CN103579442A - 发光二极管的支架结构制作方法 - Google Patents
发光二极管的支架结构制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103579442A CN103579442A CN201210249477.4A CN201210249477A CN103579442A CN 103579442 A CN103579442 A CN 103579442A CN 201210249477 A CN201210249477 A CN 201210249477A CN 103579442 A CN103579442 A CN 103579442A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode slice
- supporting structure
- light
- manufacture method
- structure manufacture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 21
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 20
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 5
- 241000218202 Coptis Species 0.000 claims description 4
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 4
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PLXMOAALOJOTIY-FPTXNFDTSA-N Aesculin Natural products OC[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1Oc2cc3C=CC(=O)Oc3cc2O PLXMOAALOJOTIY-FPTXNFDTSA-N 0.000 claims description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 3
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical class COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical class C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000001149 thermolysis Methods 0.000 description 1
- 238000010105 thermoset forming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种发光二极管的支架结构制作方法,包括:备有一金属板材,该金属板材成型有一金属边框及多个金属支架,该金属支架上具有一第一电极片、一第二电极片及连接该第一电极片、第二电极片及金属边框的连接部。接着,于该金属支架上电镀后,再于金属支架上形有一胶座,以裁切连接纵向或横向列的连接部,于该胶座的中空功能区上进行一发光芯片、一金属线及点入胶体的工艺。最后,将切断的金属支架上的连接部施加电源,使该第一电极片及该第二电极片通电点亮该发光芯片,以进行亮度及色度的配比检测。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管,尤其涉及一种发光二极管的支架结构制作方法。
背景技术
发光二极管已广泛被运用在各种的电子装置、电器产品或灯具等产品上,而且发光二极管在制作上都是朝着高亮度、多色光及散热效果佳的技术来研发及改进,因而使得发光二极管制作的成本提高。除了前述的因素会使得发光二极管制作成本提高外,还有发光二极管的制作良率也会直接反应到制作成本上。
传统的发光二极管在制作时,先备有一金属板材,将金属板材冲压或蚀刻工艺支架结构后,在该支架结构上具有一金属边框,该金属边框上通过连接部连接有多个金属支架,该金属支架包含有一正极电片及负极电片,再利用热固性塑胶于多个该金属支架上成型有胶座,在该胶座制作完成后,于该胶座的中空功能区中外露的正、负极电片上进行发光芯片的固晶及金线的打线(引线焊接)工艺,在固晶及打线工艺后,将混有萤光粉的硅胶点入于该中空功能区中,在点胶工艺后,再将金属支架进行裁切及检测。
由于传统的发光二极管在制作完成后才进行亮度及色度配比的检测,因此发二极管的亮度及色度配比不符合要求,使发光二极管制作的良率仅在50%左右。其主要的原因是在于该金属支架上成型有胶座后,并未有对金属支架的正极电片及负极电片的连接部进行裁切,因此该金属支架的正极电片及负极电片都是连结在一起,使胶座的中空功能区在点胶后无法马上测试发光二极管的亮度及色度的配比是否正确,须待全工艺完成才能确认品质,故造成不良率的发光二极管无法被即使检测出来。
发明内容
因此,本发明的主要目的,在于解决传统缺失,本发明将发光二极管的支架结构的金属支架上的胶座成型后,先裁切预定的金属支架的连接部,在后续的固晶、打线及点胶工艺中,在胶体未干涸前,即可进行前测作业,以检测发光二极管的亮度及色度的配比是否正确,藉以提升发光二极管制作后的良率可在90%以上,进而可大幅降低制作成本。
为达上述的目的,本发明提供一种发光二极管的支架结构制作方法,包括:
备有一金属板材;
在该金属板材成型有一金属边框及多个纵向及横向排列的金属支架,该金属支架上具有一第一电极片及一第二电极片,该第一电极片与该第二电极片的至少一侧边具有一连接部,该连接部连结该多个纵向及横向的金属支架及该金属边框;
于该金属支架上成形有胶座,该胶座的正面上具有一供该第一电极片及该第二电极片外露的中空功能区;
以裁切任一纵向或横向连接每一个该金属支架的连接部;
于该胶座的中空功能区中的第二电极片上固接有一发光芯片;
将一金属线电性连结于该发光芯片与该第一电极片上;
将胶体的点入于该中空功能区;
将切断的金属支架上的连接部施加电源,使该第一电极片及该第二电极片通电点亮该发光芯片,以进行亮度及色度的配比检测。
其中,该金属边框上具有多个间隔排列的长孔及短孔,于两个该短孔之间具有一贯穿孔。
其中,该长孔为切割靶对应该连接部。
其中,该第一电极片与该第二电极片未相邻或相对应的侧边上都有该连接部。
其中,该第一电极片为长方形,并与该第二电极片相邻或相对应的侧边上具有二相对应的缺口。
其中,该第二电极片的二侧边上具有二相对应的二凹槽,该第二电极片的另一侧边具有一凹口。
其中,该胶座背面具有二透孔,该二透孔供该第一电极片及该第二电极片外露。
其中,在发光二极管制作完成后,该第一电极片与该第二电极片之间形成有一呈T字形的胶座,该T字形的胶座凸出于第一电极片与该第二电极片的平面高度,因此具有防止水气渗入及点入的胶体渗出。
其中,在支架结构冲压或蚀刻后,在该支架结构的金属支架上电镀一层金属膜。
其中,该发光芯片为单色或多色的芯片。
其中,该金属线为金线。
其中,该胶体为硅胶。
其中,该胶体添加有萤光粉。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1本发明的制作流程示意图;
图2本发明的发光二极管的支架结构示意图;
图3为图1的局部放大示意图;
图4本发明的发光二极管的支架结构上成型有胶座的主视示意图;
图5本发明的发光二极管的支架结构上成型有胶座的后视示意图;
图6本发明的发光二极管的支架结构的俯视示意图;
图7本发明的发光二极管的支架结构的侧视示意图;
图8发明的发光二极管的支架结构的正面裁切侧视示意图;
图9本发明的发光二极管的支架结构的背面裁切侧视示意图;
图10本发明的发光二极管的支架结构的另一种不同的裁切方向示意图。
其中,附图标记
步骤100~116
支架结构10
金属边框1
长孔11
短孔12
贯穿孔13
金属支架2
第一电极片21
缺口211
第二电极片22
凹槽221
凹口222
连接部23
胶座3、3'
中空功能区31
透孔32、33
发光芯片4
金属线5
胶体6
横向切割线20
纵向切割线30
具体实施方式
兹有关本发明的技术内容及详细说明,现配合附图说明如下:
请参阅图1、图2、图3,本发明的制作流程、发光二极管的支架结构及第二图的局部放大示意图。如图所示:本发明的发光二极管的支架结构,首先,步骤100先备有一金属板材。
步骤102,是将该金属板材冲压或蚀刻制成支架结构,该支架结构10包括:一金属边框1及多个金属支架2。该金属边框1,其上具有多个间隔排列的长孔11及短孔12,于两个该短孔12之间具有一贯穿孔13。该金属支架2,具有一第一电极片21及一第二电极片22组成,该第一电极片21为长方形,并与该第二电极片22相邻或相对应的侧边上具有二相对应的缺口211,该第二电极片22的二侧边上具有二相对应的二凹槽221,该第二电极片22的另一侧边具有一凹口222,利用该侧边的二凹槽221及该凹口222使该第二电极片22呈一件衣服的形状。另,该第一电极片21与该第二电极片22相邻或相对应的侧边上未有连接部(bar)23外,其于的三个侧边都具有一连接部,该连接部23是以连结该多个纵向及横向的金属支架2及该金属边框1。
步骤104,在支架结构10冲压或蚀刻后,将该支架结构10的金属支架2进行电镀,在该金属支架2上电镀一层金属膜。
步骤106,在上述的发光二极管的支架结构10电镀完成后,利用热固性塑胶经过热固成型技术,于该金属支架2上成型有一胶座3,该胶座3成型后包覆于该第一电极片21、第二电极片22及该连接部23上。该胶座3的正面具有一中空功能区31,该中空功能区31使该第一电极片21及该第二电极片22外露(如图4)。同样地,该胶座3的背面具有二透孔32、33,该二透孔32、33供第一电极片21及第二电极片22外露,在该第一电极片21及该第二电极片22导通点亮发光芯片(图中未示)时,该二透孔32、33供该第一电极片21及第二电极片22散热作用(如图5)。
步骤108,在该支架结构10上的金属支架2的胶座3在制作完成后,在进行固晶、打线及点胶前,先于该胶座3的上裁切有一横向切割线20将连接每一个该金属支架2的连接部23切断(如图6),且切断的方向有由胶座3的正面或背面进行裁切(如图8、图9)。
步骤110,在该连接部23切断后,于该胶座3的中空功能区31上外露的第二电极片22上固接有一发光芯片4(如图6、图7、图8、图9)。在本图式中,该发光芯片4为单色或多色的芯片。
步骤112,于该发光芯片4电性连结一金属线5至该中空功能区31上外露的第一电极片21上(如图6、图7、图8、图9)。在本附图中,该金属线5为金线。
步骤114,在打线制作完成后,于该胶座3的中空功能区31内进行点胶制作,在胶体6点入于该中空功能区31内。在本图式中,该胶体6为硅胶。
步骤116,在点胶完成后,可以对发光二极管进行前测作业,所谓的前测作业就是在点胶完成后,该胶体6尚未干涸前,检测者可以施加电压至整列或单一个被切断连接部23的金属支架2的该第一电极片21及该第二电极片22上,以点亮该发光芯片4所产生的光与该胶体6所混入的萤光粉混色后,所形成的色度及亮度是否达到与先前设计的色度及亮度配比的要求(如图6、图7、图8、图9)。
例如,要制作一个白光的发光二极管时,该发光芯片为蓝光,再中空功能区31所点入的胶体6就混合有黄色的萤光粉,再胶体6点入后未干涸时,检测者可以对连接部被切断的金属支架2的该第一电极片21及该第二电极片22加电源,以进行发光芯片4与混有黄色的萤光粉的胶体6的亮度及色度配比是否正确。
在发光二极管制作完成后,该第一电极片21与该第二电极片22之间形成有一呈T字形的胶座3'(如图7所示),该T字形的胶座3'凸出于第一电极片21与该第二电极片22的平面高度,因此具有防止水气渗入及点入的胶体6渗出。
利用上述的金属支架2在胶座3制作完成后进行金属支架2的连接器23裁切,使发光二极管在点胶后可以进行前测作业,使发光二极管的制作良率可以提升至90%以上,以降低不良率的产生。
请参阅图10,本发明的发光二极管的支架结构的另一种不同的裁切方向示意图。如图所示:在本发明的支架结构上的金属支架2的胶座3在制作完成后,在进行固晶、打线及点胶前,先以纵向切割线30将连接每一个该金属支架2的连接部23切断。
在该连接部23切断后,于该胶座3的中空功能区31上外露的第二电极片22上固接有一发光芯片4,由该发光芯片4电性连结一金属线5至该中空功能区31上外露的第一电极片21上。
在固晶与打线制作完成后,于该胶座3的中空功能区31内进行点胶制作,在胶体6点入于该中空功能区31后,可以对点胶完成的发光二极管进行前测作业,该前测作业就是在点胶制作完成后,在该胶体6尚未干涸前,由于横向方向连接该金属支架2的连接部23已被切断,所以检测者同样可以施加电压至整列或单一个的金属支架2的该第一电极片21及该第二电极片22上,以点亮该发光芯片4所产生的光与该胶体6所混入的萤光粉混色后,所形成的色度及亮度是否达到与先前设计的色度及亮度配比的要求。
进一步,在于本发明的金属边框1上具有多个长孔11,该长孔11可以当作切割靶,在裁切连接每一个该金属支架2的连接部23时,在裁切工具切过长孔11时即表示连接部23已被切断,可以当作切割靶来判断。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (13)
1.一种发光二极管的支架结构制作方法,其特征在于,包括:
a)、备有一金属板材;
b)、在该金属板材成型有一金属边框及多个纵向及横向排列的金属支架,该金属支架上具有一第一电极片及一第二电极片,该第一电极片与该第二电极片的至少一侧边具有一连接部,该连接部连结该多个纵向及横向的金属支架及该金属边框;
c)、于该金属支架上成形有胶座,该胶座的正面上具有一供该第一电极片及该第二电极片外露的中空功能区;
d)、以裁切任一纵向或横向连接每一个该金属支架的连接部;
e)、于该胶座的中空功能区中的第二电极片上固接有一发光芯片;
f)、将一金属线电性连结于该发光芯片与该第一电极片上;
g)、将胶体点入于该中空功能区;
h)、将切断的金属支架上的连接部施加电源,使该第一电极片及该第二电极片通电点亮该发光芯片,以进行亮度及色度的配比检测。
2.根据权利要求1所述的支架结构制作方法,其特征在于,步骤b的金属边框上具有多个间隔排列的长孔及短孔,于两个该短孔之间具有一贯穿孔。
3.根据权利要求2所述的支架结构制作方法,其特征在于,该长孔为切割靶对应该连接部。
4.根据权利要求3所述的支架结构制作方法,其特征在于,该步骤b的该第一电极片与该第二电极片未相邻或相对应的侧边上都有该连接部。
5.根据权利要求4的支架结构制作方法,其特征在于,该第一电极片为长方形,并与该第二电极片相邻或相对应的侧边上具有二相对应的缺口。
6.根据权利要求5所述的支架结构制作方法,其特征在于,该第二电极片的二侧边上具有二相对应的二凹槽,该第二电极片的另一侧边具有一凹口。
7.根据权利要求6所述的支架结构制作方法,其特征在于,该胶座背面具有二透孔,该二透孔供该第一电极片及该第二电极片外露。
8.根据权利要求7所述的支架结构制作方法,其特征在于,在发光二极管制作完成后,该第一电极片与该第二电极片之间形成有一呈T字形的胶座,该T字形的胶座凸出于第一电极片与该第二电极片的平面高度,因此具有防止水气渗入及点入的胶体渗出。
9.根据权利要求8所述的支架结构制作方法,其特征在于,在步骤b与c之间还包含有电镀的步骤,在支架结构冲压或蚀刻后,在该支架结构的金属支架上电镀一层金属膜。
10.根据权利要求9所述的支架结构制作方法,其特征在于,该步骤e的发光芯片为单色或多色的芯片。
11.根据权利要求10所述的支架结构制作方法,其特征在于,该步骤f的金属线为金线。
12.根据权利要求11所述的支架结构制作方法,其特征在于,该步骤g的胶体为硅胶。
13.根据权利要求12的支架结构制作方法,其特征在于,该胶体添加有萤光粉。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210249477.4A CN103579442A (zh) | 2012-07-18 | 2012-07-18 | 发光二极管的支架结构制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210249477.4A CN103579442A (zh) | 2012-07-18 | 2012-07-18 | 发光二极管的支架结构制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103579442A true CN103579442A (zh) | 2014-02-12 |
Family
ID=50050791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210249477.4A Pending CN103579442A (zh) | 2012-07-18 | 2012-07-18 | 发光二极管的支架结构制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103579442A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105090898A (zh) * | 2014-05-14 | 2015-11-25 | 惠州雷通光电器件有限公司 | Led光源灯丝支架及led光源灯丝的制造方法 |
JP2017005247A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
CN108010852A (zh) * | 2016-11-02 | 2018-05-08 | 复盛精密工业股份有限公司 | 导线架制作方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1719627A (zh) * | 2004-07-06 | 2006-01-11 | 百容电子股份有限公司 | 发光二极管的制造方法以及基板构造 |
TWM366177U (en) * | 2009-03-17 | 2009-10-01 | Silitek Electronic Guangzhou | Lead frame, package structure and LED package structure |
JP2011222868A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Alpha- Design Kk | Led素子検査テーピング装置。 |
-
2012
- 2012-07-18 CN CN201210249477.4A patent/CN103579442A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1719627A (zh) * | 2004-07-06 | 2006-01-11 | 百容电子股份有限公司 | 发光二极管的制造方法以及基板构造 |
TWM366177U (en) * | 2009-03-17 | 2009-10-01 | Silitek Electronic Guangzhou | Lead frame, package structure and LED package structure |
JP2011222868A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Alpha- Design Kk | Led素子検査テーピング装置。 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105090898A (zh) * | 2014-05-14 | 2015-11-25 | 惠州雷通光电器件有限公司 | Led光源灯丝支架及led光源灯丝的制造方法 |
JP2017005247A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
CN108010852A (zh) * | 2016-11-02 | 2018-05-08 | 复盛精密工业股份有限公司 | 导线架制作方法 |
CN108010852B (zh) * | 2016-11-02 | 2019-10-18 | 复盛精密工业股份有限公司 | 导线架制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2020502780A (ja) | 表面実装型rgb−ledパッケージモジュール及びその製造方法 | |
CN103972369B (zh) | 一种led灯条及其制造方法 | |
DE202015009402U1 (de) | Lichtemittierende Vorrichtung | |
CN108369980A (zh) | 发光模块 | |
CN102683326A (zh) | 半导体发光二极管芯片、其制造方法及其质量控制方法 | |
TWI497779B (zh) | 發光二極體的支架結構製作方法(三) | |
CN103579442A (zh) | 发光二极管的支架结构制作方法 | |
CN102692592A (zh) | 发光二极管测试方法及在该方法中使用的发光二极管型材 | |
JP5585638B2 (ja) | 発光ダイオードのフレーム構造の製造方法 | |
CN108987558B (zh) | Led支架集成板材 | |
CN103323792A (zh) | 发光二极管灯条测试治具 | |
CN103579446A (zh) | 发光二极管的支架结构制作方法 | |
CN103000773A (zh) | 发光二极管的支架结构及其制作方法 | |
CN201289865Y (zh) | 贴片发光二极管 | |
CN203386796U (zh) | 一种led发光条封装支架 | |
CN102683554B (zh) | 基于kgd设计的led光源模组及其芯片可测性封装方法 | |
CN208722915U (zh) | 一种镜像发光结构的led smd发光管 | |
CN205810799U (zh) | 引线框架金属板及具有其的引线框架 | |
CN103000772A (zh) | 发光二极管的支架结构制作方法 | |
CN202721178U (zh) | 一种基于kgd设计的高光效led光源模组 | |
CN206628500U (zh) | 一种白光led封装结构 | |
CN105322069A (zh) | Led灯丝支架料板 | |
JP5686262B2 (ja) | 発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの製造方法 | |
CN221262377U (zh) | 一种led发光器件 | |
CN205645872U (zh) | 小功率高光效led光源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140212 |