CN103531096A - 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置，该显示基板包括：衬底基板和形成于所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极连接，所述漏电极与所述像素电极至少一侧的边缘区域相连接。本发明的技术方案可以增加像素电极与漏电极连接的接触点及接触面积，提升显示质量。

Description

显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置。
背景技术
柔性显示器以其轻薄，可弯折甚至卷曲，机械性能好等特点在我们的生活当中得到越来越广泛的应用。柔性显示器件通常是制作在柔性载体上的，由于其具有弯折的特性，给其设计和制作也带来很大的挑战。一般柔性显示器件都会用到铟锡氧化物（ITO）电极作为阳极以进行像素显示。
图1为现有技术中的显示基板像素单元的平面结构示意图，图2为图1中的显示基板像素单元的A-A向剖面结构示意图，如图1和图2所示，该显示基板包括：衬底基板9、形成于衬底基板9上的薄膜晶体管8、形成于薄膜晶体管8上的像素电极7，薄膜晶体管8包括：依次设置的栅电极1、栅绝缘层2、有源层4、源电极31和漏电极32。源电极31和漏电极32上形成有钝化层5，钝化层5上形成有像素电极7。钝化层5上设置有过孔13，像素电极7通过过孔13与漏电极32相连接，从而实现薄膜晶体管8控制像素电极7以进行像素显示。
然而，现有技术显示基板的结构中，漏电极32与像素电极7通过过孔13相连，漏电极32与像素电极7的接触面积非常小，若像素电极7发生断裂，像素电极7与漏电极32断开，不能实现电连接，导致外界信号无法驱动像素进行正常显示，进而降低了显示质量。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置，其可以增加像素电极与漏电极连接的接触点及接触面积，从而提升显示质量。
为实现上述目的，本发明提供一种显示基板，包括：衬底基板和形成于所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极相连接，所述漏电极与所述像素电极至少一侧的边缘区域相连接。
优选地，所述漏电极的上方形成有钝化层，所述钝化层上形成有过孔，所述像素电极通过所述过孔实现与所述漏电极的电连接。
优选地，所述过孔的形状为环状。
优选地，所述过孔的形状为由多个过孔呈阵列排布形成的面状。
优选地，所述过孔的形状包括由多个过孔呈阵列排布形成的环状、连续的环状或局部断开的环状。
优选地，所述漏电极的形状为环形或面状。
为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，包括上述的显示基板。
为实现上述目的，本发明提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
为实现上述目的，本发明提供一种显示基板的制作方法，包括：
在衬底基板上形成栅线和数据线、薄膜晶体管、像素电极；
其中，所述栅线和所述数据线限定像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极连接，所述漏电极与所述像素电极至少一侧的边缘区域相连接。
优选地，该方法还包括：在漏电极的上方形成钝化层，所述钝化层上形成过孔，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极电连接。
优选地，所述漏电极的形状为环形或面状。
本发明提供的显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置，通过增加漏电极与像素电极的接触点及接触面积，在像素电极的一部分发生断裂时，可通过利用像素电极中未发生断裂的部分与漏电极连接，有效增大了像素电极与漏电极连接的可靠性，从而提升了显示质量。
附图说明
图1为现有技术中的显示基板像素单元的平面结构示意图；
图2为图1中的显示基板像素单元的A-A向剖面结构示意图；
图3为本发明实施例一提供的一种显示基板像素单元的平面结构示意图；
图4为图3中显示基板像素单元的B-B向剖面结构示意图；
图5为本发明实施例二提供的一种显示基板像素单元的平面结构示意图；
图6为图5中显示基板像素单元的C-C向剖面结构示意图；
图7为本发明实施例五提供的一种显示基板的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置作进一步详细描述。
图3为本发明实施例一提供的一种显示基板像素单元的平面结构示意图，图4为图3中显示基板像素单元的B-B向剖面结构示意图，如图3和图4所示，该显示基板包括：衬底基板9和形成于衬底基板9上的栅线11和数据线12，栅线11和数据线12限定像素单元，像素单元包括薄膜晶体管8和像素电极7，薄膜晶体管8的漏电极33与像素电极7至少一侧的边缘区域通过过孔6相连接。
进一步地，该显示基板还包括：形成于衬底基板上的电源线19。其中，薄膜晶体管8包括：栅电极1、形成于栅电极1上的栅绝缘层2、形成于栅绝缘层2上的有源层4、形成于有源层4上的源电极31和漏电极33。该显示基板还包括：薄膜晶体管10，薄膜晶体管10包括：栅电极18、形成于栅电极18上的栅绝缘层、形成于栅绝缘层上的有源层16、形成于有源层16上的源电极14和漏电极15，漏电极15通过过孔17与栅电极1连接。可选地，有源层4与源电极31和漏电极33之间还设置有刻蚀阻挡层（图中未示出）。漏电极33的上方形成有钝化层5，钝化层5上设置有过孔6，像素电极7通过过孔6实现与漏电极33电连接。
优选的，过孔6的形状为环状。过孔6的形状包括由多个过孔呈阵列排布形成的环状、连续的环状或者局部断开的环状。进一步地，漏电极33的形状为环形或者面状。当过孔6的形状为由多个过孔呈阵列排布形成的环状时，漏电极33的形状为环形时，像素电极7通过过孔6与漏电极33电连接，像素电极7与漏电极33连接的部位呈环形，增加了像素电极7与漏电极33的接触面积，提高了像素电极7与漏电极33的连接可靠性，提升显示基板的显示质量。进一步地，过孔6的形状可以为连续的环状或者局部断开的环状，但本实施例中的过孔的形状并不局限于此，只要能保证在像素电极7发生断裂时，像素电极7与漏电极33还能实现电连接的形状均在本实施例的保护范围内。
本实施例中，当像素电极7发生断裂时，即使像素电极7有多个部位发生断裂，若发生断裂的像素电极7中有一部分通过过孔6与漏电极33电连接，则像素电极7还可以驱动像素进行显示，从而保证了显示质量。而现有技术中的显示基板的结构中，像素电极与漏电极通过过孔相连接，接触部位较小，若像素电极发生断裂时，不与漏电极相连的像素电极无法驱动像素进行正常显示，本实施例的显示基板可以有效增大像素电极与漏电极连接的可靠性。
需要说明的是，在实际应用中，可以根据开口率的大小需求以及像素电极和漏电极之间连接性能的需求来确定像素电极和漏电极连接部位的面积和分布。
本实施例提供的显示基板中，漏电极与像素电极至少一侧的边缘区域通过过孔相连接时，通过增加漏电极与像素电极的连接点及接触面积，设计过孔的形状为环状，漏电极的形状为环形或面状，并相应地增大漏电极的面积，从而保证像素电极的一部分发生断裂时，可通过利用像素电极的中未发生断裂部分与漏电极连接，有效增大像素电极与漏电极连接的可靠性，提升了显示质量。可选地，本实施例的过孔也可设计成由多个过孔呈阵列排布形成的面状，此时漏电极的形状为面状。
图5为本发明实施例二提供的一种显示基板像素单元的平面结构示意图，图6为图5中显示基板像素单元的C-C向剖面结构示意图，如图5和图6所示，该显示基板包括：衬底基板9和形成于衬底基板9上的栅线11和数据线12，栅线11和数据线12限定像素单元，像素单元包括薄膜晶体管8和像素电极7，薄膜晶体管8的漏电极34与像素电极7相连接，漏电极34与像素电极7相对设置。
其中，薄膜晶体管8包括：栅电极1、形成于栅电极1上的栅绝缘层2、形成于栅绝缘层2上的有源层4、形成于有源层4上的源电极31和漏电极34。该显示基板还包括：薄膜晶体管10，薄膜晶体管10包括：栅电极18、形成于栅电极18上的栅绝缘层、形成于栅绝缘层上的有源层16、形成于有源层16上的源电极14和漏电极15，漏电极15通过过孔17与栅电极1连接。可选地，有源层4与源电极31和漏电极34之间还设置有刻蚀阻挡层（图中未示出）。
优选地，漏电极34的形状为面状。漏电极34的形状为面状时，像素电极7通过与漏电极34直接连接，像素电极7与漏电极34连接的部位呈面状，从而增加了像素电极7与漏电极34的接触点及接触面积，提高了像素电极7与漏电极34的连接可靠性，提升了显示基板的显示质量。在实际应用中，漏电极34面积的大小可以根据与像素电极7和漏电极34之间的接触的面积大小来设置，也就是说，在像素电极7发生断裂时，通过增大漏电极34的面积，保证像素电极7与漏电极34之间能够连接。
本实施例中，当像素电极7发生断裂时，即使像素电极7有多个部位发生断裂，若发生断裂的像素电极7中有一部分通过漏电极34连接，则像素电极7还可以驱动像素进行显示，从而保证了显示质量。而现有技术中的显示基板的结构中，像素电极与漏电极通过过孔连接部位较小，若像素电极发生断裂时，则不与漏电极相连的像素电极无法驱动像素进行正常显示，本实施例的显示基板可以有效增大像素电极与漏电极连接的可靠性。
需要说明的是，在实际应用中，可通过平铺一层金属电极层作为漏电极，像素电极作为OLED发光显示的阳极，像素电极、漏电极之间相互连接。
本实施例提供的显示基板中，漏电极与像素电极至少一侧的边缘区域相连接，通过增加漏电极与像素电极的连接点及接触面积，从而保证像素电极的一部分发生断裂时，可通过利用像素电极的中未发生断裂部分与漏电极连接，有效增大像素电极与漏电极连接的可靠性，提升了显示质量。
需要说明的是，本发明中的薄膜晶体管，作为驱动OLED进行显示的驱动薄膜晶体管，可以为非晶硅薄膜晶体管（a-Si TFT）、氧化物薄膜晶体管（Oxide TFT）或者低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFT）。
本发明实施例三提供一种显示面板，该显示面板采用上述实施例一或实施例二中的显示基板。
本实施例中的显示基板的具体实施方式请参见上述实施例一或实施例二中的显示基板，此处不再赘述。
本实施例的显示面板包括显示基板，该显示基板包括：衬底基板和形成于衬底基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定像素单元，像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的漏电极与像素电极连接，漏电极与像素电极至少一侧的边缘区域相连接，通过增加漏电极与像素电极的接触点及接触面积，在像素电极的一部分发生断裂时，可通过利用像素电极的中未发生断裂部分与漏电极连接，有效增大像素电极与漏电极连接的可靠性，提升了显示质量。
本发明实施例四提供一种显示装置，该显示装置采用上述实施例一或实施例二中的显示基板。
本实施例中的显示基板的具体实施方式请参见上述实施例一或实施例二中的显示基板，此处不再赘述。
本实施例的显示装置包括显示基板，该显示基板包括：衬底基板和形成于衬底基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定像素单元，像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的漏电极与像素电极连接，漏电极与像素电极至少一侧的边缘区域相连接，通过增加漏电极与像素电极的接触点，在像素电极的一部分发生断裂时，可通过利用像素电极的中未发生断裂部分与漏电极连接，有效增大像素电极与漏电极连接的可靠性，提升了显示质量。
图7为本发明实施例五提供的一种显示基板的制作方法的流程示意图，如图7所示，该显示基板的制作方法包括：
步骤S11、在衬底基板上形成栅线和数据线、薄膜晶体管、像素电极。
具体地，可通过构图工艺形成栅线和数据线、薄膜晶体管、像素电极，构图工艺至少包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。其中，栅线和数据线限定像素单元，像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的漏电极与像素电极连接，漏电极与像素电极至少一侧的边缘区域相连接。
步骤S12、在漏电极的上方形成钝化层，在所述钝化层上形成过孔，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。
具体地，可通过构图工艺在漏电极的上方形成钝化层，在钝化层上形成过孔，像素电极通过过孔并与漏电极电连接。其中，过孔的形状为环形，过孔的形状包括由多个过孔呈阵列排布形成的环状、连续的环状或者局部断开的环状，漏电极的形状为环状。
本实施例中，通过设计过孔的形状为环状，从而增加漏电极和像素电极之间的接触点及接触面积，在像素电极的一部分发生断裂时，可通过利用像素电极的中未发生断裂部分与漏电极连接，有效增大像素电极与漏电极连接的可靠性，提升了显示质量。
本发明实施例六提供一种显示基板的制作方法，该显示基板的制作方法包括：
在衬底基板上形成栅线和数据线、薄膜晶体管、像素电极。
具体地，可通过构图工艺形成栅线和数据线、薄膜晶体管、像素电极，构图工艺至少包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。其中，栅线和数据线限定像素单元，像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的漏电极与像素电极相连接，漏电极与像素电极至少一侧的边缘区域相连接。
优选地，漏电极的形状为面状。在实际应用中，可通过构图工艺在像素电极下方平铺一层漏电极与像素电极连接。
本实施例中，通过在像素电极下方平铺一层漏电极与像素电极连接，从而增加漏电极和像素电极之间的接触点及接触面积，在像素电极的一部分发生断裂时，可通过利用像素电极的中未发生断裂部分与漏电极连接，有效增大像素电极与漏电极连接的可靠性，提升了显示质量。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种显示基板，包括：衬底基板和形成于所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极相连接，其特征在于，所述漏电极与所述像素电极至少一侧的边缘区域相连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述漏电极的上方形成有钝化层，所述钝化层上形成有过孔，所述像素电极通过所述过孔实现与所述漏电极的电连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述过孔的形状为环状。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述过孔的形状为由多个过孔呈阵列排布形成的面状。
5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述过孔的形状包括由多个过孔呈阵列排布形成的环状、连续的环状或局部断开的环状。
6.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，所述漏电极的形状为环形或面状。
7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求6中的显示基板。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的显示面板。
9.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成栅线和数据线、薄膜晶体管、像素电极,
其中，所述栅线和所述数据线限定像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极相连接，所述漏电极与所述像素电极至少一侧的边缘区域相连接。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制作方法，其特征在于，还包括：在漏电极的上方形成钝化层，在所述钝化层上形成过孔，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极电连接。
11.根据权利要求9或10任一所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述漏电极的形状为环形或面状。
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