CN105990460A - 一种具有黑磷掺杂层的太阳能光伏组件及其制造方法 - Google Patents
一种具有黑磷掺杂层的太阳能光伏组件及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105990460A CN105990460A CN201610635984.XA CN201610635984A CN105990460A CN 105990460 A CN105990460 A CN 105990460A CN 201610635984 A CN201610635984 A CN 201610635984A CN 105990460 A CN105990460 A CN 105990460A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- black phosphorus
- doped layer
- solar photovoltaic
- solar
- adhesive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 8
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 transition metal chalcogenide Chemical class 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0488—Double glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/0288—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table characterised by the doping material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种具有黑磷掺杂层的太阳能光伏组件及其制造方法，太阳能光伏组件包括：太阳能电池主体；在所述的太阳能电池主体上下两表面的EVA胶膜；在所述的EVA胶膜的是上下两表面的钢化玻璃板，其中，在所述的太阳能电池主体包含N型半导体材料，以及在所述的N型半导体材料上下两表面的P型黑磷掺杂层。本发明通过将黑磷与太阳能电池的有源层结合，以提高光子能量的利用率，进而提高太阳能的电池的光子吸收效率和太阳能电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能光伏组件及其制造方法，具体涉及一种具有黑磷掺杂层的太阳能光伏组件及其制造方法。
背景技术
太阳能光伏发电系统(简称光伏)是一种利用光生伏特效应而将太阳光能直接转化为电能的系统，其光电转换的主要部件是晶体硅光伏电池，当太阳光照到晶体硅光伏电池上时，晶体硅光伏电池就会把太阳的光能变成电能，产生电流。目前，光伏组件主要包括玻璃层、前层胶膜、间隔阵列布置的若干电池片、后层胶膜和光伏背板，所述玻璃层、前层胶膜、若干电池片、后层胶膜和光伏背板依次胶合，为了提高光伏组件的发电效率，需要减少组件表面太阳光的反射，从而增加组件的辐照度，提高太阳能电池的光电转换效率。现有技术中，一般采用下述方法：1、减反镀膜玻璃：利用在玻璃表层镀层减反膜，从而使太阳光减少对光伏组件的反射，增加光伏组件对光照的吸收，从而增加组件功率和发电量；2、超薄玻璃：降低组件正面玻璃的厚度，从而增加阳光通透率，降低光照折射率，增强辐照强度；上述方法需要改变光伏组件的结构，对常规结构的光伏组件并不适用；而改变光伏组件的结构会增加生产成本，且由于太阳光是由不同的波长的光组成，不同波长具有不同的光子能量 ，只有光子能量大于单结电池材料的带隙，才能被吸收继而发电，如果光子能量小于单进结电池材料的带隙是会透过材料的，对了多结串联的电池片因每节电池片不是无限厚度，因此不可能吸收所有的光子能量大于单结电池带隙的太阳光，依然会有一部分太阳光透过电池到背板上，进而影响光伏组件的发电效率的同时。
黑磷是一种新型二维原子晶体材料，具有高载流子迁移率(～1000cm2/Vs)和开关比(>105)，以及可调谐直接带隙(0.3—2eV)等优异性能，弥补了石墨烯的零带隙、过渡金属硫族化物(TMDs)载流子迁移率过低的性能缺陷。而且，黑磷的带隙可在一个很宽的范围内调节，这取决于所堆积的层数。这就意味着黑磷在可见光和红外范围内均可吸收光。大范围的可调性使得黑磷这一独特的物质有着广泛应用，其应用领域包括化学传感至光学通讯等。
本发明通过将黑磷与太阳能电池的有源层结合，以提高光子能量的利用率，进而提高太阳能的电池的光子吸收效率和太阳能电池的光电转换效率。
发明内容
本发明提供一种具有黑磷掺杂层的太阳能光伏组件及其制造方法，具体而言，本发明的技术方案主要是通过以下方式实现的：
本发明提供一种具有黑磷掺杂层的太阳能光伏组件，包括：太阳能电池主体；在所述的太阳能电池主体上下两表面的EVA胶膜；在所述的EVA胶膜的是上下两表面的钢化玻璃板，其中，所述的太阳能电池主体包含N型半导体材料，以及在所述的N型半导体材料上下两表面的P型黑磷掺杂层。
进一步地，所述的N型半导体材料可为硅、锗或有机半导体材料。
进一步地，在所述的EVA胶膜和所述的黑磷掺杂层之间可形成反光层。
进一步地，在所述的EVA胶膜和所述的黑磷掺杂层之间可形成散热层
进一步地，所述的太阳能电池主体，可在所述的P型黑磷掺杂层的上表面和下表面分别形成圆形凹槽，并在所述的凹槽中填充碳纳米管荧光材料。
本发明还提供一种具有黑磷掺杂层的太阳能光伏组件的制备方法，具体的工艺包括以下步骤：
步骤1.通过离子注入注入黑磷以在所述的N型半导体材料的两面形成P型黑磷区域；
步骤2.通过低温热处理使所述的黑磷向所述的N型半导体材料中央扩散形成有黑磷掺杂层；
步骤3.在所述的黑磷掺杂层的两面形成EVA胶膜；
步骤4.在所述的EVA胶膜的两面形成钢化玻璃板。
进一步地，在所述的步骤2之后中，可通过湿法或干法蚀刻在所述的黑磷层暴露表面形成圆形凹槽，并在所述的圆形凹槽中填充碳纳米管荧光材料。
附图说明
图1为本发明所描述的太阳能光伏组件的结构示意图；
图2为本发明所描述的太阳能光伏组件的结构示意图；
具体实施例说明
实施例1
本发明所描述的太阳能光伏组件，如图1和图2所示，太阳能光伏组件，包括：太阳能电池主体；在所述的太阳能电池主体上下两表面的EVA胶膜（3）；在所述的EVA胶膜的是上下两表面的钢化玻璃板（4），其中，在所述的太阳能电池主体包含N型半导体材料（1），以及在所述的N型半导体材料上下两表面的P型黑磷掺杂层（2）。进一步的如图2所示，在P型黑磷掺杂层（2）的上下两表面可形成圆形凹槽（未图示），并在凹槽中填充碳纳米管荧光材料（5）。申请人通过对比实验可得出结论，由黑磷掺杂形成pn结的光伏组件，比普通磷掺杂形成pn结的光伏组件在同等条件下，光电转换效率可以提高3~5%，且能减小高温下的光电转换效率的热衰减。同时，通过在黑磷掺杂层中添加碳纳米管荧光材料，由于荧光粉可将照射到电池表面的一部分光波长转换成易被电池吸收的光波长，且圆形凹槽可将入射光进行漫反射，由此可进一步提高光电转换效率约1~2%，另外，由于含有碳纳米管pn结中光生载流子的传输效率经测量可提升10~15%，由此，还可提高光伏电池组件的开启速度。
实施例2
本发明所描述的具有黑磷掺杂层的太阳能光伏组件的制备方法，具体的工艺包括以下步骤：
步骤1.将红磷在密闭真空容器中加热至500~800℃，加热2小时，之后降低温度值350~400℃，并保温10小时，以将红磷转换成的黑磷。之后在离子注入机中，在惰性气体（如氩气）的保护下，并在高压和等离子体放电的条件下将黑磷形成黑磷等离子体。
步骤2.通过离子注入注入黑磷以在所述的N型半导体材料的两面形成P型黑磷区域，离子注入的剂量约为2*1015~8*1015，能量约为40~50（Kev）
步骤3.通过250℃左右的低温热处理，退火1.5~4小时，使离子注入的黑磷向N型半导体材料中央扩散形成有黑磷掺杂层；
步骤4.在黑磷掺杂层的两面形成EVA胶膜；
步骤5.在EVA胶膜的两面形成钢化玻璃板。
实施例3
本发明所描述的具有黑磷掺杂层的太阳能光伏组件的制备方法，具体的工艺包括以下步骤：
步骤1.将红磷在密闭真空容器中加热至500~700℃，加热2小时，之后降低温度值350~400℃，并保温10小时，以将红磷转换成的黑磷。之后在离子注入机中，在惰性气体（如氩气）的保护下，并在高压和等离子体放电的条件下将黑磷形成黑磷等离子体。
步骤2.通过离子注入注入黑磷以在所述的N型半导体材料的两面形成P型黑磷区域，离子注入的剂量约为2*1015~8*1015，能量约为40~50（Kev）
步骤3.通过250℃左右的低温热处理，退火1.5~4小时，使离子注入的黑磷向N型半导体材料中央扩散形成有黑磷掺杂层；
步骤4.通过干法或湿法蚀刻，在黑磷掺杂层的上下两表面形成圆形凹槽，干法或湿法蚀刻属于现有的通用技术，本实施例不再详细描述。
步骤5，将碳纳米管荧光材料涂覆在形成有圆形凹槽的黑磷掺杂层表面，在200℃的温度下加热半个小时，之后刮去多余的碳纳米管荧光材料，只在圆形凹槽中填充碳纳米管荧光材料涂，然后，继续加热2小时形成具有碳纳米管荧光材料的黑磷掺杂层。其中，碳纳米管荧光材料的制备方法已在中国专利（CN200410017696.5）中有详细记载。
步骤6.在黑磷掺杂层的两面形成EVA胶膜；
步骤7.在EVA胶膜的两面形成钢化玻璃板。
Claims (7)
1.一种具有黑磷掺杂层的太阳能光伏组件，其特征在于，包括：太阳能电池主体；在所述的太阳能电池主体上下两表面的EVA胶膜；在所述的EVA胶膜的是上下两表面的钢化玻璃板，其中，所述的太阳能电池主体包含N型半导体材料，以及在所述的N型半导体材料上下两表面的P型黑磷掺杂层。
2.根据权利要求1所述的太阳能光伏组件，其特征在于，N型半导体材料可为硅、锗或有机半导体材料。
3.根据权利要求1所述的太阳能光伏组件，其特征在于，在所述的EVA胶膜和所述的黑磷掺杂层之间可形成反光层。
4.根据权利要求1所述的太阳能光伏组件，其特征在于，在所述的EVA胶膜和所述的黑磷掺杂层之间可形成散热层。
5.根据权利要求1所述的太阳能光伏组件，其特征在于，可在所述的P型黑磷掺杂层的上表面和下表面分别形成圆形凹槽，并在所述的凹槽中填充碳纳米管荧光材料。
6.一种具有黑磷掺杂层的太阳能光伏组件的制备方法，其特征在于：
步骤1.通过离子注入注入黑磷以在所述的N型半导体材料的两面形成P型黑磷区域；
步骤2.通过低温热处理使所述的黑磷向所述的N型半导体材料中央扩散形成有黑磷掺杂层；
步骤3.在所述的黑磷掺杂层的两面形成EVA胶膜；
步骤4.在所述的EVA胶膜的两面形成钢化玻璃板。
7.根据权利要求6所述的太阳能光伏组件的制备方法，其特征在于，可通过湿法或干法蚀刻在所述的黑磷层暴露表面形成圆形凹槽，并在所述的圆形凹槽中填充碳纳米管荧光材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610635984.XA CN105990460A (zh) | 2016-08-04 | 2016-08-04 | 一种具有黑磷掺杂层的太阳能光伏组件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610635984.XA CN105990460A (zh) | 2016-08-04 | 2016-08-04 | 一种具有黑磷掺杂层的太阳能光伏组件及其制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105990460A true CN105990460A (zh) | 2016-10-05 |
Family
ID=57044376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610635984.XA Pending CN105990460A (zh) | 2016-08-04 | 2016-08-04 | 一种具有黑磷掺杂层的太阳能光伏组件及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105990460A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106654016A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-05-10 | 深圳大学 | 一种有机光电器件及其制备方法和具有空穴传输性能的组合物 |
| CN106654017A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-05-10 | 深圳大学 | 一种基于二维黑磷的有机太阳能电池及其制备方法 |
| CN107942256A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-04-20 | 内蒙古科技大学 | 以磷烯作为负极材料的电池性能预测方法 |
| CN108630759A (zh) * | 2017-03-17 | 2018-10-09 | 天津大学 | 基于黑磷的具有高开关比低亚阀值摆幅的场效应晶体管 |
| CN111732902A (zh) * | 2020-07-02 | 2020-10-02 | 常州斯威克光伏新材料有限公司 | 一种双面电池用抗极化封装胶膜及其制备方法 |
-
2016
- 2016-08-04 CN CN201610635984.XA patent/CN105990460A/zh active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106654016A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-05-10 | 深圳大学 | 一种有机光电器件及其制备方法和具有空穴传输性能的组合物 |
| CN106654017A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-05-10 | 深圳大学 | 一种基于二维黑磷的有机太阳能电池及其制备方法 |
| CN106654016B (zh) * | 2016-12-16 | 2019-04-12 | 深圳大学 | 一种有机光电器件及其制备方法和具有空穴传输性能的组合物 |
| CN106654017B (zh) * | 2016-12-16 | 2019-04-26 | 深圳大学 | 一种基于二维黑磷的有机太阳能电池及其制备方法 |
| CN108630759A (zh) * | 2017-03-17 | 2018-10-09 | 天津大学 | 基于黑磷的具有高开关比低亚阀值摆幅的场效应晶体管 |
| CN108630759B (zh) * | 2017-03-17 | 2021-06-01 | 天津大学 | 基于黑磷的具有高开关比低亚阀值摆幅的场效应晶体管 |
| CN107942256A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-04-20 | 内蒙古科技大学 | 以磷烯作为负极材料的电池性能预测方法 |
| CN107942256B (zh) * | 2017-11-15 | 2021-01-05 | 内蒙古科技大学 | 以磷烯作为负极材料的电池性能预测方法 |
| CN111732902A (zh) * | 2020-07-02 | 2020-10-02 | 常州斯威克光伏新材料有限公司 | 一种双面电池用抗极化封装胶膜及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105990460A (zh) | 一种具有黑磷掺杂层的太阳能光伏组件及其制造方法 | |
| CN102044574B (zh) | 一种n型单晶硅衬底pn结反型层电池及其制造方法 | |
| CN101771095B (zh) | 太阳能电池 | |
| TW201025637A (en) | Solar cell | |
| CN110246922B (zh) | 一种基于光谱上转换技术的量子点荧光太阳集光器、平板型聚光光伏器及其制备方法 | |
| TWI590473B (zh) | 太陽能電池及其製造方法 | |
| CN102842646A (zh) | 一种基于n型衬底的ibc电池的制备方法 | |
| CN110246904B (zh) | 一种基于光谱下转换技术的量子点荧光太阳集光器、平板型聚光光伏器及其制备方法 | |
| US20120167983A1 (en) | Composite light converter for polycrystalline silicon solar cell and silicon solar cell using the converter | |
| JP7109833B2 (ja) | 半積層型フレキシブルシリコン系薄膜太陽電池、及びその製造方法 | |
| KR101833941B1 (ko) | 박막 태양 전지 | |
| CN103107240B (zh) | 多晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法 | |
| CN213184346U (zh) | 一种透明太阳能电池 | |
| CN104282777A (zh) | 具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池及其制造方法 | |
| CN103107236B (zh) | 异质结太阳能电池及其制作方法 | |
| CN102290479A (zh) | 一种碲锌镉/单晶硅叠层太阳能电池 | |
| CN102709345B (zh) | 超薄晶硅电池结构 | |
| CN101533866A (zh) | 具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池 | |
| CN207200666U (zh) | 曲面反射聚光太阳能光电光热分光谱利用装置 | |
| CN104393178A (zh) | 无机掺杂有机聚合物材料及其制备方法和应用 | |
| KR101541108B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| CN202977493U (zh) | 多晶硅薄膜太阳能电池 | |
| CN202996852U (zh) | 一种采用新型中间层的叠层太阳能电池 | |
| CN113937169B (zh) | 一种用于bipv的铜铟镓硒太阳能电池 | |
| KR101115104B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20161005 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |