电压转换为具有预定值的直流电压，并且从电源输出端102输出。这里，通过示例的方式假设：将1.8V至5V的直流电压从电源输出端102输出。将从电源输出端102输出的电力（Vout）供应给调节器装置100构建于其中的信息处理装置如服务器中的IC等。

电抗器103A、103B和103C的一端分别连接至调节器10A至10C的输出侧。电抗器103A、103B和103C的另一端连接至电源输出端102。

根据调节器10A至10C中的操作FET的导通-关断状态，电抗器103A、103B和103C被设置成生成用于电力转换的感应电动势。感应线圈可以用作电抗器103A、103B和103C。

二极管104A、104B和104C的阴极分别连接在调节器10A、10B和10C与电抗器103A、103B和103C之间，并且二极管104A、104B和104C的阳极接地。

电容器105的一端连接在电抗器103A、103B和103C与电源输出端102之间，并且电容器105的另一端接地。电容器105是平滑电容器，并且是为了平滑从电源输出端102输出的电压而插入的。

输出电流检测单元106是检测从电源输出端102输出的电流值的电流传感器。将由输出电流检测单元106检测的电流值反馈至控制器IC50的驱动控制单元521，以确定用于驱动调节器10A至10C的操作FET的驱动信号的占空比。

注意，图2图示了其中电抗器103A、103B和103C与二极管104A、104B和104C连接在调节器10A至10C与电源输出端102之间的电路配置。然而，调节器的数目和二极管的数目可以分别是一个。调节器10A至10C可以并联连接至一个调节器和一个二极管。

接下来描述调节器10。图3是图示用于本实施例的调节器装置100的调节器10A的内部配置的电路图。通过图3中的示例示出了降压调节器10A。调节器10B和10C具有与图3中所示的调节器10A相同的内部配置，因此这里仅给出调节器10A的描述。

调节器10A包括：电源输入端11；电源输出端12；操作FET13A、13B、13C和13D；监视FET14；以及电阻器15A、15B、15C和15D。

调节器10A还包括：FET驱动单元16；电阻器17和18；以及电压监视器单元19。

电源输入端11连接至调节器装置100的电源输入端101（参照图2），并且将要供应给调节器装置100构建于其中的服务器的电力输入至电源输入端11。例如，输入5V至12V的直流电压。

电源输出端12连接至调节器装置100的电源输出端102，并且输出已在调节器10中转换的电力。从电源输出端12输出的电力从调节器装置100的电源输出端102输出。

操作FET13A、13B、13C和13D的栅极连接至FET驱动单元16，操作FET13A、13B、13C、13D的源极分别连接至电阻器15A、15B、15C和15D，并且操作FET13A、13B、13C和13D的漏极连接至电源输出端12。

操作FET13A、13B、13C和13D是由FET驱动单元16驱动的切换装置，并且例如由DMOS晶体管形成的P型金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOSFET）可以用作操作FET13A、13B、13C和13D。操作FET13A、13B、13C和13D执行切换以逐步降低从电源输入端11输入的电源电压。

监视FET14的栅极连接至FET驱动单元16，监视FET14的源极连接至电阻器17，并且监视FET14的漏极连接至电阻器18。

监视FET14是通过FET驱动单元16控制其导通-关断状态的切换装置，并且例如由DMOS晶体管形成的PMOSFET可以用作监视FET14。监视FET14是具有与操作FET13A至13D相同的类型和尺寸的FET，并且与操作FET13A至13D一起由FET驱动单元16进行切换。然而，监视FET不是用于电力转换，而是用于监视劣化级别。

电阻器15A至15D的一端（在图3的上侧示出的端子）各自连接至电源输入端11，并且电阻器15A至15D的另一端（在图3的下侧示出的端子）分别连接至操作FET13A至13D的源极。这里，电阻器15A至15D的所有电阻都是相等的，并且该电阻为r。

FET驱动单元16是控制操作FET13A至13D和监视FET14的导通-关断状态的驱动器。作为FET驱动单元16，例如可以使用放大器，该放大器对从控制器IC50输入的用于操作FET13A至13D和监视FET14的驱动信号进行放大。

电阻器17的一端（在图3的上侧示出的端子）连接至电源输入端11，并且电阻器17的另一端（在图3中的下侧示出的端子）连接至监视FET14的源极。电阻器17的电阻为R1。

电阻器18的一端（在图3中的上侧示出的端子）连接至监视FET14的漏极，并且电阻器18的另一端（在图3中的下侧示出的端子）接地。电阻器18的电阻为R3。

电压监视器单元19是检测电阻器17两端的电压的电压传感器。将指示由电压监视器单元19检测的电压的信号输入至控制器IC50。

这里，将描述用于通过使用控制器IC50来驱动操作FET13A至13D和监视FET14的方法，以及用于做出关于监视FET14是否存在劣化的确定的方法。

在正常操作期间，当为了进行电力转换而切换并驱动操作FET13A至13D并且没有诊断出监视FET14劣化时，控制器IC50的主控制单元52使用与用于操作FET13A至13D的相同驱动信号来驱动监视FET14。驱动信号由主控制单元52的驱动控制单元521生成。注意，将正常操作期间的这种驱动模式称为正常模式。

尽管监视FET14不与电力转换相关，但是使用与用于操作FET13A至13D的相同驱动信号来驱动监视FET14，以使得监视FET14的劣化级别与操作FET13A至13D的劣化级别相同。

当诊断出监视FET14劣化时，控制器IC50的主控制单元52以与正常操作期间相同的方式通过使用驱动信号来驱动操作FET13A至13D，并且将L电平的驱动信号输入至监视FET14的栅极，从而将监视FET14保持在导通状态下。该驱动模式被称为测量模式。

注意，用于以与正常操作期间相同的方式来驱动操作FET13A至13D的驱动信号和用于将监视FET保持在导通状态下的驱动信号均由主控制单元52的驱动控制单元521来生成。

为了诊断监视FET14的劣化，劣化确定单元522在监视FET14保持在导通状态时根据电压监视器单元19的输出信号来计算电阻器17两端的电压。然后，劣化确定单元522基于电阻器17两端的电压来计算监视FET14的导通电阻。

这里，假定监视FET14的导通电阻为R2，则电压监视器单元19检测通过使用三个电阻器（电阻器17（电阻R1）、监视FET14（导通电阻R2）和电阻器18（电阻R3））而分割的电压。如果监视FET14的导通电阻R2升高，则流过电阻器17、监视FET14和电阻器18的电流降低，并且由电压监视器单元19检测的电压降低。

劣化确定单元522通过对由电压监视器单元19检测的电压与当监视FET14没有出现劣化时由电压监视器单元19检测的电压进行比较来计算监视FET14的导通电阻。注意，例如可以将指示当监视FET14没有出现劣化时由电压监视器单元19检测的电压的数据存储在存储器单元53中。

另外，劣化确定单元522对所计算的监视FET14的导通电阻与用于监视FET14的导通电阻的、通过存储在存储器单元53（参照图2）中的阈值数据指示的阈值进行比较，由此确定所计算的导通电阻是否等于或大于该电阻的阈值。劣化确定单元522将确定结果发送至变化控制单元523。

如果劣化确定单元522的确定结果指示所计算的导通电阻等于或大于导通电阻阈值，则变化控制单元523进行以下变化：从包括具有等于或大于阈值的电阻的监视FET14的调节器（调节器10A至10C中的任一调节器）变化至另一调节器。

例如，在做出劣化的确定之前由调节器10A和10B执行电力转换的情况下，如果劣化确定单元522确定调节器10A中的监视FET14已劣化，则变化控制单元523进行从调节器10A到调节器10C的变化。当已进行了从调节器10A到调节器10C的变化时，调节器装置100通过使用调节器10B和10C将电力供应给信息处理装置。

参照图4来描述用于通过使用本实施例的调节器装置100来改变调节器10A至10C的过程。

图4是图示用于通过使用本实施例的调节器装置100来改变调节器10A至10C的过程的流程图。在图4中图示的过程由控制器IC50的主控制单元52来执行。

当接收到来自包括调节器装置100的信息处理装置如服务器的命令时，或者来自通过网络等连接至该信息处理装置的高级别监视装置如外部服务器的命令时，主控制单元52开始该过程（开始）。

主控制单元52将用于将驱动信号变成测量模式的变化指令输入至驱动控制单元521，以测量调节器10A至10C的监视FET14的导通电阻（步骤S1）。响应于此，驱动控制单元521在测量模式下驱动操作FET13A至13D和监视FET14。

在测量模式下，主控制单元52的驱动控制单元521以与正常模式相同的方式通过使用驱动信号来驱动操作FET13A至13D，并且通过将L电平的驱动信号输入至监视FET14的栅极使得监视FET14保持在导通状态下。

随后，主控制单元52计算电阻器17两端的电压（步骤S2）。执行步骤S2的操作，使得主控制单元52的劣化确定单元522根据电压监视器单元19的输出信号来计算电阻器17两端的电压，以诊断监视FET14的劣化。

随后，主控制单元52计算监视FET14的导通电阻，并且将指示该导通电阻的数据存储在存储器单元53中（步骤S3）。以如下方式执行步骤S3的操作：劣化确定单元522基于电阻器17两端的电压来计算监视FET14的导通电阻。

随后，主控制单元52确定导通电阻是否等于或大于阈值（步骤S4）。以如下方式执行步骤S4的操作：劣化确定单元522对所计算的监视FET14的导通电阻与用于监视FET14的导通电阻的、通过存储在存储器单元53中的（参照图2）的阈值数据指示的阈值进行比较，并且确定所计算的导通电阻是否等于或大于导通电阻阈值。劣化确定单元522将确定结果发送至变化控制单元523。

注意，步骤S3和S4的操作是对执行电力转换的所有调节器（调节器10A至10C中的任一调节器）而执行的操作。

例如，在调节器10A和10B执行电力转换的情况下，计算包括在调节器10A和10B中的每个调节器中的监视FET的导通电阻（步骤S3），并且对所计算的导通电阻与阈值进行比较（步骤S4）。

如果确定导通电阻等于或大于阈值（步骤S4：是），则主控制单元52以并行方式开始驱动其中未出现劣化的正常调节器（调节器10A至10C中的任一调节器）。这是为了预先驱动将要代替已出现劣化的调节器而驱动的调节器。步骤S5的操作是由主控制单元52的变化控制单元523执行的操作。

例如，在调节器10A和10B执行电力转换的情况下，如果调节器10A的监视FET14的导通电阻变成等于或大于阈值，则在停止驱动调节器10A之前开始驱动调节器10C，以进行从已出现劣化的调节器10A到未出现劣化的正常调节器10C的变化。这是为了在调节器之间的变化期间确保电力供应。

以如下方式来执行调节器10C的驱动：在收到来自变化控制单元523的变化指令时，驱动控制单元521以正常模式来驱动调节器10C。

随后，主控制单元52停止已出现劣化的调节器（步骤S6）。

例如，在调节器10A和10B执行电力转换的情况下，如果调节器10A的监视FET14的导通电阻变成等于或大于阈值并且通过步骤S5的操作开始驱动调节器10C，则停止驱动已出现劣化的调节器10A。

在完成步骤S6的操作之后，主控制单元52结束这一系列的操作（结束）。

注意，如果主控制单元52在步骤S4中确定导通电阻不等于或大于阈值，则流程进行到步骤S7。

如果流程进行到步骤S7，则在当前执行电力转换的调节器（调节器10A至10C中的任一调节器）中没有出现劣化，因此主控制单元52继续使用当前执行电力转换的调节器（步骤S7）。

在步骤S7中，主控制单元52使得驱动控制单元521以正常模式继续进行驱动。

例如，在调节器10A和10B执行电力转换的情况下，将继续由调节器10A和10B来执行电力转换。

在完成步骤S7的操作之后，主控制单元52结束这一系列的操作（结束）。

如上所述，使用本实施例的调节器装置100，可以诊断监视FET14的劣化，同时操作FET13A至13D通过对监视FET14的导通电阻进行监视来执行电力转换。

如果发现在任一调节器（调节器10A至10C中的任一调节器）中出现劣化，则可以进行到其中未出现劣化的调节器（调节器10A至10C中的任一调节器）的变化。这使得能够在持续操作包括调节器装置100的信息处理装置等的情况下实现调节器（调节器10A至10C中的任一调节器）的劣化监视和变化。

因此，可以提供能够改变已出现劣化的调节器（调节器10A至10C中的任一调节器）而不需要停止操作的调节器装置100。

注意，已经以如下形式给出描述：操作FET13A、13B、13C和13D以及监视FET14通过由DMOS晶体管形成的PMOSFET来实施。

然而，操作FET13A、13B、13C和13D以及监视FET14并不限于DMOS晶体管，而可以是除DMOS晶体管之外的晶体管，只要该晶体管是其导通电阻随着时间的变化而增加的晶体管即可。

在此列举的所有示例和条件性术语都意在用于教导目的，以帮助读者理解由发明人提供的本发明和概念从而促进对本技术的理解，并且所述示例和条件性术语被解释为并不限于这样具体列举的示例和条件，并且这样的在说明书中的示例的架构不涉及本发明的优点和缺点的显示。虽然已经详细描述了本发明的实施例，但是应当理解，可以在不脱离本发明的精神和保护范围的情况下进行各种变化、替代和变更。

Claims

1.一种调节器装置，包括：

电源输入端；

电源输出端；

多个调节器，每个调节器包括操作FET和将要与所述操作FET一起驱动的监视FET，所述多个调节器并联地布置在所述电源输入端与所述电源输出端之间；以及

控制器，其配置成驱动所述调节器中的一个调节器中包括的操作FET和监视FET，

当所述控制器确定所述调节器中的所述一个调节器中包括的监视FET已劣化时，所述控制器配置成停止驱动所述调节器中的所述一个调节器中包括的操作FET和监视FET，并且配置成驱动所述调节器中的另一个调节器中包括的操作FET和监视FET。

2.根据权利要求1所述的调节器装置，其中，所述控制器通过测量所述监视FET的导通电阻来确定所述监视FET是否已劣化。

3.根据权利要求2所述的调节器装置，其中，在没有诊断出所述监视FET的劣化时，所述控制器在正常操作期间使用相同的驱动信号来对所述操作FET和所述监视FET进行切换，而在诊断出所述监视FET的劣化时，所述控制器对所述操作FET进行切换并且将所述监视FET保持在导通状态下。

4.根据权利要求2所述的调节器装置，进一步包括：

存储器，其存储指示用于诊断所述监视FET的劣化的导通电阻阈值的阈值数据，

其中，所述控制器通过将所述存储器中存储的阈值数据指示的阈值与所述监视FET的导通电阻进行比较来确定所述监视FET是否已劣化。