CN103518158B - 生产像素化显示装置的方法 - Google Patents
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Abstract
一种用于生产多个像素化显示装置的方法,每个装置包括:包含单独可控的像素电极阵列的第一构件;以及包括含有光传输特性不同的至少两个不同类型的像素滤波器的像素滤波器阵列的第二构件,每个像素滤波器与所述像素电极中的各自一个像素电极关联;其中该方法包括:通过不可避免地在像素电极阵列内产生某些畸变从而导致在所述像素电极阵列的不同区域之间的像素电极间距的最大程度的变化的生产方法来生产所述第一构件;通过能够导致在第一构件上的对准参考位置与第二构件上的对准参考位置之间的最大程度的失配的技术来将所述第二构件施加于所述第一构件;并且将所述像素滤波器阵列配置为在中性框架内的像素滤波器阵列,所述中性框架限定了在每个像素滤波器之间的间隔距离,该间隔距离大到足以即使在所述像素电极阵列的不同区域之间的像素电极间距的所述最大变化的情况下以及在第一构件上的所述对准参考位置与第二构件上的所述对准参考位置之间的所述最大程度的失配的情况下也可防止像素滤波器阵列中的任意像素滤波器与所述像素电极中的多于一个像素电极重叠。
Description
背景技术
像素化显示装置包括显示介质,该显示介质的各个像素部分能够具有它们的可通过在下面的的单独可控的像素电极阵列的各个像素电极来单独调整的光学性质。
某些像素化显示装置包括布置于像素电极阵列之上的光滤波器阵列,每个光滤波器与各自的像素电极关联。光滤波器阵列包括两个或更多个不同类型的光滤波器,由此能够增加显示器的像素组的不同的可能的光输出配置的数量。
这样的像素化装置典型地通过生产包括单独可控的像素电极阵列的第一构件,并且在小心使两个构件对准的情况下将用于限定光滤波器阵列的第二构件施加于第一构件来生产。
本发明的发明人已经观察到,对于通过某些方法生产出的这类像素化显示装置,会有在装置之间的以及还有在单个装置内的区域之间的光输出的质量变化的问题。本发明的发明人已经将光输出质量的这种变化归因于像素电极阵列的畸变,并且已经认识了为该问题提供解决方案的挑战。
发明内容
由此本发明提供了一种用于生产多个像素化显示装置的方法,每个装置包括:包含单独可控的像素电极阵列的第一构件;以及包括含有光传输特性不同的至少两个不同类型的像素滤波器的像素滤波器阵列的第二构件,每个像素滤波器与所述像素电极中的各自一个像素电极关联;其中该方法包括:通过不可避免地在像素电极阵列内产生某些畸变导致在所述像素电极阵列的不同区域之间的像素电极间距的最大程度的变化的生产方法来生产所述第一构件;通过能够导致在第一构件上的对准参考位置与第二构件上的对准参考位置之间的最大程度的失配的技术来将所述第二构件施加于所述第一构件;并且将所述像素滤波器阵列配置为在中性框架内的像素滤波器阵列,所述中性框架限定了在每个像素滤波器之间的间隔距离,该间隔距离大到足以即使在所述像素电极阵列的不同区域之间的像素电极间距的所述最大变化的情况下以及在第一构件上的所述对准参考位置与第二构件上的所述对准参考位置之间的所述最大程度的失配的情况下也可防止像素滤波器阵列中的任意像素滤波器与所述像素电极中的多于一个像素电极重叠。
在一种实施例中,所述像素滤波器包括三种不同颜色的像素滤波器,并且所述中性框架在基本上相同的透射率下透射在可见光谱内的所有波长的光。
在一种实施例中,所述中性框架展示出了比像素滤波器于可见光谱下的透射率大的于可见光谱下的透射率。
在一种实施例中,所述中性框架展示出了比像素滤波器于可见光谱下的透射率小的于可见光谱下的透射率。
在一种实施例中,像素滤波器和中性框架限定了循环图形,在该循环图形中像素滤波器的面积不大于(i)像素滤波器的面积与(ii)中性框架的面积之和的大约85%。
在一种实施例中,像素滤波器和中性框架限定了循环图形,在该循环图形中像素滤波器的面积为(i)像素滤波器的面积与(ii)中性框架的面积之和的大约50-85%。
在一种实施例中,第一构件包括塑料基板。
由此,本发明还提供了中性框架在像素滤波器阵列中的使用,用于补偿在像素电极阵列的不同区域之间的像素间距的变化。
附图说明
本发明的实施例将在下文通过实例(仅作示例)的方式参照附图来详细描述,在附图中:
图1示出了的实例包括插入显示介质与像素电极阵列之间的光滤波器阵列的装置;
图2示出了在本发明的一种实施例中使用的光滤波器构件的实例;
图3示出了图2的光滤波器构件的x-y维度和循环图形;以及
图4示出了用于生产图1的装置的技术。
具体实施方式
本发明的实施例将在下文针对由顶栅式薄膜晶体管(TFT)阵列经由像素电极阵列来控制的液晶彩色显示器的实例来描述。但是,这些技术在包括与像素电极阵列关联的光滤波器阵列的其它装置中同样是有用的。
参照图1至3,显示装置包括插入显示介质24与控制构件28之间的滤色器构件18。参照图4,显示装置通过旨在实现在所产生的层合产品内的两个构件上的对准标记40之间的对准而将滤色器构件18层合到控制构件28的上表面来生产。显示介质24然后被层合于滤色器构件18的上表面以完成该装置。
控制构件包括:塑料基板2;用于限定TFT阵列的源电极4和漏电极6以及用于对源电极4进行寻址的寻址线(未示出)的第一图形化导电层;用于限定在每对源电极和漏电极之间的各自的半导体沟道8的图形化半导体层;经由栅极电介质区10与半导体沟道8电容耦接的栅电极12;通过电绝缘区18与在下面的电路分离的且每个像素电极都经由层间导电连接26与各自的漏电极导电连接的像素电极16的阵列。
滤色器构件18包括在光中性框架20中的按循环图形布置的白色、绿色、红色和蓝色滤波器22的有序阵列。图2和3示出了理论上的理想情形,在该情形中滤色器构件18的每个个体滤色器22的中心优选地与每个像素电极16的中心对准。
滤色器22的维度PFSX和PFSY以及光中性框架20的维度SDX和SDy相对于像素电极16的阵列的像素电极间距PEPX、PEPy来选择,同时考虑了预料个体滤色器22的中心由于像素电极阵列的畸变而偏离各个像素电极16的中心的最大量以及在将滤色器构件18层合到控制构件28的过程中能够使滤色器构件18的一个或多个参照点与控制构件28的一个或多个相应的参照点对准的有限精确度。滤色器22和中性框架20的上述维度被选择,使得即使在像素电极阵列中所能够预料到的由于生产过程而产生的最高畸变量以及所能够预料到的由滤色器构件18与控制构件28的层合而引起的最高对准不准确度的情况下也不存在任何个体滤色器22与多于一个的像素电极16重叠的风险。
根据一个实例:(a)像素电极阵列是像素电极间距PEPx、PEPy为120微米的方形像素电极阵列;(b)预料像素电极间距因为由生产控制构件28的过程引起的随机畸变而在控制构件28的不同区域之间变化高达±3微米(即,能够预料到生产控制构件28的过程会导致任何个体像素电极的中心偏离其各自的标称或理论位置高达±3微米);并且(c)将滤色器构件18层合到控制构件28的过程由于例如由层合过程引起的滤色器构件18和/或控制构件28的畸变而导致远离在控制构件28上的对准标记40与在滤色器构件18上的对准标记的理想对准的高达±3微米的偏离。对于该实例,方形滤色器22具有与像素电极16的间距(即,120微米)相同的间距(PFPX,PFPY),以及为[120-(4x3)]微米(即,108微米)的滤色器维度(PFSX和PFSy)。在该实例中,滤色器构件18限定了例如图3所示的循环图形,在该循环图形中,(i)由滤色器22占用的面积为(i)由滤色器22占用的面积与(ii)由光中性框架20占用的面积之和的大约81%。对于其中上述畸变和偏离的范围较大的过程,在循环图形中由滤色器22占用的百分比面积将是较小的。对于某些过程,在循环图形中由滤色器22占用的面积可以是在循环图形中的(i)由滤色器22占用的面积与(ii)由光中性框架20占用的面积之和的约54%-约68%。
以上所描述的技术提供了不管由生产过程引起的在像素电极的阵列16中展示出的畸变的程度而在单个装置内的区域之间的以及在装置之间的颜色性能的均匀性。
在一个实例中,光中性框架20是按照基本上均匀的透射率来透射在可见光谱内的所有波长的光中性框架,该透射率高于任何滤色器22在相同的可见光谱下的透射率。这样的清晰框架的使用具有对于给定的电输入而在整个显示器上均匀地增加亮度的好处。
在另一个实例中,光中性框架20是展示出了对于在可见光谱内的所有波长的光基本上为0的透射率。为了简明起见,我们将这样的框架称为黑色框架。这样的黑色框架的使用具有使产生饱和颜色(绿色、红色或蓝色)的能力最大化的好处。
上述技术是特别在包括控制电路和制作于塑料基板上的像素电极的装置中使用的。塑料基板能够是对于在与有效率的生产过程关联的高温和高湿度条件下发生的不可预料的畸变特别敏感的。畸变(即,尺寸变化)可以对于基板的每个轴可以是不同的。
本发明并不限制于上述实例。本发明的各个方面包括本文所描述的概念的所有新颖的和/或创造性的方面以及本文所描述的特征的所有新颖的和/或创造性的组合。
由此,本申请人单独地公开本文所描述的每个个体特征以及两个或更多个此类特征的任意组合,以达此类特征或组合能够根据本领域技术人员的常识而基于本说明书作为整体来执行的程度,不管此类特征或特征组合是否解决了本文所公开的任何问题,并且不限制权利要求书的范围。本申请人指出,本发明的各个方面可以包括任何此类个体特征或特征组合。鉴于上述描述,本领域技术人员应当清楚,在本发明的范围内可以进行各种修改。
Claims (5)
1.一种用于生产多个像素化显示装置的方法,包括:
通过不可避免地在单独可控的像素电极阵列内产生某种畸变从而导致在所述单独可控的像素电极阵列的不同区域之间的像素电极间距的第一变化范围内的变化量的生产方法来生产包含单独可控的像素电极阵列的第一构件;
提供与所述第一构件完全分开的第二构件,并且所述第二构件包括中性框架内的像素滤波器阵列,其中所述像素滤波器阵列包含不同光传输特性的至少两个不同类型的像素滤波器;
通过能够导致在所述第一构件上的对准参考位置与所述第二构件上的对准参考位置之间的第二失配范围内的失配量的技术来将所述第二构件的所述像素滤波器阵列和所述中性框架在单个层合步骤中层合于所述第一构件;其中所述第二构件的每个像素滤波器与所述像素电极中的各自一个像素电极关联;所述中性框架占据所述像素滤波器阵列中的所述像素滤波器之间的整个面积,并在每一像素滤波器周围展示出比所述像素滤波器在可见光谱上的透射率更大的在可见光谱上的均匀的透射率,并且所述中性框架限定在每个像素滤波器之间的间隔距离,所述间隔距离大到足以即使在所述单独可控的像素电极阵列的不同区域之间的像素电极间距的在所述第一变化范围内的任何变化量的情况下以及在第一构件上的所述对准参考位置与第二构件上的所述对准参考位置之间的在所述第二失配范围内的任何失配量的情况下也可防止所述像素滤波器阵列中的任意像素滤波器与所述像素电极中的多于一个像素电极重叠。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述像素滤波器包括三种不同颜色的像素滤波器,并且所述中性框架以基本上相同的透射率透射在可见光谱内的所有波长的光。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述像素滤波器和中性框架限定了循环图形,在该循环图形中所述像素滤波器的面积不大于(i)所述像素滤波器的面积与(ii)所述中性框架的面积之和的85%。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述像素滤波器和中性框架限定了循环图形,在该循环图形中所述像素滤波器的面积为(i)所述像素滤波器的面积与(ii)所述中性框架的面积之和的50-85%。
5.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法,其中所述第一构件包括塑料基板。
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