JP5686262B2 - 発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの製造方法 - Google Patents

発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5686262B2
JP5686262B2 JP2012181179A JP2012181179A JP5686262B2 JP 5686262 B2 JP5686262 B2 JP 5686262B2 JP 2012181179 A JP2012181179 A JP 2012181179A JP 2012181179 A JP2012181179 A JP 2012181179A JP 5686262 B2 JP5686262 B2 JP 5686262B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode piece
lead frame
metal
frame assembly
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012181179A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014038967A (ja
Inventor
朱振豊
陳原富
Original Assignee
復盛精密工業股▲ふん▼有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 復盛精密工業股▲ふん▼有限公司 filed Critical 復盛精密工業股▲ふん▼有限公司
Priority to JP2012181179A priority Critical patent/JP5686262B2/ja
Publication of JP2014038967A publication Critical patent/JP2014038967A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5686262B2 publication Critical patent/JP5686262B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

本発明は発光ダイオードに係わり、特に発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの製造方法に係わる。
昨今において発光ダイオードはさまざまな電子装置、電器製品または照明器具等の製品に広く用いられており、かつ発光ダイオードの製造は高輝度、多色光および優れた放熱効果を有する技術の開発および改善へシフトするため、発光ダイオードの製造原価が高くなりつつある。発光ダイオード製造原価は前記要素により向上されるほか、発光ダイオードの製造良品率の直接影響を受ける。
従来の発光ダイオードは製造の時にまず金属板材を用意し、プレスまたはエッチングにより金属板材をリードフレームアセンブリーに加工すると金属外枠が形成され、該金属外枠は連結部を介して複数の金属リードフレームに連結されており、該金属リードフレームは正極片および負極片を備えており、また複数の該金属リードフレームには熱硬化性プラスチックを用いてゴム台座が成形されており、該ゴム台座が製造完成後に、該ゴム台座の中空機能エリアの中で外部に露出した正、負極片にて発光チップのダイボンディングおよび金ワイヤボンディング工程を行ない、ダイボンディングおよびワイヤボンディング工程後には該中空機能エリアの中に蛍光パウダーが混入されたシリコン接着剤を注入し、接着工程後に金属リードフレームを裁断およびテストする。
従来の発光ダイオードは製造完成後に輝度および色度配合比のテストを行うので、発光ダイオードの輝度および色度の配合比が要求を満たさず、よって発光ダイオードの製造良品率は50%前後に止まっていた。その主な原因は、該金属リードフレームにゴム台座を成形した後に金属リードフレームの正極片および負極片の連結部を裁断せず、該金属リードフレームの正極片および負極片はいずれも接続された状態にあり、ゴム台座の中空機能エリアに接着剤を注入した後にすぐ発光ダイオードの輝度および色度の配合比が正確か否かをテストできず、全工程が完成後にはじめて品質確認が可能なため、不良の発光ダイオードを適時に検出できないことにある。
よって、本発明の主な目的は従来の問題点を解決することにあり、本発明では発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの金属リードフレームにてゴム台座を成形した後に所定の金属リードフレームの連結部を裁断し、その後のダイボンディング、ワイヤボンディングおよび接着工程においては、接着剤が硬化する前に前置測定作業を行って発光ダイオードの輝度および色度の配合比が正確か否かをテスト可能なため、発光ダイオードの製造良品率が90%を上回り、さらに製造原価を大幅に下げることも可能になる。
上記目的を実現すべく、本発明は、発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの製造方法であって、該製造方法は、
金属板材を用意するステップと、
該金属板材に金属外枠ならびに縦方向および横方向に配列された複数の金属リードフレームを成形するステップであって、該金属リードフレームには第一電極片および第二電極片を有して、該第一電極片は、該第二電極片の少なくとも一つの側辺とのあいだに連結部を有しており、該連結部は該縦方向および横方向の複数の金属リードフレームと該金属外枠とを連結するステップと、
