CN103531465B - 快恢复二极管制备方法 - Google Patents
快恢复二极管制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103531465B CN103531465B CN201310419510.8A CN201310419510A CN103531465B CN 103531465 B CN103531465 B CN 103531465B CN 201310419510 A CN201310419510 A CN 201310419510A CN 103531465 B CN103531465 B CN 103531465B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- preparation
- fast recovery
- recovery diode
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000011084 recovery Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 16
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 4
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
- H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66136—PN junction diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/8611—Planar PN junction diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
本发明涉及一种快恢复二极管制备方法，包括如下步骤：在N‑型衬底表面生长一牺牲氧化层；在衬底上形成一P型掺杂场限环区；在衬底上形成一P型掺杂阳极区；刻蚀去除牺牲氧化层；对衬底退火，以形成PN结；通过离子注入向衬底表面注入氧；对衬底退火，以在衬底表面形成二氧化硅层；刻蚀去除二氧化硅层；形成快恢复二极管的阳极、阴极电极。其消除了PN结形貌在靠近硅表面处的弯曲部，减小了此处的电场强度，从而提高了快恢复二极管器件击穿电压以及可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体加工制造领域，更具体地说，涉及一种快恢复二极管的制备方法。
背景技术
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
随着IGBT等功率器件的快速发展，与之配套使用的FRD器件也成为功率电子系统中不可或缺的器件。对于和高压IGBT配套使用的FRD功率器件，其反向击穿电压与反向恢复特性和正向导通压降一样重要，而FRD器件的击穿电压低于IGBT的击穿电压会损坏模块中IGBT器件。
图1示出现有技术中一种快恢复二极管器件结构，该器件包括N-型衬底10、P型掺杂场限环区101、P型掺杂阳极区102、通过背注形成的N+型掺杂区103、场氧层40、以及第一、第二金属层50、60；其中，场限环101与阳极区102均在N-型衬底上进行掺杂而形成，场氧层40生长于衬底表面，第一金属层50在场氧层40之上沉积形成，并最终形成为快恢复二极管阳极电极，N+型掺杂区103在衬底10背面形成，第二金属层60沉积于N+型掺杂区103之上，形成为阴极电极。
该结构采用了场限环（field-limiting ring，简称FLR）和场板（field plate，简称FP）技术来提高FRD器件的击穿电压，但是，在其制备工艺中，通常采用传统平面工艺，场限环区101和阳极区102通过离子注入、再经退火形成所需的PN结。退火工艺后形成的PN结形貌在图1中示出，在靠近硅表面会形成弯曲部70，该弯曲部70会使PN结曲率半径减小，使电场在弯曲处积聚，容易发生击穿，从而导致FRD器件击穿电压和可靠性的下降。
因此，避免PN结形貌出现弯曲部，从而提高FRD器件击穿电压，是本发明需要解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种快恢复二极管制备方法，其能避免PN结形貌出现弯曲部。
为实现上述目的，本发明的技术方案如下：
一种快恢复二极管制备方法，包括如下步骤：a)、在N-型衬底表面生长一牺牲氧化层；b)、在衬底上形成一P型掺杂场限环区；c)、在衬底上形成一P型掺杂阳极区；d)、刻蚀去除牺牲氧化层；e)、对衬底退火，以形成PN结；f)、通过离子注入向衬底表面注入氧；g)、对衬底退火，以在衬底表面形成二氧化硅层；h)、刻蚀去除二氧化硅层；i)、形成快恢复二极管的阳极、阴极电极。
优选地，步骤f)中，离子注入氧的剂量为1e18/cm2至1e19/cm2,能量为15KeV至150KeV。
优选地，步骤g)中，退火温度为600-1300度。
优选地，步骤b)具体包括：在衬底上以光刻定义出场限环区域图形，并通过离子注入B，去除光刻胶，形成P型掺杂场限环区。
优选地，步骤c)具体包括：在衬底上以光刻定义出阳极区图形，并通过离子注入B，去除光刻胶，形成P型掺杂阳极区。
本发明提供的快恢复二极管制备方法，在制备工艺过程中，通过向衬底表面离子注入氧、退火形成二氧化硅层、刻蚀去除二氧化硅层等步骤，消除了PN结形貌在靠近硅表面处的弯曲部，减小了此处的电场强度，从而提高了FRD器件击穿电压以及可靠性。该制备方法实施简单，便于在行业内推广应用。
附图说明
图1示出现有技术中一种快恢复二极管器件结构示意图；
图2示出本发明一个实施例提供的快恢复二极管制备方法流程示意图；
图3A-3H示出快恢复二极管制备方法的各步骤中器件结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。
如图2所示，本发明一个实施例提供的快恢复二极管制备方法，包括如下工艺步骤。
步骤S10、在N-型衬底表面生长一层牺牲氧化层。
具体地，衬底为N-型掺杂硅衬底10，其表面生长的牺牲氧化层20厚度为至，此时，器件结构如图3A所示。
