CN103590022A - 一种超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法 - Google Patents
一种超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103590022A CN103590022A CN201310609888.4A CN201310609888A CN103590022A CN 103590022 A CN103590022 A CN 103590022A CN 201310609888 A CN201310609888 A CN 201310609888A CN 103590022 A CN103590022 A CN 103590022A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- microwave
- substrate
- ultrasonic atomization
- atomizing nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 36
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000004227 thermal cracking Methods 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical group CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 abstract description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 abstract 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 2
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 2
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L iron dichloride Chemical compound Cl[Fe]Cl NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoferriooxy)iron hydrate Chemical compound O.O=[Fe]O[Fe]=O NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000516 sunscreening agent Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
本发明涉及一种超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，属于无机材料技术领域。首先将一种或两种可溶性金属盐与水混合均匀配置成涂膜液，然后将涂膜液经超声波雾化成小细雾滴；将上述步骤得到的小细雾滴在载气的带动下，经导管和雾化喷嘴引入到微波环境中，小细雾滴经雾化喷嘴喷溅到已被微波加热到300～1000℃的衬底上，雾滴迅速干燥和发生热解并聚集在衬底上制备得到薄膜。该方法工艺路线简单，反应过程快速平稳，产生的废气经吸收处理后，清洁无污染，生产效率高，产品质量好。
Description
技术领域
本发明涉及一种超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，属于无机材料技术领域。
背景技术
近年来，薄膜科学发展迅速，其膜材十分广泛，包括单质元素、化合物或复合物、无机材料或有机材料均可制作薄膜。其性能多种多样，如电性能、力学性能、光学性能、磁学性能、催化性能、超导性能等。薄膜在现代科学技术和工业生产中有着广泛的应用，如用于光学、电子器件、硬质保护膜、非金属材料表面镀及金属膜具、磁性薄膜等。
目前，制备薄膜的方法多种多样，如脉冲激光沉积法(PLD)、化学气相沉积法(CVD)、分子束外延(MBE)，磁控溅射法、溶胶-凝胶法(sol-gel)、低温液相生长法、和喷雾热分解法等。其中喷雾热解法有许多优点，它装置简单，无需高质量的靶材及任何真空设备，易于升级到大规模工业化生产，而且制膜溶液制备方便，薄膜沉积速率和薄膜厚度都易于调节。
微波加热具有由内而外均匀加热、选择性加热、升温速度快、易于控制等优点，可以在短时间内对进入腔体内的超声波雾滴进行快速升温，使超声波雾化的空泡状雾滴瞬间干燥后再热解，聚集在单晶硅或石英玻璃衬底上。因此将超声雾化与微波加热相结合的喷雾热解工艺可以得到不同厚度的薄膜，可应用到发光元件，压电元器件，声表面波器件，气敏传感器，杀菌剂，食品包装，防晒剂，磁性材料光电转换器件和太阳能电池及平面显示器透明电极材料等领域。
发明内容
针对上述现有技术存在的问题和不足，本发明提供一种超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法。该方法工艺路线简单，反应过程快速平稳，产生的废气经吸收处理后，清洁无污染，生产效率高，产品质量好，本发明通过以下技术方案实现。
一种超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，其具体步骤如下：
（1）首先将一种或两种可溶性金属盐与水混合均匀配置成0.001～1.5mol/L的涂膜液，然后将涂膜液经超声波雾化成小细雾滴；
（2）步骤（1）得到的小细雾滴在载气的带动下，经导管和雾化喷嘴引入到微波环境中，小细雾滴经雾化喷嘴喷溅到已被微波加热到300～1000℃的衬底上，雾滴迅速干燥和发生热解并聚集在衬底上制备得到薄膜。
所述可溶性金属盐为醋酸盐、氯盐、硝酸盐或硫酸盐。
所述载气为空气，流量为1～10L/min。
所述雾化喷嘴距离衬底的距离为3～20cm。
所述衬底是单晶硅或石英玻璃。
所述薄膜厚度通过调节雾化喷嘴喷溅时间来控制。
所述步骤（2）中小细雾滴干燥热解所产生的尾气采用碱液吸收处理。
本发明的有益效果是：（1）工艺路线简单，反应过程快速平稳，产生的废气经吸收处理后，清洁无污染，生产效率高，产品质量好；（2）成膜速率快、沉积面积大、沉积率高，薄膜均匀，结晶性能好；（3）微波工艺设备简单、操作方便，产品易于收集，可适用于连续化工业生产。
附图说明
图1是本发明工艺流程图图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式，对本发明作进一步说明。
实施例1
如图1所示，该超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，其具体步骤如下：
（1）首先将醋酸锌与水混合均匀配置成0.001mol/L的涂膜液，然后将涂膜液经超声波雾化成小细雾滴；
（2）步骤（1）得到的小细雾滴在载气的带动下，经导管和雾化喷嘴引入到微波环境中，小细雾滴经雾化喷嘴喷溅到已被微波加热到650℃的衬底上，雾滴迅速干燥和发生热解并聚集在衬底上制备得到薄膜，其中载气为空气，流量为1L/min，雾化喷嘴距离衬底的距离为3cm，衬底是石英玻璃，雾化喷嘴每喷溅10s，停止10s，总制备薄膜时间为0.5h，小细雾滴干燥热解所产生的尾气采用氢氧化钠溶液吸收处理。
上述氧化锌薄膜厚度为200μm，颗粒的平均粒径为50nm。
实施例2
如图1所示，该超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，其具体步骤如下：
（1）首先将氯化亚铁与水混合均匀配置成0.2mol/L的涂膜液，然后将涂膜液经超声波雾化成小细雾滴；
（2）步骤（1）得到的小细雾滴在载气的带动下，经导管和雾化喷嘴引入到微波环境中，小细雾滴经雾化喷嘴喷溅到已被微波加热到750℃的衬底上，雾滴迅速干燥和发生热解并聚集在衬底上制备得到薄膜，其中载气为空气，流量为10L/min，雾化喷嘴距离衬底的距离为20cm，衬底是石英玻璃，雾化喷嘴每喷溅10s，停止10s，总制备薄膜时间为1.0h，小细雾滴干燥热解所产生的尾气采用碱液吸收处理。
上述三氧化二铁薄膜厚400μm，颗粒的平均粒径为65nm。
实施例3
如图1所示，该超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，其具体步骤如下：
（1）首先将硫酸铜与水混合均匀配置成0.5mol/L的涂膜液，然后将涂膜液经超声波雾化成小细雾滴；
（2）步骤（1）得到的小细雾滴在载气的带动下，经导管和雾化喷嘴引入到微波环境中，小细雾滴经雾化喷嘴喷溅到已被微波加热到800℃的衬底上，雾滴迅速干燥和发生热解并聚集在衬底上制备得到薄膜，其中载气为空气，流量为5L/min，雾化喷嘴距离衬底的距离为10cm，衬底是石英玻璃，雾化喷嘴每喷溅10s，停止10s，总制备薄膜时间为0.5h，小细雾滴干燥热解所产生的尾气采用碱液吸收处理。
上述氧化铜薄膜厚度为300μm，颗粒的平均粒径为60nm。
实施例4
如图1所示，该超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，其具体步骤如下：
（1）首先将硝酸锌与水混合均匀配置成1.5mol/L的涂膜液，然后将涂膜液经超声波雾化成小细雾滴；
（2）步骤（1）得到的小细雾滴在载气的带动下，经导管和雾化喷嘴引入到微波环境中，小细雾滴经雾化喷嘴喷溅到已被微波加热到300℃的衬底上，雾滴迅速干燥和发生热解并聚集在衬底上制备得到薄膜，其中载气为空气，流量为2L/min，雾化喷嘴距离衬底的距离为8cm，衬底是单晶硅，雾化喷嘴每喷溅10s，停止10s，总制备薄膜时间为0.5h，小细雾滴干燥热解所产生的尾气采用碱液吸收处理。
上述氧化锌薄膜厚度为200μm，颗粒的平均粒径为50nm。
实施例5
如图1所示，该超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，其具体步骤如下：
（1）首先将醋酸锌与水混合均匀配置成1.0mol/L的涂膜液，然后将涂膜液经超声波雾化成小细雾滴；
（2）步骤（1）得到的小细雾滴在载气的带动下，经导管和雾化喷嘴引入到微波环境中，小细雾滴经雾化喷嘴喷溅到已被微波加热到1000℃的衬底上，雾滴迅速干燥和发生热解并聚集在衬底上制备得到薄膜，其中载气为空气，流量为8L/min，雾化喷嘴距离衬底的距离为10cm，衬底是单晶硅，雾化喷嘴每喷溅10s，停止10s，总制备薄膜时间为0.5h，小细雾滴干燥热解所产生的尾气采用碱液吸收处理。
上述氧化锌薄膜厚度为200μm，颗粒的平均粒径为55nm。
实施例6
如图1所示，该超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，其具体步骤如下：
（1）首先将氯化铟和四氯化锡与水混合均匀配置成0.1mol/L的涂膜液，其中In2O3：SnO2质量比为90：10，然后将涂膜液经超声波雾化成小细雾滴；
（2）步骤（1）得到的小细雾滴在载气的带动下，经导管和雾化喷嘴引入到微波环境中，小细雾滴经雾化喷嘴喷溅到已被微波加热到750℃的衬底上，雾滴迅速干燥和发生热解并聚集在衬底上制备得到薄膜，其中载气为空气，流量为6L/min，雾化喷嘴距离衬底的距离为12cm，衬底是石英玻璃，雾化喷嘴每喷溅8s，停止8s，总制备薄膜时间为0.5h，小细雾滴干燥热解所产生的尾气采用碱液吸收处理。
上述ITO薄膜厚度为200μm，颗粒平均粒径为65nm。
实施例7
如图1所示，该超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，其具体步骤如下：
（1）首先将三氯化锑和氯化亚锡与水混合均匀配置成0.15mol/L的涂膜液，其中Sb：Sn质量比为5：95，然后将涂膜液经超声波雾化成小细雾滴；
（2）步骤（1）得到的小细雾滴在载气的带动下，经导管和雾化喷嘴引入到微波环境中，小细雾滴经雾化喷嘴喷溅到已被微波加热到300～1000℃的衬底上，雾滴迅速干燥和发生热解并聚集在衬底上制备得到薄膜，其中载气为空气，流量为8L/min，雾化喷嘴距离衬底的距离为5cm，衬底是石英玻璃衬底，雾化喷嘴每喷溅8s，停止8s，总制备薄膜时间为0.5h，小细雾滴干燥热解所产生的尾气采用碱液吸收处理。
上述掺Sb的SnO2复合薄膜厚度为200μm，颗粒平均粒径为67nm。
Claims (7)
1.一种超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，其特征在于具体步骤如下：
（1）首先将一种或两种可溶性金属盐与水混合均匀配置成0.001～1.5mol/L的涂膜液，然后将涂膜液经超声波雾化成小细雾滴；
（2）步骤（1）得到的小细雾滴在载气的带动下，经导管和雾化喷嘴引入到微波环境中，小细雾滴经雾化喷嘴喷溅到已被微波加热到300～1000℃的衬底上，雾滴迅速干燥和发生热解并聚集在衬底上制备得到薄膜。
2.根据权利要求1所述的超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，其特征在于：所述可溶性金属盐为醋酸盐、氯盐、硝酸盐或硫酸盐。
3.根据权利要求1所述的超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，其特征在于：所述载气为空气，流量为1～10L/min。
4.根据权利要求1所述的超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，其特征在于：所述雾化喷嘴距离衬底的距离为3～20cm。
5.根据权利要求1所述的超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，其特征在于：所述衬底是单晶硅或石英玻璃。
6.根据权利要求1所述的超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，其特征在于：所述薄膜厚度通过调节雾化喷嘴喷溅时间来控制。
7.根据权利要求1所述的超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法，其特征在于：所述步骤（2）中小细雾滴干燥热解所产生的尾气采用碱液吸收处理。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310609888.4A CN103590022A (zh) | 2013-11-27 | 2013-11-27 | 一种超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310609888.4A CN103590022A (zh) | 2013-11-27 | 2013-11-27 | 一种超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103590022A true CN103590022A (zh) | 2014-02-19 |
Family
ID=50080329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310609888.4A Pending CN103590022A (zh) | 2013-11-27 | 2013-11-27 | 一种超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103590022A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104651805A (zh) * | 2015-02-04 | 2015-05-27 | 昆明理工大学 | 一种超声波喷雾微波管式炉及运用 |
| CN105506711A (zh) * | 2016-01-25 | 2016-04-20 | 东北农业大学 | 超声雾化—紫外光还原联合制备银纳米粒子表面修饰双面TiO2纳米管阵列材料的方法 |
| CN106245007A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-21 | 西安理工大学 | 一种取向ito薄膜的制备方法 |
| CN106670505A (zh) * | 2017-01-13 | 2017-05-17 | 昆明理工大学 | 一种喷雾热解法制备钨钴炭复合粉末的方法 |
| CN107892329A (zh) * | 2017-11-23 | 2018-04-10 | 北京科技大学 | 一种高通量燃烧合成粉体材料制备装置及制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1458298A (zh) * | 2003-04-18 | 2003-11-26 | 天津大学 | 液相源雾化微波等离子体化学气相沉积制备薄膜的方法 |
| CN101185872A (zh) * | 2007-09-07 | 2008-05-28 | 山东科技大学 | 微波喷雾合成非水溶性或微水溶性化合物的方法与设备 |
| CN102330075A (zh) * | 2011-09-26 | 2012-01-25 | 中国地质大学（武汉） | 一种ZnO基透明导电薄膜的制备方法 |
-
2013
- 2013-11-27 CN CN201310609888.4A patent/CN103590022A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1458298A (zh) * | 2003-04-18 | 2003-11-26 | 天津大学 | 液相源雾化微波等离子体化学气相沉积制备薄膜的方法 |
| CN101185872A (zh) * | 2007-09-07 | 2008-05-28 | 山东科技大学 | 微波喷雾合成非水溶性或微水溶性化合物的方法与设备 |
| CN102330075A (zh) * | 2011-09-26 | 2012-01-25 | 中国地质大学（武汉） | 一种ZnO基透明导电薄膜的制备方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104651805A (zh) * | 2015-02-04 | 2015-05-27 | 昆明理工大学 | 一种超声波喷雾微波管式炉及运用 |
| CN104651805B (zh) * | 2015-02-04 | 2017-05-03 | 昆明理工大学 | 一种超声波喷雾微波管式炉及运用 |
| CN105506711A (zh) * | 2016-01-25 | 2016-04-20 | 东北农业大学 | 超声雾化—紫外光还原联合制备银纳米粒子表面修饰双面TiO2纳米管阵列材料的方法 |
| CN106245007A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-21 | 西安理工大学 | 一种取向ito薄膜的制备方法 |
| CN106245007B (zh) * | 2016-08-31 | 2019-01-11 | 西安理工大学 | 一种取向ito薄膜的制备方法 |
| CN106670505A (zh) * | 2017-01-13 | 2017-05-17 | 昆明理工大学 | 一种喷雾热解法制备钨钴炭复合粉末的方法 |
| CN107892329A (zh) * | 2017-11-23 | 2018-04-10 | 北京科技大学 | 一种高通量燃烧合成粉体材料制备装置及制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103590022A (zh) | 一种超声波雾化-微波热解制备薄膜的方法 | |
| CN102646759B (zh) | 一种透明导电氧化物薄膜的制备方法 | |
| CN103469179B (zh) | 一种真空环境下基于溶液的无机梯度薄膜制备方法 | |
| CN102417204A (zh) | 一种溶液化学原位反应合成硫化铅薄膜的方法 | |
| CN109748320B (zh) | 一种单斜相二氧化钒纳米线薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN104934490A (zh) | 一种大面积合成氧化亚锡半导体光电薄膜材料的方法 | |
| Saadat Niavol et al. | Effect of pH on the properties of nanocrystalline CuO thin films deposited by sol-gel process | |
| Kumar et al. | Synthesis of ZnO nanostructures | |
| CN107086083A (zh) | 一种具有柔性衬底的金属导电薄膜的制备方法 | |
| Zhang et al. | Progress in the Synthesis and Application of Transparent Conducting Film of AZO (ZnO: Al) | |
| CN103936059A (zh) | 一种氧化锡薄膜的制备方法 | |
| CN103194741B (zh) | 一种氧化铝前驱体溶液及其制备方法与应用 | |
| Phromyothin et al. | Growth of ZnO nanorods via low temperature hydrothermal method and their application for Hydrogen production | |
| CN105347692A (zh) | 一种低温超声雾化热解沉积锂掺杂立方相SnO2薄膜的方法 | |
| KR20170020602A (ko) | 원적외선 히터 소자 | |
| Slimani et al. | Growth of ZnO nanorods on FTO glass substrate | |
| CN103194784B (zh) | 一种以胶体为模板可控电沉积制备纳米ZnO薄膜的方法 | |
| CN110699660A (zh) | 在任意基底上快速生长硫化亚铜纳米片阵列薄膜的方法 | |
| CN102522282A (zh) | 一种光纤波导型光调制场发射纳米阴极及其制备方法 | |
| CN105088301A (zh) | 一种由硝酸铜制备氧化亚铜光电薄膜的方法 | |
| JP2012212642A (ja) | 金属酸化物粒子分散組成物 | |
| CN105118888A (zh) | 一种由硫酸铜制备氧化亚铜光电薄膜的方法 | |
| CN105355720B (zh) | 一种制备铜锡硫薄膜太阳能电池吸收层的方法 | |
| CN106128941A (zh) | 一种低温制备铟镓锌氧透明半导体薄膜的液相方法 | |
| CN103641154B (zh) | 一种掺铝氧化锌纳米杆阵列结构低温合成的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20140219 |