CN103579446A - 发光二极管的支架结构制作方法 - Google Patents

发光二极管的支架结构制作方法 Download PDF

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Abstract

一种发光二极管的支架结构制作方法,包括:备有一金属板材,在金属板材形成一金属边框及多个金属支架,该金属边框及该金属支架由多个第一连接部连接,且于其一金属支架的仅一侧边上具有第二连接部与金属边框连接,将金属支架进行电镀后,于该金属支架上形成胶座及让位空间,该让位空间使第二连接部与金属边框外露,再以裁切外露的该第二连接部与该金属边框,再于该胶座中进行固晶、打线及点胶制作,在点胶后,将切断的第二连接部施加电源,以点亮该发光芯片,以进行亮度及色度的配比检测是否正确,以此提升发光二极管制作良率。

Description

发光二极管的支架结构制作方法
技术领域
本发明是有关一种发光二极管,尤指一种发光二极管的支架结构制作方法。
背景技术
发光二极管已广泛被运用在各种的电子装置、电器产品或灯具等产品上,而且发光二极管在制作上都是朝着高亮度、多色光及散热效果佳的技术来研发及改进,因而使得发光二极管制作的成本提高。除了前述的因素会使得发光二极管制作成本提高外,还有发光二极管的制作良率也会直接反应到制作成本上。
传统的发光二极管在制作时,先备有一金属板材,将金属板材冲压或蚀刻工艺支架结构后,在该支架结构上具有一金属边框,该金属边框上通过连接部连接有多个金属支架,该金属支架包含有一正极电片及负极电片,再利用热固性塑胶于多个该金属支架上成型有胶座,在该胶座制作完成后,于该胶座的中空功能区中外露的正、负极电片上进行发光芯片的固晶及金线的打线工艺,在固晶及打线工艺后,将混有萤光粉的硅胶点入于该中空功能区中,在点胶工艺后,再将金属支架进行裁切及检测。
由于传统的发光二极管在制作完成后才进行亮度及色度配比的检测,因此发二极管的亮度及色度配比不符合要求,使发光二极管制作的良率仅在50%左右。其主要的原因是在于该金属支架上成型有胶座后,并未有对金属支架的正极电片及负极电片的连接部进行裁切,因此该金属支架的正极电片及负极电片都是连结在一起,使胶座的中空功能区在点胶后无法马上测试发光二极管的亮度及色度的配比是否正确,须待全工艺完成才能确认品质,故造成不良率的发光二极管无法被即使检测出来。
发明内容
因此,本发明的主要目的,在于解决传统缺失,本发明将发光二极管的支架结构的金属支架上的胶座成型后,裁切金属支架的连接部,在后续的固晶、打线及点胶工艺中,在胶体未干涸前,即可进行前测作业,以检测发光二极管的亮度及色度的配比是否正确,藉以提升发光二极管制作后的良率可在90%以上,进而可大幅降低制作成本。
为达上述的目的,本发明提供一种发光二极管的支架结构制作方法(二),包括:
备有一金属板材;
在该金属板材成型有一金属边框及多个金属支架,该金属支架上具有一第一电极片、一第二电极片及连接该第一电极片、第二电极片与该金属边框的第一连接部,且在其一金属支架的第一电极片及第二电极的仅一侧边上具有一第二连接部与该金属边框连接;
于该金属支架上成形有胶座,成形后的该胶座正面上具有一供该第一电极片及该第二电极片外露的中空功能区,且在胶座一侧边的位置上形成一让位空间,使该第二连接部与该金属边框外露;
以裁切外露的部份该第二连接部与该金属边框;
于该胶座的中空功能区中的第二电极片上固接有一发光芯片;将一金属线电性连结于该发光芯片与该第一电极片上;
将胶体点入于该中空功能区;
将切断的金属支架的第二连接部施加电源,使该第一电极片及该第二电极片通电点亮该发光芯片,以进行亮度及色度的配比检测。
其中,该金属边框上具有多个间隔排列的长孔及短孔,在二个该短孔之间具有一贯穿孔。
其中,该第一连接部是以纵向或横向连接每一个金属支架。
其中,该第一电极片为长方形,并与该第二电极片相邻或相对应的侧边上具有二相对应的缺口。
其中,该第二电极片的二侧边上具有二相对应的二凹槽,该第二电极片的另一侧边具有一凹口。
其中,该胶座背面具有二通孔,该二通孔供该第一电极片及该第二电极片外露。
其中,在支架结构冲压或蚀刻后,在该支架结构的金属支架上电镀一层金属膜。
其中,该让位空间为该第二连接部与该金属边框上未有热固性塑胶。
其中,该发光芯片为单色或多色的芯片。
其中,该金属线为金线。
其中,该胶体为硅胶。
其中,该胶体添加有萤光粉。
附图说明
图1,是本发明的制作流程示意图。
图2,是本发明的发光二极管的支架结构示意图。
图3,是第一图的局部放大示意图。
图4,是本发明的发光二极管的支架结构上成型有胶座的正视示意图。
图5,是本发明的发光二极管的支架结构上成型有胶座的背面示意图。
图6,是第三、四图的金属边框及连接部被切断示意图。
图7,是本发明的发光二极管的支架结构的上视示意图。
图8,是本发明的发光二极管的支架结构的侧视示意图。
【主要元件符号说明】
步骤100~116
支架结构10
金属边框1
长孔11
短孔12
贯穿孔13
金属支架2
第一电极片21
缺口211
第二电极片22
凹槽221
凹口222
第连接部23
第二连接部24
胶座3
中空功能区31
通孔32、33
让位空间34
发光芯片4
金线5
胶体6
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,:
请参阅图1、图2、图3。图1,是本发明的制作流程示意图。图2,是本发明的发光二极管的支架结构示意图。图3,是第一图的局部放大示意图。如图所示:本发明的发光二极管的支架结构,首先,如步骤100备有一金属板材。
步骤102,将该金属板材冲压或蚀刻制成支架结构,该支架结构10包括:一金属边框1及多个金属支架2。该金属边框1,其上具有多个间隔排列的长孔11及短孔12,于二个该短孔12之间具有一贯穿孔13。该金属支架2上具有一第一电极片21、一第二电极片22及连接该第一电极片21、第二电极片22与金属边框1的第一连接部(bar)23,该第一电极片21为长方形,并与该第二电极片22相邻或相对应的侧边上具有二相对应的缺口211,该第二电极片22的二侧边上具有二相对应的二凹槽221,该第二电极片22的另一侧边具有一凹口222,该侧边的二凹槽221及该凹口222使该第二电极片22呈一件衣服的形状。
前述的任一金属支架2的第一电极片21与该第二电极片22的二侧边皆未具有第一连接部23与其他的第一电极片21及第二电极片22连接,仅于一侧边上具有第二连接部24与该金属边框1连接。
步骤104,在支架结构10冲压或蚀刻后,将该支架结构10的金属支架2进行电镀,在该金属支架2上电镀一层金属膜。
步骤106,在上述的支架结构10电镀完成后,利用热固性塑胶经过热固成型技术,于该金属支架2上成型有一胶座3,该胶座3成型后包覆于该第一电极片21、第二电极片22及该连接部23上。该胶座3的正面具有一中空功能区31,该中空功能区31使该第一电极片21及该第二电极片22外露(如图4)。同样地,该胶座3的背面具有二通孔32、33,该二通孔32、33供第一电极片21及第二电极片22外露,在该第一电极片21及该第二电极片22导通点亮发光芯片(图中未示)时,该二通孔32、33供该第一电极片21及第二电极片22散热作用(如图5)。在胶座3热固后,在胶座3位置的一侧边上形成一个让位空间(未有热固性塑胶)34,使该第二连接部24与金属边框1呈外露状态(如图4、图5)。
步骤108,在该支架结构10上的金属支架2的胶座3热固后,以裁切让位空间34上外露的部份该第二连接部24与金属边框1,在该第二连接部24被切断后,该胶座3与其他的胶座3连接在一起(如图6、图7)。
步骤110,在外露的部份该第二连接部24与金属边框1被切断后,在该胶座3的中空功能区31中外露的第二电极片22上固接有一发光芯片4。在本图式中,该发光芯片4为单色或多色的芯片(如图7、图8)。
步骤112,在于该发光芯片4电性连结一金属线5至该中空功能区31中外露的第一电极片21上。在本图式中,该金属线5为金线。
步骤114,在固晶与打线制作完成后,在该胶座3的中空功能区31内进行点胶制作,将胶体6点入于该中空功能区31中(图8)。在本图式中,该胶体为硅胶。
步骤116,在点胶后,可以对发光二极管进行前测作业,所谓的前测作业就是在点胶后,该胶体6尚未干涸前,检测者可以施加电压于第二连接部24被切断的单一个的金属支架2的该第一电极片21及该第二电极片22上,以点亮该发光芯片4所产生的光与该胶体6所混入的萤光粉混色后,所形成的色度及亮度是否达到与先前设计的色度及亮度配比的要求。
如要制作一个白光的发光二极管时,该发光芯片为蓝光,在中空功能区31所点入的胶体6就混合有黄色的萤光粉,在胶体6点入后未干涸时,检测者可以对该第二连接部24被切断的金属支架2的该第一电极片21及该第二电极片22加电源,以进行发光芯片4与混有黄色的萤光粉的胶体6的亮度及色度配比是否正确。
上述的金属支架2在胶座3制作完成后进行该金属支架2的第二连接器24裁切,使发光二极管在点胶后可以进行前测作业,使发光二极管的制作良率可以提升至90%以上,以降低不良率的产生。
上述仅为本发明的较佳实施例而已,并非用来限定本发明实施的范围。任何所属技术领域中具有通常知识者,本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些更动与润饰,故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准故本发明的保护范围以权利要求书为准。

Claims (12)

1.一种发光二极管的支架结构制作方法,包括:
步骤1,备有一金属板材;
步骤2,在该金属板材成型有一金属边框及多个金属支架,该金属支架上具有一第一电极片、一第二电极片及一连接该第一电极片及该第二电极片与该金属边框的连接部,于前述其一金属支架的第一电极片及第二电极的仅一侧边上具有一第二连接部与该金属边框连接;
步骤3,于该金属支架上成形有胶座,成形后的该胶座正面上具有一供该第一电极片及该第二电极片外露的中空功能区,且在该胶座一侧边的位置上形成一让位空间,使该第二连接部与金属边框外露;
步骤4,以裁切该外露的部份该第二连接部与金属边框;
步骤5,于该胶座的中空功能区中的第二电极片上固接有一发光芯片;
步骤6,将一金属线电性连结于该发光芯片与该第一电极片上;
步骤7,将胶体点入于该中空功能区;
步骤8,将切断的金属支架的第二连接部施加电源,使该第一电极片及该第二电极片通电点亮该发光芯片,以进行亮度及色度的配比检测。
2.如权利要求1所述的支架结构制作方法,其特征在于,步骤2的金属边框上具有多个间隔排列的长孔及短孔,于二个该短孔之间具有一贯穿孔。
3.如权利要求1所述的支架结构制作方法,其特征在于,,该第一连接部是以纵向或横向连接每一个金属支架。
4.如权利要求1所述的支架结构制作方法,其特征在于,该第一电极片为长方形,并与该第二电极片相邻或相对应的侧边上具有二相对应的缺口。
5.如权利要求1所述的支架结构制作方法,其特征在于,该第二电极片的二侧边上具有二相对应的二凹槽,该第二电极片的另一侧边具有一凹口。
6.如权利要求1所述的支架结构制作方法,其特征在于,该胶座背面具有二通孔,该二通孔供该第一电极片及该第二电极片外露。
7.如权利要求1所述的支架结构制作方法,其特征在于,在步骤2与步骤3之间更包含有电镀的步骤,在支架结构冲压或蚀刻后,在该支架结构的金属支架上电镀一层金属膜。
8.如权利要求1所述的支架结构制作方法,其特征在于,该步骤3的让位空间为该第二连接部及与该第二连接部连接的金属边框上未有热固性塑胶。
9.如权利要求1所述的支架结构制作方法,其特征在于,该步骤5的发光芯片为单色或多色的芯片。
10.如权利要求1所述的支架结构制作方法,其特征在于,该步骤6的金属线为金线。
11.如权利要求1所述的支架结构制作方法,其特征在于,该步骤7的胶体为硅胶。
12.如权利要求11所述的支架结构制作方法,其特征在于,该胶体添加有萤光粉。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01206673A (ja) * 1988-02-15 1989-08-18 Toshiba Corp 光伝送装置
TW200847478A (en) * 2007-05-30 2008-12-01 I Chiun Precision Ind Co Ltd Light-emitting diode lead frame and manufacture method thereof
TWM366177U (en) * 2009-03-17 2009-10-01 Silitek Electronic Guangzhou Lead frame, package structure and LED package structure

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01206673A (ja) * 1988-02-15 1989-08-18 Toshiba Corp 光伝送装置
TW200847478A (en) * 2007-05-30 2008-12-01 I Chiun Precision Ind Co Ltd Light-emitting diode lead frame and manufacture method thereof
TWM366177U (en) * 2009-03-17 2009-10-01 Silitek Electronic Guangzhou Lead frame, package structure and LED package structure

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