該金属リードフレームにゴム台座を成形するステップであって、該ゴム台座の正面には該第一電極片および該第二電極片を外部に露出するための中空機能エリアを有するステップと、
縦方向または横方向に沿って各々の該金属リードフレームを連結する連結部を裁断するステップと、
該ゴム台座の中空機能エリア中の第二電極片に発光チップを固接するステップと、
金属ワイヤを用いて該発光チップと該第一電極片とを電気的に接続するステップと、
接着剤を該中空機能エリアに注入するステップと、
切断された金属リードフレーム上の連結部に電源を印加し、該第一電極片および該第二電極片に通電して該発光チップを点灯せしめて、輝度および色度の配合比テストを行なうステップと、
を備える前記製造方法、を提供している。
該金属外枠には離隔態様で配列された複数の長孔および短孔を有しており、二つの該短孔のあいだには貫通孔を有する。
該長孔は切断ターゲットであって該連結部に対応する。
該第一電極片は、該第二電極片と隣り合わないかまたは対応しない側辺にはいずれも該連結部を有する。
該第一電極片が長方形であり、かつ該第一電極片は、該第二電極片と隣り合うかまたは対応する側辺には、対応する二つの切り欠きを有する。
該第二電極片の二つの側辺には対応する二つの凹陥槽を有しており、該第二電極片の他方の側辺には凹陥口を有する。
該ゴム台座の裏面に二つの通孔を有しており、該二つの通孔は該第一電極片および該第二電極片を外部に露出するのに用いられる。
発光ダイオードを製造完成後に該第一電極片と該第二電極片とのあいだにT字形をなすゴム台座を形成しており、該T字形のゴム台座は第一電極片および該第二電極片の平面の高さから突出するため、水気の滲み込みおよび注入された接着剤が滲み出ることを防止する。
リードフレームアセンブリーをプレスまたはエッチングした後に、該リードフレームアセンブリーの金属リードフレームに電気メッキにより一層の金属膜を施す。
該発光チップが単色または多色のチップである。
該金属ワイヤが金ワイヤである。
該接着剤がシリコン接着剤である。
該接着剤に蛍光パウダーが添加されている。
本発明の製造の流れの見取り図である。 本発明の発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの見取り図である。 図1の局所拡大見取り図である。 本発明の発光ダイオードのリードフレームアセンブリーにゴム台座が成形された正面図の見取り図である。 本発明の発光ダイオードのリードフレームアセンブリーにゴム台座が成形された裏面の見取り図である。 本発明の発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの上面図の見取り図である。 本発明の発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの側面図の見取り図である。 本発明の発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの正面裁断側面図の見取り図である。 本発明の発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの裏面の裁断側面図の見取り図である。 本発明の発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの異なる裁断方向の見取り図である。
以下、図面に結合して本発明の技術内容および詳細な説明について説明を行う:
図1、図2、および図3に示すのは、本発明の製造の流れと、発光ダイオードのリードフレームアセンブリーと、および図2の局所拡大見取り図である。図に示すように、本発明の発光ダイオードのリードフレームアセンブリーはまず、ステップ100において金属板材を用意する。
ステップ102において、プレスまたはエッチングにより該金属板材をリードフレームアセンブリーに加工しており、該リードフレームアセンブリー10は金属外枠1および複数の金属リードフレーム2を備える。該金属外枠1には離隔態様で配列された複数の長孔11および短孔12を有しており、二つの該短孔12のあいだには貫通孔13を有する。該金属リードフレーム2は第一電極片21および第二電極片22を有しており、該第一電極片21は長方形であり、かつ該第一電極片21は、該第二電極片22と隣り合うかまたは対応する側辺には対応する二つの切り欠き211を有しており、該第二電極片22の二つの側辺には対応する二つの凹陥槽221を有して、該第二電極片22の他方の側辺には凹陥口222を有しており、該側辺の二つの凹陥槽221および該凹陥口222により該第二電極片22は上着如き形状をなす。該第一電極片21は、該第二電極片22と隣り合うかまたは対応する側辺に連結部(bar)23を有せず、それ以外の三つの側辺にはいずれも連結部を有しており、該連結部23は、該縦方向および横方向の複数の金属リードフレーム2および該金属外枠1を連結する。
ステップ104において、リードフレームアセンブリー10をプレスまたはエッチングした後に、該リードフレームアセンブリー10の金属リードフレーム2に電気メッキを施して、該金属リードフレーム2に一層の金属膜を電気メッキする。
ステップ106において、上記発光ダイオードのリードフレームアセンブリー10を電気メッキ施した後に、熱硬化性プラスチックを用いて、熱硬化成形技術により該金属リードフレーム2にゴム台座3を成形しており、該ゴム台座3は成形後に該第一電極片21、第二電極片22および該連結部23を包覆する。該ゴム台座3は正面に中空機能エリア31を有しており、該中空機能エリア31は図4に示すように、該第一電極片21および該第二電極片22を外部に露出する。同様に、該ゴム台座3は裏面に二つの通孔32、33を有しており、該二つの通孔32、33は第一電極片21および第二電極片22を外部に露出するのに用いられて、該第一電極片21および該第二電極片22が導通して発光チップ(図示せず)を点灯した際に、該二つの通孔32、33は図5に示すように、該第一電極片21および第二電極片22を放熱するのに用いられる。
ステップ108において、該リードフレームアセンブリー10上の金属リードフレーム2のゴム台座3の製造が完成した後、ダイボンディング、ワイヤボンディングおよび接着を行なう前に、図6に示すように該ゴム台座3にて横方向切断線20が裁断されて各々の該金属リードフレーム2を連結する連結部23を切断し、かつ切断方向は図8、図9に示すようにゴム台座3の正面または裏面から裁断する。
ステップ110において、該連結部23を切断した後に、図6、図7、図8、図9に示すように該ゴム台座3の中空機能エリア31にて外部に露出した第二電極片22に発光チップ4を固接する。本図において、該発光チップ4は単色または多色のチップである。
ステップ112において、図6、図7、図8、図9に示すように、該発光チップ4と該中空機能エリア31の外部に露出した第一電極片21とのあいだは金属ワイヤ5により電気的に接続されている。本図面において、該金属ワイヤ5は金ワイヤである。
ステップ114において、ワイヤボンディング工程が完成後に該ゴム台座3の中空機能エリア31内にて接着工程を行い、該中空機能エリア31内に接着剤6を注入する。本図面において該接着剤6はシリコン接着剤である。
ステップ116において、接着完成後に発光ダイオードに対して前置測定作業を行なうことが可能であるが、いわゆる前置測定作業とは、接着完成後および該接着剤6が硬化する前に、図6、図7、図8、図9に示すように、テスト作業者が連結部23が切断された列全体または一つの金属リードフレーム2の該第一電極片21および該第二電極片22に電圧を印加して該発光チップ4を点灯せしめ、発生する光は該接着剤6に混入された蛍光パウダーと混色され、形成された色度および輝度が事前に設計された色度および輝度配合比の要求を満たすか否かを確認する作業のことを指す。
例えば、白色光の一つの発光ダイオードを製造する際に、該発光チップが青色光である場合、中空機能エリア31に注入された接着剤6には黄色の蛍光パウダーが混入されており、接着剤6を注入後まだ硬化していないうちに、テスト作業者は連結部が切断された金属リードフレーム2の該第一電極片21および該第二電極片22に電源を印加して、発光チップ4と黄色の蛍光パウダーが混入された接着剤6の輝度および色度の配合比が正確か否かを確認可能である。
発光ダイオードの製造が完成後に、該第一電極片21と該第二電極片22とのあいだには図に示すようにT字形をなすゴム台座3’が形成されており、該T字形のゴム台座3’は第一電極片21と該第二電極片22の平面の高さから突出するため、水気の滲み込みおよび注入された接着剤6が滲み出ることを防止する機能を有する。
上記金属リードフレーム2にてゴム台座3の製造を完成後に金属リードフレーム2の連結部23を裁断することにより、発光ダイオードを接着後に前置測定作業が可能になり、よって発光ダイオードの製造良品率は90%以上まで上昇し、不良品の発生を減らした。
図10に示すのは、本発明の発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの異なる裁断方向の見取り図である。図に示すように、本発明のリードフレームアセンブリー上の金属リードフレーム2のゴム台座3は製造完成後、ダイボンディング、ワイヤボンディングおよび接着を行なう前に、縦方向切断線30に沿って各々の該金属リードフレーム2を連結する連結部23を切断する。
該連結部23を切断した後に、該ゴム台座3の中空機能エリア31にて外部に露出した第二電極片22に発光チップ4を固接し、該発光チップ4と該中空機能エリア31の外部に露出した第一電極片21とのあいだは金属ワイヤ5により電気的に接続される。
ダイボンディングとワイヤボンディング工程が完成後に、該ゴム台座3の中空機能エリア31内にて接着工程を行い、該中空機能エリア31内に接着剤6を注入した後に、接着済の発光ダイオードに対して前置測定作業を行なうことが可能であるが、該前置測定作業とは、接着工程が完成後および該接着剤6が硬化する前に、該金属リードフレーム2を横方向に連結する連結部23が切断されたので、テスト作業者は同様に列全体または一つの金属リードフレーム2の該第一電極片21および該第二電極片22に電圧を印加して該発光チップ4を点灯せしめ、発生する光は該接着剤6に混入された蛍光パウダーと混色され、形成された色度および輝度が事前に設計された色度および輝度配合比の要求を満たすか否かを確認する作業のことを指す。
さらに、本発明の金属外枠1に複数の長孔11を有するが、該長孔11は切断ターゲットとすることが可能であり、各々の該金属リードフレーム2を連結する連結部23を裁断する際に、裁断ツールが長孔11を切断すれば、連結部23が切断されたことを表すため、切断ターゲットとして判断に用いることが可能である。
上記は本発明の好適な実施例であり、本発明の実施範囲を限定するためのものではない。およそ本発明の特許請求の範囲に従って行った均等な変化ならびに修飾は、いずれも本発明の特許範囲に含まれると見なすべきである。
100〜116 ステップ
10 リードフレームアセンブリー
1 金属外枠
11 長孔
12 短孔
13 貫通孔
2 金属リードフレーム
21 第一電極片
211 切り欠き
22 第二電極片
221 凹陥槽
222 凹陥口
23 連結部
3、3’ ゴム台座
31 中空機能エリア
32、33 通孔
4 発光チップ
5 金属ワイヤ
6 接着剤
20 横方向切断線
30 縦方向切断線

Claims (11)

  1. 発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの製造方法であって、
    a)金属板材を用意するステップと、
    b)前記金属板材に金属外枠ならびに縦方向および横方向に配列された複数の金属リードフレームを成形するステップであって、前記金属リードフレームには第一電極片および第二電極片を有し、前記第一電極片は、前記第二電極片の少なくとも一つの側辺とのあいだに連結部を有しており、前記連結部は前記縦方向および横方向の複数の前記金属リードフレームと前記金属外枠とを連結するステップと、
    c)前記金属リードフレームにゴム台座を成形するステップであって、前記ゴム台座の正面には前記第一電極片および前記第二電極片を外部に露出するための中空機能エリアを有するステップと、
    d)縦方向または横方向に沿って各々の前記金属リードフレームを連結する前記連結部を裁断するステップと、
    e)前記ゴム台座の前記中空機能エリア中の前記第二電極片に発光チップを固接するステップと、
    f)金属ワイヤを用いて前記発光チップと前記第一電極片とを電気的に接続するステップと、
    g)蛍光パウダーが添加された接着剤を前記中空機能エリアに注入するステップと、
    h)前記接着剤が硬化する前に、前記連結部が切断された前記金属リードフレーム上前記第一電極片および前記第二電極片に通電して前記発光チップを点灯せしめ、前記発光チップを点灯して発生する光と前記接着剤に混入された前記蛍光パウダーとで混色して形成される輝度および色度の配合比テストを行なうステップと、を備え、
    前記ステップcで成形した前記ゴム台座には、前記第一電極片と前記第二電極片との間にT字形をなすゴム台座が含まれており、前記T字形をなすゴム台座は前記第一電極片および前記第二電極片の平面から突出することにより、水分の滲み込みおよび注入された前記接着剤の滲み出しを防止することを特徴とする製造方法。
  2. 前記ステップbの前記金属外枠は離隔態様で配列された複数の長孔および短孔を有し二つの前記短孔のあいだには貫通孔を有する請求項1に記載のリードフレームアセンブリーの製造方法。
  3. 前記長孔は切断ターゲットであって前記連結部に対応する請求項2に記載のリードフレームアセンブリーの製造方法。
  4. 前記ステップbの前記第一電極片は、前記第二電極片と隣り合わないかまたは対応しない側辺にはいずれも前記連結部を有する請求項3に記載のリードフレームアセンブリーの製造方法。
  5. 前記第一電極片が長方形であり、かつ前記第一電極片は、前記第二電極片と隣り合うかまたは対応する側辺には、対応する二つの切り欠きを有する請求項4に記載のリードフレームアセンブリーの製造方法。
  6. 前記第二電極片の二つの側辺には対応する二つの凹陥槽を有しており、前記第二電極片の他方の側辺には凹陥口を有する請求項5に記載のリードフレームアセンブリーの製造方法。
  7. 前記ゴム台座の裏面に二つの通孔を有しており、前記二つの通孔は前記第一電極片および前記第二電極片を外部に露出するのに用いられる請求項6に記載のリードフレームアセンブリーの製造方法。
  8. 前記ステップbとcとのあいだに電気メッキのステップをさらに備えており、前記リードフレームアセンブリーをプレスまたはエッチングした後に、前記リードフレームアセンブリーの前記金属リードフレームに電気メッキにより一層の金属膜を施す請求項に記載のリードフレームアセンブリーの製造方法。
  9. 前記ステップeの前記発光チップが単色または多色のチップである請求項に記載のリードフレームアセンブリーの製造方法。
  10. 前記ステップfの前記金属ワイヤが金ワイヤである請求項に記載のリードフレームアセンブリーの製造方法。
  11. 前記ステップgの前記接着剤がシリコン接着剤である請求項10に記載のリードフレームアセンブリーの製造方法。
JP2012181179A 2012-08-17 2012-08-17 発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの製造方法 Expired - Fee Related JP5686262B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012181179A JP5686262B2 (ja) 2012-08-17 2012-08-17 発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012181179A JP5686262B2 (ja) 2012-08-17 2012-08-17 発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014038967A JP2014038967A (ja) 2014-02-27
JP5686262B2 true JP5686262B2 (ja) 2015-03-18

Family

ID=50286864

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012181179A Expired - Fee Related JP5686262B2 (ja) 2012-08-17 2012-08-17 発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5686262B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6728998B2 (ja) * 2015-06-09 2020-07-22 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3853279B2 (ja) * 2002-02-01 2006-12-06 シャープ株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法、並びにそれを用いた光ピックアップ
JP2011142254A (ja) * 2010-01-08 2011-07-21 Citizen Holdings Co Ltd Led光源装置の色度調整方法
JP5514614B2 (ja) * 2010-04-13 2014-06-04 アルファーデザイン株式会社 Led素子検査テーピング装置。
KR101039994B1 (ko) * 2010-05-24 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP5743184B2 (ja) * 2011-01-12 2015-07-01 大日本印刷株式会社 半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014038967A (ja) 2014-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7432589B2 (en) Semiconductor device
JP2014017460A (ja) 発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの製造方法
JP5217800B2 (ja) 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
US9490184B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
JP5686262B2 (ja) 発光ダイオードのリードフレームアセンブリーの製造方法
TWI593133B (zh) 封裝之製造方法及發光裝置之製造方法、與封裝及發光裝置
JP5585638B2 (ja) 発光ダイオードのフレーム構造の製造方法
KR101537795B1 (ko) Led 패키지 제조 방법 및 그 led 패키지
CN109461727A (zh) 一种显示屏幕及led模组的成型制造方法
JP6056934B2 (ja) 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP5660506B2 (ja) 熱硬化性を有する発光ダイオードのフレーム構造の製造方法
JP5505735B2 (ja) 発光ダイオードの支持フレーム構造およびその製作方法(二)
JP5527450B2 (ja) 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP5720957B2 (ja) 発光ダイオードの支持構造の製造方法(二)
JP6164355B2 (ja) 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP2018121084A (ja) 発光装置の製造方法及び発光装置
JP5825390B2 (ja) 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP2013145908A (ja) 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP6147976B2 (ja) 発光装置、および、発光ユニットの製造方法
JP6489162B2 (ja) 樹脂成形体付リードフレーム及びこれの製造方法並びにこれらに用いるリードフレーム
JPH0758245A (ja) 半導体装置及びその製造方法
TW201403894A (zh) 發光二極體的支架結構製作方法(二)
KR20130077065A (ko) 칩 노출형 led 패키지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140204

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140502

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140509

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140603

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141209

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150107

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5686262

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees