CN103594548B - 一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法 - Google Patents
一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103594548B CN103594548B CN201310234487.5A CN201310234487A CN103594548B CN 103594548 B CN103594548 B CN 103594548B CN 201310234487 A CN201310234487 A CN 201310234487A CN 103594548 B CN103594548 B CN 103594548B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal silicon
- solar batteries
- silicon solar
- rare earth
- conversion efficiency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 54
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 54
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 7
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims abstract description 7
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 13
- -1 rare earth ion Chemical class 0.000 abstract description 20
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 6
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 230000005658 nuclear physics Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007634 remodeling Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法，包括以下步骤：（1）对硅片制绒，扩散制PN结，刻蚀清洗，PECVD镀减反射膜；（2）在减反射膜中进行稀土离子注入；（3）注入完成后，将硅片在氮气气氛的高温炉里退火，取出冷却至室温；（4）最后对硅片丝网印刷制电极，烧结形成具有光波转换特性的成品晶硅太阳能电池。本发明在减反射薄膜上利用离子注入技术对其掺杂稀土离子，使其具备光转换特性，提高了晶硅太阳能电池在高能量紫外区域光子利用率，从而提高了电池转换效率；工艺简单易行，能够与现有的电池片制造工序相衔接，不需要对现有设备进行改造，节约成本，离子注入技术容易实现量产，可行性好。
Description
技术领域
本发明涉及晶硅太阳能电池生产技术领域，特别涉及一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法。
背景技术
在大气质量为AM1.5，地面所接收的太阳光功率为1000W/m2的条件下，地球陆地表面太阳光的光谱分布图的分布范围从紫外的0.3μm一直延续到红外的2.5μm。由于硅的禁带宽度为1.1eV(λ=1100nm)，一般来说，与硅太阳能电池响应很好的光波长应该是在1.1eV附近。高于禁带宽度的紫外光子大多数转化为硅的晶格振动，以热能的形式散发出去了，而低于禁带宽度的光子便不能被半导体硅所吸收从而产生电子-空穴对，所以目前能够被硅太阳能电池利用的太阳光光谱范围一般在500nm-900nm。计算结果显示：能够被硅太阳能电池直接利用的部分只有468W/m2，而近乎一大半的太阳光都不能被其直接地利用。
对于如何实现晶硅太阳能电池对更多的太阳光的吸收，人们提出很多方法，比如说：异质结太阳能电池拓宽电池禁带宽度(申请号201110271642.1)，使太阳能电池吸收更广光谱的太阳光，提升电池转换效率。在拓宽晶硅太阳能电池吸收光谱的方法中，利用稀土离子的光转换特性也被人们高度关注，早在2002年，澳大利亚科学家就提出利用下转换（量子剪裁）和上转换分别将高能量的光以及低能量光转换成与太阳能电池相匹配的光（文献：T.Trupke,M.A.Green,P.Wurfel.Improvingsolarcellefficienciesbydown-conversionofhigh-energyphotons[J].J.Appl.Phys.,2002:92:1668.）。然而常规的晶硅太阳能电池利用稀土离子实现光波转换，其工艺复杂，可行性难度大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法，在晶硅太阳能电池减反射薄膜上利用离子注入技术对其掺杂稀土离子，使其具备光转换特性，提高了晶硅太阳能电池在高能量紫外区域光子利用率，从而提高了电池转换效率；工艺简单易行，能够与现有的电池片制造工序相衔接，不需要对现有设备进行改造，节约成本，离子注入技术容易实现量产，可行性好。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法，包括以下步骤：
（1）对硅片制绒，扩散制PN结，刻蚀清洗，PECVD镀减反射膜。
