CN103531440A - 一种晶圆背面的表面修复方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种晶圆背面的表面修复方法，首先将晶圆放入惰性气体（如Ar）和氧气的混合气体环境中，氧气与惰性气体的体积份数之比为1：100～3:100，然后利用日本TEL公司的SPA机台进行表面修复，其可以在低温下产生浓度分布均匀的高密度RLSA等离子体（径向线缝隙天线等离子体），RLSA等离子体在压力范围为5毫托～500毫托，温度范围为300℃～400℃，在惰性气体(如Ar等)与氧气的环境下与晶圆背面作用，修复晶圆背面的表面缺陷，以降低界面缺陷密度，从而获得很好的器件性能。

Description

一种晶圆背面的表面修复方法
技术领域
本发明涉及一种晶圆的修复方法，尤其涉及一种晶圆背面的表面修复方法。
背景技术
功能器件(power device)和背照式CMOS传感器等制造工艺中，需要将晶圆背面进行减薄化处理，减薄势必对硅基底造成损伤，形成表面缺陷。现有的技术一般采用蒸汽氧化物(steam oxide)或者去偶化的氧化物(DPO)的等方法来进行表面修复，但是其仍有进一步的提升空间
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种晶圆背面的表面缺陷的修复方法。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种晶圆背面的表面修复方法，首先将晶圆放入惰性气体和氧气的混合气体环境中，然后通入等离子体，所述等离子体作用于晶圆背面，修复晶圆背面的表面缺陷。
本发明的有益效果是：采用等离子体作用于晶圆背面，以修复晶圆背面的表面缺陷，降低界面缺陷密度，从而获得很好的器件性能。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，所述等离子体为径向线缝隙天线等离子体。
进一步，所述惰性气体与氧气的混合气体环境中，氧气与惰性气体的体积份数之比为1：100～3:100。
进一步，所述等离子体作用于晶圆背面所需要的压力范围为5毫托～500毫托，所需要的温度范围为300℃～400℃。
附图说明
图1为本发明一种晶圆背面的表面修复方法的流程图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
如图1所示，一种晶圆背面的表面修复方法，首先将晶圆放入惰性气体（如Ar）和氧气的混合气体环境中，氧气与惰性气体的体积份数之比为1:100～3:100，然后利用日本TEL公司的SPA机台进行表面修复，其可以在低温下产生浓度分布均匀的高密度RLSA等离子体（RLSA等离子体为径向线缝隙天线等离子体），所述RLSA等离子体为由多个缝隙的平面天线将微波导入容器内形成气体的微波激发的高密度等离子体，RLSA等离子体在压力范围为5毫托～500毫托，温度范围为300℃～400℃的，在惰性气体(如Ar等)与氧气的环境下与晶圆背面作用，径向线缝隙天线等离子体在惰性气体(如Ar等)与氧气的环境下于晶圆背面表面发生反应，生成填充晶圆背面缺陷的物质填充晶圆背面表面的缺陷，使得晶圆背面表面致密平整，修复晶圆背面的表面缺陷，以降低界面缺陷密度，从而获得很好的器件性能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种晶圆背面的表面修复方法，其特征在于：首先将晶圆放入惰性气体和氧气的混合气体环境中，然后通入等离子体，所述等离子体作用于晶圆背面，修复晶圆背面的表面缺陷。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆背面的表面修复方法，其特征在于：所述等离子体为径向线缝隙天线等离子体。
3.根据权利要求1或2所述的一种经验背面的表面修复方法，其特征在于：所述惰性气体与氧气的混合气体环境中，氧气与惰性气体的体积份数之比为1：100～3：100。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆背面的表面修复方法，其特征在于：所述等离子体作用于晶圆背面所需要的压力范围为5毫托～500毫托，所需要的温度范围为300℃～400℃。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110211985A (zh) * 2019-06-20 2019-09-06 德淮半导体有限公司 半导体衬底的修复方法
CN110581049A (zh) * 2018-06-08 2019-12-17 财团法人工业技术研究院 处理基板边缘缺陷的等离子体系统及方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101197282A (zh) * 2006-12-04 2008-06-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及其制造方法
US20120178262A1 (en) * 2009-09-18 2012-07-12 Solvay Fluor Gmbh Process for the manufacture of wafers for solar cells at ambient pressure
CN102693931A (zh) * 2011-03-23 2012-09-26 中国科学院微电子研究所 一种薄膜填充方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101197282A (zh) * 2006-12-04 2008-06-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及其制造方法
US20120178262A1 (en) * 2009-09-18 2012-07-12 Solvay Fluor Gmbh Process for the manufacture of wafers for solar cells at ambient pressure
CN102693931A (zh) * 2011-03-23 2012-09-26 中国科学院微电子研究所 一种薄膜填充方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110581049A (zh) * 2018-06-08 2019-12-17 财团法人工业技术研究院 处理基板边缘缺陷的等离子体系统及方法
CN110211985A (zh) * 2019-06-20 2019-09-06 德淮半导体有限公司 半导体衬底的修复方法

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