CN103594566B - 发光装置的制造方法、发光装置的色度调整方法及发光装置的色度调整装置 - Google Patents

发光装置的制造方法、发光装置的色度调整方法及发光装置的色度调整装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103594566B
CN103594566B CN201310343931.7A CN201310343931A CN103594566B CN 103594566 B CN103594566 B CN 103594566B CN 201310343931 A CN201310343931 A CN 201310343931A CN 103594566 B CN103594566 B CN 103594566B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting device
colourity
reflectance coating
refractive index
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310343931.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103594566A (zh
Inventor
吉田武史
石塚勇史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Shinku Co Ltd
Original Assignee
Showa Shinku Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Shinku Co Ltd filed Critical Showa Shinku Co Ltd
Publication of CN103594566A publication Critical patent/CN103594566A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103594566B publication Critical patent/CN103594566B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明的发光装置是具有发出蓝色光的LED元件和发出红色及绿色荧光的荧光体的白色LED发光装置。LED元件被分散有荧光体的封固树脂所封固。其周围被透明树脂所封固，具有炮弹型形状。在透明树脂的表面上形成有透明膜，该透明膜具有透光性且反射混合光中的蓝色成分的一部分。

Description

发光装置的制造方法、发光装置的色度调整方法及发光装置 的色度调整装置
技术领域
本发明涉及发光装置的制造方法，发光装置的色度调整方法以及发光装置的色度调整装置。
背景技术
近年来，在各个领域中逐渐开始使用LED（Light Emitting Diode：发光二极管）作为光源的发光装置，特别是发出白色光的白色LED的需求高涨。
作为白色LED的发光方式，有通常所说的单芯片方式和多芯片方式。单芯片方式是通过组合发出蓝色光的LED元件和如黄色、红色或绿色荧光体，以使LED元件发出的光和从荧光体发出的有色光相互混合而得到近似白色光的方式。多芯片方式的一例是，分别由不同的LED元件发出蓝色、红色及绿色，同样得到白色光的方式。
以单芯片方式为例，LED光源的色度是由封固LED元件的透光性树脂内的荧光体的材料、材料量以及材料的分布等进行调整。由于制造偏差等原因，一旦色度超出所要求的范围，该发光装置就成为不良品。为了避免不良品的发生而将透光性树脂进行固化之后再调整色度的技术的一例，已广为人知的有如专利文献1以及专利文献2。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4292794号公报
专利文献2：日本专利公开第2009-231569号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
在专利文献1中，作为透光性树脂，在LED元件的附近具有含有荧光体的波长变换层，并在光源装置的表面侧具有不含有荧光体的非波长变换层，通过研磨非波长变换层调整色度。但是，这种具有研磨工序的色度调整方法，当非波长变换层的表面不平坦时，例如为球面的情况下，会出现调整困难的问题。
在专利文献2中，先使用分布有第1荧光体的封固树脂封固LED元件，在封固树脂固化之后，在封固树脂上形成分布有第2荧光体的第2树脂作为调整色度的手段。但是，在专利文献2的色度调整方法中，由于是在封固树脂的形成及色度测定之后再形成第2树脂，所以很难形成均匀的色度调整层。另外，还存在因树脂层的形成对外形造成影响，所以在形成第2树脂以后的再调整变困难的问题。
本发明解决上述问题，其目的在于，提供一种在非平坦或者平坦表面上通过对外形的影响小的构造得到所希望的色度的发光装置的制造方法、发光装置的色度调整方法以及发光装置的色度调整装置。
解决问题的方案
为了达到上述目的，本发明的第1方案的发光装置的制造方法的特征在于，具有：
搭载发光元件的搭载工序；
搭载荧光体的荧光体搭载工序，该荧光体被所述发光元件发出的光所激发而发出荧光；
使用透光部件封固所述发光元件的封固工序；
使所述发光元件发光，测定与所述荧光混合的混合光的色度的测定工序；
根据所述测定的色度，在所述透光部件上形成反射膜的反射膜形成工序，该反射膜具有透光性和比所述透光部件的折射率更大的折射率、且反射所述混合光中的规定波长的光。
也可以对超出规定的合格色度范围的发光元件，具有在所述透光部件的外侧的表面上，以50nm以下的膜厚形成反射所述混合光中短波长侧的光的规定部分的反射膜的反射膜形成工序；
根据调整色度，决定所述反射膜的折射率及所述膜厚。
也可以通过ALD（Atomic Layer Deposition）法形成所述反射膜．
也可以通过溅镀法或者CVD（Chemical Vapor Deposition）法形成所述反射膜。
也可以将通过封固工序所形成的多个封固体设置在同一处理室内，以提供给所述反射膜形成工序。
也可以根据事先测定的所述发光装置的色度，将所述发光装置进行分组，并将同等色度范围的所述发光装置设置在同一处理室内，同时进行处理。
所述透光部件的折射率与所述反射膜的折射率之差也可以为0.3以上。
所述发光装置也可以具有：发出所述短波长侧的蓝色光的发光二极管元件；以及荧光体，该荧光体被所述蓝色光所激起而发出比所述蓝色光更高波长侧的荧光。
上述透光部件也可以具有炮弹型形状。
所述反射膜的材料可以是从由TiO2、ZnO、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、HfO2以及Al2O3构成的群组中选出的一种材料。
所述透光部件可以具有一层或者多层，其最外层由硅树脂形成。
为了达到上述目的，本发明的第2方案的发光装置的色度调整方法，该发光装置射出发光体发出的多色混合光，在射出面上形成有透光部件，该色度调整方法的特征在于，
测定所述发光装置射出的光的色度；
根据所述色度，在所述透光部件的表面形成反射膜，该反射膜具有透光性和比所述透光部件的折射率更大的折射率、且反射所述发光体发出的光中的规定波长的光。
针对超出规定的合格色度范围的发光装置，在所述透光部件外侧的表面上，以50nm以下的膜厚形成反射所述发光体发出的光中的短波长侧的光的规定的一部分的反射膜，
也可以根据调整色度决定所述反射膜的折射率及所述膜厚。
为了达到上述目的，本发明的第3方案的发光装置的色度调整装置是发光装置的色度调整装置，其特征在于，具有：
测定装置，测定所述发光装置射出的光的色度；以及
反射膜形成装置，用于在所述发光装置外侧的表面上形成反射膜，该反射膜具有透光性且反射由所述反光装置射出的光中的规定波长的光；
根据所述测定装置的输出，决定所述反射膜的折射率及所述膜厚，
所述发光装置射出发光体发出的多色混合光，在射出面形成透光部件，
所述反射膜的折射率大于所述透光部件的折射率。
所述反射膜形成装置可以以50nm以下的膜厚形成反射所述发光体发出的光中的短波长侧的光的规定的一部分的反射膜。
所述反射膜形成装置可以是ALD（Atomic Layer Deposition）装置。
上述反射膜形成装置可以设置成将通过封固工序所形成的多个封固体设置于同一处理室内，同时形成所述反射膜。
发明效果
根据本发明，可以提供一种在非平坦或平坦表面上以对外形影响小的构造得到所希望的色度的发光装置的制造方法、发光装置的色度调整方法及发光装置的色度调整装置。
附图说明
图1为示出本发明的第1实施方式的发光装置的剖视图。
图2为示出图1所示的发光装置的制造方法的流程图。
图3A、3B为示出发光装置的制造工序的剖视图。
图4A、4B为示出接续图3的发光装置的制造工序的剖视图。
图5为示出接续图4的发光装置的制造工序的剖视图。
图6为示出显示图5的制造工序的变形例的剖视图。
图7为示出接续图5的发光装置的制造工序的示意图。
图8A～C示出发光装置的色度（x，y）的图表。
图9为示出接续图7的发光装置的制造工序的示意图。
图10A～C为示出本发明的第2实施方式的发光装置的制造方法的一工序的示意图。
图11为示出本发明的第3实施方式的发光装置的制造方法的一工序的示意图。
图12为示出与本发明的第4实施方式有关的发光装置的剖视图。
图13为示出图12所示的发光装置的制造方法的一工序的示意图。
图14为示出本发明的第5实施方式的发光装置的制造方法的一工序的示意图。
图15为示出接续图14的发光装置的制造工序的示意图。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
（第1实施方式）
图1示出本实施方式的发光装置10。发光装置10为所谓的炮弹型发光装置，包括：导电体12a、12b，LED元件13，连线14a、14b，封固树脂15，荧光体16，透明树脂17，以及透明膜18。
导电体12a、12b相互分开设置，导电体12a、12b的各自一端部露出到外部，另一端部被透明树脂17所封固。在导电体12b的另一端部，即安装LED元件13的一侧形成有反射部19，该反射部19是倒圆锥台形状或者倒角锥台形状的凹部。
LED元件13是通过施加电流发出蓝色光的发光元件。LED元件13形成为芯片状的元件，其表面上设有如后所述的两个电极13a、13b。
连线14a、14b分别与LED元件13的2个电极和导电体12a、12b电连接，连线14a、14b可以用例如Au等金属材料制成。
封固树脂15填满反射部19以封固LED元件13的上面及侧面，形成为向图示上方凸起的曲面。封固树脂15由具有密封性、耐热性及透光性的材料制成，例如，使用环氧树脂或硅树脂等。
荧光体16在封固树脂15内分散分布，荧光体16被LED元件13发出的光所激发而发出荧光。本实施方式的荧光体16使用了红色荧光体和绿色荧光体的两种。
透明树脂17形成为覆盖整个封固树脂15，基本呈半球状。由于此种形状，发光装置10发出的光基本呈半球状地扩散。透明树脂17具有透光性，与封固树脂同样由环氧树脂或硅树脂等制成。在本实施方式中，由硅树脂制成。
透明膜18是在透明树脂17的表面形成的薄膜。透明膜18的折射率大于透明树脂17的折射率。在本实施方式中，把硅树脂用作透明树脂17的材料，TiO2用作透明膜18的材料。
透光膜18最好使用具有透光性、且对波长450nm的折射率为1.7以上的材料。若透光膜18对波长450nm的折射率为1.9以上则更好，可提高反射规定波长光的效果。或者，最好将透明膜18与透明树脂17的折射率之差设为0.3以上。透明膜18与透明树脂17的折射率之差在0.5以上则更好。通过加大透明膜18与透明树脂17的折射率之差，可以提高色度的调整幅度。可以将透明膜18的折射率的上限设为3.0。作为容易入手的材料，可以设透明膜18的折射率的上限为2.6。透明膜18也可以是透明无机膜。通过使用透明无机膜，可以得到上述折射率之差。或者，也可以是通过添加Ti等金属提高了折射率的树脂材料。作为比较例，在硅树脂上形成SiO2膜时，色度虽然发生变化，但变化量较小。在硅树脂上形成Al2Ｏ3膜时，与SiO2膜形成时相比，色度变化量变大，在作为生产装置进行色度调整时，透明膜18与透明树脂17的折射率之差最好设为0.3以上。
另外，透明膜18的厚度最好定为100nm以下。通过设厚度为100nm以下，可以使光束的减少量微小。更为优选的是设透明膜18的厚度为50nm以下。另外，当透明树脂17使用如硅树脂那样的线膨胀系数大的材料时，虽然有时在成膜中在树脂膜上产生热过程，但由于透明膜18的厚度较小，可以减少热过程的影响。
下面，对本发明的发光装置10的动作进行说明。
对发光装置施加规定的电流时，LED元件13发出蓝色光。荧光体16被该蓝色光激励，发出红色和绿色的光。从而，来自LED元件13的蓝色光、来自荧光体16的红色光及绿色光相混合，作为近似白色的光透过封固树脂15、透明树脂17及透明膜18后，射出到外部。
此时，光的一部分因被透明膜18反射而没有射出到外部。具体而言，一部分蓝色光从透明膜18向透明树脂17的内部反射。由此，从透明膜18射出的白色光与透过透明树脂17的光相比，色度的平衡会趋向红色及绿色略微强的方向变化。由于被透明膜18反射的光的波长范围及反射率，根据透明膜18与透明树脂17之间的折射率之差以及透明膜的厚度不同而有所差异，因此，只要根据调整色度来决定透明膜的材料及厚度就可以。
下面，根据图2的流程图，说明本实施方式的发光装置10的制造方法。下面，附图是用于说明各制造工序的示意图，而非实际尺寸。
首先，将LED元件13安装于导电体12a、12b上（步骤S10）。如图3A所示，将导电体12a和具有凹部（反射部19）的导电体12b设置在规定位置。在导电体12b的反射部19的底面，以使电极13a、13b位于上部的形式搭载LED元件13。接着，如图3B所示，使用焊接装置31，用连线14a将LED元件13的电极13a和导电体12a进行电连接。同样，用连线14b将LED元件13的电极13b电连接到导电体12b。
接着，填充荧光体及封固树脂（步骤S20）。在此，如图4A所示，使用充填装置（在图4A仅表示了喷嘴32）将封固树脂15及荧光体16的混合体充填到导电体12b的凹部，以封固连接了连线14a、14b的LED元件13。此后，如图4B所示，在封固树脂15基本形成为球面状外形的状态下，使封固树脂15固化（步骤S30）。
接着，进一步封固在上一工序中由封固树脂15形成的封固体、露出的连线14a、14b、导电体12a、12b的一部分（步骤S40）。
首先，如图5所示，导电体12a、12b以前端部朝上的方式设置在注塑模33上。例如，在由金属制成的注塑模33上，与透明树脂17部分的形状相吻合地形成有凹部。使由封固树脂15形成的封固体进入该凹部，并借助未图示的支撑手段，使封固体在注塑模33的凹部入口被卡止。接着，使用充填装置（在图5中仅表示喷嘴34），从注塑模33的规定入口向凹部内填充透明树脂17。图5中为大体全部填满透明树17的状态。因此，导电体12a,12b的前端部没有被透明树脂17浇注而露出。此后，使浇注的透明树脂17固化。在本说明书中，设此状态为后述的半成品100。
另外，如图6所示，也可以同时形成多个发光装置。在这种情况下，在图6的注塑模33上设有多个凹部，可以利用充填装置的喷嘴34依次向凹部填充透明树脂17。在图3及图4所示的工序中，也可以同时进行多个处理。
接下来，调整LED发光装置的色度（步骤S50）。在该工序中，首先，使用如图7所示结构，测定半成品100的色度。
光特性测定装置40具有：光特性测定室41，电源42，探测部件43，测定装置44以及控制部48。
将半成品100设置在光特性测定室41内，将导电体12a、12b与电源42相连接。在光特性测定室41内的半成品100的透明树脂17的上方设置探测部件43。探测部件43是检测来自半成品100的光的受光体。在本实施方式中，探测部件43具有碗状（bowl）形状，其内面朝向半成品100的透明树脂17。探测部件43与测定装置44相连接。测定装置44是测定探测部件43检测出的光，输出如图8所示的可用作基于CIE（国际照明委员会）-XYZ显色系的色度（X，Y）的测定结果的装置。控制部48由CPU（Central Processing Unit）、RAM（Rondom AccessMemory）以及ROM（Read Only Memory）等构成，控制光特性测定装置40的全盘动作。在实施例中，虽然由碗状（bowl）的探测部件接受全方位的光，但也可以接受指定角度方向的光。或者，也可以使用可移动的探测部件分别接受各个角度方向的光。另外，在本工序中，在测定色度的同时测定全光束，但是，也可以不限于色度、全光束，而是测定各种光特性。
基于图7的色度测定的结果，用例如图8A～C的×标记标注。在图8A～C中，作为一例，对9个发光装置标注了测定结果。对各个发光装置分别附上了1-9的样品编号，在该图中示出了测定结果和对应的样品编号。该结果，在作为发光装置的规定的合格范围内没有问题，但是，图8A的×标记的一例均设为蓝色较强且色度超出合格范围。
针对色度在合格范围外的半成品100，使用如图9所示的ALD装置，通过ALD（AtomicLayer Deposition：原子层沉积）法在透明树脂17的表面形成透明膜18。另外，也可以使用ALD法中的例如热ALD法以及PE-ALD（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition）法。特别是，在如本说明书中所记载的这种发光装置中，最好选用温度较低且可以形成致密层的PE-ALD法。
在本实施方式中，使用TiO2作为透明膜18的材料。由TiO2形成的透明膜18具有比由硅树脂形成的透明树脂17的材料的折射率（约1.41）更高的约2.42的折射率，起到反射短波长侧的光的作用，即在本实施方式中起到反射蓝色光的反射膜的作用，因此，具有使得发光装置10向外部射出的光的色度向长波长侧变化的效果。可根据图8A的×标记所示的色度的测定结果，通过透明膜18的厚度调整这种效果。
使用ALD装置50形成透明膜18。ALD装置50具有：成膜室51，供气部52，排气装置53，以及控制部58。供气部52以及排气装置53与成膜室51相连。控制部58由CPU，RAM以及ROM等构成，控制ALD装置50的全盘动作。
透明膜18的成膜工序大体如下。首先，将半成品100设置在成膜室51内的规定位置，从供气部52向成膜室51供给含有Ti的原料气体。在实施例中，使用了四异丙醇钛(Titanium-Tetraisopropoxide，TTIP），但原料气体的种类不限于此。在使Ti原子吸附到半成品100的表面之后，利用排气装置53净化原料气体。此后，向成膜室51内供给氧化气体以使得半成品100的Ti原子氧化而形成TiO2。在成膜室51净化氧化气体之后，不断进行上述循环作业直到形成预期的膜厚为止。在本实施方式中，在样品编号1-3的发光装置、样品编号4-6的发光装置、样品编号7-9的发光装置上分别形成10nm、20nm、30nm的TiO2。
在半成品100上形成完透明膜18之后，使用图7的光特性测定装置40对该半成品100再次测定色度。图8A～C的□标记表示再测定的结果。图8A、8B、8C分别表示形成了10nm、20nm、30nm的TiO2时的色度变化。与×标记同样，□标记也由各自的样品编号表示，观察同一样品编号的标记可以看出色度由×标记分别向□标记发生变化。这意味着通过蓝色被透明膜18反射而蓝色成分减少，作为全体射出光，长波长侧的红色及绿色变强。另外，透明膜18的厚度越大色度变化就越大，由此可知可通过调整膜厚来调整色度。
通过标注为图8A的□标记，表明作为发光装置的色度进入合格范围内，至此，完成制作图1所示的发光装置10。
对色度进入合格范围内的发光装置10的全光束进行实际测定的结果表明，形成10nm的TiO2的样品编号1-3的发光装置的平均变化率为-1.4%，形成20nm的TiO2的样品编号4-6的发光装置的平均变化率为-3.1%，形成30nm的TiO2的样品编号7-9的发光装置的平均变化率为-4.2%。与形成透明膜18之前相比，光束变化量非常微小，由此获得了可在调节色度的同时将全光束减少控制在微量程度的、传统技术所没有的效果。
同样，准备通过供给含有Nb的原料气体而形成Nb2O5膜的样品，以及通过供给含有Ta的原料气体而形成Ta2O5膜的样品，并对这些样品进行色度测定及全光束测定的结果，确认了均能够抑制全光束减少且色度发生了变化的情况。
在本实施方式中，对发光装置的半成品100，在透明树脂17的表面形成透明膜18。由于透明膜18的膜厚极薄，为数十nm，因此对于发光装置外形的影响极小。另外，根据如本实施方式的ALD法，可以一层一层地形成原子层，所以容易控制膜厚，并且，可以形成均匀性较高的膜层。因此，可以通过在生产线上追加色度调整工序，提高产品的成品率。另外，在半成品100的生产工序中，设定与最终产品所要求的色度不同的目标色度，只要在色度调整工序中采用可实现预期色度的构造，则可以更好地提高制品的成品率。例如，将色度坐标的x值或者y值设定为比最终产品所要求的色度偏小的目标值来制成半成品100，再形成各自所需的膜厚的TiO2膜来增加x值或y值。
另外，在本实施方式中，为了便于说明，设没有形成透明膜18的状态的发光装置为半成品100，但是，对所谓成品发光装置也可以进行色度的调整。也就是说，通过追加形成具有规定的色度调整效果的透明膜，可以控制对外形的影响，同时能够实现预期的色度。如上所述，根据本实施方式，可以提供即使表面为非平坦面也可以具有均匀且对外形影响小的色度调整层（透明膜18）的发光装置、发光装置的制造方法以及发光装置的色度调整方法。
（第2实施方式）
在第1实施方式中，通过ALD法形成了透明膜18，但是，也可以如本实施方式，通的溅镀法（sputtering）或者CVD（Chemical Vapor Deposition：化学气相成长）法形成合适的透明膜18。
如图10A所示，溅镀装置60具有：成膜室61，供气部62，排气装置63，靶源64a、64b,电源65，以及控制部68。供气部62及排气装置63与成膜室61连接设置。靶源64(a)、64b配置在成膜室61内的规定位置上，与电源65连接。控制部68由CPU、RAM及ROM等构成，控制溅镀装置60的全盘动作。
首先，在连接设置了供气部62和排气装置63的成膜室61内的规定位置，设置半成品100。在半成品100的上方，相互对置地配置由作为透明膜18的材料Ti形成的2个靶源64a、64b。即，最好将靶源64a、64b配置成分别处于半成品100的斜上方。
此后，将成膜室61内设成例如O2与Ar的混合气体氛围，对靶源64a、64b施加规定的电压，以对半成品100进行溅镀。由此，在半成品100上形成透明膜18。在实施例中使用了Ti靶源，但是，也可以通过采用了TiO2靶源的RF(Radio Frequency：高频)溅镀法形成TiO2膜。采用了TiO2靶源时，因成膜速度慢，具有容易控制膜厚的优点。在形成了规定厚度的透明膜18以后，与第1实施方式同样进行色度的测定来确认处于合格范围内，由此完成发光装置10。
在透明膜18的形成中，也可以如图10B所示使用具有多个靶源的溅镀装置60。在图10B中，作为一例示出了靶源64和电源50的3组组合。通过使靶源64分别面对炮弹型的半成品100的上面及侧面，可以在半成品100的整面上形成均匀的透明膜18。为了形成均匀膜，也可以在成膜过程中驱动半成品100或靶源64旋转。在实施例中，实施了将ZnO作为靶源的RF溅镀，形成了由ZnO构成的透明膜18。并且，确认了与TiO2同样抑制全光束减少，且色度发生了变化的情况。
另外，也可以使用如图10C所示的具有成膜室51、供气部52、排气装置53及控制部58的CVD装置55。在实施例中，从供气部52向成膜室51内供给四异丙醇钛(Titanium-Tetraisopropoxide，TTIP）、氩气、氧气，以CVD法形成TiO2透明膜18。只要供给含有Ti的原料气体、氧气及稀有气体，气体种类不限于实施例。
（第3实施方式）
在第1实施方式中，例举说明了在1个半成品上形成透明膜18的例子。除此之外，也可以如本实施方式所示，将多个半成品100聚集在一起通过ALD法形成透明膜18。
如图11所示，例如在成膜室51内的规定位置上排列设置10个半成品100。在这种状态下，与第1实施方式同样，使用供气部52及排气部53分别向成膜室51内供给原料气体及氧化气体，并进行净化。由此，在半成品100的表面形成透明膜18。反复进行该循环操作直到达到预期的膜厚。在本实施方式中，预先对多个半成品100的色度进行测定和分组，并同时处理同等色度范围的半成品100。通过同时处理同等色度范围的半成品100，形成同样厚度的透明膜18，由此可以使多个制品同时达到合格范围的色度。
由于通过ALD法，也能够利用气体在多个半成品100上形成高均匀性的透明膜18，所以特别适合如LED发光装置这种批量生产的制品。另外，图示中只示出了10个半成品100的例子，但是也可以根据ALD装置的规格和/或半成品100的大小、透明膜18的成膜条件来适当决定可供1次处理的数量。
（第4实施方式）
在第1实施方式中，以炮弹型的发光装置10为例进行了说明，但是发光装置的形状不限于此。例如，可以使用如本实施方式那样的表面安装型的发光装置。
如图12所示，发光装置20具有：基板21，导电体22a、22b,LED元件23，连线24a、24b，封固树脂25，荧光体26，以及透明膜28。
在由树脂、陶瓷等形成的基板21的一个表面上，形成倒圆锥台形或者倒三角锥台形的凹部的反射部29。LED元件23搭载在反射部29的底面。因此，从发光装置20射出的光按照反射部29的倾斜面的角度进行扩散。
导电体22a、22b通过浇注（mold）等方法固定到基板21上，导电体22a、22b的一部分露出于反射部29的底面以及基板21的外部。LED元件23的2个电极通过连线24a、24b分别与导电体22a、22b电连接。
分布有荧光体26的封固树脂25封固LED元件23，并且填充到形成于基板21上的反射部29内。LED元件23、封固树脂25及荧光体26可以分别使用与第1实施方式相同的LED元件13、封固树脂15及荧光体16。
在本实施方式中，封固树脂25的表面及其周围的基板21的表面为同一平面，透明膜28形成在该同一平面上。在本实施方式中没有形成与第1实施方式的透明树脂17相当的部分，但也可以在封固树脂25上另外形成透明树脂，且在其上形成透明膜28。
接着，对本实施方式的发光装置20的制造方法中的特别是透明膜28的形成工序进行说明。
如图13所示，本实施方式中透明膜28的形成是通过使用溅镀装置60的溅镀法来进行。另外，对于具有与上述实施方式相同功能的构成物标注相同的符号（以下相同）。
首先，在连接设置了供气部62和排气装置63的成膜室61内的规定位置上，设置半成品200。在此，与发光装置的半成品100一样，半成品200也是指没有形成发光装置20中的透明膜28的制品。
在成膜室61内的半成品200的上方，靶源64与半成品200对置设置。与第2实施方式的情况相同，靶源64由Ti形成。并且，靶源64与电源65相连接。
在该状态下，将成膜室61内设成例如O2和Ar的混合气体氛围，对靶源64施加规定的电压，以对半成品200进行溅镀。由此形成TiO2膜，成为如图13所示的透明膜28。与第1实施方式同样，可根据色度测定的结果决定透明膜28的厚度。
如上所示，对于这种表面为平坦状的表面安装型的发光装置20，如图13所示，可以使用单靶源型的溅镀法。另外，根据发光装置表面的形状等条件，也可以通过如上述实施方式那样的ALD法、溅镀法或CVD法形成透明膜28。
（第5实施方式）
在第1实施方式中，半成品100的色度测定工序和透明膜18的形成工序是分别使用不同的光特性测定装置40和ADL装置50来进行的。除此之外，也可以如本实施方式，将两个装置的功能放在一个室内进行。
如图14所示，本实施方式中，使用了将光特性测定装置40和ADL装置50的功能集于一个处理室71进行的混合（hybrid）型成膜装置70。因此，在本实施方式中，通过使半成品100移动，实施色度的测定和透明膜的成膜。
在处理室71的规定位置上设置半成品100。在半成品100的上方设置探测部件43。在本实施方式中，半成品100固定于支架（arm）46上。半成品100可通过驱动机构45从图示的位置向左右方向移动。另外，也可以将半成品100固定在支架（arm）46上，通过支架（arm）46相对于驱动机构45的移动，使半成品100在左右方向上移动。另外，控制部78由CPU、RAM及ROM所构成，控制混合（hybrid）型成膜装置70的全盘动作。
在色度的测定中，如图14所示，探测部件43设置于半成品100的上方，即设置于与光的射出方向的相对置的位置。之后，与第1实施方式同样，使用电源42、探测部件43以及测定装置44测定半成品100的色度。
接下来，在透明膜18的形成工序中，如图15所示，使半成品100移到离开探测部件43的位置上。图中虽没有表示，但也可以设置用于使得探测部件43免受原料气体等的影响的密封件等。在图15的状态下，使用供气部52和排气部53，与第1实施方式同样，通过ALD法在半成品100的表面形成透明膜18。
之后，再使半成品100返回到图14的位置，再次测定色度。当色度达到合格范围内时，发光装置10的制作完成。
通过采用本实施方式的这种结构，可以在1个处理装置中实施色度的测定工序、透明膜的形成工序及膜形成后的色度再测定工序。由此可以实现工序时间的缩短及制造成本的降低。在图14及图15中，仅对在1个半成品100上形成透明膜18的例进行了说明，但是也可以同时处理多个半成品。
另外，本发明不限于上述的实施方式及具体例，可以进行各种变形和应用。
例如，在上述的各种实施方式中，作为透明膜的材料使用的是TiO2、ZnO、Ta2O5、Nb2O5，除此之外，还可以使用ZrO2、HfO2等高折射率的材料。实际测量各个实施方式及比较例中所使用的材料的波长450nm的折射率结果如下：TiO2的折射率为2.4，ZnO的折射率为1.9，Ta2O5的折射率为2.2，Nb2O5的折射率为2.4，ZrO2的折射率为2.1，HfO2的折射率为2.0，SiO2的折射率为1.5，Al2O3的折射率为1.7。
在上述各个实施方式中示出了在半成品上形成了透明膜的构造，对于色度超出了合格范围的不良品可以实施第1至第5实施方式。由于只要将上述各个实施方式中的半成品替换为不良品即可，所以在此省略详细说明。对于虽然是成品但是色度超出了合格范围的不良品，则通过使用第1至第5实施方式来调整色度，可以挽救过去作为不良品而废弃的制品。通过在LED发光装置生产线的最终工序中设置本实施方式的色度调整工序，可以提高生产线的合格率。
另外，在上述各个实施方式中，对在所谓的炮弹型及表面安装型LED发光装置上的透明膜的形成进行了说明，但是LED装置的形状不限于此。可以根据该形状等条件，适当使用的PE-ALD法、CVD法、溅镀法、多靶源型的溅镀法以及单靶源型的溅镀法。
另外，在上述的各实施方式中，对蓝色LED元件、红色及绿色荧光体的组合进行了说明。除此之外，本说明书的制造方法特别是色度调整方法也可以适用于蓝色LED元件和黄色荧光体的组合，或组合了蓝色、红色及绿色LED元件等的多芯片方式的发光装置。
另外，可以将散热器（heat sink）等部件与发光装置形成为一个整体。
另外，本发明可以在不脱离本发明的广义的精神以及范围的情况下，形成各种实施形态及变更，不由此限定本发明的范围不受限定。也就是说，本发明的范围不是由实施方式而是由权利要求的范围所表示。并且，在权利要求的范围内以及与其同等的发明意义的范围内所实施的各种变形都视为在本发明的范围之内。
并且，使用在与公知文献（特开2010-16029号）对比中的以下的模拟实验结果，说明本申请发明的特征说明。
如模拟实验结果所示，与公知文献的封固材料（本申请中为透光部件）的折射率相比，透明薄膜（本发明中为反射膜）的折射率的大小有很大的差异。
首先，如公知文献所示，在（封固材料的折射率）＞（透明薄膜的折射率）的情况下，反射率模拟实验结果如参考图1、2所示。模拟实验的条件设定为：封固材料的折射率为1.53，透明薄膜的折射率为1.48，透明薄膜的膜厚为304nm、380nm、10nm、30nm、50nm、100nm。另外，参考图2是为了更加便于观察参考图1而放大了图1的比例的视图。
参考图2表示与公知文献图3相同的结果。即，在参考图2中，在304nm时，黄色光的反射率降低，在380nm时，蓝色光的反射率减低。
接着，以本申请的发明为例，参考图3示出在（封固材料的折射率）＜（透明薄膜的折射率）时的反射率模拟实验结果。模拟实验的条件设定为：封固材料的折射率为1.41，透明薄膜的折射率为2.42，透明薄膜的膜厚为304nm、380nm、10nm、30nm、50nm、100nm。
为了调整色度，重要的是与作为对象的波长相对应的反射率的变化量（变化幅度）。即，可以说假设对波长A的反射率a高，对波长B的反射率b低时的反射率之差（a-b）大的一方有利于色度调整。有关这一点上，对参考图1、2与参考图3进行比较可知，在现有文献记载的发明与本申请的发明中，在反射率的变化幅度上有着很大差别。
在这一点上，与现有文献（参考图1、2）相比，可以明显看出本申请的发明（参考图3）所取得的反射率之差（a-b）非常大。例如，在现有文献中，即使附上300nm的膜厚，也只能获得1%左右（参考图2）的反射率变化幅度（波长400nm到波长750nm之间的变化），与此相比，本申请的发明在30nm的薄膜时可以获得10%以上（参考图3）的反射率变化幅度。即，使用现有文献1/10的厚度可以获取现有文献的10倍的变化幅度。
另外，这种差异在透明薄膜的膜厚小的情况下更为明显。在公知文献的例中，例如10nm这样的膜厚极薄时的反射率几乎没有变化。与此相比，本申请的发明中，即使是例如10nm的极薄膜，也可以使得反射率发生变化。参考图2中的10nm的反射率的变化幅度（从波长400nm到750nm之间的变化）不到0.05%，与此相比，参考图3中10nm的反射率的变化幅度（从波长400nm到750nm之间的变化）达到5%左右，由此可知，参考图3在同样厚度时可以得到100倍左右的变化幅度。另外，具有如下显著的效果：通过在这种极薄膜中使色度变化量充分大，能够在抑制全光束减少的同时容易进行色度调整。另外，当把如硅树脂那样的线膨胀系数大的材料用作透光部件时，透明薄膜厚度越大越在成膜中越容易在树脂膜上产生热过程，但是，通过厚度为50nm以下，可以具有减小热过程（heat history）影响的效果。
另外，在如公知文献的（封固材料的折射率）＞（透明薄膜的折射率）的情况下，如参考图4的反射率模拟实验结果表明，在膜厚为50nm以下的薄膜时，与长波长侧相比更多地切断（反射）短波长侧的光较为困难。加之，当（封固材料的折射率）＞（透明薄膜的折射率）时，从参考图4可以清楚地看出，即使加大折射率之差，反射率的变化幅度还是很小。
与此相比，在本申请的发明例中，如参考图5的反射率模拟实验结果所示，能够用膜厚为50nm以下的膜容易得到对短波长侧的光的切断比对长波长侧的光的切断更大的结构。
如以上说明，在技术上，封固材料的折射率和透明薄膜的折射率的大小相差很大。
参考图1（引用文献1）封固材料：1.53，透明薄膜：1.48
参考图2（引用文献1）封固材料：1.53，透明薄膜：1.48
参考图3（本申请发明）封固材料：1.41，透明薄膜：2.42
参考图4（引用文献1）封固材料：2.4，透明薄膜：1.3
参考图5（本申请发明）封固材料：1.41，透明薄膜：2.41
本申请以2012年8月13日提交的日本专利申请2012-179594号及2012年9月4日提交的日本专利申请2012-194128号为基础。本说明书中参照和引用了日本专利申请2012-179594号及日本专利申请2012-194128的说明书、权利要求书及所有附图。
附图标记说明
10、20 发光装置
21 基板
12a、12b、22a、22b 导电体
13、23 LED元件
13a、123b 电极
14a、14b、24a、24b 连线
15、25 封固树脂
16、26 荧光体
17 透明树脂
18、28 透明膜
19、29 反射部
31 焊接（bonding）装置
32、34 喷嘴
33 注塑模
40 光特性测定装置
41 光特性测定室
42、65 电源
43 探测部件
44 测定装置
45 驱动机构
46 支架(arm)
48、58、68、78 控制部
50 ALD装置
51、61 成膜室
52、62 供气部
53、63 排气装置
55 CVD装置
60 溅镀装置
64、64a、64b 靶源
70 混合（hybrid）型成膜装置
71 处理室
100、200 半成品

Claims (14)

1.一种发光装置的制造方法，其特征在于，具有：
搭载发光元件的搭载工序；
搭载荧光体的荧光体搭载工序，该荧光体被所述发光元件发出的光所激发而发出荧光；
使用透光部件封固所述发光元件的封固工序；
使所述发光元件发光，测定与所述荧光混合的混合光的色度的测定工序；以及
根据所述测定的色度，在所述透光部件上形成反射膜的反射膜形成工序，该反射膜具有透光性和比所述透光部件的折射率更大的折射率、且反射所述混合光中的规定波长的光；
其中，针对超出规定的合格色度范围的发光元件，在所述反射膜形成工序中，在所述透光部件的外侧表面上以50nm以下的膜厚形成反射膜，该反射膜反射所述混合光中的短波长侧的光的规定部分；
根据调整色度，决定所述反射膜的折射率及所述膜厚。
2.如权利要求1所记载的发光装置的制造方法，其特征在于，通过原子层沉积法形成所述反射膜。
3.如权利要求1所记载的发光装置的制造方法，其特征在于，通过溅镀法或者化学气相沉积法形成所述反射膜。
4.如权利要求2所记载的发光装置的制造方法，其特征在于，将通过封固工序形成的多个封固体设置在同一个处理室内，以提供给所述反射膜形成工序。
5.如权利要求3所记载的发光装置的制造方法，其特征在于，根据事先测定的所述发光装置的色度，将所述发光装置进行分组，并将同等色度范围的所述发光装置设置在同一处理室内，同时进行处理。
6.如权利要求1所记载的发光装置的制造方法，其特征在于，所述透光部件的折射率与所述反射膜的折射率之差为0.3以上。
7.如权利要求1所记载的发光装置的制造方法，其特征在于，所述发光装置具有：发出所述短波长侧的蓝色光的发光二极管元件；以及荧光体，该荧光体被所述蓝色光所激起而发出比所述蓝色光更高波长侧的荧光。
8.如权利要求1所记载的发光装置的制造方法，其特征在于，所述透光部件具有炮弹型形状。
9.如权利要求1所记载的发光装置的制造方法，其特征在于，所述反射膜的材料是从由TiO2、ZnO、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、HfO2以及Al2O3构成的群组中选出的一种材料。
10.如权利要求1所记载的发光装置的制造方法，其特征在于，所述透光部件具有一层或者多个层，其最外层由硅树脂形成。
11.一种发光装置的色度调整方法，该发光装置射出发光体发出的多色混合光，在射出面上形成有透光部件，该色度调整方法的特征在于，
测定所述发光装置射出的光的色度；
根据所述色度，在所述透光部件的表面形成反射膜，该反射膜具有透光性和比所述透光部件的折射率更大的折射率、且反射所述发光体发出的光中的规定波长的光；
针对超出规定的合格色度范围的发光装置，在所述透光部件外侧表面上以50nm以下的膜厚形成反射膜，该反射膜反射所述发光体发出的光中的短波长侧的光的规定的一部分；
根据调整色度来决定所述反射膜的折射率及所述膜厚。
12.一种发光装置的色度调整装置，其特征在于，具有：
测定装置，测定所述发光装置射出的光的色度；以及
反射膜形成装置，在所述发光装置的外侧表面上形成反射膜，该反射膜具有透光性且反射由所述发光装置射出的光中的规定波长的光，
根据所述测定装置的输出，决定所述反射膜的折射率及膜厚，
所述发光装置射出发光体发出的多色混合光，在射出面形成透光部件，
所述反射膜的折射率大于所述透光部件的折射率，
所述反射膜形成装置以50nm以下的膜厚形成反射膜，该反射膜反射所述发光体发出的光中的短波长侧的光的规定部分。
13.如权利要求12所记载的发光装置的色度调整装置，其特征在于，所述反射膜形成装置为原子层沉积装置。
14.如权利要求12所记载的发光装置的色度调整装置，其特征在于，所述反射膜形成装置将通过封固工序所形成的多个封固体设置于同一处理室内，同时形成所述反射膜。
CN201310343931.7A 2012-08-13 2013-08-08 发光装置的制造方法、发光装置的色度调整方法及发光装置的色度调整装置 Active CN103594566B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-179594 2012-08-13
JP2012179594 2012-08-13
JP2012194128A JP5261742B1 (ja) 2012-08-13 2012-09-04 発光装置の製造方法及び発光装置の色度調整方法
JP2012-194128 2012-09-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103594566A CN103594566A (zh) 2014-02-19
CN103594566B true CN103594566B (zh) 2017-12-15

Family

ID=49053018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310343931.7A Active CN103594566B (zh) 2012-08-13 2013-08-08 发光装置的制造方法、发光装置的色度调整方法及发光装置的色度调整装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5261742B1 (zh)
KR (1) KR102039430B1 (zh)
CN (1) CN103594566B (zh)
TW (1) TWI591858B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201417353A (zh) * 2012-08-29 2014-05-01 Sharp Kk 發光元件及發光元件之製造方法
WO2014132542A1 (ja) * 2013-02-26 2014-09-04 シャープ株式会社 発光素子
JP6750252B2 (ja) * 2016-02-29 2020-09-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN110630976A (zh) * 2018-06-22 2019-12-31 株式会社小糸制作所 发光模块

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101447544A (zh) * 2007-11-27 2009-06-03 夏普株式会社 发光元件及其制造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4292794B2 (ja) * 2002-12-04 2009-07-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置の製造方法および発光装置の色度調整方法
JP2006286906A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Sony Corp 発光ダイオード装置とこれを用いたバックライト装置及び液晶表示装置
JP5334088B2 (ja) * 2007-01-15 2013-11-06 フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー 半導体発光装置
JP2009076656A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Sharp Corp 発光装置、画像表示装置および液晶ディスプレイ
JP2009193994A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Citizen Holdings Co Ltd Ｌｅｄ光源およびその色度調整方法
JP2009193995A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Citizen Holdings Co Ltd Ｌｅｄ光源およびその色度調整方法
JP2009231569A (ja) 2008-03-24 2009-10-08 Citizen Holdings Co Ltd Ｌｅｄ光源およびその色度調整方法
JP5025625B2 (ja) * 2008-03-25 2012-09-12 株式会社東芝 発光装置の製造方法
WO2009118985A2 (en) * 2008-03-25 2009-10-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device, and method and apparatus for manufacturing same
JP2010016029A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Citizen Holdings Co Ltd Ｌｅｄ光源
JP4808244B2 (ja) * 2008-12-09 2011-11-02 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101447544A (zh) * 2007-11-27 2009-06-03 夏普株式会社 发光元件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI591858B (zh) 2017-07-11
KR102039430B1 (ko) 2019-11-01
CN103594566A (zh) 2014-02-19
TW201407834A (zh) 2014-02-16
KR20140021977A (ko) 2014-02-21
JP2014056849A (ja) 2014-03-27
JP5261742B1 (ja) 2013-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI401820B (zh) 發光元件及其製作方法
CN103594566B (zh) 发光装置的制造方法、发光装置的色度调整方法及发光装置的色度调整装置
JP5076121B2 (ja) 発光ダイオード装置及びその製作方法
CN101699638A (zh) 一种荧光粉膜层制作方法及其得到的荧光粉膜层封装方法
US8408960B2 (en) Method of fabricating an organic light emitting diode using phase separation
CN102723424B (zh) 一种led用荧光薄片的制备方法
CN102544252B (zh) 一种利用基板高漫反射光学设计进行高效led芯片封装方法
CN101881420B (zh) 一种使用具有透明基材的荧光转换装置的led光源
JP2009096653A (ja) 色変換部材の製造方法
CN109713026A (zh) 一种硅基电致发光显示面板及其制造方法、显示装置
CN103311400A (zh) 发光二极管封装结构的制造方法
CN109037271A (zh) 光学器件及其制造方法、显示装置
CN105140379B (zh) 一种在空间立体角发光色温均匀的白光led器件及其封装方法
CN106257695A (zh) 发光二极管封装件及其制造方法
JP6307707B2 (ja) 発光装置の製造システム
TW200903851A (en) Phosphor package of light emitting diodes
CN107785463A (zh) 一种用于显示器的micro LED芯片的制备方法
CN100463239C (zh) 发光半导体组件封装结构及其制造方法
CN102751428B (zh) 一种光转换结构及其制造方法及发光二级管器件
CN100359705C (zh) 白光二极管制造方法
JP2008270390A (ja) フロントカバー、発光装置およびフロントカバーの製造方法
KR101618244B1 (ko) 3d 프린팅 방법을 이용한 백색 발광다이오드의 제조방법 및 이로부터 제조된 백색 발광다이오드
CN206098448U (zh) Led灯
CN103050612A (zh) 一种白光led荧光粉涂布工艺
KR20110125990A (ko) Ｌｅｄ패키지 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant