CN103515404B - 放射线检测装置及其制造方法和成像系统 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及放射线检测装置及其制造方法和成像系统。一种放射线检测装置，包括传感器面板，所述传感器面板包括检测放射线并且排列的多个传感器单元，所述多个传感器单元中的各传感器单元包括像素阵列、闪烁体层和第一闪烁体保护层，所述像素阵列包括检测光并且二维布置的多个像素，所述闪烁体层将放射线转换为光，所述第一闪烁体保护层被设置为覆盖所述闪烁体层，并且所述放射线检测装置还包括被设置为覆盖所述多个传感器单元的第二闪烁体保护层。
Description
技术领域
本发明涉及放射线检测装置、制造该放射线检测装置的方法、以及成像系统。
背景技术
日本专利公开No.2002-48870公开了用于大屏幕的、在其中布置多个传感器面板的放射线检测装置的结构。各传感器面板包括闪烁体层3和保护膜4（闪烁体保护层），闪烁体层3形成在光接收部分22（像素部分）上，光接收部分22（像素部分）设置在基板20上，保护膜4被形成为覆盖闪烁体层3。以这种方式，在使用闪烁体层的放射线检测装置中，有必要用保护层覆盖闪烁体层以防止闪烁体层的潮解。
根据日本专利公开No.2002-48870，相邻面板中的每个在其侧表面上经由UV可固化树脂被固定。在以上结构中，因为没有像素可被布置在传感器面板与其相邻的传感器面板之间的边界上，所以具有在其中不存在像素的部分。这导致显著的问题，除非在像素尺寸随像素密度增大而减小的同时，相邻传感器面板之间的距离减小。
发明内容
本发明提供一种对增大用于大屏幕的放射线检测装置的像素密度有效的技术。
本发明在其第一方面提供一种包括传感器面板的放射线检测装置，所述传感器面板包括检测放射线并且排列的多个传感器单元，所述多个传感器单元中的每个包括像素阵列、闪烁体层和第一闪烁体保护层，所述像素阵列包括检测光并且二维布置的多个像素，所述闪烁体层将放射线转换为光，所述第一闪烁体保护层被设置为覆盖闪烁体层，并且所述放射线检测装置还包括被设置为覆盖所述多个传感器单元的第二闪烁体保护层。
本发明在其第二方面提供一种制造放射线检测装置的方法，所述方法包括：第一步骤，形成排列在基板上的多个像素的像素阵列组；第二步骤，在第一步骤中形成的像素阵列组上形成闪烁体层；第三步骤，将在第二步骤中在其上形成闪烁体层的像素阵列组分割为多个块；第四步骤，通过对于在第三步骤中获得的所述多个块中的每个形成第一闪烁体保护层以便覆盖闪烁体层来获取多个传感器单元；第五步骤，形成由多个传感器单元构成的传感器面板，所述多个传感器单元包括在第四步骤中获得的传感器单元中的至少一个；以及第六步骤，在第五步骤中获得的传感器面板上形成第二闪烁体保护层，以便覆盖构成传感器面板的所述多个传感器单元。
从以下参照附图对示例性实施例的描述，本发明的进一步的特征将变得清楚。
附图说明
图1A至1C是用于解释第一实施例的布置的例子的示图；
图2A和2B是用于解释第一实施例的布置的例子的放大图；
图3是用于解释比较例子的放大图；
图4A和4B是用于解释第一实施例的布置的另一个例子的示图；
图5A至5G是用于解释第一实施例的制造方法的例子的示图；
图6A和6B是用于解释第二实施例的布置的例子的示图；
图7A至7G是用于解释第二实施例的制造方法的例子的示图；
图8是用于解释对系统的应用例子的示图；和
图9是用于解释通过实施例和比较例子获得的结果的示图。
具体实施方式
（第一实施例）
将参照图1A至5来描述第一实施例的放射线检测装置11。图1A至1C示意性地示出放射线检测装置11的结构。图1A是放射线检测装置11的示意性平面图。图1B示意性地示出沿着图1A中示出的切割线X-X′截取的放射线检测装置11的截面结构。图1C示意性地示出沿着切割线Y-Y′截取的放射线检测装置11的截面结构。放射线检测装置11包括传感器面板30，在传感器面板30中，排列用于检测放射线（包括电磁波，比如，X射线、α射线、β射线和γ射线）的多个传感器单元20。图1A示出四个传感器单元20。然而，传感器单元20的数量不限于四个，可以是两个或三个或五个或更多个。多个传感器单元20包括例如被布置为彼此相邻的第一传感器单元201和第二传感器单元202。各个传感器单元20可通过粘附层32被布置在基座35上。基座35可支承用粘附层32固定的各个传感器单元20。
图2A和2B是示意性地示出第一传感器单元201和第二传感器单元202之间的边界区域K的放大图。图2A是边界区域K的截面图。图2B是边界区域K的平面图。
各传感器单元20包括像素阵列22、闪烁体层40和第一闪烁体保护层41，像素阵列22具有在基板15上二维布置的、用于检测光的多个像素21，闪烁体层40用于将放射线转换为光，第一闪烁体保护层41被设置为覆盖闪烁体层40。放射线检测装置11还包括被设置为覆盖多个传感器单元20的第二闪烁体保护层42。放射线检测装置11包括设置在传感器面板30与第二闪烁体保护层42之间的反射层50。
各像素21可包括作为光电转换元件的传感器（例如，PIN光电二极管传感器或MIS传感器）和用于读取传感器获得的电信号的多个开关元件（TFT等）。读取的信号在经过了预先确定的信号处理之后可经由互连80从信号输入/输出单元70输出到外部信号处理电路板（未示出）。闪烁体层40可通过保护膜25设置在像素阵列22上，保护膜25用于保护像素阵列22。另外，由掺杂例如铊（TI）的碘化铯（CsI）制成的柱晶层可适合用作闪烁体层40。
第一闪烁体保护层41是用于防止由于外部环境而导致闪烁体层40劣化（例如，由于潮湿而导致潮解）的保护层。参照图1A至1C，第一闪烁体保护层41覆盖整个基板15和闪烁体层40。然而，本实施例不限于这种形状。例如，基板15的底面无需被该层覆盖。优选地，对于第一闪烁体保护层41，使用例如有机密封材料，比如，硅树脂、丙烯酸树脂、或者环氧树脂、或者热熔树脂（比如，聚酯树脂、聚烯烃树脂或聚酰胺树脂），特别是，具有低透湿性的树脂。可使用例如以下有机膜作为第一闪烁体保护层41：通过CVD法形成的有机膜（比如，聚-对二甲苯（聚对二甲苯）或polyuria膜）、或者由通过涂覆处理和干燥处理从液体材料形成的氟基/氯基树脂等制成的有机膜。
在这种情况下，g表示第一传感器单元201的像素阵列22与第二传感器单元202的像素阵列22之间的距离，p表示各像素阵列22中的像素21的节距（pitch），L表示从像素211的中心到像素212的中心的距离。像素211是第一传感器单元201的像素阵列22的位于最靠近第二传感器单元202的像素中的一个。像素212是第二传感器单元202的像素阵列22的位于最靠近像素211的像素。
随着第一闪烁体保护层的厚度t1增大，第一闪烁体保护层41增强防止闪烁体层40潮湿的功能。然而，随着厚度t1增大，距离g增大。也就是说，如果例如L>2p，则作为边界区域K的两侧的两个像素21之间的间隔（例如，像素211与像素212之间的距离），与边界区域K中的一个像素列对应的放射线信息丢失。放射线检测装置11可被配置为建立t1≤1/2x g和L≤3/2x p的关系。这可将边界区域中的放射线信息损失减小到至少1/2或更小。如果例如像素21的节距p为50μm，则优选地，例如，将第一闪烁体保护层41的厚度t1设定为20μm或更小，更优选地，5μm或更小，并且将距离g设定为10μm或更小。这可改进反射层50的反射效率，并且改进图像清晰度。
另外，如图2A所示，第一传感器单元201和第二传感器单元202优选地被布置为使得它们的第一闪烁体保护层41在它们的整个侧表面上彼此接触。这是因为这种布置防止当排列（铺设）多个传感器单元20时在相邻的传感器单元20之间的边界部分中产生间隙。例如，如图3所示，如果各闪烁体构件在闪烁体层40的侧表面上具有凸形部分45，则产生间隙60，从而不理想地增大距离g。相邻的传感器单元20因此优选地被排列为使得它们的第一闪烁体保护层41在它们的整个侧表面上彼此接触。另一方面，彼此不相邻的传感器单元20的侧表面不限于这种形状。
第一闪烁体保护层41可防止在放射线检测装置11的制造处理期间闪烁体层40劣化。第二闪烁体保护层42可防止在放射线检测装置11的制造处理之后闪烁体层40劣化。因此，根据以上关系表达式，第一闪烁体保护层41和第二闪烁体保护层42可被设置为使得第一闪烁体保护层41的厚度t1变为小于第二闪烁体保护层42的厚度。尽管图1A示出了覆盖整个基座35和传感器单元20的第二闪烁体保护层42，但是本实施例不限于这种形状。例如，在放射线检测装置11中，第二闪烁体保护层42可被设置为覆盖基座35的传感器单元20和传感器单元20。换句话讲，第二闪烁体保护层42可被设置为至少覆盖粘附层32与传感器单元20之间的边界、粘附层32、粘附层32与基座35之间的边界、第一闪烁体保护层41、以及第一闪烁体保护层41与反射层50之间的边界。与用于第一闪烁体保护层41的材料相同的材料可用于第二闪烁体保护层42。如果例如聚-对二甲苯或氟/氯树脂用于第二闪烁体保护层42，则第二闪烁体保护层42的厚度为50μm或更大，更优选地，100μm或更大。
如图1A和1B中所例示的，优选地，在多个传感器单元20的整个上表面上整体地形成反射层50。整体地形成反射层50将有效地防止在边界区域K中可能发生的光的特定反射、光泄漏到外部、以及光入射到相邻的传感器单元20上，从而防止边界区域K中的分辨率降低。可将例如金属（比如，铝（Al）或银（Ag））用于反射层50。
另外，如图4A中所例示的，可在放射线检测装置11的侧表面部分上设置密封树脂90，以进一步改进防潮效果。例如，环氧树脂、丙烯酸树脂等可用于密封树脂90。
下面将参照图5A至5G来描述制造放射线检测装置11的方法的例子。首先，如图5A中所例示的，制备在其上形成像素阵列的基板15A，并且根据需要形成保护膜25（制备处理）。如图5B中所例示的，在基板15A上形成闪烁体层40，以获得基板15B（形成闪烁体层40的处理）。闪烁体层40通过例如真空气相沉积法来形成，并且如上所述，具有柱晶结构的材料（比如，CsI:Tl）可适合使用。这样的柱晶结构可通过适当地设定沉积时的沉积温度和沉积压力来形成。
随后，如图5C中所例示的，对基板15B进行切割（cut）（或分割），以获得多个块（基板15C）（切割处理）。通过该切割处理，获得基板15C，以免在闪烁体层40的侧表面上形成闪烁体构件的任何凸形部分45。在这个切割处理中，有必要执行干式割切（dice），以防止闪烁体层40劣化。因此，优选地，通过使用金刚石锯的割切、干式类型刀片割切等来执行切割处理。当使用硅基板时，可通过使用激光磨削的割切操作、隐形（stealth）割切操作等来执行切割处理。可替换地，可预先在基板15B的在与其上设置闪烁体层40的表面相反的侧的表面上形成切割线，并且然后通过划线（scribe）来切割基板，以不形成任何凸形部分45。
如图5D所例示的，在各个基板15C上形成第一闪烁体保护层41，以获得多个传感器单元20（形成传感器单元20的处理）。优选地，在切割处理之后立即执行该处理，以防止由于潮湿而导致闪烁体层40劣化。如上所述，第一闪烁体保护层41可通过CVD法、涂覆法等来形成。
如图5E中所例示的，通过粘附层32将各个传感器单元20排列（铺设）在基座35上，以获得传感器面板30（排列处理）。在这个处理中，如上所述，各个传感器单元20被排列为使得各个第一闪烁体保护层41在整个它们的处于相邻的传感器单元20之间的侧表面上彼此接触。
随后，如图5F中所例示的，在多个传感器单元20的整个上表面上整体地形成反射层50，以获得基板15F（形成反射层50的处理）。如上所述，铝、银等可用于反射层50。反射层50可通过经由真空沉积、溅射法等的成膜来形成。可替换地，片状或板状板构件可被设置为反射层50。
最后，如图5G中所例示的，形成第二闪烁体保护层42以覆盖传感器面板30和反射层50，以获得放射线检测装置11（形成放射线检测装置11的处理）。如上所述，形成第二闪烁体保护层42的方法可使用CVD法、涂覆法等。如图4B中所例示的，可形成具有第二闪烁体保护层42和反射层50这二者的功能的层（片材95），代替形成第二闪烁体保护层42和反射层50。
按以上方式，获得放射线检测装置11。这种制造方法可在确保闪烁体层40的防潮效果的同时单个地形成各传感器单元20，并且还可根据需要形成尺寸与目的/应用对应的放射线检测装置11。本实施例对增大用于大屏幕的、在其中排列多个传感器单元20的放射线检测装置的像素密度是有效的。
（第二实施例）
将参照图6A和6B以及7A至7G来描述第二实施例的放射线检测装置12。如图6A和6B所示，本实施例与第一实施例的不同之处在于放射线检测装置是背侧照射类型。像图1B那样，图6A示意性地示出放射线检测装置12的截面结构。像图1C那样，图6B示意性地示出放射线检测装置12的截面结构。在放射线检测装置12中，传感器单元20通过粘附层32排列在基座35上，在基座35上设置了反射层50。具有高透射率的材料用于粘附层32，以确保反射层50的反射效率。粘附层32的厚度可以为例如25μm或更小，更优选地，10μm或更小。
在这种情况下，因为放射线检测装置12是背侧照射类型，所以优选地，通过抛光等根据放射线的能量来减小传感器单元20的基板15的厚度。如果例如基板15是硅基板、玻璃基板等，则优选地，将它的厚度设定为0.5mm或更小，更优选地，0.3mm或更小。可通过在制造处理中的早期阶段使用具有以上厚度的基板15来形成传感器单元20，或者可使用具有在早期阶段确保的预先确定的厚度的基板15，并且在制造处理中途将基板15抛光为以上厚度。当对基板15进行抛光时，无需用第一闪烁体保护层41覆盖将被放射线照射的表面。
将参照图7A至7G来描述制造放射线检测装置12的方法的例子。如图7A至7D所例示的，直到形成多个传感器单元20的处理可以按与第一实施例中的方式相同的方式执行。其后，如图7E所例示的，在其上设置了反射层50的基座35上通过粘附层32排列（铺设）各传感器单元20，来获得传感器面板30（排列处理）。在这种情况下，传感器面板30通过下述方式形成，即，排列各传感器单元20，以使得其位于靠近基板15和闪烁体层40中的闪烁体层40的表面与反射层50和基座35接触。
如果有必要减小基板15的厚度，则如图7F中所例示的，对基板15进行抛光（抛光处理）。可对各传感器单元20的位于靠近基板15和闪烁体层40中的基板15的表面执行这个抛光处理。可在对基板15进行抛光的同时去除第一闪烁体保护层41。可通过干式抛光来执行抛光处理，以防止闪烁体层40劣化。还可通过湿式抛光来执行这个处理，只要可防止劣化即可。最后，如图7G中所例示的，以与第一实施例中的方式相同的方式形成第二闪烁体保护层42，以获得放射线检测装置12（形成放射线检测装置12的处理）。
按以上方式，获得放射线检测装置12。这种制造方法可在确保闪烁体层40的防潮效果的同时单个地形成各传感器单元20，并且还可根据需要形成尺寸对应于目的/应用的放射线检测装置12。本实施例对增大用于大屏幕的、在其中排列多个传感器单元20的放射线检测装置的像素密度是有效的。
尽管以上描述了两个实施例，但是本发明不限于它们，目的、状态、应用、功能和其他规范可根据需要而改变，并且可通过其他实施例实现。
（应用）
根据上述各实施例的放射线检测装置可应用于成像系统。成像系统包括例如放射线检测装置、信号处理单元、显示单元和放射线源，信号处理单元包括图像处理器，显示单元包括显示器，放射线源用于产生放射线。例如，如图8所示，X射线管6050产生的X射线6060透射通过对象6061（比如，患者）的胸部区域6062，并进入放射线检测装置6040。入射的X射线包括关于患者6061的体内信息的信息。闪烁体根据入射的X射线发射光。传感器面板检测该光来获得电信息。其后，该信息被数字地转换。图像处理器6070（信号处理单元）对该信息执行图像处理。控制室中的显示器6080（显示单元）可显示所得的图像。包括网络6090（比如，LAN或互联网）的传输处理装置还可将该信息传送到远程位置。这使得可在另一个地方的医生室等中的显示器6081上显示该信息，并且使得远程位置的医生可进行诊断。另外，该信息可被存储在例如光盘中。可替换地，胶片处理器6100可将该信息记录在记录介质（比如，胶片6210）上。
将参照图9来主要描述通过实施例和根据各个实施例的比较例子关于厚度t1与距离g之间的关系获得的结果。
（比较例子1）
根据第一实施例中的过程（见图5A至5G）来形成用于比较例子1的放射线检测装置。像素的节距p被设定为50μm。在传感器阵列上形成氧化硅（SiNx），并且在所得的结构上形成保护膜25（厚度：7μm）。保护膜25通过下述方式形成，即，通过旋涂法涂覆聚酰亚胺树脂，然后通过热量使该树脂固化。关于闪烁体层40，由CsI:Tl制成的闪烁体层40（厚度：200μm）通过真空沉积法形成。第一闪烁体保护层41被形成为使得厚度t1变为25μm。在形成第一闪烁体保护层41的处理（形成传感器单元20的处理）中，在执行掩膜处理的同时，通过使用聚-对二甲苯（聚对二甲苯）的真空沉积法来形成该层，以免在信号输入/输出单元70上形成第一闪烁体保护层41。在排列处理之后，用紫外线固化环氧树脂填充间隙60，并且通过用紫外线（UV）照射该树脂来使该树脂固化。该处理可使第一闪烁体保护层41的上表面平面化。通过沉积法在第一闪烁体保护层41上形成铝（Al）反射层50（厚度：200nm）。像第一闪烁体保护层41那样，聚-对二甲苯（聚对二甲苯）用于第二闪烁体保护层42。通过沉积法形成第二闪烁体保护层42（厚度：50μm）。同样在这种情况下，执行掩膜处理，以免在信号输入/输出单元70上形成第一闪烁体保护层41，并且形成第二闪烁体保护层42。在最后获得的放射线检测装置中，距离g为50μm，距离L为100μm。像素的节距p为50μm，并且相邻传感器单元20之间的边界区域包括不可布置像素的部分。因此，在这种情况下，与一个像素列（50μm）对应的图像信息丢失。
（比较例子2）
比较例子2与比较例子1相同，除了第一闪烁体保护层41的厚度t1被设定为12.5μm之外。在以这种方式获得的放射线检测装置中，距离g为25μm，距离L为75μm。在这种情况下，像素的节距p为50μm。由于这个原因，在相邻传感器单元20之间的边界区域中，与一个像素列的1/2对应的图像信息丢失。
（例子1-1）
例子1-1与比较例子1相同，除了第一闪烁体保护层41的厚度t1为6.25μm之外。在以这种方式获得的放射线检测装置中，距离g为12.5μm，距离L为62.5μm。在这种情况下，像素的节距p为50μm。由于这个原因，相邻传感器单元20之间的边界区域中丢失的图像信息被抑制为一个像素列的1/4，并且该装置没有任何像素异常或缺陷（比如，图像不规则或输出变化）。另外，作为耐湿测试（温度：50℃，湿度：90%RH）的结果，即使过去10天后，以这种方式获得的放射线检测装置在发射的光量和闪烁体层40的清晰度上也没有降低。
（例子1-2）
例子1-2与例子1-1相同，除了第一闪烁体保护层41的厚度t1为5μm之外。在以这种方式获得的放射线检测装置中，距离g为10μm，距离L为60μm。在这种情况下，像素的节距p为50μm。这获得高度可靠的放射线检测装置，在该放射线检测装置中，在相邻传感器单元20之间的边界区域中丢失的图像信息被抑制为一个像素列的1/5，并且该放射线检测装置具有与例子1-1的耐湿性相同的耐湿性。
（例子1-3）
例子1-3与例子1-1相同，除了第一闪烁体保护层41的厚度t1为2.5μm之外。在以这种方式获得的放射线检测装置中，距离g为5μm，距离L为55μm。在这种情况下，像素的节距p为50μm。这获得高度可靠的放射线检测装置，在该放射线检测装置中，在相邻传感器单元20之间的边界区域中丢失的图像信息被抑制为一个像素列的1/10，并且该放射线检测装置具有与例子1-1的耐湿性相同的耐湿性。
以下示出通过其他例子和比较例子获得的结果。
（比较例子3）
在比较例子3中，在没有第二闪烁体保护层42的放射线检测装置上进行耐湿测试（温度：50℃，湿度：90%RH）。根据测试三天之后的MTF（调制传递函数），2LP/mm线对/mm（LinePair/mm）的值减小大约30%，发射的光量减少大约10%。
（例子2）
例子2示出当在例子1-1中描述的放射线检测装置中在如图4A中所例示的那样形成第二闪烁体保护层42之后设置密封树脂90时获得的结果。密封树脂90通过下述方式形成，即，涂覆热固性粘合剂（可从Ajinomoto Fine-Techno得到的AE-901T-DA），并将它放置（于60℃持续30分钟）。如例子1-1中那样，这种方法获得高度可靠的放射线检测装置，在该放射线检测装置中，在相邻传感器单元20之间的边界区域中丢失的图像信息被抑制为一个像素列的1/4，并且该放射线检测装置具有耐湿性。
（例子3）
例子3示出当如图4B中所例示的那样例子1-1中描述的放射线检测装置被设置具有反射层50和第二闪烁体保护层42这两者的功能的片材95（代替反射层50和第二闪烁体保护层42）时获得的结果。作为片材95，使用厚度为20μm的铝箔与其粘结的PEF片材。片材95通过厚度为10μm的粘合层（未示出）被粘结。除了例子1-1的效果之外，这种方法还可省略形成第二闪烁体保护层42的处理，因此可降低成本。
（例子4）
在例子4中，遵循第二实施例中的过程（见图7A至7G）来形成放射线检测装置。这个过程直到形成各传感器单元20的处理都与例子1-1中的处理相同（见图7A至7D）。传感器单元20通过粘合层32（厚度为10μm的丙烯酸粘合片材）被粘结到其上形成了反射层50的基座35上（图7E）。其后，对各传感器单元20的基板15（硅基板）进行抛光。抛光之后的残留物通过吹气来去除（图7F）。通过干式抛光来执行该抛光处理，以获得厚度为0.2mm的基板15。最后，形成第二闪烁体保护层42，以获得放射线检测装置（图7G）。该放射线检测装置是背侧照射类型。除了例子1至3中描述的效果之外，由于放射线从背侧进入，这使得还可获得改进图像清晰度的效果。
尽管已参照示例性实施例描述了本发明，但是要理解本发明不限于公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最宽泛的解释，以便包含所有这样的修改以及等同的结构和功能。
Claims (9)
1.一种包括传感器面板的放射线检测装置，在所述传感器面板中，排列了检测放射线的多个传感器单元，
所述多个传感器单元中的各传感器单元包括：包含像素阵列的基板、设置在所述基板的像素阵列上的闪烁体层、以及第一闪烁体保护层，在所述像素阵列中，二维布置检测光的多个像素，所述闪烁体层将放射线转换为光，所述第一闪烁体保护层被设置为覆盖所述闪烁体层，其中所述闪烁体层被所述基板与所述第一闪烁体保护层两者包围，所述第一闪烁体保护层是所述多个传感器单元的多个第一闪烁体保护层之中的一个，并且
所述放射线检测装置还包括被设置为覆盖所述多个传感器单元的第二闪烁体保护层。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个传感器单元包括彼此相邻的第一传感器单元和第二传感器单元，并且
设p为每个所述像素阵列中的像素的节距，t1为所述第一闪烁体保护层的厚度，g为所述第一传感器单元的像素阵列与所述第二传感器单元的像素阵列之间的距离，以及L为从所述第一传感器单元的像素阵列中被设置在最靠近所述第二传感器单元的位置处的像素的中心到所述第二传感器单元的像素阵列中被设置在最靠近所述像素的位置处的像素的中心的距离，则
t1≤1/2xg并且L≤3/2xp。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个传感器单元中的各传感器单元的所述第一闪烁体保护层的厚度小于所述第二闪烁体保护层的厚度。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，
所述多个传感器单元包括彼此相邻的第一传感器单元和第二传感器单元，并且
所述第一传感器单元和所述第二传感器单元被设置为使得所述第一传感器单元的所述第一闪烁体保护层和所述第二传感器单元的所述第一闪烁体保护层在它们的整个侧表面上彼此接触，没有所述第二闪烁体保护层被夹在所述侧表面之间。
5.根据权利要求1所述的装置，还包括设置在所述传感器面板与所述第二闪烁体保护层之间的反射层，
所述反射层整体地形成在所述多个传感器单元的整个上表面上。
6.根据权利要求5所述的装置，还包括基座和粘附层，所述基座支承所述多个传感器单元，所述粘附层将所述多个传感器单元固定到所述基座，
其中，所述第二闪烁体保护层被设置为至少覆盖所述粘附层与所述传感器单元之间的边界、所述粘附层、所述粘附层与所述基座之间的边界、所述多个传感器单元中的多个第一闪烁体保护层、以及所述反射层与所述多个传感器单元中的多个第一闪烁体保护层之间的边界。
7.根据权利要求1所述的装置，还包括：
设置在所述传感器面板上并且整体地形成在所述多个传感器单元的整个上表面上的反射层，和
设置在该反射层上的基座，
其中，所述第二闪烁体保护层覆盖所述多个传感器单元、该反射层和所述基座。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，对于所述多个传感器单元中的各传感器单元，所述基座的底面没有被所述第一闪烁体保护层覆盖而被所述第二闪烁体保护层覆盖。
9.一种成像系统，包括：
权利要求1至6中任何一项中限定的放射线检测装置；
信号处理单元，所述信号处理单元对来自所述放射线检测装置的信号进行处理；
显示单元，所述显示单元显示来自所述信号处理单元的信号；和
放射线源，所述放射线源产生放射线。
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