CN103597573A - 质量分析装置 - Google Patents
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Abstract
在从试样离子化装置(离子源)导入试样时,离子化不充分的试样滞留在导入部细孔以外的部位,通过热等能量,作为氧化物乃至碳化物等生成物堆积。该堆积的生成物成为质量分析装置的性能劣化的原因。本发明的质量分析装置具备:试样供给源、对从试样供给源供给的试样进行离子化的试样离子化部、导入离子化后的试样离子的试样导入抑制室、成为试样导入抑制室的下游的差动排气室、成为差动排气室的下游侧的分析部,该质量分析装置的特征在于,具备:放电生成单元,其在试样导入抑制室、上述差动排气室的至少一方的内部生成放电。另外,放电生成单元具有在试样导入抑制室中相对设置的相对的试样导入部电极和第一细孔部用构件(电极)、乃至在上述差动排气室中相对设置的第一细孔部用构件(电极)和第二细孔部用构件(电极)。
Description
技术领域
本发明涉及一种具备利用高频的自清洗装置的质量分析装置。
背景技术
作为质量分析装置,将以下的自动或手动的质量分析装置为例子进行说明,该质量分析装置通过质量分析装置的试样生成部对试样进行离子化,将离子化后的试样导入到质量分析装置的试样导入部,通过分析部进行试样的确定、分析。
质量分析装置在导入试样的分析时通过加热器、高低压等的能量,进行试样的离子化,通过质量分析装置的试样导入部导入试样,但在实施离子化的过程中,离子化不充分的试样在质量分析装置的试样导入部附近通过从质量分析装置所具有的加热器等热源得到的能量等而成为氧化物乃至碳化物等生成物,作为堆积物堆积在试样导入部附近。该堆积物使质量分析装置的试样导入部的细孔变狭窄,成为试样导入的阻碍。另外,堆积在试样导入部附近的堆积物根据情况而通过由质量分析装置所具有的电源提供的电位而带电、充电(chargeup),同样会产生成为试样导入的阻碍的问题。
另外,为了解决该问题而恢复质量分析装置的性能,必须对质量分析装置的试样导入部实行去除所生成、堆积的物质等的清扫操作。通常,作为维护,卸下导入部的部件,实施刷洗、削铲等手动的堆积物的去除、药液、超声波清洗等。在实施了清扫等操作后,实施卸下的部件的安装、抽真空等,进入质量分析装置的维护后的启动操作等。
作为用于解决这种质量分析装置的问题的技术背景,有日本特表2001-502114号公报(专利文献1)。在该公报中,记载有“不挥发性成分堆积在注入孔周围。洗净液输送用的导管与注入孔相邻而具有开口,在离子源动作时向孔构件的表面的至少一部分上供给洗净液”,关于质量分析装置的自清洗,使用洗净液是公知的,除此以外,一般由实施维护的人卸下部件,在实施去除堆积物等的清扫操作后,实施使用了药液等的洗净等操作后,将卸下的部件进行组装。
同样,作为维护时间的问题,质量分析装置具有以下这样的问题。
质量分析装置是真空装置,或在试样导入部配置有加热器等热源。因此,在试样导入部的清扫、洗净等维护时,实施真空的开放、抽真空、另外停止对作为热源的加热器提供电源、电源的再提供等操作。这时,真空度的稳定性、热源温度的稳定度对质量分析装置的稳定的性能提供产生影响,因此为了解决这样的问题,作为质量分析装置需要缩短维护时间、提高稳固性。
为了解决这样的问题,还有上述专利文献1那样的自动提供药液的文献,但通过使用药液,并不能排除真空度、热源的稳定性的降低,为了得到装置的稳定性,需要一定的时间。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特表2001-502114号公报
发明内容
发明要解决的问题
在从试样离子化装置(离子源)导入试样时,离子化不充分的试样滞留在导入部细孔以外的部位,通过热等能量,作为氧化物乃至碳化物等生成物堆积。所堆积的生成物由于位于质量分析装置的试样导入部的细孔的狭窄、部件表面的堆积物带电等,产生会成为质量分析装置的性能劣化的原因的问题。另外,同样也需要进行清扫、洗净操作等维护时所需要的质量分析装置的维护对象部件的卸下、安装操作、加热器等附带的热源的部件的卸下、安装操作。同样,还需要进行加热器等附带的热源的部件的降温、升温、分析部的真空释放、抽真空等附带操作。
存在以下问题,即由于这些堆积物造成的性能劣化、由于维护后到质量分析装置进入稳定的状态为止所需要的温度、真空度的稳定度差造成的装置的性能劣化。
解决问题的方案
本发明是一种质量分析装置,具备试样供给源、对从试样供给源提供的试样进行离子化的试样离子化部、导入离子化后的试样离子的试样导入抑制室、成为试样导入抑制室的下游的差动排气室、成为差动排气室的下游侧的分析部,其特征在于,具备:放电生成单元,其在试样导入抑制室、差动排气室的至少一方生成放电。
发明效果
根据上述本发明,能够通过差动排气室、因差动排气室内的放电产生的放电能量对堆积物进行分解去除。因此,不需要装置部件的分解、组装、以及真空的释放、抽真空等操作,能够缩短维护时间。另外,在维护时不破坏质量分析装置的装置环境,因此通过提供基于维护后稳定的环境而持续维持稳定的性能的装置,能够减轻因性能劣化等造成的问题。
附图说明
图1是表示在本发明的实施例中在四重极型质量分析装置中利用现有的高频电源而配置了自清洗装置的结构的图。
图2是表示在本发明的实施例中配置现有或新规的高频电源并配置了自清洗装置的结构的图(只表示位于质量分析装置的前段的接口)。
图3是表示在本发明的实施例中在大气压环境或真空压力环境下配置高频电源并配置了自清洗装置的结构的图(只表示位于质量分析装置的前段的接口)。
图4是表示在本发明的实施例中在大气压环境或真空压力环境下导入辅助气体乃至药液配置高频电源并配置了自清洗装置的结构的图(只表示位于质量分析装置的前段的接口)。
图5是表示在本发明的实施例中配置分光器、等离子体监视器等光学检测器、配置高频电源并配置了自清洗装置的结构的图(只表示位于质量分析装置的前段的接口)。
图6是表示在本发明的实施例中配置现有或新的压力计、配置高频电源并配置了自清洗装置的结构的图(只表示位于质量分析装置的前段的接口)。
图7是表示在本发明的实施例中特定分子的清洗中的变化量(光谱、自由基、真空压力)的图。
图8是示意地表示在本发明的实施例中通过辉光放电进行堆积物的分解的图。
具体实施方式
实施例1
使用附图说明本发明的用于实施发明的形式。
首先,图1是表示作为本发明的一个实施例的四重极型质量分析装置的结构的图。
该四重极型质量分析装置的主体部具备:试样导入部电极2,其在中央具有导入通过试样离子化装置1进行离子化后的试样的导入用的细孔;第一细孔部用构件3,其在中央具有第一细孔;第二细孔部用构件4,其在中央具有第二细孔;容纳部5;分析部7;检测部8;以及设置在检测部8中的检测器10。
另外,四重极型质量分析装置具备粗抽取主体部内的空气的泵20、高真空泵19、压力计17、分析试样供给部(LC)11。
进而,质量分析装置具备控制运算装置17、电源控制部16、高频电源部12、高电压电源部13、检测部电源部14、信号放大器15、分析结果显示装置18,离子群(射束)26通过主体部内。22是自清洗装置用高频布线22。自清洗装置(放电生成单元)主要由导入电极2、第一细孔部用构件3、第二细孔部用构件4、自清洗装置用高频布线22、控制运算装置17、电源控制部16、高频电源部12、高电压电源部13构成。
在自清洗装置(放电生成单元)中,利用质量分析装置所具备的现有的控制运算装置17、电源控制部16、高频电源部12、高电压电源部13,设置自清洗装置用高频布线22,由此能够使结构简单、廉价。
施加到自清洗装置用高频布线22的电压、频率可以与施加到容纳部5、分析部7的相同。频率是数百MHz~几个Gz。另外,并不同时进行自清洗和分析测定,因此不增加高频电源部12、高电压电源部13的电容量,所以能够利用现有的控制运算装置17、电源控制部16、高频电源部12、高电压电源部13。
将相对地设置有导入电极2和第一细孔部用构件3的空间作为试样导入抑制室。该试样导入抑制室大致是相当于大气压的压力。将相对地设置有第一细孔部用构件3和第二细孔部用构件4的空间作为差动排气室(接口室)。将相对地设置有第二细孔部用构件4和中央具有第三细孔的第三细孔用构件6的空间作为容纳室。容纳室的下游的下游侧成为具备分析部的分析室。差动排气室是200Pa左右的压力。试样导入抑制室、差动排气室的压力在分析测定时和清洗时都是同等程度。容纳室、分析室的压力与差动排气室同等、或为200Pa以下。
设置在导入电极2的细孔、设置在第一细孔部用构件3的第一细孔、设置在第二细孔部用构件4的第二细孔的孔直径是0.1mm~2mm。试样的离子流过这些细孔后进行分析测定。
由分析试样供给部(LC)11提供的分析对象的试样被导入到试样离子化装置1。9表示9分析试样喷出部。由试样离子化装置1离子化后的试样被送入到质量分析装置的试样导入部附近,通过由被控制运算装置17控制的电源控制部16、由电源控制部16控制的高电压电源部13施加电压(未图示)的试样导入部电极2的细孔、第一细孔部用构件3的第一细孔、第二细孔部用构件4的第二细孔导入到质量分析装置。通过施加电压,加速或减速了的离子前进到后段的透镜系统。
导入到质量分析装置的离子群(射束)26通过由控制运算装置17控制的电源控制部16、由电源控制部16控制的高频电源部12、由高电压电源部13施加电压的容纳部5、以及分析部7、或者由控制运算装置17控制的电源控制部16、由电源控制部16控制的高电压电源部13而施加电压时的中央具有第三细孔的第三细孔用构件6而收敛、发散,去除离子群(射束)26所不需要的区域。
然后,通过分析部7进行了质量分离的离子群(射束)26被导入到由控制运算装置17控制的电源控制部16、由电源控制部16控制的检测部电源部14所施加的检测部8的检测器10。导入到检测器10的离子群(射束)26通过信号放大器15进行放大,通过控制运算装置17进行运算处理,作为确定的分析结果显示在分析结果显示装置18上。
在本实施例中,在通过试样离子化装置1离子化的试样的离子化不充分的情况下,滞留在试样导入部电极2、第一细孔部用构件3、第二细孔部用构件4附近,通过热等能量,作为氧化物乃至碳化物等生成物而进行堆积。
堆积的生成物由于位于质量分析装置的试样导入部的细孔的狭窄、部件表面的堆积物带电等,成为质量分析装置的性能劣化的原因而产生问题,但构成图1、图2所说明那样的自清洗装置,即通过自清洗装置用高频布线22向高效地进行了配置的试样导入部电极2、第一细孔部用构件3、第二细孔部用构件4提供由现有构成的控制运算装置17所控制的电源控制部16、电源控制部16所控制的高频电源部12、高频电源部12所提供的电位。
为了改善恒定状态、并且需要维护的产生了性能劣化的状态,而进行自清洗。通过高频的能量而分解了的堆积物作为以原子、分子水平在清洗时被排出的废气而被排出,通过主要对促进离子化的部位进行排气的风扇、粗抽取的泵20被排出。
为了终点检测,通过高频的能量而分解了的堆积物以原子、分子水平备取入到质量分析装置,通过质量分析装置的功能检测清洗中的气氛,能够进行用于清洗的效果确认的终点检测,通过自清洗而提供质量分析装置的稳定的装置性能。
或者,构成与质量分析装置分别构成的自清洗装置,即向高效地进行了配置的试样导入部电极2、第一细孔部用构件3、第二细孔部用构件4提供由被控制运算装置17所控制的电源控制部16、电源控制部16所控制的高频电源部12、高频电源部12所提供的电位。为了改善恒定状态、并且需要维护的产生了性能劣化的状态,而进行自清洗。
通过高频的能量而分解了的堆积物作为以原子、分子水平在清洗时被排出的废气而被排出,通过主要对促进离子化的部位进行排气的风扇、粗抽取的泵20被排出。为了终点检测,通过高频的能量而分解了的堆积物以原子、分子水平被取入到质量分析装置,通过质量分析装置的功能检测清洗中的气氛,能够进行用于清洗的效果确认的终点检测,通过自清洗而提供质量分析装置的稳定的装置性能。
在图2中,将配置在质量分析装置中的试样导入部电极(计数器面板、或檐板:电极)2、第一细孔部用构件(AP1:电极)3、第二细孔部用构件(AP2:电极)4为例子,表示将高频电源与相对配置的电极连接使得阴、阳成为一对的例子。在(a)中,表示以下的例子,即将阳电位与第一细孔部用构件(AP1:电极)3连接,将阴电位与配置在质量分析装置中的试样导入部电极(计数器面板、或檐板:电极)2、第二细孔部用构件(AP2:电极)4连接。
另外,在(b)中,表示以下的例子,即将阳电位与配置在质量分析装置中的试样导入部电极(计数器面板、或檐板:电极)2、第二细孔部用构件(AP2:电极)4连接,将阴电位与第一细孔部用构件(AP1:电极)3连接。另外,在(c)中,表示以下的例子,即将阳电极与配置在质量分析装置中的试样导入部电极(计数器面板、或檐板:电极)2连接,将阴电极与第一细孔部用构件(AP1:电极)3、第二细孔部用构件(AP2:电极)4连接。
另外,在(d)中,表示以下的例子,即将阳电极与配置在质量分析装置中的试样导入部电极(计数器面板、或檐板:电极)2、第一细孔部用构件(AP1:电极)3连接,将阴电极与第二细孔部用构件(AP2:电极)4连接。
以电极的配置例子为基础,从现有的高频电源12或新构成的高频电源12经由自清洗装置用高频布线22提供电位,产生辉光放电,从而构成自清洗装置。
另外,提供一种质量分析装置,其构成了以下的自清洗装置,即为了确认清洗的效果而利用质量分析装置的功能,能够一边确认特定堆积物的清洗中的光谱,一边实施清洗。
为了在质量分析装置中确认清洗的效果,如图7的(a)那样特定光谱在时间t经时地显示出变化,因此以其变化为终点进行清洗的终点检测。
引用示意地表示清洗的图8进一步说明清洗。
向离子的导入电极2、设置有第一细孔的第一细孔部用构件3(电极)、设置有第二细孔的第二细孔部用构件4(电极)施加高频电源部12的电压。离子的导入电极2和第二细孔部用构件4(电极)为阳极,第一细孔部用构件3(电极)为阴极。在清洗时,一边通过粗抽取的泵20、高真空泵19进行排气,一边向离子的导入电极2、第二细孔部用构件4(电极)、第一细孔部用构件3(电极)施加高频的电压。
通过施加高频的电压,在导入电极2和第一细孔部用构件3(电极)相对的试样导入抑制室、第一细孔部用构件3(电极)和第二细孔部用构件4(电极)相对的差动排气室(接口室)内产生辉光放电。辉光放电的放电区域波及导入电极2的细孔、第一细孔、第二细孔、以及试样导入抑制室、差动排气室的几乎全部区域。
放电能量作用于附着在导入电极2的细孔、第一细孔、第二细孔、以及试样导入抑制室、差动排气室的表面而堆积的堆积物,堆积物被细细地分解,被粗抽取的泵20、高真空泵19吸引,在排气的同时排出到试样导入抑制室、差动排气室、容纳室的外部。在导入电极2的细孔、第一细孔、第二细孔流通的空气如图示那样在试样导入抑制室、差动排气室、分析室内回流,被细细地分解了的堆积物随着回流被粗抽取的泵20、高真空泵19吸引而排气。因此,能够良好地清扫附着在导入电极2的细孔、第一细孔、第二细孔、以及试样导入抑制室、差动排气室的表面而堆积的堆积物,稳定地维持质量分析装置的分析测定的性能。
此外,利用质量分析装置所具备的粗抽取的泵20、高真空泵19,因此质量分析装置的结构不复杂,而且廉价。
实施例2
在本实施例中,说明以下的自清洗装置的例子,即能够从质量分析装置的试样离子化装置1将对试样导入部电极2、第一细孔部用构件3、第二细孔部用构件4近旁进行自清洗的气氛设置为大气中,或配置在自清洗装置用真空容器23的真空气氛中而在真空气氛中对进行自清洗的试样导入部电极2、第一细孔部用构件3、第二细孔部用构件4近旁进行自清洗。自清洗装置用真空容器23的压力是200Pa和大气压的中间程度。另外,也可以用大气压容器覆盖试样导入部电极2、试样离子化装置1、分析试样供给部(LC)11。大气压容器的压力大致是大气压。
图3是表示实施例2的自清洗装置的结构图的例子。
在图3中,对于图1的质量分析装置中的已经在所说明的图1中表示的附加了相同符号的结构和具有相同的功能的部分省略一部分说明。
在图3(a)、(c)中,以在图2(a)中说明了的电极配置例子为基础,表示在大气中构成在实施例2中构成的清洗装置的情况。在图4的(b)、(d)中,表示将同样在图2(b)中说明了的电极配置例子的在实施例2中构成的清洗装置配置在真空容器内的情况。在大气环境下也能够产生辉光放电现象,而充分得到清洗效果,但为了得到更稳定的辉光放电,而稳定地提供真空气氛中的辉光放电现象,得到稳定的清洗效果。
通过自清洗而分解了的堆积物作为以原子、分子水平在清洗时排出的废气被排出,通过主要对促进离子化的部位进行排气的风扇、粗抽取的泵而被排出。为了终点检测,通过高频的能量而分解了的堆积物以原子、分子水平被取入到质量分析装置,通过质量分析装置的功能检测清洗中的气氛,能够进行用于清洗的效果确认的终点检测。
实施例3
在本实施例中,说明以下的自清洗装置的例子,即能够从一般的质量分析装置的试样离子化装置1将对试样导入部电极2、第一细孔部用构件3、第二细孔部用构件4近旁进行自清洗的气氛设为大气中,或配置在自清洗装置用真空容器23的真空气氛中而在真空气氛中对进行自清洗的试样导入部电极2、第一细孔部用构件3、第二细孔部用构件4近旁进行自清洗。并且配置用于提高清洗效果的辅助气体、或药液的导入部24,从而能够进行自清洗。
图4是表示实施例2的自清洗装置的结构图的例子。
在图4中,对于图1~图3的质量分析装置中已经在所说明的图中表示的附加了相同符号的结构和具有相同的功能的部分省略一部分说明。
在图4(a)中,表示以下的情况,即在大气中构成在实施例2中构成的自清洗装置,配置用于提高清洗效果的辅助气体、或药液等的导入部24。
另外,在图4(b)中,表示以下的情况,即在真空容器内构成同样在实施例2中构成的自清洗装置,配置用于提高清洗效果的辅助气体、或药液等的导入部24。
另外,在(c)中,表示以下的情况,即在大气中构成在实施例2中构成的自清洗装置,配置用于提高清洗效果的多个辅助气体、或药液等的导入部24。
另外,在(d)中,表示以下的情况,即在真空容器内构成在实施例2中构成的自清洗装置,配置用于提高清洗效果的多个辅助气体、或药液等的导入部24。
自清洗装置在大气环境下产生辉光放电现象,得到清洗效果。另外,为了得到更稳定的辉光放电,而稳定地提供真空气氛中的辉光放电现象,得到稳定的清洗效果。
通过自清洗而分解了的堆积物作为以原子、分子水平在清洗时排出的废气而被排出,主要通过对促进离子化的部位进行排气的风扇、粗抽取的泵被排出。为了终点检测,通过高频的能量而分解了的堆积物以原子、分子水平被取入到质量分析装置,通过质量分析装置的功能检测清洗中的气氛,能够进行用于清洗的效果确认的终点检测。
实施例4
在本实施例中,说明以下的自清洗装置的例子,即能够从一般的质量分析装置的试样离子化装置1将对试样导入部电极2、第一细孔部用构件3、第二细孔部用构件4近旁进行自清洗的气氛设为大气中,或配置在自清洗装置用真空容器23的真空气氛中而在真空气氛中对进行自清洗的试样导入部电极2、第一细孔部用构件3、第二细孔部用构件4近旁进行自清洗。并且配置用于确认清洗效果的分光器、等离子体监视器等检测器25,从而能够进行自清洗。
图5是表示实施例2的自清洗装置的结构图的例子。
在图5中,对于图1~图4的质量分析装置中已经在所说明的图中表示的附加了相同符号的结构和具有相同的功能的部分省略一部分说明。
在本实施例中,为了确认清洗效果而利用质量分析装置的功能,能够一边确认特定堆积物的光谱,一边实施清洗,但在希望进一步提高清洗效果的终点检测的效果的情况下,通过构成分光器、等离子体监视器等自清洗装置用终点检测器25、自清洗装置用终点检测器(分光器、等离子体监视器)用放大器、电源部27,而提供具备提高了自清洗的终点检测的正确性的自清洗装置的质量分析装置。
作为在质量分析装置的控制运算装置17、试样图像显示装置(分析试样结果显示装置)18中共享本实施例的自清洗装置用终点检测器(分光器、等离子体监视器)用放大器、电源部27的上位部的例子而在图5中记载,也可以分别地构成控制运算装置、显示部。
为了在质量分析装置中确认清洗的效果,如图7(b)那样特定的自由基发光量在时间t经时地显示出变化,因此以该变化为终点进行清洗的终点检测。
通过自清洗而分解了的堆积物作为以原子、分子水平在清洗时排出的废气而被排出,主要通过对促进离子化的部位进行排气的风扇、粗抽取的泵而被排出。
实施例5
在本实施例中,说明以下的自清洗装置的例子,即能够从一般的质量分析装置的试样离子化装置1将对试样导入部电极2、第一细孔部用构件3、第二细孔部用构件4近旁进行自清洗的气氛设为大气中,或配置在自清洗装置用真空容器23的真空气氛中而在真空气氛中对进行自清洗的试样导入部电极2、第一细孔部用构件3、第二细孔部用构件4近旁进行自清洗。并且配置用于确认清洗效果的压力计21等,从而能够进行自清洗。
图6是表示实施例2的自清洗装置的结构图的例子。
在图6中,对于图1~图5的质量分析装置中已经在所说明的图中表示的附加了相同符号的结构和具有相同的功能的部分省略一部分说明。
另外,提供具备以下的自清洗装置的质量分析装置,该自清洗装置为了确认清洗效果而利用质量分析装置的功能,能够一边确认特定堆积物的光谱,一边实施清洗。
为了在质量分析装置中确认清洗的效果,如图7的(c)那样真空室内的压力在时间t经时地显示出清洗特有的变化,因此以其变化为终点进行清洗的终点检测。进行清洗的终点检测的检测清洗的终点的单元包括分光器、等离子体监视器等光学装置、压力计等。
该真空室内压力变化P表示出以下的情况,即在将压力为零设为真空时,作为在分子水平上稳定的堆积物而存在的物质通过放电能量的附着而以原子、分子水平分解,通过作为不稳定的状态而存在于真空中,而过渡地成为非真空,如果堆积物没有了,则压力恢复为零的真空。真空室内压力变化P的移动变化时间从数秒到数十秒。
通过自清洗而分解了的堆积物作为以原子、分子水平在清洗时排出的废气而被排出,主要通过对促进离子化的部位进行排气的风扇、粗抽取的泵而被排出。
另外,为了促进基于辉光放电的堆积物的分解,一边导入反应性的气体(蚀刻气体)、洗净液,一边进行辉光放电,由此能够提高堆积物的分解效果。
在上述实施例中,在试样导入抑制室中相对的导入电极和第一细孔部用构件(电极)、在差动排气室中相对的第一细孔部用构件(电极)和第二细孔部用构件(电极)、以及在容纳室相对的第二细孔部用构件(电极)和第三细孔用构件(电极)之间产生放电,但也可以使用使该电极相对的放电生成单元(自清洗装置)以外的方法(例如电弧放电)。另外,也可以只通过电极进行放电。
如以上所述那样,本发明的特征在于,在进行去除在质量分析装置的试样导入部附近生成、堆积的氧化物乃至碳化物等生成物那样的维护时,不需要维护部件的卸下、安装操作,不进行真空的释放,也不需要向热源等加热器停止电源供给、电源的再供给等操作,通过在该状态下实施的高频(RF)激励而产生的辉光放电的能量,对堆积的生成物进行分解、去除,由此进行维护,减少维护后的装置启动时间,在维护后以更稳定的状态提供装置。
另外,在清洗效果的状况确认时,还利用质量分析装置的功能而进行清洗中的真空容器内气氛的质量分析。或者还有另外配置分光器、由等离子体监视器等检测特定波长的光量的检测器等,有检测特定波长的光量等根据特定信号强度的经时变化进行终点检测的方法、根据压力的变化进行终点检测的方法,分别通过四重极型质量分析仪、分光器等、压力计等进行测定,由此进行用于清洗的效果确认的终点检测。对于通过压力计的测量,如果是真空室,则能够进行差动排气室和分析室的压力测定。通过压力计测定的压力变动是真空室的基本气压的变动。
根据上述说明,质量分析装置的维护伴随着装置部件的分解、组装、以及真空的释放、抽真空等操作,因此以一天为单位需要一定的时间,但通过装置在恒定状态下能够实施的本自清洗,不需要维护到操作后的热源、真空度成为稳定为止的时间,因此能够缩短维护时间。另外,在维护时不破坏质量分析装置的装置环境,因此通过提供基于维护后稳定的环境而持续维持稳定的性能的装置,能够减轻因性能劣化等造成的问题。
符号的说明
1:试样离子化装置(离子源);2:试样导入部电极(计数器面板、或檐板:电极);3:第一细孔部用构件(AP1:电极);4:第二细孔部用构件(AP2:电极);5:容纳部(Q0:容纳/电极杆);6:第三细孔用构件(AP3:电极);7:四重极质量分析装置分析部;8:检测部;9:分析试样喷出部;10:检测器;11:分析试样供给部(LC);12:高频电源部;13:高电压电源部;14:检测器电源部;15:信号放大器;16:电源控制部;17:控制运算装置;18:分析结果显示装置;19:高真空泵(涡轮泵等);20:粗抽取泵(旋转泵等);21:压力计;22:自清洗装置用高频布线;23:自清洗装置用真空容器;24:自清洗装置用辅助气体、药液导入部;25:自清洗装置用终点检测器(分光器、等离子体监视器);26:离子群(射束);27:自清洗装置用终点检测器(分光器、等离子体监视器)用放大器电源部。
Claims (8)
1.一种质量分析装置,具备试样供给源、对从上述试样供给源供给的试样进行离子化的试样离子化部、导入进行离子化后的试样离子的试样导入抑制室、成为上述试样导入抑制室的下游的差动排气室、成为上述差动排气室的下游侧的分析部,其特征在于,具备:
放电生成单元,其在上述试样导入抑制室、上述差动排气室的至少一方的内部生成放电。
2.根据权利要求1所述的质量分析装置,其特征在于,
上述放电生成单元具有在试样导入抑制室中相对设置的试样导入部电极和第一细孔部用构件(电极)、乃至在上述差动排气室中相对设置的第一细孔部用构件(电极)和第二细孔部用构件(电极)。
3.根据权利要求1所述的质量分析装置,其特征在于,
具有覆盖上述试样导入部电极、上述试样离子化装置、上述试样供给源的大气压容器。
4.根据权利要求1所述的质量分析装置,其特征在于,
具有覆盖上述试样导入部电极、第一细孔部用构件(电极)、第二细孔部用构件(电极)、试样导入部电极、上述差动排气室的真空压力容器。
5.根据权利要求1所述的质量分析装置,其特征在于,
一边导入促进堆积物的分解的气体和洗净液,一边进行放电。
6.根据权利要求1所述的质量分析装置,其特征在于,
具备检测基于上述放电的清洗的终点的单元。
7.根据权利要求6所述的质量分析装置,具备自清洗装置,其特征在于,
上述检测清洗的终点的单元包含分光器、等离子体监视器等光学装置。
8.根据权利要求6所述的质量分析装置,具备自清洗装置,其特征在于,
上述检测清洗的终点的单元包含压力计。
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