CN103515175A - 二维防护结构及具有该结构的辐射检测器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及二维防护结构及具有该结构的辐射检测器。具体地，一种半导体装置包括半导体材料件。在半导体材料件的表面上存在许多电极，它们被构造成带有不同的电势。一种防护结构包括二维阵列的导电贴片，在所述电极处存在的电势的影响下至少导电贴片中的一些带有电势。
Description
技术领域
本发明涉及半导体辐射检测器。尤其是本发明涉及用于半导体辐射检测器以控制半导体芯片的各个区域处的电势的防护装置。
背景技术
该防护结构通常用于半导体装置，用来控制半导体芯片各个区域的电势。芯片上的电压越高，就越凸显它们的重要性。以芯片上存在相对高电压的半导体为例，我们会考虑半导体辐射检测器。
图1示意性说明了简化的、部分切去的硅漂移检测器(SDD)，这是用于检测电磁辐射、特别是X射线的半导体辐射检测器的一个例子。半导体材料的主体层101接收和吸收辐射，造成自由电荷载体的出现。主体层101的一个表面包括同心的P型植入环的配置，其中环102作为一个例子展示。同心环设置有绝对值逐渐增加的电势，这样如果SDD中心的电势接近0，最外环可能有如-150V的电势。环的数量在图1中被极度简化，现实的探测器可能有几十个环。
与主体层的相对表面上的阴极层103一起，同心环在主体层内形成内部电场，其朝向SDD的对于信号电荷来说最小的电势能所在的部分驱动辐射感应的电子。位于或接近中心，有一个阳极用来收集辐射感应的电子。图1的SDD包括集成的场效应晶体管(FEF)，其电极表现为植入物104、105和106。最里面的植入环，即最靠近FET的那一个是阳极。从它到FET的门形成连接107。选择性的结构是已知的，其中阳极是在SDD的正中心，外部FET联接到阳极，例如通过将单独的FET芯片结合到SDD芯片的合适部分。
带有位于或者靠近SDD芯片中心的阳极和FET的圆形SDD有着固有的缺点，即一些测量的辐射会碰到FET，它会干扰FET的运作并且会对制造FET的结晶材料造成辐射损伤。如图1所示的结构中，FET也会保留一些活性表面区域。作为一个选择，已经提出了所谓的微滴形成检测器，也被称为SD3或SDDD(硅漂移检测器微滴)。图2示意示出微滴形式检测器的表面，再次为了图形清晰度故意扭曲了结构元件的数量和相对大小。植入环的阶梯式增加的电势形成电场，它们是不对称的，因此，其拱形形式在一侧(图2中的左侧)相对较宽，但在另一侧(图2中的右侧)变窄并变尖。最外层的植入环如201所示，用于此目的。
阳极区通常如202所示，它包括用于连接外部FET的导电贴片(如同图2中的)和/或植入物，它们至少部分构成集成检测和放大元件，例如FET。植入环的非对称形式使阳极区202脱离检测器的活性区域，因此它比图1中的结构更少得暴露给辐射，并且也不会引起检测中的任何死区。
根据漂移检测器的基本原理，最外层的植入环201具有最高绝对值的电势。为了可控制地降低朝向检测器芯片边缘203的电势的绝对值，防护环围绕植入环。图2特意展示了内部防护环204和外部205防护环，但防护环的数量可以从一个到十几个。防护环可通过植入形成，或它们可以包括铣到半导体材料的槽和/或在其表面上产生的导体条。防护环可以浮动，或通过触点将特别选定的电势联接到每个防护环；在图2中，触点206和207作为例子示出。防护环通过它们的自动获得或选定的电势减少了电击穿的风险，而且更重要的是有助于在半导体材料内成形电场，使得活性体积增加。
图2的顶部的小图示意了电势沿垂直穿过最外面的植入环201和两个防护环204和205的箭头208的变化。在适当的环，电势是恒定的(大的负电势VHV针对植入环201，绝对值阶梯递减的电势VG1和VG2分别针对内、外防护环)。环之间有电势逐渐变化的区。这里，我们假设检测器芯片的边缘203接地。
已知的半导体检测器的结构有一定的缺陷。导体轨道(没在如图2中展示，但是它们对于使电触点在环结构的内部是必要的)必须在相对较大(绝对值)电势的区域下面经过，这可能使制造复杂。也有植入环间的区域，在这里会出现表面产生电流。需要特别安排以便引出那些表面产生电流，使它们不与辐射感应的信号电荷的测量混合。
发明内容
根据本发明的第一个方面，提供了一种防护结构，用于可控地降低半导体装置表面上的电势，从制造的角度来看这是很有利的，并在设计半导体装置的其他特征中提供了多样性。根据本发明的第二方面，提供一种包括这种防护结构的半导体装置。根据本发明的第三方面，提供一种半导体辐射检测器，其中表面电流的收集可以有效地实现。根据本发明的另一方面，提供一种半导体辐射检测器，其中有利的技术可以用来将导电轨道朝向检测器的中心区域引导。
本发明的有利目标通过使用一种防护结构实现，该防护结构中导电贴片构成二维阵列。
根据本发明的防护结构的特征在于涉及防护结构的独立权利要求中记载的特征。
根据本发明的半导体装置的特征在于涉及半导体装置的独立权利要求中记载的特征。
这项专利申请给出的发明的示例性实施例不可解释为对所附权利要求的适用性有所限制。该专利申请中使用的动词“包括”作为开放限制，并不排除也存在没有记载的特征。除非另外明确地指出，从属权利要求中记载的特征可以相互自由组合。
被认为是本发明的特征的新颖点特别在所附权利要求中进行了详尽解释。但本发明本身，就其自身的结构及其操作方法，再加上额外的对象和其优点，从下面所描述的具体实施例中，在阅读的时候结合附图将得到最好的理解。
附图说明
图1示出硅漂移检测器；
图2示出微滴形式硅漂移检测器；
图3示出导电贴片的阵列；
图4示出图3的导电贴片的电势的一个例子；
图5示出二维防护结构；
图6示出另外一种二维防护结构；
图7示出另外一种二维防护结构；
图8示出另外一种二维防护结构；
图9示出另外一种二维防护结构；
图10示出一种二维防护结构在微滴形式硅漂移检测器中的使用；
图11示出导电轨和一种二维防护结构；
图12示出表面电流的产生；
图13示出表面电流的采集；以及
图14示出导电贴片上的场板。
具体实施方式
图3示意性说明了二维阵列的导电贴片，它被假定在半导体装置的表面。半导体材料构成每对相邻的电导贴片间的电耦合。为了绝对精确，半导体材料提供所有导电贴片间的电连接，但是我们假定紧邻的贴片之外的所有其他导电贴片间的相对距离足够长，半导体材料的电阻足够高，以便对于大多数实际目的只考虑相邻贴片之间的电耦合就足够了。
说贴片具有“传导性”意思是他们的导电性显著高于相邻的半导体材料的导电性。换句话说，它们不必是例如表面上的金属贴片。它们可以是例如特定导电类型的植入物。例如就半导体辐射检测器而言，其信号载体是电子，导电贴片就可是P型植入物。
说阵列是“二维”的意思是至少有两个不同的所谓重现主方向。在图3的示例中，重现主方向是水平和竖直方向。沿重现主方向通过阵列，会反复遇到元素间的分离，分离使得阵列具有一定的特征形式，其中阵列的(相互比较相似的)元素以有条理的形式存在。在一个矩形阵列中，有条理的形式经常被称为行和列。
为了图示的简单，我们假定图3中的导电贴片位于XY坐标系中。我们也假设右上方的贴片具有电势V1，左上方的贴片具有电势V2，右下角的贴片具有电势V3，左下角的贴片具有电势V4。之前说的电势的绝对值的数量级是|V1|＞|V2|＞|V3|＞|V4|。在存在于二维阵列角落的电势的影响下，贴片间的电耦合网络通过半导体材料使得中间导电贴片具有一定的电势
图4示意性说明了二维阵列导电贴片中的电势绝对值的例子。我们假定每一贴片的导电性足够高(与周围介质的导电性相比)以至于在单独的贴片中，电势是恒定的。贴片之间，电势的绝对值作为函数随着X坐标减小和Y坐标减小单调递减。
像我们上面解释的一样，二维阵列的导电贴片可以用做防护结构，用来可控地降低半导体装置表面上的电势的绝对值。实际中怎么实现并且具有哪些优点，示例如下：
图5示意性说明了一个简易的二维防护结构，它包括二维阵列(这里是一个正方形)的导电贴片。为了便于参考，我们说这个二维阵列有第一边501、第二边502、第三边503和第四边504。在同一件半导体材料的表面有许多电极，它们被构造成具有不同的电势。所述电极的第一集合是条形的，它们的末端沿着第一边501紧邻相应一个导电贴片定位。图5中，第一集合由505到506的电极组成。所述电极的第二集合是条形的，它们的末端沿着第三边503紧邻相应一个导电贴片定位。图5中，第二集合由507到508的电极组成。
我们也假定位于或者靠近第二边502和第四边504之间的角的电势为零或者为绝对值较小的其他电势。图5示意性说明了接地连接509。作为例子，导电贴片阵列的右下角可以位于或者靠近具有接地连接的半导体材料件的边缘。
电势和正方形的导电贴片没有直接联接。然而，带有使条形式电极具有特定电势的联接(尽管图5中没有单独展示)。电极505和507的电势的绝对值是最高的，电势的绝对值向电极506和电极508降低。在存在于电极上的电势和虽然稍微有限但是仍存在的下面的半导体材料的导电性的影响下，导电贴片的电势分布和图4中的非常相像。
贴片不必是正方形或者甚至矩形；阵列的两个重现主方向也不必是互相垂直的。最重要的是，电极(它们的电势使得导电贴片带有各自的电势)的延伸方向也不必和阵列重现方向平行。所有这些的例子都在图6中展示。这里导电贴片的形式都是拉伸的六边形，两个重现主方向(它们与第一边501和第二边502以及第三边503和第四边504分别互相平行)互相位于对方的斜角处。在本实施例中，条形的电极都是彼此实质平行或接近平行，至少在导电贴片阵列中紧邻的区域内如此，并延伸到与阵列的两个重现主方向都呈斜角的方向。
图7显示了另一个实施例，其中二维阵列的导电贴片的形式并不都相同。在大多数情况下这样设计导电贴片是有好处的，即使得相邻对的导电贴片之间的物理距离不具有单个最小点，这样可以将它形成的电场和电流分布在半导体材料的更宽部分上。
像上面已经展示的一样，已经在电势的最高绝对值存在于阵列角上的情况下解释了二维阵列的导电贴片在两个不同方向上(这里指阵列的两个重现主方向)可控地降低电势绝对值的能力。在图5到图7的例子中，所说的角指左上角(以图5为例，这个角位于第一边501和第三边503之间的拐点)。根据有多少电极靠近这样的角，也根据位于或者靠近所说的角的导电贴片阵列看起来怎么样，下面情况中的一个可以适用：
-电极配置为具有绝对值最大的电势，它的末端邻近位于所说拐点的导电贴片定位(一个电极701，一个导电贴片702在角上；见图7)。
-那些电极中的至少一个配置为具有绝对值最大的电势，它们的末端邻近位于所说拐点的导电贴片定位(几个电极，一个导电贴片在角上；见图5和图6)。
-电极配置为具有绝对值最大的电势，它的末端邻近位于所说拐点的那些导电贴片定位(一个电极801，几个导电贴片802、803在角上；见图8)。
-那些电极中的至少一个配置为具有绝对值最大的电势，它们的末端邻近位于所说拐点的那些导电贴片定位(几个电极，几个导电片在角上)。
然而，二维阵列不必有直边，或者它的角不必在存在最高绝对值电势的位置。图9说明了一个例子，其中根据上面用到的词汇“第一边”和“第三边”之间沿着曲线901逐渐过渡。类似的逐渐变化和弯曲的形式也存在于二维阵列的另一侧。
在上面的例子中，二维阵列的导电贴片覆盖半导体装置表面的数学上称为“简单连接的”的二维区域。这可能是非正式的特征，意味着阵列没有孔。然而，这不是本发明的要求；例如，有可能建立至少一个所述电极定位于其内侧的环形二维阵列。
图10说明了本发明的一个实施例，其中半导体装置是漂移检测器。它包括半导体材料件，被配置为收集在定位在其表面上的电极的电势产生的电场的影响下在半导体材料件内的辐射感应的电荷载体。更特别的是，它包括由一系列漂移电极覆盖的活性区域，其在半导体材料内形成朝着收集点(阳极区域)驱动所述辐射感应的电荷的电场，收集点可以在活性区域内或外面。在图10中的示例性漂移检测器中，半导体材料件具有微滴形式，带有宽端1001和尖端1002，以便活性区域1003定位在宽端内(或者靠近宽端)，阳极区域1004定位在尖端内(或靠近尖端)，在所说的活性区域外。
像在图10中说明的漂移检测器在半导体材料件的表面上或靠近该表面包括环绕所述表面中心部分的一个或更多个防护环。在图10的上半部，防护环被示意性地显示为很多线，它们大致遵循检测器的微滴形式，靠近半导体材料件的外边沿。然而，如同在局部放大中显示的，这种情况下，防护环不连续。二维阵列的导电贴片定位成与宽端和尖端之间的半导体材料件的边缘1005相邻并与其平行地延伸。每个防护环的连续部分(以及最外面的漂移电极)环绕宽端中的更加中心定位的电极，但是被一系列导电贴片打断。例如，最外面的防护环的连续部分的端部1011和构成阵列中最外面的线的导电贴片序列1012被局部放大显示。
防护环并不需要包含连续部分。在本发明的一个实施例中，围绕定位在宽端中的漂移电极的防护环部分也可包括一系列连续的导电贴片。
图10也展示了微滴形式漂移检测器可具有的许多其他优点。虽然由于选择的裁切而在局部放大中看不见，二维阵列的导电贴片沿微滴形式的两边(即也沿着在图10上半部中几乎直地延伸的边)对称存在。因此，大多数的漂移电极也不是连续的环而是新月形式的。每一个新月形式的漂移电极都有和一个二维阵列最里面的边(图5中的术语：“第一边”)处的导电贴片相邻的一个端部和与另一二维阵列最里面的边(“第一边”)处的导电贴片相邻的另一端。作为一个例子，新月形式的漂移电极1013如图所示。
实际上，上面提到的新月形式的漂移电极，即它们的端部和二维阵列最里面的边处的导电贴片相邻的漂移电极只构成不断扩大的漂移电极序列中的每隔一个(每第二个)漂移电极。在它们的每一个连续对之间，漂移检测器包括较短的新月形式漂移电极，它的端部比首先提到的新月形式漂移电极的端部更远离二维阵列的最里面的边。电极1014是这些相对较短的漂移电极的例子。
图10还展示了一个例子，说明了漂移电极怎么被配置为具有不同的电势。每对连续的漂移电极由一定长度的狭窄导电桥连接在一起，其中桥1015作为一个例子展示。每个桥的具体电导率和物理尺寸被选定成使得桥具有希望的电阻，这样漂移电极可以有效地构成一个电阻连接链。电势只需要被特别地联接到链中的第一个和最后一个电极，之后，它们之间的电阻连接负责将每个中间漂移电极的电势设置为适当的值。
比较图3至图5，二维阵列的导电贴片可以具有以下的边：
第一边：和新月形式漂移电极的(较长的那个)的端部相邻的边，
第二边：和半导体材料件的边缘1005相邻的边(虽然所述边缘在实际中可能比图10中的更加远离导电贴片)，
第三边：和环绕漂移检测器的宽端的防护环(和最外面的漂移电极)的连续部分的端部相邻的边，以及
第四边：和围绕漂移检测器的尖端弯曲的防护环(和最外面的漂移电极)的较短连续部分的端部相邻的边。
漂移检测器中绝对值最大的电势位于最外面的漂移电极处，根据上面的指定，它结束于二维阵列导电贴片的第一边和第三边之间的拐点处或附近。从这起，电势的绝对值开始在二维阵列的两个重现主方向上减小。
围绕图10的局部放大的左下处的漂移检测器的尖端弯曲的防护环(和最外面的漂移电极)的较短连续部分是否明确联接到特定的电势是一个设计选择。即使它们没有明确联接，它们也由于附近的其他导电部分的电势而具有一定的电势。这些较短的连续部分的至少最外面的一个1016通常联接到绝对值低的固定电势，如接地电势(0V)。即使较短的连续部分的最里面的一个1017的电势的绝对值也不很高，因为它不会去接近那些具有最高绝对值电势的漂移电极。
作为对照，我们简单地考虑一下现有技术类型的微滴形式的硅漂移检测器，其中所有环形的电极(包括具有最高绝对值电势的电极)都环绕着整个检测器表面。这意味着，在紧凑包装的几何形状的尖端中，在相对短的距离上电势有比较大的差异。此外，如果任何导电轨道(又称电交叉(electric crossover))被放置在表面上，例如用于形成到集成FET或突点结合到阳极区域内的连接垫的FET的连接，这样的轨道需要和半导体材料件的表面严格绝缘以防止电故障。
在图11中，示出了根据本发明的一个实施例的微滴形式的半导体辐射检测器中的二维阵列导电贴片内的一些电势值的例子。由于图11的左下部的防护环和电极的较短连续部分的电势值和沿着二维阵列导电贴片的左(即“第四”)边的相同或者至少接近，导电轨道和它必须穿过的电极环之间的最大电势差在10伏特的级别，而不是现有技术装置的如150伏的级别。
图11所示的装置在至少一个绝缘层(图11中没有单独显示)上包括至少一个导电轨道1101、1102、1103，绝缘层使得导电轨道和半导体材料件的表面上的电极电绝缘。导电轨道1101、1102和1103延伸到位于尖端内的阳极区域，穿过二维阵列的导电贴片的与环绕宽端的电极部分隔离的电极部分。由于电势差异较小，对所述的绝缘层也没有太严格的要求。穿过环形式漂移电极的导电轨道是已知的，例如从现有技术文件US6455858已知。
图12是半导体辐射检测器、特别是漂移检测器的一部分穿过图13所示的线A-A的示意横截面。该半导体材料件1201包括多个连续的漂移电极1202、1203、1204、1205和1206。在连续的漂移电极之间的每个间隔内，在和/或接近半导体材料件的表面处是一个区域，那里产生所谓的表面电流或表面产生电荷载体。区域1207被示出为例。表面产生电荷载体的产生是一个必然发生的物理事实，是无法避免的；不过，半导体辐射检测器的设计应该使得表面产生电荷载体尽可能小地干扰辐射感应电荷载体(即所谓的信号电荷)的产生和测量。
现有技术出版物，W.Chen等人的：“Large Area CylindricalSilicon Drift Detector”，IEEE Transactions on Nuclear Science，Vol.39，no.4，1992表明检测器表面上的氧化物层内的固定正电荷的存在保持表面产生电子接近表面。所述出版物建议使用所谓的“河”(它们是在漂移电极中的间隙序列)来引导电子朝向检测器的中心，在那里通过电极收集它们。然而，Chen的已知解决方案需要小心控制电极环的间隙和收集电极的设置，这样在结构上引入了额外的复杂性。
图12还示出一种可以采取的可能措施使表面产生电荷载体不能干扰信号电荷的测量和产生。所谓的场板1208邻近连续漂移电极间的间隔定位并由电绝缘层1209与其电隔离。在场板1208和间隔内侧上的漂移电极之间存在导电连接。所说的导电连接最容易通过在电绝缘层1209中布置开口来形成，由此形成场板1208的金属化与漂移电极1202接触。由于导电连接，场板具有和间隔内侧上的漂移电极相同的电势，它应该充分地吸引表面产生电荷载体，以便避免它们和信号电荷混合。例如从现有技术出版物A.Bischoff等人的“Breakdown protection and long-term stabilization for Si-detectors”，Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A326(1993)，pp.27-37中已知将导电材料放在漂移电极间的间隔之上的建议，其对于这种导电材料使用名称“重叠门”。
图13示意性显示了根据本发明的实施例的包括终止漂移电极和二维阵列导电贴片的半导体装置(这里为微滴形式的漂移检测器)如何同时包括用于收集表面产生电荷载体的配置。该配置被配置为导致漂移电极的端部之间的间隔出来的所述表面产生电荷载体进入被二维阵列导电贴片覆盖的区域。所说区域内的电势比漂移电极间的间隔内的电势高(即，负性较小)，这意味着表面产生电子会受到朝向二维阵列导电贴片的内(即，“第一”)边和之上的吸引力，如图13中用箭头1301所示的。该配置也包括场板，例如图12所示的那种，场板只需要吸引表面产生电荷足够长的时间让它们朝向并且越过限制流到二维阵列导电贴片覆盖的区域。与线A-A相吻合的六个场板已经在阴影区被显示。
某种场板也可在二维阵列导电贴片中使用。图14示意说明了5个导电贴片，它们位于二维阵列的最里面(即“第一”)的边，新月形漂移电极的端部在它们上面可见。图14的下部示出了沿线B-B的横截面。每一个导电贴片1401具有通过电绝缘层1403到它的导电连接1402。在最后提到的顶部上是贴片特异的“场板”1404，它在水平方向上延伸到两个连续的导电贴片间的间隙上方，在这个方向上会出现绝对值最大的电势。这种导电贴片特异的场板形式确保对二维阵列导电贴片覆盖的区域内的表面产生电荷载体适用最合适的吸引力。
对于上面描述的实施方式可能会有变化或改动，但没有超出所附权利要求中限定的保护范围。例如，即使微滴形式半导体辐射检测器已经作为一个例子描述，但也可在更加传统的圆形检测器里使用二维阵列导电贴片作为防护结构。本发明不限制检测和放大元件(特别是FET)实施的方式，而是允许使用例如集成的、突点结合或引线结合的FET。
Claims (12)
1.一种用于可控地降低半导体装置表面上的电势绝对值的防护结构，包括：
-二维阵列的导电贴片，至少一些导电贴片在存在于所述二维阵列的边处的电势的影响下具有电势。
2.根据权利要求1所述的防护结构，其中，所述二维阵列覆盖所述半导体装置的表面的简单连接的二维区域。
3.一种半导体装置，包括：
-半导体材料件，
-在所述半导体材料件的表面上，多个电极被配置为具有不同的电势，和
-防护结构，其包括二维阵列的导电贴片，至少一些导电贴片在存在于所述二维阵列的边处的电势的影响下具有电势。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：
-所述二维阵列具有第一边、与所述第一边相对的第二边、第三边以及与所述第三边相对的第四边，
-所述第二边和半导体材料件的边缘相邻，
-所述电极的第一集合是条形式的并且具有沿着所述第一边与相应一个导电贴片相邻定位的端部，且
-所述电极的第二集合是条形式的并且具有沿着所述第三边与相应一个导电贴片相邻定位的端部。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中：
-在所述电极的第一集合和第二集合中，所述电极或其中的至少一个能够具有最大绝对值的电势，该一个或多个电极的端部与定位在所述第一边和第三边之间的拐点处的一个或多个导电贴片相邻定位。
6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：
-半导体装置是漂移检测器，其能够收集在所述电极的电势形成的电场的影响下在所述半导体材料件内的辐射感应电荷载体，
-在所述半导体材料件的所述表面上，半导体装置包括一个或更多个防护环，其围绕所述表面的中部，
-所述防护环中的至少一个包括所述导电贴片的序列。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中：
-半导体材料件具有微滴形式，带有宽端和尖端，
-所述防护环的所述至少一个的一部分环绕位于所述宽端中的电极，并且
-在所述宽端和尖端之间，所述导电贴片序列平行于半导体材料件的边缘延伸。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，包括：
-二维阵列的导电贴片，其沿着所述微滴形式的两边，
-所述宽端中的所述表面上的多个新月形式的漂移电极，每一个新月形式的漂移电极的一端和位于一个二维阵列最里面的边处的导电贴片相邻，另一端和另一二维阵列的最里面的边处的导电贴片相邻。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中：
-端部与二维阵列最里面的边处的导电贴片相邻的所述新月形式的漂移电极构成漂移电极的扩展序列中的每隔一个漂移电极，
-在所述新月形式的漂移电极的每个连续对之间，所述半导体装置包括较短的新月形式漂移电极，该较短的新月形式漂移电极的端部比所述每隔一个漂移电极的端部更加远离二维阵列的所述最里面的边。
10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中：
-半导体装置在至少一个绝缘层上包括至少一个导电轨道，绝缘层使所述导电轨道和所述表面上的电极电隔离，和
-所述导电轨道延伸到位于所述尖端穿过电极部分内的阳极区域内，所述二维阵列导电贴片将其与围绕所述宽端的电极部分分离。
11.根据权利要求6所述的半导体装置，包括用于收集表面产生电荷载体的配置，该配置能够将所述电荷载体从漂移电极端部之间的间隙引出并进入所述二维阵列导电贴片覆盖的区域。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述配置包括多个导电场板，其和连续的漂移电极间的相应间隔相邻定位并与所述间隔通过电绝缘层电隔离。
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