（2）在减反射膜中进行稀土离子注入，注入稀土离子的参数为：注入能量70-100KeV，注入剂量为1×1015-2×1015cm-2；本发明在注入时无需进行加热即可实现稀土离子注入，节能环保。注入稀土离子的参数为针对减反射膜而进行开发的参数，这样稀土离子注入效果好。
（3）注入完成后，将硅片放在800-1000℃，氮气气氛的高温炉里退火30-60min，取出冷却至室温。通过控制退火参数，使注入的稀土离子具备较佳的电活性。
（4）最后对硅片丝网印刷制电极，烧结形成具有光波转换特性的成品晶硅太阳能电池。
离子注入技术提出与上个世纪五十年代，刚提出时是利用在原子物理和核物理领域。随着离子注入工艺的成熟，这种技术被用于半导体制造行业，主要是利用离子注入技术对半导体进行掺杂。离子注入技术相比传统工艺具备很多优点，比如：可控性好，离子注入技术能够精确控制掺杂浓度分布和掺杂深度；注入温度低，一般在400℃，后续退火温度也仅在1000℃以内，可避免高温带来的缺陷、杂质的推移等问题；均匀性好，大面积注入时能保证良好的均匀性。
本发明在晶硅太阳能电池减反射薄膜上利用离子注入技术对其掺杂稀土离子，使其具备光转换特性，提高晶硅太阳能电池在高能量紫外区域光子利用率，从而提高电池转换效率。本发明所涉及的方法能够与现有的电池片制造工序相衔接，不需要对现有设备进行改造，节约成本；相比其它工艺，离子注入技术容易实现量产。
作为优选，步骤（2）中所选择的稀土离子具备吸收波长250-400nm紫外光转换成波长500-700nm可见光的特性。具备这样特性的稀土离子均可使用，能有效提高晶硅太阳能电池在高能量紫外区域光子利用率，从而提高电池转换效率。
作为优选，所述稀土离子为Eu3+或Tb3+。选择Eu3+或Tb3+稀土离子，原料易得，成本相对较低，且提高晶硅太阳能电池在高能量紫外区域光子利用率的效果最佳，从而提高电池转换效率也最佳。
作为优选，步骤（1）中减反射膜厚度控制在75-90nm，折射率控制在2.0-2.1。这样利于稀土离子注入，注入效果好，利于提高电池转换效率。
本发明的有益效果是：在晶硅太阳能电池减反射薄膜上利用离子注入技术对其掺杂稀土离子，使其具备光转换特性，提高了晶硅太阳能电池在高能量紫外区域光子利用率，从而有效提高电池转换效率。工艺简单易行，能够与现有的电池片制造工序相衔接，不需要对现有设备进行改造，节约成本，离子注入技术容易实现量产，可行性好。
附图说明
图1为稀土Eu3+的激发和发射光谱图。
图2为稀土Tb3+的激发和发射光谱图。
具体实施方式
下面通过具体实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的具体说明。
本发明中，若非特指，所采用的原料和设备等均可从市场购得或是本领域常用的。下述实施例中的方法，如无特别说明，均为本领域的常规方法。
本发明所选择的稀土离子具备吸收波长250-400nm紫外光转换成波长500-700nm可见光的特性。
实施例1：
选择156单晶硅片，通过对硅片制绒（现有工艺）、扩散制PN结（现有工艺）、刻蚀清洗（现有工艺）、PECVD镀Si3N4减反射膜（现有工艺），膜厚75nm、折射率2.0。随后在减反射膜中进行稀土Eu3+离子注入，注入参数：注入能量70KeV，注入剂量为2×1015cm-2。注入完成后，硅片在氮气气氛，800℃的高温炉里退火60min，取出冷却至室温。对样品进行荧光光谱测试，可获得如附图1的激发、发射光谱图。最后样品通过丝网印刷制电极（现有工艺）、烧结（现有工艺）形成具有光波转换特性的成品晶硅电池，并测试电池电性能特性，与现有普通晶硅太阳能电池相比，电池转换效率提高约0.25%。
实施例2：选择156多晶硅片，通过对硅片制绒、扩散制PN结、刻蚀清洗、PECVD镀Si3N4减反射膜，膜厚80nm、折射率2.05。随后在减反射膜中进行稀土Eu3+离子注入，注入参数：注入能量80KeV，注入剂量为1×1015cm-2。注入完成后，硅片在氮气气氛，800℃的高温炉里退火30min，取出冷却至室温。对样品进行荧光光谱测试，可获得如附图1的激发、发射光谱图。最后样品通过丝网印刷制电极、烧结形成具有光波转换特性的成品晶硅电池，并测试电池电性能特性，与现有普通晶硅太阳能电池相比，电池转换效率提高约0.28%。
实施例3：选择156单晶硅片，通过对硅片制绒、扩散制PN结、刻蚀清洗、PECVD镀Si3N4减反射膜，膜厚90nm、折射率2.1。随后在减反射膜中进行稀土Tb3+离子注入，注入参数：注入能量100KeV，注入剂量为1×1015cm-2。注入完成后，硅片在氮气气氛，1000℃的高温炉里退火30min，取出冷却至室温。对样品进行荧光光谱测试，可获得如附图2的激发、发射光谱图。最后样品通过丝网印刷制电极、烧结形成具有光波转换特性的成品晶硅电池，并测试电池电性能特性，与现有普通晶硅太阳能电池相比，电池转换效率提高约0.32%。
实施例4：选择156多晶硅片，通过对硅片制绒、扩散制PN结、刻蚀清洗、PECVD镀Si3N4减反射膜，膜厚80nm、折射率2.05。随后在减反射膜中进行稀土Tb3+离子注入，注入参数：注入能量80KeV，注入剂量为1×1015cm-2。注入完成后，硅片在氮气气氛，800℃的高温炉里退火30min，取出冷却至室温。对样品进行荧光光谱测试，可获得如附图2的激发、发射光谱图。最后样品通过丝网印刷制电极、烧结形成具有光波转换特性的成品晶硅电池，并测试电池电性能特性，与现有普通晶硅太阳能电池相比，电池转换效率提高约0.38%。
以上所述的实施例只是本发明的一种较佳的方案，并非对本发明作任何形式上的限制，在不超出权利要求所记载的技术方案的前提下还有其它的变体及改型。
Claims (2)
1.一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）对硅片制绒，扩散制PN结，刻蚀清洗，PECVD镀减反射膜；
（2）在减反射膜中进行稀土离子注入，注入稀土离子的参数为：注入能量70-100KeV，注入剂量为1×1015-2×1015cm-2；
（3）注入完成后，将硅片放在800-1000℃，氮气气氛的高温炉里退火30-60min，取出冷却至室温；
（4）最后对硅片丝网印刷制电极，烧结形成具有光波转换特性的成品晶硅太阳能电池；
步骤（2）中所选择的稀土离子具备吸收波长250-400nm紫外光转换成波长500-700nm可见光的特性；所述稀土离子为Eu3+或Tb3+。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（1）中减反射膜厚度控制在75-90nm，折射率控制在2.0-2.1。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310234487.5A CN103594548B (zh) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | 一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310234487.5A CN103594548B (zh) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | 一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103594548A CN103594548A (zh) | 2014-02-19 |
| CN103594548B true CN103594548B (zh) | 2016-02-03 |
Family
ID=50084615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310234487.5A Active CN103594548B (zh) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | 一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103594548B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6948343B2 (ja) * | 2016-04-12 | 2021-10-13 | エージーシー グラス ユーロップＡｇｃ Ｇｌａｓｓ Ｅｕｒｏｐｅ | 反射防止ガラス基板およびそれを製造する方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101728448A (zh) * | 2008-10-30 | 2010-06-09 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 太阳能电池 |
| CN101937944A (zh) * | 2010-08-31 | 2011-01-05 | 上海交通大学 | 双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法 |
| CN102456762A (zh) * | 2010-10-27 | 2012-05-16 | 信义光伏产业(安徽)控股有限公司 | 晶体硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001077388A (ja) * | 1999-09-07 | 2001-03-23 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
-
2013
- 2013-06-14 CN CN201310234487.5A patent/CN103594548B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101728448A (zh) * | 2008-10-30 | 2010-06-09 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 太阳能电池 |
| CN101937944A (zh) * | 2010-08-31 | 2011-01-05 | 上海交通大学 | 双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法 |
| CN102456762A (zh) * | 2010-10-27 | 2012-05-16 | 信义光伏产业(安徽)控股有限公司 | 晶体硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Effect of ion-implanted Eu+3 on the conversion efficiency of amorphous silicon solar cell;D.Diaw;《Solar Energy Materials and Solar Cells》;19990110;379-383 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103594548A (zh) | 2014-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107195699A (zh) | 一种钝化接触太阳能电池及制备方法 | |
| CN103715308A (zh) | 一种多晶硅太阳能电池低温变温扩散工艺 | |
| CN102522449B (zh) | 一种制备硅太阳能电池的磷扩散方法 | |
| Yang et al. | In-situ phosphorus-doped polysilicon prepared using rapid-thermal anneal (RTA) and its application for polysilicon passivated-contact solar cells | |
| JP2018026574A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN103646993A (zh) | 一种背结背接触晶体硅太阳电池的硼扩散工艺 | |
| Arbuzov et al. | Silicon PV cell design and solar intensity radiation optimization for CPV systems | |
| CN103594548B (zh) | 一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法 | |
| US9640450B1 (en) | Method for reducing light-induced-degradation in manufacturing solar cell | |
| CN104064625A (zh) | 一种基于硅纳米锥晶体的全太阳光谱响应的太阳电池制备方法 | |
| CN102779739A (zh) | 功率半导体器件背面制造工艺 | |
| CN104779305A (zh) | 一种基于硅电池的上转换加场效应结构的太阳电池及其制备方法 | |
| CN103035777A (zh) | 一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法 | |
| CN101752443A (zh) | 光伏电池 | |
| CN101436615A (zh) | 一种可用于硅基太阳能电池的光子级联发射材料 | |
| CN104409640A (zh) | 宽光谱太阳能电池材料及其制备方法 | |
| CN103943718A (zh) | 一种制备抗pid薄膜的方法 | |
| CN105762206A (zh) | 晶体硅及其制备方法 | |
| Ryu et al. | High efficiency n-type solar cells with screen-printed boron emitters and ion-implanted back surface field | |
| Jestin et al. | Silicon solar cells with nano-crystalline silicon down shifter: experiment and modeling | |
| CN102683487A (zh) | 一种p型晶硅太阳电池双面扩散方法 | |
| CN106057932A (zh) | 抗辐照太阳能电池制备方法 | |
| CN104505439A (zh) | 一步完成扩散、表面钝化和减反射的太阳电池制备方法 | |
| CN101728448A (zh) | 太阳能电池 | |
| CN105826412B (zh) | 一种太阳能电池及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Method capable of improving conversion efficiency of crystalline silicon solar cell Effective date of registration: 20200708 Granted publication date: 20160203 Pledgee: Dongyang Branch of China Construction Bank Co.,Ltd. Pledgor: HENGDIAN GROUP DMEGC MAGNETICS Co.,Ltd. Registration number: Y2020330000459 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20220110 Granted publication date: 20160203 Pledgee: Dongyang Branch of China Construction Bank Co.,Ltd. Pledgor: HENGDIAN GROUP DMEGC MAGNETICS Co.,Ltd. Registration number: Y2020330000459 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240308 Address after: 644600 Building 72, Jinrun Industrial Park, Gaoxin Community, Gaochang Town, Xuzhou District, Yibin City, Sichuan Province Patentee after: Sichuan Dongci New Energy Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 322118 Hengdian industrial district, Dongyang City, Jinhua, Zhejiang Patentee before: HENGDIAN GROUP DMEGC MAGNETICS Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| TR01 | Transfer of patent right |