步骤S11、在衬底上形成P型掺杂场限环区域。
具体地，在N-型衬底10上涂膜光刻胶30，以第一次光刻定义出场限环区域的图形，并向衬底10表面离子注入B，如图3B所示；随后去除光刻胶30，从而形成P型掺杂的场限环区101。
进一步地，B注入剂量为1e14/cm2至1e15/cm2，能量为60KeV至100KeV。
步骤S12、在衬底上形成P型掺杂阳极区。
具体地，在N-型衬底上涂膜光刻胶31，以第二次光刻定义出阳极区图形，并通过离子注入B，如图3C所示；随后去除光刻胶31，形成P型掺杂的阳极区102。
进一步地，B注入剂量为1e12/cm2至8e12/cm2，能量为60KeV至100KeV。
步骤S13、刻蚀去除牺牲氧化层20。
具体地，可通过包含氢氟酸的刻蚀材料对N-型衬底10表面进行刻蚀，以去除牺牲氧化层20。
步骤S14、对衬底10退火，以形成PN结。
该步骤中，退火温度大体为1200度，退火时间大体为300分钟，退火工艺使得场限环区101和阳极区102扩大，此时，形成PN结的器件结构如图3D所示，PN结靠近硅表面处的形貌会形成弯曲部，PN结曲率半径减小，使电场在弯曲处积聚。
步骤S15、通过离子注入向衬底表面注入氧。
具体地，离子注入氧的剂量为1e18/cm2至1e19/cm2,能量为15KeV至150KeV。
步骤S16、对衬底退火，以在衬底表面形成二氧化硅层30。
其中，退火温度为600-1300度，时间例如为30分钟至300分钟，从而使衬底表面的硅被氧化，从而形成二氧化硅层30，此时，器件结构如图3E所示。
步骤S17、刻蚀去除二氧化硅层30。
具体地，可通过氢氟酸刻蚀N-型衬底10表面，去除因步骤S16的退火工艺而在衬底表面形成的二氧化硅层30，此时器件结构如图3F所示。
经步骤S15、S16和S17后，相比于图3D所示的器件结构，已明显消除了PN结形貌上出现的弯曲部。
步骤S18、形成快恢复二极管的阳极、阴极电极。
该步骤可具体包括如下分步骤：1)、在衬底表面生长一场氧层40；2）、在场氧层上通过光刻、刻蚀定义出场板结构；3)、在衬底表面沉积第一金属层50；4)、对第一金属层50光刻、刻蚀，以形成为快恢复二极管的阳极，此时器件结构如图3G所示；5）、从衬底背面研磨硅片，使其减薄至所需厚度；6)、在衬底背面离子注入磷并进行退火，形成一层N+型掺杂区103；7)、在衬底背面沉积第二金属层60，并形成为快恢复二极管的阴极，此时器件结构如图3H所示。
具体地，上述分步骤1）中，在衬底表面生长一场氧层40，厚度为再通过第三次光刻形成场氧区。
上述分步骤4）中，分别通过第四次、第五次光刻形成接触孔和阳极电极，其中，接触孔用于连接第一金属层50与阳极区102。
进一步地，第一金属层50可经光刻而形成第一金属区和第二金属区，第一金属区通过开孔与阳极区102相连，最终形成为快恢复二极管的阳极；第二金属区通过开孔与场限环区101相连，形成为搭在场板上的金属环。
上述分步骤7）中，第二金属层60与N+型掺杂区103在结合面形成欧姆接触，以不形成附加阻抗；第二金属层60以背金工艺形成，并作为快恢复二极管器件的阴极，可增加快恢复二极管导电性能，并提升其散热效果。
上述实施例提供的快恢复二极管制备方法，通过向衬底表面离子注入氧、退火形成二氧化硅层、刻蚀去除二氧化硅层等步骤，消除了PN结形貌在靠近硅表面处的弯曲部，减小了此处的电场强度，从而提高了FRD器件击穿电压以及可靠性。同时，该制备方法实施简单，便于在行业内推广应用。
可以理解，在本发明的具体实施过程中，形成P型掺杂场限环区域和阳极区域的工艺步骤、以及形成快恢复二极管的阳极、阴极电极的工艺步骤均可采用现有技术中任意类似的技术；只要在快恢复二极管的制备方法中，运用了离子注入氧、退火形成二氧化硅层以及刻蚀去除二氧化硅层的工艺步骤，用以消除PN结形貌中出现的弯曲部，均应视为符合本发明的思想。
以上所述的仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用以限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种快恢复二极管制备方法，包括如下步骤：
a)、在N-型衬底表面生长一牺牲氧化层；
b)、在所述衬底上形成一P型掺杂场限环区；
c)、在所述衬底上形成一P型掺杂阳极区；
d)、刻蚀去除所述牺牲氧化层；
e)、对所述衬底退火，以形成PN结；
f)、通过离子注入向所述衬底表面注入氧；
g)、对所述衬底退火，以在所述衬底表面形成二氧化硅层；
h)、刻蚀去除所述二氧化硅层，以消除PN结靠近硅表面处形成的弯曲部；
i)、形成所述快恢复二极管的阳极、阴极电极。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤f)中，离子注入氧的剂量为1e18/cm2至1e19/cm2,能量为15KeV至150KeV。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤g)中，退火温度为600-1300摄氏度。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中：所述牺牲氧化层厚度为至
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b)具体包括：在所述衬底上以光刻定义出场限环区域图形，并通过离子注入B，去除光刻胶，形成所述P型掺杂场限环区。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b)中，B注入剂量为1e14/cm2至1e15/cm2，能量为60KeV至100KeV。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤c)具体包括：在所述衬底上以光刻定义出阳极区图形，并通过离子注入B，去除光刻胶，形成所述P型掺杂阳极区。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤c)中，B注入剂量为1e12/cm2至8e12/cm2，能量为60KeV至100KeV。
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤e)中，退火温度为1200度，退火时间为300分钟。
10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤i)中，具体包括如下步骤：
i1)、在所述衬底表面生长一层场氧层；
i2)、在所述场氧层上通过光刻、刻蚀定义出场板结构；
i3)、沉积第一金属层；
i4)、对所述第一金属层光刻、刻蚀，形成为所述快恢复二极管的阳极；
i5)、减薄硅片所述衬底至所需厚度；
i6)、在所述衬底背面离子注入磷并退火，形成一层N+区；
i7)、在所述衬底背面沉积第二金属层，形成为所述快恢复二极管的阴极。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310419510.8A CN103531465B (zh) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | 快恢复二极管制备方法 |
| PCT/CN2013/088928 WO2015035718A1 (zh) | 2013-09-13 | 2013-12-10 | 快恢复二极管制备方法 |
| US14/901,064 US9837275B2 (en) | 2013-09-13 | 2013-12-10 | Fabrication method of fast recovery diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310419510.8A CN103531465B (zh) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | 快恢复二极管制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103531465A CN103531465A (zh) | 2014-01-22 |
| CN103531465B true CN103531465B (zh) | 2018-04-06 |
Family
ID=49933382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310419510.8A Active CN103531465B (zh) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | 快恢复二极管制备方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9837275B2 (zh) |
| CN (1) | CN103531465B (zh) |
| WO (1) | WO2015035718A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106024851A (zh) * | 2015-10-21 | 2016-10-12 | 苏州保尔迪瓦电子科技有限公司 | 一种耗时缩短的超级结快恢复二极管制备方法 |
| CN115117149B (zh) * | 2022-08-23 | 2022-11-29 | 深圳芯能半导体技术有限公司 | 一种基于湿法刻蚀工艺的快恢复二极管及其制备方法 |
| CN115295613B (zh) * | 2022-10-08 | 2023-01-03 | 烟台台芯电子科技有限公司 | 一种快恢复二极管结构及其制造方法 |
| CN117012860A (zh) * | 2023-10-07 | 2023-11-07 | 青岛旭芯互联科技研发有限公司 | 光电二极管的制备方法及光电二极管 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101483196A (zh) * | 2007-12-21 | 2009-07-15 | 塞米克朗电子有限及两合公司 | 带有凹槽状第二触点区域的功率半导体元件 |
| CN102569067A (zh) * | 2012-02-17 | 2012-07-11 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2850694B2 (ja) * | 1993-03-10 | 1999-01-27 | 株式会社日立製作所 | 高耐圧プレーナ型半導体装置 |
| JPH06275576A (ja) * | 1993-03-22 | 1994-09-30 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US6441455B1 (en) * | 1997-03-06 | 2002-08-27 | International Rectifier Corporation | Low dosage field rings for high voltage semiconductor device |
| US6753580B1 (en) * | 2000-05-05 | 2004-06-22 | International Rectifier Corporation | Diode with weak anode |
| US20020195613A1 (en) * | 2001-04-02 | 2002-12-26 | International Rectifier Corp. | Low cost fast recovery diode and process of its manufacture |
| US7378689B2 (en) * | 2005-10-17 | 2008-05-27 | Princeton Lightwave, Inc. | Apparatus comprising an avalanche photodiode |
| CN101621029B (zh) * | 2008-07-03 | 2011-01-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 有选择的反窄宽度效应的dram单元结构及其生成方法 |
| CN101996876B (zh) * | 2009-08-27 | 2011-12-14 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法 |
| DE112011103506T5 (de) * | 2011-11-17 | 2014-11-06 | Fuji Electric Co., Ltd | Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung |
| CN103178120A (zh) * | 2011-12-26 | 2013-06-26 | 江苏宏微科技有限公司 | 外延型快速恢复二极管及其制备方法 |
| CN102522335B (zh) * | 2011-12-31 | 2014-10-22 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 一种功率器件终端环的制造方法及其结构 |
| CN102842501B (zh) * | 2012-08-03 | 2015-07-08 | 中国电力科学研究院 | 一种高压快速恢复二极管制造方法 |
| JP5969927B2 (ja) * | 2013-01-18 | 2016-08-17 | 株式会社 日立パワーデバイス | ダイオード、電力変換装置 |
| JP2014241367A (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子、半導体素子の製造方法 |
| CN104332494B (zh) * | 2013-07-22 | 2018-09-21 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法 |
-
2013
- 2013-09-13 CN CN201310419510.8A patent/CN103531465B/zh active Active
- 2013-12-10 US US14/901,064 patent/US9837275B2/en active Active
- 2013-12-10 WO PCT/CN2013/088928 patent/WO2015035718A1/zh active Application Filing
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101483196A (zh) * | 2007-12-21 | 2009-07-15 | 塞米克朗电子有限及两合公司 | 带有凹槽状第二触点区域的功率半导体元件 |
| CN102569067A (zh) * | 2012-02-17 | 2012-07-11 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2015035718A1 (zh) | 2015-03-19 |
| US20170323793A1 (en) | 2017-11-09 |
| US9837275B2 (en) | 2017-12-05 |
| CN103531465A (zh) | 2014-01-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9369125B2 (en) | Bidirectional two-base bipolar junction transistor operation, circuits, and systems with collector-side base driven | |
| CN101540343B (zh) | 偏移场板结构的4H-SiC PiN/肖特基二极管及其制作方法 | |
| CN103531465B (zh) | 快恢复二极管制备方法 | |
| CN101540283A (zh) | 场限环结构的4H-SiC PiN/肖特基二极管制作方法 | |
| CN106298967B (zh) | 碳化硅二极管及其制备方法 | |
| CN106601826B (zh) | 一种快恢复二极管及其制作方法 | |
| CN111081759A (zh) | 一种增强型碳化硅mosfet器件及其制造方法 | |
| CN104576361B (zh) | 功率二极管的制备方法 | |
| CN102832121B (zh) | 快恢复二极管制造方法 | |
| JP4458588B2 (ja) | 静電誘導型半導体デバイスおよびその製造方法 | |
| CN109148605B (zh) | 快恢复二极管及制备方法、电子设备 | |
| US9960158B2 (en) | Semiconductor device | |
| US20220231148A1 (en) | Method for manufacturing a power transistor, and power transistor | |
| CN110690294A (zh) | 一种快恢复二极管 | |
| CN209766432U (zh) | Mps二极管器件 | |
| CN210110776U (zh) | 一种自散热快恢复功率器件芯片 | |
| CN112310226B (zh) | 快恢复二极管及其制备方法 | |
| CN109256422B (zh) | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | |
| CN202721133U (zh) | 功率二极管器件 | |
| CN210467855U (zh) | 一种快恢复二极管 | |
| JP2012178494A (ja) | 炭化珪素ジャンクションバリアショットキーダイオードおよびその製造方法 | |
| JP2008021723A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN113594262A (zh) | 一种快恢复二极管结构及其制造方法 | |
| JP2002353470A (ja) | 可変容量ダイオード及びその製造方法 | |
| JP2004297006A (ja) | 炭化けい素半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |