CN103489981A - 发光二极管及其制造方法 - Google Patents
发光二极管及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103489981A CN103489981A CN201210410261.1A CN201210410261A CN103489981A CN 103489981 A CN103489981 A CN 103489981A CN 201210410261 A CN201210410261 A CN 201210410261A CN 103489981 A CN103489981 A CN 103489981A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- emitting diode
- light
- nitride layer
- diode according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 45
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 56
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 14
- 229910000941 alkaline earth metal alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910001420 alkaline earth metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims description 4
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PWOSZCQLSAMRQW-UHFFFAOYSA-N beryllium(2+) Chemical compound [Be+2] PWOSZCQLSAMRQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 gallium indium nitride Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MQBKFPBIERIQRQ-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene;cyclopentane Chemical compound [Mg+2].C=1C=C[CH-]C=1.[CH-]1[CH-][CH-][CH-][CH-]1 MQBKFPBIERIQRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MXNRFULXBRJVRO-UHFFFAOYSA-N beryllium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Be+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 MXNRFULXBRJVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 54
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical class O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002650 habitual effect Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种发光二极管及其制造方法,发光二极管不包含P型氮化镓层。此发光二极管依序包含N型半导体层、多重量子井层、P型氮化铟镓(InGaN)层以及氧化铟锡层。氧化铟锡层的晶粒尺寸介于5埃至1000埃间。
Description
技术领域
本发明是有关于一种发光二极管及其制造方法,且特别是有关于一种高亮度发光二极管及其制造方法。
背景技术
发光二极管(light emitting diode)为一种具有N型半导体与P型半导体接合的光电转换装置(photoelectric conversion device),其是通过电子与空穴的再结合而发光。目前,因发光二极管的使用寿命长且体积小,故已广泛地应用于背光模组与照明领域。
其中,又以氮化镓基底(GaN-based)的发光二极管最具代表性。氮化镓基底的发光二极管包含N型氮化镓层、多重量子井层(或主动层)及P型氮化镓层的发光单元(light emitting cell)。然而,各层材料皆会吸收主动层所发出的光,导致出光率降低。
因此,仍需一种改良的发光二极管及其制造方法,以期能提高发光二极管的出光率,而可解决现有技术所面临的问题。
发明内容
本发明的一方面是提供一种具有高亮度的发光二极管,其不包含P型氮化镓层。此发光二极管包含N型半导体层、多重量子井层、P型氮化铟镓层以及氧化铟锡层。此氧化铟锡层的晶粒尺寸介于5埃至1000埃间。N型半导体层设置于基板上。多重量子井层设置于N型半导体层上。P型氮化铟镓层设置于多重量子井层上。氧化铟锡层设置于P型氮化铟镓层上。
本发明的另一方面是在提供一种制造高亮度的发光二极管的方法,其包含下列步骤:提供一基板。形成N型半导体层于基板上。形成多重量子井层于N型半导体层上。形成P型氮化铟镓层于多重量子井层上。形成氧化铟锡层于P型氮化铟镓层上,此氧化铟锡层的晶粒尺寸介于5埃至1000埃间。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的说明如下:
图1是显示依照本发明一实施方式的一种发光二极管的示意图;
图2是显示依照本发明另一实施方式的一种发光二极管的示意图;
图3是显示依照本发明一实施方式的一种制造发光二极管的方法的流程图;
图4是显示依照本发明一实施方式的一种制造发光二极管的方法中各制程阶段的示意图;
图5是显示依照本发明另实施方式的一种制造发光二极管的方法中各制程阶段的示意图;
图6是显示依照本发明又实施方式的一种制造发光二极管的方法中各制程阶段的示意图。
【主要元件符号说明】
100、200:发光二极管
110:基板
120:未掺杂氮化镓层
130:N型半导体层
140:多重量子井层
142:氮化铟镓中间层
144:氮化镓中间层
146:顶层
148:未掺杂氮化铟镓层
150:P型氮化铟镓层
150a:P型杂质
150b:P型杂质
150c:碱土金属离子
160:碱土金属合金层
170:氧化铟锡层
182:P型接触垫
184:N型接触垫
300:制造发光二极管的方法
310、320、330、340、350:步骤
具体实施方式
以下将以附图揭露本发明的多个实施方式,为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说,在本发明部分实施方式中,这些实务上的细节是非必要的。此外,为简化附图起见,一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。
图1是显示依照本发明一实施方式的一种发光二极管的示意图。本发明的一方面是在提供一种具有高亮度的发光二极管,且其未包含P型氮化镓层。发光二极管100依序包含N型半导体层130、多重量子井层140、P型氮化铟镓(InGaN)层150以及氧化铟锡层170。
N型半导体层130设置于基板110上。基板110的材料可为玻璃、石英、蓝宝石、碳化硅、氮化镓、氮化铝或其它合适的材料。N型半导体层130可依序使用化学气相沉积制程及掺杂制程来形成。N型半导体层130的材料可为III-Ⅴ族半导体化合物,如掺杂硅的氮化镓化合物,但不限于此。
在一实施方式中,还包含未掺杂氮化镓(U-GaN)层120夹设于N型半导体层130及基板110间。未掺杂氮化镓层120可使用化学气相沉积制程来形成,其是用以做为缓冲层。
多重量子井层140设置于N型半导体层130上。在一实施方式中,多重量子井层140为氮化铟镓层与氮化镓层相互堆叠而形成的结构,可利用化学气相沉积制程来形成。多重量子井层140是用来局限载子于量子井中,而可提升发光强度。
P型氮化铟镓层150设置于多量子井140层上。P型氮化铟镓层中的P型杂质是选自由铍、镁及其组合所构成的群组。为了降低P型氮化铟镓层150的光吸收量,因此,在一实施方式中,P型氮化铟镓层150的厚度介于5埃至1000埃间,较佳为5埃至20埃间。换言之,减薄的P型氮化铟镓层150有助于大幅降低对光的吸收量,而可提升发光二极管100的出光率。
氧化铟锡层170设置于P型氮化铟镓层150上。氧化铟锡层170用以使电流能够均匀分布。由上述可知,为了减少P型氮化铟镓层150的光吸收量,而降低了P型氮化铟镓层150的厚度,但会因此丧失电流散布的功能。所以,在一实施方式中,氧化铟锡层170是以溅镀制程形成。这是因为与蒸镀制程相较之下,溅镀制程可形成品质较佳且较为致密的氧化铟锡层170,而有助于大幅提升电流均匀分布的功能。在一实施方式中,氧化铟锡层170的晶粒尺寸介于5埃至1000埃间。并且在形成相同氧化铟锡层170的厚度之下,以溅镀制程形成的氧化铟锡层170的表面电阻会比以蒸镀制程形成的氧化铟锡层170的表面电阻更低。因此,在一实施方式中,氧化铟锡层170的表面电阻介于100欧姆至5欧姆间。在一实施方式中,氧化铟锡层170的厚度介于5埃至1000埃间。换言之,减薄的氧化铟锡层170可减少吸光,并且又具有足够低的表面电阻与良好的电流散布效果。此外,氧化铟锡层170与P型氮化铟镓层150间具有良好的欧姆接触。
在一实施方式中,还包含碱土金属合金层160夹设于P型氮化铟镓层150及氧化铟锡层170间,如图2所示。碱土金属合金层160的材料是选自由金铍(AuBe)合金及金镁(AuMg)合金及其组合所构成的群组。这是因为在形成P型氮化铟镓层150的过程中,需要退火碱土金属合金层160来使碱土金属离子扩散进入未掺杂的氮化铟镓层。下述制程方法中将详细说明此退火步骤。
P型接触垫182以及N型接触垫184分别设置于氧化铟锡层170和露出的N型半导体层130上,如图1及图2所示。
图3是显示依照本发明一实施方式的一种制造发光二极管的方法的流程图。本发明的另一方面是在提供一种制造高亮度的发光二极管的方法,其包含下列步骤。
在步骤310中,提供基板110。在一实施方式中,还包含形成未掺杂氮化镓层120于基板110上。基板110与未掺杂氮化镓层120的具体实施方式可与图1中的基板110与未掺杂氮化镓层120的具体实施方式相同。
在步骤320中,形成N型半导体层130于基板110上。N型半导体层130的具体实施方式可与图1中的N型半导体层130的具体实施方式相同。
在步骤330中,形成多重量子井层140于N型半导体层130上。多重量子井层140的具体实施方式可与图1中的多重量子井层140的具体实施方式相同。
在步骤340中,形成P型氮化铟镓层150于多重量子井层140上。形成P型氮化铟镓层150的方法例如可为有机金属化学气相沉积(metal chemicalvapor deposition)、离子布植(ion implantation)或热扩散(thermal diffusion)方式,下述将详细说明。
在一实施方式中,步骤330包含形成多个氮化铟镓中间层142与多个氮化镓中间层144交互堆叠,且最后形成一顶层146,如图4所示。顶层146与氮化铟镓中间层142可为相同的材料,差异仅在于设置的位置。例如可使用有机金属化学气相沉积方式形成厚度小于20埃的顶层146。详细而言,可利用有机金属化学气相沉积法,同步(in-situ)掺杂P型杂质150a于顶层146中,以将顶层146转变为P型氧化铟镓层150。P型杂质150a是选自由有机碱土金属、铍、镁及其组合所构成的群组。有机碱土金属的材料是选自由二茂基铍([bis(cyclopentadienyl)beryllium],Cp2Be)及二茂基镁([bis(cyclopentadienyl)magnesium],Cp2Mg)及其组合所构成的群组。例如可使用浓度1019cm-3以上的二茂基镁来进行上述沉积P型杂质150a步骤。
在另一实施方式中,如图5所示,步骤340包含有机金属化学气相沉积未掺杂氮化铟镓层148于多重量子井层130上。然后,植入P型杂质150b至未掺杂氮化铟镓层148中。P型杂质150b是选自由镁离子(Mg+)、铍离子(Be+)及其组合所构成的群组。例如可使用有机金属化学气相沉积方式形成厚度小于20埃的未掺杂氮化铟镓层148。接着,使用浓度1019cm-3以上的镁离子来进行上述植入P型杂质150b步骤。
在又一实施方式中,如图6所示,步骤340包含有机金属化学气相沉积未掺杂氮化铟镓层148于多重量子井层140的顶面上,然后形成碱土金属合金层160于未掺杂氮化铟镓层148上。最后,施以一退火程序,使碱土金属合金层160中的碱土金属离子扩散进入未掺杂氮化铟镓层148中。在一实施方式中,退火程序是在温度大于或等于800度C的环境下进行。碱土金属合金层的材料是选自由金铍(AuBe)合金、金镁(AuMg)合金及其组合所构成的群组。例如可使用有机金属化学气相沉积方式形成厚度小于20埃的未掺杂氮化铟镓层148,再沉积金铍层于未掺杂氮化铟镓层148上。然后进行退火步骤,以使铍离子扩散至未掺杂氮化铟镓层148中。
在步骤350中,形成氧化铟锡层170于P型氮化铟镓层150上,如图1及图2所示。例如可使用溅镀的方式形成氧化铟锡层170于P型氮化铟镓层150上。氧化铟锡层170的晶粒尺寸介于5埃至1000埃间。氧化铟锡层170的表面电阻介于100欧姆至5欧姆间。氧化铟锡层170的厚度介于5埃至1000埃间。此外,氧化铟锡层170与P型氮化铟镓层150间具有良好的欧姆接触。
然后,可利用蚀刻制程让N型半导体层130露出一部分,如图1及图2所示。
最后,分别形成P型接触垫182及N型接触垫184于氧化铟锡层170和露出部分的N型半导体层130上,如图1及图2所示,而完成了发光二极管100,200的制作。例如可使用电镀或沉积方式来形成P型接触垫182以及N型接触垫184。
由此可知,上述发光二极管不包含P型氮化镓层。并且,本发明的实施方式使用非常薄的P型氮化铟镓层搭配小晶粒尺寸的高品质氧化铟锡层,以减少光吸收量以及帮助电流散布。此外,高品质氧化铟锡层也可减薄,而可减少吸光,同时又具有足够低的表面电阻与良好的电流散布效果。因此,此高出光率的发光二极管及其制造方法能够有效地解决上述问题。
虽然本发明已以实施方式揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何熟悉此技艺者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作各种的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (25)
1.一种发光二极管,其特征在于,包含:
一N型半导体层,设置于一基板上;
一多重量子井层,设置于该N型半导体层上;
一P型氮化铟镓层,设置于该多重量子井层上;以及
一氧化铟锡层,设置于该P型氮化铟镓层上,该氧化铟锡层的晶粒尺寸介于5埃至1000埃间。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该P型氮化铟镓层的P型杂质是选自由铍、镁及其组合所构成的群组。
3.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该氧化铟锡层是以溅镀制程形成。
4.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,还包含一碱土金属合金层夹设于该P型氮化铟镓层及该氧化铟锡层间。
5.根据权利要求4所述的发光二极管,其特征在于,该碱土金属合金层的材料是选自由金铍合金、金镁合金及其组合所构成的群组。
6.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,还包含一未掺杂氮化镓层夹设于该N型半导体层及该基板间。
7.根据权利要求1至6中任一项权利要求所述的发光二极管,其特征在于,该P型氮化铟镓层的厚度介于5埃至1000埃间。
8.根据权利要求7所述的发光二极管,其特征在于,该P型氮化铟镓层的厚度介于5埃至20埃间。
9.根据权利要求7所述的发光二极管,其特征在于,该氧化铟锡层的厚度介于5埃至1000埃间。
10.根据权利要求7所述的发光二极管,其特征在于,该氧化铟锡层的表面电阻介于100欧姆至5欧姆间。
11.一种发光二极管的制造方法,其特征在于,包含:
提供一基板;
形成一N型半导体层于该基板上;
形成一多重量子井层于该N型半导体层上;
形成一P型氮化铟镓层于该多重量子井层上;以及
形成一氧化铟锡层于该P型氮化铟镓层上,该氧化铟锡层的晶粒尺寸介于5埃至1000埃间。
12.根据权利要求11所述的发光二极管的制造方法,其特征在于,该多重量子井层是由多个氮化铟镓中间层与多个氮化镓中间层交互堆叠而成,且该多重量子井层的顶层为一氮化铟镓层。
13.根据权利要求12所述的发光二极管的制造方法,其特征在于,形成该P型氮化铟镓层步骤是通过有机金属化学气相沉积法,同步掺杂一P型杂质于该顶层中,以将该顶层转变为该P型氮化铟镓层。
14.根据权利要求13的发光二极管的制造方法,其特征在于,该P型杂质是选自有机碱土金属、铍、镁及其组合所构成的群组。
15.根据权利要求14所述的发光二极管的制造方法,其特征在于,该有机碱土金属的材料是选自由二茂基铍、二茂基镁及其组合所构成的群组。
16.根据权利要求11所述的发光二极管的制造方法,其特征在于,形成该P型氮化铟镓层步骤包含:
利用有机金属化学气相沉积一未掺杂的氮化铟镓层于该多重量子井层的一顶面上;以及
将P型杂质植入该未掺杂氮化铟镓层中。
17.根据权利要求16所述的发光二极管的制造方法,其特征在于,该P型杂质是选自由镁离子、铍离子及其组合所构成的群组。
18.根据权利要求11所述的发光二极管的制造方法,其特征在于,形成该P型氮化铟镓层步骤包含:
利用有机金属化学气相沉积一未掺杂的氮化铟镓层于该多重量子井层的该顶面上;
形成一碱土金属合金层于该未掺杂氮化铟镓层上;以及
施以一退火程序,使该碱土金属合金层中的碱土金属离子扩散进入该未掺杂氮化铟镓层中。
19.根据权利要求18所述的发光二极管的制造方法,其特征在于,该退火程序是于温度大于或等于800度C的环境下进行。
20.根据权利要求18所述的发光二极管的制造方法,其特征在于,该碱土金属合金层的材料是选自由金铍合金、金镁合金及其组合所构成的群组。
21.根据权利要求11至20中任一项权利要求所述的发光二极管的制造方法,其特征在于,该氧化铟锡层是以溅镀法形成。
22.根据权利要求21所述的发光二极管的制造方法,其特征在于,该P型氮化铟镓层的厚度介于5埃至1000埃间。
23.根据权利要求22所述的发光二极管的制造方法,其特征在于,该P型氮化铟镓层的厚度介于5埃至20埃间。
24.根据权利要求22所述的发光二极管的制造方法,其特征在于,该氧化铟锡层的厚度介于5埃至1000埃间。
25.根据权利要求22所述的发光二极管的制造方法,其特征在于,该氧化铟锡层的表面电阻介于100欧姆至5欧姆间。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW101120486A TWI505500B (zh) | 2012-06-07 | 2012-06-07 | 發光二極體及其製造方法 |
TW101120486 | 2012-06-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103489981A true CN103489981A (zh) | 2014-01-01 |
CN103489981B CN103489981B (zh) | 2016-08-10 |
Family
ID=49714540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210410261.1A Active CN103489981B (zh) | 2012-06-07 | 2012-10-24 | 发光二极管及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130328010A1 (zh) |
CN (1) | CN103489981B (zh) |
TW (1) | TWI505500B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021056472A1 (zh) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | 中国科学技术大学 | 一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014150800A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Glo Ab | Two step transparent conductive film deposition method and gan nanowire devices made by the method |
US9985168B1 (en) | 2014-11-18 | 2018-05-29 | Cree, Inc. | Group III nitride based LED structures including multiple quantum wells with barrier-well unit interface layers |
CN106549087A (zh) * | 2016-10-28 | 2017-03-29 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种高亮度led芯片的制备方法 |
US11393948B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-07-19 | Creeled, Inc. | Group III nitride LED structures with improved electrical performance |
EP3923351A4 (en) * | 2020-03-03 | 2023-01-04 | HCP Technology Co., Ltd. | Light emitting diode and manufacturing process therefor |
KR20210146805A (ko) * | 2020-05-27 | 2021-12-06 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광소자 및 발광소자의 제조 방법 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6316792B1 (en) * | 1996-06-05 | 2001-11-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compound semiconductor light emitter and a method for manufacturing the same |
CN2591781Y (zh) * | 2002-12-26 | 2003-12-10 | 炬鑫科技股份有限公司 | 氮化镓基ⅲ-ⅴ族化合物半导体led的发光装置 |
US20060228580A1 (en) * | 2004-07-29 | 2006-10-12 | Hye-In Jeong | Organic electroluminescent device |
CN101002337A (zh) * | 2004-07-30 | 2007-07-18 | 株式会社藤仓 | 发光元件及其制造方法 |
US20070187713A1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-16 | Lg Innotek Co., Ltd | Nitride semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same |
CN101267009A (zh) * | 2007-03-16 | 2008-09-17 | 三菱电机株式会社 | 半导体光元件的制造方法 |
CN101582478A (zh) * | 2009-05-21 | 2009-11-18 | 上海蓝光科技有限公司 | 用于光电器件的多量子阱结构及其制造方法 |
CN101689586A (zh) * | 2007-06-15 | 2010-03-31 | 罗姆股份有限公司 | 氮化物半导体发光元件和氮化物半导体的制造方法 |
CN101790801A (zh) * | 2007-08-30 | 2010-07-28 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件及其制造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5777350A (en) * | 1994-12-02 | 1998-07-07 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting device |
KR100611352B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2006-09-27 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 소자 |
US6693352B1 (en) * | 2000-06-05 | 2004-02-17 | Emitronix Inc. | Contact structure for group III-V semiconductor devices and method of producing the same |
KR100507610B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2005-08-10 | 광주과학기술원 | 질화물 반도체 나노상 광전소자 및 그 제조방법 |
TWI253186B (en) * | 2004-02-13 | 2006-04-11 | Highlink Technology Corp | Light emitting diode and method for manufacturing the same |
EP1780806A4 (en) * | 2004-07-30 | 2009-07-29 | Fujikura Ltd | LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
US7943949B2 (en) * | 2004-09-09 | 2011-05-17 | Bridgelux, Inc. | III-nitride based on semiconductor device with low-resistance ohmic contacts |
WO2008061085A1 (en) * | 2006-11-10 | 2008-05-22 | University Of South Carolina | Selectively doped semi-conductors and methods of making the same |
JP2011040486A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Sharp Corp | 発光装置および画像表示装置 |
US8294163B2 (en) * | 2010-02-01 | 2012-10-23 | Hermes-Epitek Corp. | Optoelectronic component with three-dimension quantum well structure and method for producing the same |
KR101110937B1 (ko) * | 2010-05-17 | 2012-03-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 |
JP5150684B2 (ja) * | 2010-07-13 | 2013-02-20 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
-
2012
- 2012-06-07 TW TW101120486A patent/TWI505500B/zh active
- 2012-10-24 CN CN201210410261.1A patent/CN103489981B/zh active Active
-
2013
- 2013-03-11 US US13/793,850 patent/US20130328010A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6316792B1 (en) * | 1996-06-05 | 2001-11-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compound semiconductor light emitter and a method for manufacturing the same |
CN2591781Y (zh) * | 2002-12-26 | 2003-12-10 | 炬鑫科技股份有限公司 | 氮化镓基ⅲ-ⅴ族化合物半导体led的发光装置 |
US20060228580A1 (en) * | 2004-07-29 | 2006-10-12 | Hye-In Jeong | Organic electroluminescent device |
CN101002337A (zh) * | 2004-07-30 | 2007-07-18 | 株式会社藤仓 | 发光元件及其制造方法 |
US20070187713A1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-16 | Lg Innotek Co., Ltd | Nitride semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same |
CN101267009A (zh) * | 2007-03-16 | 2008-09-17 | 三菱电机株式会社 | 半导体光元件的制造方法 |
CN101689586A (zh) * | 2007-06-15 | 2010-03-31 | 罗姆股份有限公司 | 氮化物半导体发光元件和氮化物半导体的制造方法 |
CN101790801A (zh) * | 2007-08-30 | 2010-07-28 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件及其制造方法 |
CN101582478A (zh) * | 2009-05-21 | 2009-11-18 | 上海蓝光科技有限公司 | 用于光电器件的多量子阱结构及其制造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021056472A1 (zh) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | 中国科学技术大学 | 一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130328010A1 (en) | 2013-12-12 |
TWI505500B (zh) | 2015-10-21 |
CN103489981B (zh) | 2016-08-10 |
TW201351688A (zh) | 2013-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103489981A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
CN100541843C (zh) | 一种氮化镓基发光二极管p型层透明导电膜及其制作方法 | |
US8455914B2 (en) | Light emitting device | |
CN101350392B (zh) | 纳米图案p型氮化物半导体欧姆接触电极及其制备方法 | |
RU2010129073A (ru) | Контакт для полупроводникового светоизлучающего устройства | |
CN1606177A (zh) | 氮化物基发光器件及其制造方法 | |
TWI557938B (zh) | 元件與發光二極體與其製作方法 | |
CN101084583A (zh) | 氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法 | |
TW201336107A (zh) | 裝置及發光二極體與其形成方法 | |
CN1638163A (zh) | 倒装片发光二极管及其制造方法 | |
TW201214771A (en) | Light emitting device, light emitting device package, and lighting device | |
CN1622349A (zh) | 倒装芯片发光二极管及其制造方法 | |
TW201526287A (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
CN102751415B (zh) | 具有垂直结构的发光器件及其制造方法 | |
TW201419568A (zh) | Led元件及其製造方法 | |
CN108565319A (zh) | 氮化物半导体结构及半导体发光元件 | |
CN108321267A (zh) | 氮化物半导体结构及半导体发光元件 | |
CN1674310A (zh) | 氮化镓基ⅲ-v族化合物半导体发光器件及其制造方法 | |
CN106935692B (zh) | 光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 | |
EP2830105A1 (en) | Light emitting diode and manufacturing method thereof | |
CN116978990A (zh) | 一种led芯片及其制备方法、led芯片 | |
WO2023115767A1 (zh) | Led芯片及其制备方法 | |
JP2006179618A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
CN107706277B (zh) | 一种透明导电层的制作方法及其发光二极管 | |
KR100855340B1 (ko) | 발광 다이오드 소자의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |