CN108738353A - 用于电路部件的老化探测器、用于监测电路部件的老化的方法、构件和控制设备 - Google Patents

用于电路部件的老化探测器、用于监测电路部件的老化的方法、构件和控制设备 Download PDF

Info

Publication number
CN108738353A
CN108738353A CN201780009857.1A CN201780009857A CN108738353A CN 108738353 A CN108738353 A CN 108738353A CN 201780009857 A CN201780009857 A CN 201780009857A CN 108738353 A CN108738353 A CN 108738353A
Authority
CN
China
Prior art keywords
reaction
threshold
aging
detection device
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780009857.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108738353B (zh
Inventor
F·迪获
D·施奈德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Publication of CN108738353A publication Critical patent/CN108738353A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108738353B publication Critical patent/CN108738353B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2642—Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/27—Testing of devices without physical removal from the circuit of which they form part, e.g. compensating for effects surrounding elements
    • G01R31/275—Testing of devices without physical removal from the circuit of which they form part, e.g. compensating for effects surrounding elements for testing individual semiconductor components within integrated circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2884—Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2621—Circuits therefor for testing field effect transistors, i.e. FET's
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于电路部件的老化探测器以及一种用于监测电路部件的老化的方法。用于电路部件(100)的、用于监测电路部件(100)的老化的老化探测器(30)包括用于检测所述电路部件(100)的参数的至少一个输入端。所述老化探测器(30)设置用于确定所配属的反应阈值和/或反应，或者用于匹配所述反应阈值和/或所述反应，其中，所述老化探测器(30)还设置用于至少响应于所述参数超过所确定的响应阈值触发所述反应。所述老化探测器(30)还设置用于使用所检测的参数来确定所述反应阈值和/或来匹配所述反应阈值和/或所述反应。

Description

用于电路部件的老化探测器、用于监测电路部件的老化的方 法、构件和控制设备
技术领域
本发明涉及一种用于电路部件的老化探测器、一种用于监测电路部件老化的方法、一种构件和一种控制设备。
背景技术
集成电路如今包含大量有源的和无源的电路部件(也同义地称为构件)——例如晶体管、电阻和电容。这些构件在有源运行和无源运行中受到老化机制——例如由负偏压导致的温度不稳定性(NBTI表示negative bias temperature instability：负偏压温度不稳定性)、HCI和/或电迁移的影响，这可能导致电路部件参数劣化(例如阈值电压、饱和电流、内阻和/或击穿电压的变化)并且因此可能导致集成电路的功能故障或失效。
所述构件中能够无损读取地编程有信息，由所述信息能够确定序列号和/或制造批次、晶片号、构件的安装位置和/或包装批次。
在对安全重要的应用中、例如在汽车应用中，必须避免功能故障或失效。因此期望获得关于老化过程的信息。
借助根据标准化测量方法、例如JEDEC标准JP001.01；AEC-Q100在测试结构和示例构件上获得的关于参数劣化的类型和强度的表征数据，可以通过适当的设计措施至少针对一个或多个典型应用领域补偿不同老化机制对集成电路的影响。然而，由于不同的电路类型、使用条件和环境参数(例如温度)以及半导体材料的由制造导致的发散特性(streuendeEigenschaften)，在实际应用中得出完全不同的老化劣化过程。
DE000010161998 A1公开一种用于监测具有多个构件的系统的运行的方法，其中，检测对于构件老化有代表性的参数，其中，通过分析处理各个构件的参数值来确定各个构件的老化程度，并且报告老化因子超过阈值的情况，其中，通过老化程度的累积来确定老化因子。
在US20120119825 A1、US20090113358 A1、US20100214007 A1中，通过Keane等人的《On-Chip Silicon Odometers for Circuit Aging Characterization》、T.Grasser(编辑)的《Biss Temperature Instability for Devices and Circuits》(施普林格科学+商业媒体，纽约，2014年，第679-717页)、以及Kumar等人的《On-Chip Aging Compensationfor Output Driver》(IEEE可靠性物理研讨会，2014年，第CA.3.1-CA.3.5页)描述了其他现有技术。
发明内容
根据本发明，提供一种根据权利要求1的老化探测器、一种根据权利要求6的方法、一种根据权利要求8的构件以及一种根据权利要求9的用于车辆的控制设备。
该老化探测器设置用于电路部件，以用于监测电路部件的老化。
该老化探测器包括用于检测电路部件的老化特定的参数的至少一个输入端，并且设置用于使用所检测的参数至少来确定所配属的反应阈值和/或反应，或者来匹配反应阈值和/或反应。此外，该老化探测器设置用于至少响应于所检测的参数超过所确定的反应阈值触发反应。该老化探测器的特征在于，该老化探测器还设置用于使用所检测的参数来确定反应阈值和/或来匹配反应阈值和/或反应。
通过确定或匹配反应阈值和/或反应的可能性，为了确定反应阈值和/或反应，也可以使用在制造构件时刻还未存在的数据。
根据本发明的一种优选实施方式设置，所检测的参数是电路部件的对构件有危害的(Bauelementkritisch)应用的频率和/或持续时间。因此，能够检测对构件有危害的应用对老化的影响。
老化探测器可以包括至少一个输出端，并且设置用于将电压施加到所述至少一个输出端上，该老化探测器可以进一步设置用于响应于施加电压检测电阻或阈值电压漂移。
这是有利的，因为可以使用电阻来监测电迁移和/或使用阈值电压漂移来监测MOS晶体管的由负偏压导致的温度不稳定性效应(NBTI效应)。
根据本发明提出的方法用于监测电路部件的老化。该方法包括以下步骤：
确定至少一个老化特定的参数，
确定所配属的参数特定的反应阈值，
至少响应于所确定的参数超过反应阈值触发反应，并且
匹配反应阈值和/或反应，以及
使用所确定的参数来确定反应阈值，和/或来匹配反应阈值和/或反应。
通过确定或匹配反应阈值和/或反应的可能性，为了确定反应阈值和/或反应，也可以使用在制造构件时刻还未存在的数据。
根据本发明的一种优选实施方式设置，所确定的参数是电路部件的对构件有危害的应用的频率和/或持续时间。
此外，该方法包括：在制造电路部件时检测制造数据，使用所确定的制造数据来匹配反应阈值和/或反应。
因此，通过匹配反应阈值和/或反应，还可以事后补偿不同生产批次的抗老化能力中的波动。
根据本发明提出的构件包括根据本发明的老化探测器。根据本发明提出的控制设备适用于车辆并且包括根据本发明的构件。
在一种优选实施方式中，控制设备设置用于实施根据本发明的方法。
本发明的有利扩展方案在从属权利要求中说明并且在说明书中描述。
附图说明
根据附图和以下描述来进一步阐述本发明的实施例。附图示出：
图1示出所监测的构件的根据本发明的一种实施例的方框图；
图2示出监测构件的控制设备的根据本发明的一种实施例的方框图；
图3示出用于匹配反应阈值的示例；
图4示出针对老化特征参数P的移位ΔP的示例。
具体实施方式
如果在特定负荷条件下在对安全重要(sicherheitskritisch)的电子系统中出现故障，则尤其出于产品责任原因而必须更换这些系统，借此确保不会产生由高负荷条件和欠缺负荷能力构成的对构件有危害的组合。
在此，负荷能力是在实际制造过程中受波动影响的个体化电路部件特性。
故障又可以取决于之前产生的特定负荷，该特定负荷例如在配送路线上、安装位置处产生，或者由于部件的安装、使用位置(例如其气候)和用户行为而引起。
然而，如果不知道故障仅由于特定负荷产生，则这可能导致必须召回整个生产批次，尽管本来仅需召回受特定负荷影响的电路。
在以下描述的本发明的实施例中主要提出一种方法，该方法包括监测构件的一个或多个劣化机制并且利用反应阈值。在此，反应阈值特定于构件和负荷能力(例如针对构件的温度或湿度负荷)。在使用所监测的劣化机制的情况下匹配反应阈值。
如果一些劣化使用条件或这些条件的组合(例如供给电压、湿度、高温)在长运行时间上起作用，则可以在达到所设置的阈值、例如阈值组合时采取适当的补救措施。借助这些措施可以阻止或延迟失效。视故障类型而定，激活替代运行模式(例如处理器的较慢时钟)或冗余例如可以用作所述措施。在极端情况下并且对于对安全重要的部件来说，可以将预防性更换部件的必要性信号化。
所监测的劣化机制的一个示例是：对构件有危害的应用情况的频率和/或持续时间。对构件有危害的应用情况的示例包括：过电压、极性错误(Fehlpolung)和过热。虽然这些构件设计用于能够对于特定频率和/或持续时间经受这些对构件有危害的应用情况，而不会受到损坏。然而，如果这些应用情况在运行中比初始设定的更频繁和/或更长时间地发生，则这可能导致持续的构件劣化并且最终导致构件失效。
在示例性扩展方案中，还在使用所监测的劣化机制的情况下匹配对达到或超过反应阈值作出的反应的类型。
通过后续匹配的可能性，为了确定反应阈值和/或反应也可以使用在制造构件时刻还未存在的数据。
本质上，涉及将关于制造问题或可靠性缺陷的信息反馈到在现场已经构建的ASIC中的可能性，因此可以在故障情况出现之前识别和消除关键性劣化。
为此，例如读取已经在现场实现的探测器的状态数据(现场观察)，并且使所述状态数据与制造数据以及应用条件相关联，以便由此推断出可能的可靠性问题。基于由此获得的信息，仅对于受影响的ASIC(例如限于制造批次、确定的制造时间段或特定应用)，如此匹配ASIC中的探测器阈值，使得ASIC可以在达到关键性状态之前及时发出警报。
例如，对一种ASIC类型的现场数据的分析处理得出：在有限数量的车辆类型(特定安装情况)中，在具有高湿度的区域内频繁发生失效。与制造数据的相关性将受影响的ASIC限制在狭窄限定的制造时间段内。此外，对探测器数据的分析处理得出：在所有受影响的ASIC中，特定探测器已经指示出升高的值(例如湿度)，然而尚未达到其初始设定的反应阈值。通过在此提出的发明，对于来自相应制造时间段的ASIC(其安装在受影响的车辆中)，现在可以在检查范畴内降低湿度探测器的反应阈值，使得该探测器在ASIC失效之前达到其阈值。通过限制于真正受影响的ASIC，一方面可以显著降低召回活动的成本，而且也可以显著降低现场失效数量。
本发明的其他示例性实施方式涉及老化探测器，该老化探测器用于直接或间接地监测老化机制或对构件有危害的应用情况。
老化探测器的一种实施例配置用于，通过输出端将电压施加到不直接在应用电路中使用的印制导线装置上，检测该印制导线装置的电阻，并且使用该电阻来监测电迁移。
老化探测器的另一实施例配置用于，通过输出端将电压施加到一个MOS晶体管上，或者同时或依次施加到多个MOS晶体管上，检测阈值电压漂移，并且使用该阈值电压漂移来监测NBTI效应。
老化探测器的另一实施例配置用于，在输入端上检测仅会在对构件有危害的应用情况中、例如在车辆电池断开时的负荷下降(Load Dump)时产生的一个或多个过电压，并且使用计数器来计数产生的单个事件的数量。
老化探测器的另一实施例配置用于，将二极管用作温度传感器。在超过特定温度时，可以与基于振荡器的计时器信号结合地记录并且累计过热的持续时间。
也可以借助其他老化探测器使用该方法，使用其他老化探测器的监测来确定和存储多个老化特征参数中的一个或多个、或者多个的组合。
例如可以在现场在电路的每个启动过程时分析处理特征参数。
对安全重要的应用，还可以附加地在现场在原位持续地或以有规律的时间间隔进行分析处理。
可以在内部在集成电路中控制或者在外部由控制设备控制何时进行以及进行哪些分析处理。
在此，可以涉及如下控制设备：在该控制设备中安装有所述构件或所述集成电路。在具有多个控制设备的应用中、例如在汽车领域中，另一控制设备也可以承担该控制。
在一些实施例中，附加地或替代地可以从外部触发分析处理，例如在检查或维修期间例如通过串行外围接口(SPI：serial peripheral interface)或其他通信接口、例如移动无线电、移动互联网或其他无线电技术结合内部车辆通信来触发分析处理。
在分析处理时将这些特征参数与反应阈值进行比较。可以在不同时刻定义或匹配特定反应阈值。
示例时刻包括晶片测试或最终测试的时刻、在通过与构件通信安装到控制设备中之后的时刻、安装到车辆中或其他应用对象中之后的时刻、维修或检查时刻以及连续运行中的或停车模式中的运行时刻。
在安装到控制单元中之后，在此例如通过SPI、移动无线电或其他无线电技术例如结合内部车辆通信来实现分析处理。
最初基于模拟数据或验收数据(Qualifikationsdaten)或老化特定的构件参数来确定反应阈值。
在老化特征参数连续变化、例如参数漂移的情况下，为此例如在完成(例如通过AEC-Q100的)构件测试之后，分析处理所监测的特征参数并且基于其最大值来记录所测试的参数范围。例如在测试期间表征老化特征参数P的漂移(和/或移位)ΔP＝PE-P0。在该批次中，现在由在构件测试时初始测量的值P初始以及在测试期间所表征的漂移确定反应阈值PRS：PRS＝P初始+0.9*ΔP。比例因子(在示例中0.9)的确定如此进行，使得在运行中可以在超过所测试的参数范围之前发出警报。
在计数器形式的特征参数情况下，基于规格(Lastenheft)中特定的、已经在测试中确保的发生频率来确定反应阈值。
在关于状态变量(例如温度)的警报的情况下，基于规格中特定的最大值进行所述确定。为此，必须在构件测试期间相应地校准探测器信号(例如温度二极管的电流或电压)。这可以通过如下方式来实现：在不同温度(通常室温25℃，高温140-150℃)下测量探测器信号，以及在构件存储器中存储推导出的温度系数形式的温度特性。替代地，可以直接由高温信号(例如150℃)下的二极管电流推导出反应阈值。为此，提前在测试构件上表征：期望温度阈值(例如180℃)下的二极管电流I180超过构件测试时所使用的测量温度(例如150℃)下的二极管电流I150多少。借助该校正因子KF＝I180/I150以及150℃下的构件测试中的初始测量值P初始，可以在该批次中推导出反应阈值：PRS＝P初始*KF。
此外，可以使用应用特定的信息——例如车辆、控制设备、安装位置、维修时间间隔以及已知环境参数(例如预期温度)来确定反应阈值。在定义反应阈值情况下的目标是：在对构件有危害的故障发生之前触发警报。
此外，反应阈值在一开始也可以是未定义的、即没有值。在这种情况下，首先连续求取老化特征参数，而不与反应阈值进行比较，在稍后的时刻才确定反应阈值。
在安装之后可以有规律地读取老化特征参数。读取的示例时刻包括：维修和检查时刻以及连续运行中或停车模式中的运行时刻。例如可以通过SPI、移动无线电或其他无线电技术例如结合内部车辆通信来实现读取。
如此收集的老化数据可以特定于构件和应用地被分析处理并且用于进一步匹配反应阈值。
此外，也可以使用关于各个制造批次、晶片或构件的晶片处理或包装或运输时的故障情况的信息来后续匹配反应阈值。
此外，也可以使用指出构件的可能故障情况的所有其他信息来匹配反应阈值。
对达到或超过反应阈值作出的反应的类型可以不同地定义。
示例反应包括：无反应、禁用构件或各个功能组、在检查或维修期间发出警报、在连续运行中通过警报信号发送器(例如黄色或红色警报灯)向用户发出警报以及例如通过SPI、移动无线电或其他无线电技术例如结合内部车辆通信来向构件制造商发出警报。
可以在不同匹配时刻定义或匹配反应类型。示例性的匹配时刻包括：晶片测试或最终测试的时刻、在通过与构件通信安装到控制单元中之后的时刻、安装到车辆或其他应用对象中之后的时刻、维修或检查时刻以及连续运行中或停车模式中的运行时刻。
图1中示出所监测的构件100的根据本发明的一种实施例的方框图。构件100包括：分析处理单元10、针对老化的探测器20-1,…,20-x和针对对构件有危害的应用的探测器30-1,…,30-y。在此，分析处理单元10与针对老化的探测器20-1,…,20-x以及与针对对构件有危害的应用的探测器30-1,…,30-y优选但不必须地双向通信。分析处理单元10还与所配属的控制设备、与在其中使用构件100的应用对象以及与应用对象之外的设备也优选但不必须地双向通信。
图2中示出监测构件的控制设备200的根据本发明的一种实施例的方框图。
该控制设备示例性地包括两个所监测的构件100-1、100-2并且包括控制单元40。控制单元40与所监测的构件100-1、100-2的分析处理单元优选但不必须地双向通信。控制单元40还与在其中使用构件100的应用对象以及与应用对象之外的设备也优选但不必须地双向通信。
图3示出用于匹配反应阈值的示例。在现场300在不同车辆10-1,10-2,…,10-n中使用ASIC，该ASIC借助传感器30例如监测不同老化机制(借助相应传感器A记录的测量曲线310-1,310-2,…,310-n)和/或关键性情况(借助相应传感器B记录的测量曲线320-1,320-2,…,320-n)。在定期服务情况下和/或在产生故障情况时，在服务运行400中与ASIC的ID一起读取这些传感器。由这些现场数据与制造运行500中的制造数据的相关性600可以辨识出异常的制造批次。例如，在达到传感器B的降低的阈值时，来自特定制造时间段的所有ASIC可能已经未曾预料到地失效。基于该分析处理，可以在下次服务时或在召回范畴内在如下程度上降低传感器B的阈值：系统可以在到达新定义的失效范围之前及时向驾驶员发出警报。
图4示出在构件测试期间老化特征参数P从初始值P0至最终值PE的偏移ΔP的示例。针对提供到现场中的构件，示例性地可以由该构件的初始测量值P初始以及所表征的移位ΔP按如下方式推导出所配属的反应阈值PRS：PRS＝P初始+0.9*ΔP。

Claims (10)

1.一种用于电路部件(100，100-1，100-2)的老化探测器(30)，所述老化探测器用于监测所述电路部件(100，100-1，100-2)的老化，其中，所述老化探测器(30)包括至少一个输入端，所述至少一个输入端用于检测所述电路部件(100，100-1，100-2)的老化特定的参数，并且所述老化探测器设置用于确定所配属的反应阈值和/或反应，或者用于匹配所述反应阈值和/或所述反应，其中，所述老化探测器(30)还设置用于至少响应于所检测的参数超过所确定的反应阈值触发所述反应，其特征在于，所述老化探测器(30)还设置用于使用所检测的参数来确定所述反应阈值和/或来匹配所述反应阈值和/或所述反应。
2.根据权利要求1所述的老化探测器(30)，其中，所检测的参数是所述电路部件(100，100-1，100-2)的对构件有危害的应用的频率和/或持续时间。
3.根据权利要求1或2所述的老化探测器，其中，所述老化探测器(30)包括至少一个输出端并且设置用于将电压施加到所述至少一个输出端上，所述老化探测器(30)还设置用于响应于施加电压检测电阻或阈值电压漂移。
4.根据权利要求3所述的老化探测器，其中，使用所述电阻来监测电迁移和/或使用所述阈值电压漂移来监测MOS晶体管的由负偏压导致的温度不稳定效应、即NBTI效应。
5.根据以上权利要求中任一项所述的老化探测器，其中，使用所述电阻来监测电迁移，和/或使用所述阈值电压漂移来监测金属氧化物半导体晶体管、即MOS晶体管的由负偏压导致的温度不稳定效应、即NBTI效应。
6.一种用于监测电路部件的老化的方法，所述方法具有以下步骤：
确定至少一个老化特定的参数，
确定所配属的参数特定的反应阈值，
至少响应于所确定的参数超过所述反应阈值触发反应，
匹配所述反应阈值和/或所述反应，
其特征在于，所述方法还包括使用所确定的参数来确定所述反应阈值和/或来匹配所述反应阈值和/或所述反应。
7.根据权利要求6所述的方法，其还包括：在制造所述电路部件时检测制造数据，并且使用所确定的制造数据来匹配所述反应阈值和/或所述反应。
8.一种构件(100，100-1，100-2)，其具有根据权利要求1至5中任一项所述的老化探测器(30)。
9.一种用于车辆的控制设备(200)，其具有根据权利要求8所述的构件(100，100-1，100-2)。
10.根据权利要求9所述的控制设备，其设置用于实施根据权利要6或7所述的方法。
CN201780009857.1A 2016-02-03 2017-01-18 用于电路部件的老化探测器、用于监测电路部件的老化的方法、构件和控制设备 Active CN108738353B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016201596.6 2016-02-03
DE102016201596.6A DE102016201596A1 (de) 2016-02-03 2016-02-03 Alterungsdetektor für eine elektrische Schaltungskomponente, Verfahren zur Überwachung einer Alterung einer Schaltungskomponente, Bauelement und Steuergerät
PCT/EP2017/050953 WO2017133891A1 (de) 2016-02-03 2017-01-18 Alterungsdetektor für eine elektrische schaltungskomponente, verfahren zur überwachung einer alterung einer schaltungskomponente, bauelement und steuergerät

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108738353A true CN108738353A (zh) 2018-11-02
CN108738353B CN108738353B (zh) 2021-12-07

Family

ID=57909596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780009857.1A Active CN108738353B (zh) 2016-02-03 2017-01-18 用于电路部件的老化探测器、用于监测电路部件的老化的方法、构件和控制设备

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11175331B2 (zh)
EP (1) EP3411724A1 (zh)
JP (1) JP6701360B2 (zh)
CN (1) CN108738353B (zh)
DE (1) DE102016201596A1 (zh)
TW (1) TWI718243B (zh)
WO (1) WO2017133891A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116203370A (zh) * 2023-01-05 2023-06-02 重庆大学 Mos型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法、测试设备

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020192918A1 (de) * 2019-03-28 2020-10-01 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum instandhalten einer elektrischen komponente
DE102020200249A1 (de) 2020-01-10 2021-07-15 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Betreiben eines Brennstoffzellensystems
KR102480277B1 (ko) * 2020-11-20 2022-12-22 두산에너빌리티 주식회사 관리 한계를 이용한 센서 유효성 검증 시스템 및 그 방법
SE2150281A1 (en) * 2021-03-11 2022-09-12 Ctek Sweden Ab Method for detecting performance deterioration of components
DE102021207800A1 (de) 2021-07-21 2023-01-26 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren, Recheneinheit und Computerprogramm zum Einstellen eines Betriebsparameters in einer technischen Anlage
CN115166462B (zh) * 2022-07-04 2023-08-22 赖俊生 一种半导体芯片全生命周期持续检测方法、装置和设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110101990A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Date Jan Willem Noorlag Compensating for Aging in Integrated Circuits
CN102508139A (zh) * 2011-09-30 2012-06-20 滨州市甘德电子科技有限公司 Led芯片颗粒老化检测装置
CN103630817A (zh) * 2012-08-20 2014-03-12 富士通株式会社 调节器装置
US20140312873A1 (en) * 2013-04-19 2014-10-23 Nvidia Corporation Estimating and monitoring the effects of transistor aging
CN104297003A (zh) * 2014-11-13 2015-01-21 成都运达科技股份有限公司 基于动态报警阈值的转向架旋转部件的故障监测方法
CN104380126A (zh) * 2012-06-14 2015-02-25 三菱电机株式会社 功率模块的劣化探测装置
CN105158670A (zh) * 2015-10-13 2015-12-16 中国人民解放军海军工程大学 基于集电极漏电流的igbt健康状态监测方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9320900B2 (en) * 1998-08-05 2016-04-26 Cyberonics, Inc. Methods and systems for determining subject-specific parameters for a neuromodulation therapy
US7292968B2 (en) * 2000-09-29 2007-11-06 Cadence Design Systems, Inc. Hot carrier circuit reliability simulation
DE10161998A1 (de) 2001-12-18 2003-07-17 Daimler Chrysler Ag Verfahren und Vorrichtung zur Betriebsüberwachung
JP2007060866A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Mitsubishi Electric Corp 車載用電動機制御装置
JP2007060886A (ja) 2005-08-26 2007-03-08 Hiromi Horii 磁力線を利用した発電装置
WO2008135985A1 (en) * 2007-05-02 2008-11-13 Earlysense Ltd Monitoring, predicting and treating clinical episodes
US7849426B2 (en) 2007-10-31 2010-12-07 International Business Machines Corporation Mechanism for detection and compensation of NBTI induced threshold degradation
US7961034B2 (en) 2009-02-20 2011-06-14 Oracle America, Inc. Microprocessor performance improvement by dynamic NBTI compensation through transistor forward biasing
US10548512B2 (en) * 2009-06-24 2020-02-04 The Medical Research, Infrastructure and Health Services Fund of the Tel Aviv Medical Center Automated near-fall detector
CN201540337U (zh) * 2009-10-19 2010-08-04 北京七星华创电子股份有限公司 一种传感器老化测试仪
US8330534B2 (en) 2010-11-17 2012-12-11 Advanced Micro Devices, Inc. Circuit for negative bias temperature instability compensation
JP6210476B2 (ja) 2012-10-10 2017-10-11 公立大学法人首都大学東京 検査装置および検査方法
TWM463844U (zh) * 2013-04-15 2013-10-21 Alfa Power Co Ltd 連續漏電偵測系統
EP2884663B1 (en) 2013-12-13 2017-02-22 IMEC vzw Restoring OFF-state stress degradation of threshold voltage
MY177243A (en) 2013-12-16 2020-09-10 Honda Motor Co Ltd Drive apparatus
US9723415B2 (en) * 2015-06-19 2017-08-01 Gn Hearing A/S Performance based in situ optimization of hearing aids

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110101990A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Date Jan Willem Noorlag Compensating for Aging in Integrated Circuits
CN102508139A (zh) * 2011-09-30 2012-06-20 滨州市甘德电子科技有限公司 Led芯片颗粒老化检测装置
CN104380126A (zh) * 2012-06-14 2015-02-25 三菱电机株式会社 功率模块的劣化探测装置
CN103630817A (zh) * 2012-08-20 2014-03-12 富士通株式会社 调节器装置
US20140312873A1 (en) * 2013-04-19 2014-10-23 Nvidia Corporation Estimating and monitoring the effects of transistor aging
CN104297003A (zh) * 2014-11-13 2015-01-21 成都运达科技股份有限公司 基于动态报警阈值的转向架旋转部件的故障监测方法
CN105158670A (zh) * 2015-10-13 2015-12-16 中国人民解放军海军工程大学 基于集电极漏电流的igbt健康状态监测方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
国家安全生产应急救援指挥中心: "《电力企业安全生产应急管理》", 31 January 2013 *
潘中允: "《现代核医学诊疗手册》", 31 August 1995 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116203370A (zh) * 2023-01-05 2023-06-02 重庆大学 Mos型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法、测试设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20210199708A1 (en) 2021-07-01
DE102016201596A1 (de) 2017-08-03
JP2019510964A (ja) 2019-04-18
TWI718243B (zh) 2021-02-11
WO2017133891A1 (de) 2017-08-10
US11175331B2 (en) 2021-11-16
CN108738353B (zh) 2021-12-07
JP6701360B2 (ja) 2020-05-27
TW201730576A (zh) 2017-09-01
EP3411724A1 (de) 2018-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108738353A (zh) 用于电路部件的老化探测器、用于监测电路部件的老化的方法、构件和控制设备
US9451709B2 (en) Damage index predicting system and method for predicting damage-related index
EP1965179B1 (en) Flow detector device with self check
US9587974B2 (en) Weighing scale diagnostics method
US8494807B2 (en) Prognostics and health management implementation for self cognizant electronic products
US20100250149A1 (en) Monitoring device and monitoring method
US7684949B2 (en) Apparatus and method for determining reliability of an integrated circuit
US7912669B2 (en) Prognosis of faults in electronic circuits
US10060974B2 (en) Electrical circuit odometer sensor array
US10330586B2 (en) Corrosion monitor
US10504807B2 (en) Time temperature monitoring system
US8965716B2 (en) Method and apparatus for testing at least one temperature sensor in a vehicle
US10620258B2 (en) Method of testing semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device including the testing method
CN106574945A (zh) 相关失效的检测
US11209490B2 (en) Method for operating a battery sensor, and battery sensor
US11002782B2 (en) Method for determining failure of power element and electronic device thereof
von Tils Zero defects-Reliability for automotive electronics
CN115166462A (zh) 一种半导体全生命周期持续监察方法、装置和设备
CN116203383A (zh) 用于预测电路故障的电路和技术
CN110520701A (zh) 温度检测电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant