CN100541843C - 一种氮化镓基发光二极管p型层透明导电膜及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其制作方法，该透明导电膜是由Ni/ITO、Al/ITO或NiO/ITO组合中的一种制成，铝的厚度为5～30埃，氧化镍的厚度为5～40埃，氧化铟锡的厚度为1000～3000埃，其制作方法是在P型氮化镓层上蒸镀铝或氧化镍中的一种，对蒸镀有铝的晶片进行热处理，接着在铝、氧化镍的表面蒸镀氧化铟锡，最后对蒸镀有Al/ITO、NiO/ITO的晶片进行热处理。该透明导电膜在可见光范围内获得高的透光率，还能获得低的接触电阻率。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管，更具体地说，涉及一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其制作方法。
背景技术
氮化镓材料由于其宽能隙(常温下约3.4eV)以及它是直接能隙的关系，因此很适合当蓝、绿光发光材料元件的材料。
在有机金属化学气相外延系统的沉积过程中，NH3释放出的H原子与Mg形成复合中心，而复合中心所属的深层能阶汲走了大部分的空穴载流子，造成了半绝缘性的半导体性质，而在热退火活化的过程中，只有约1％的Mg掺杂被活化。所以为了达到更低的接触电阻，更高的空穴浓度是必须的。而也因为这个原因目前在蓝光氮化镓发光二极管的特性上因为载流子扩散不易，因而产生电流拥挤效应，并且使用金属电极会使在发光层复合产生的光大部分都被电极掩盖，如此大幅地减低了发光效应，并且使得组件的寿命减短。
为了解决这个问题，必须使用透明电极来取代传统的金属电极，使得电流均匀分布让主动层发光效应提升。而作为透明电极材料应符合三个要素：(一)低的接触电阻率，以降低氮化镓发光二极管的工作电压；(二)高的透光率，使得主动层发出的光能有效穿透避免被反射与吸收；(三)电极本身要有低的电阻率使得电流可以均匀分布。由于P型氮化镓的功函数高达7.5eV，一般的金属功函数不符合与P型氮化镓欧姆接触的要求，而Ni高功函数金属的功函数是5.15eV，所以早期选用Ni、Au合金金属薄膜作为透明导电薄膜，使用镍金属薄膜作为透明电极可以将电阻率做到1×10-5Ω·cm。但是使用金属薄膜为了增加其可见光区的穿透率，必须制成极薄的膜，然而当金属膜相当薄的时候(约100埃)，容易形成岛状的不连续膜使得薄膜电阻增加，当岛状薄膜进一步变大时也会因为散射效应使得穿透率降低，镍、金合金金属薄膜的透光率仅为65％-75％。而使用氧化铟锡(ITO)金属氧化物半导体薄膜在可见光的范围内会有较高的透光率，但是电阻率比较高，为1×10-4Ω·cm。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其制作方法，使透明导电膜不仅能在可见光范围内获得高的透光率，还能获得低的接触电阻率，从而降低氮化镓发光二极管的工作电压，延长器件的使用寿命。
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜，该透明导电膜是由铝/氧化铟锡或氧化镍/氧化铟锡组合中的一种制成的，在氮化镓P型层上蒸镀的透明导电膜的第一层为铝或氧化镍中的一种，第二层为氧化铟锡，所述铝的厚度大于等于5埃且小于等于30埃，所述氧化镍的厚度大于等于5埃且小于等于30埃，所述氧化铟锡的厚度大于等于1000埃且小于等于3000埃。
一种制作上述氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的方法，包括下述步骤：
第一步：在蓝宝石衬底上依次外延生长得到N型氮化镓层，有源发光层，P型氮化镓层，
第二步：蚀刻出一露出N型氮化镓层的台阶，
第三步：在真空度小于1×10-6托的条件下，在P型氮化镓层上蒸镀镍或铝，
第四步：在氧气与氮气的流量比为1∶4，温度大于等于400℃且小于等于550℃的条件下，对蒸镀有铝的晶片进行热处理，热处理的时间大于等于10min且小于等于25min，
第五步：在真空度小于1×10-6托的条件下，在氧化镍、铝的表面蒸镀氧化铟锡，
第六步：在氮气的流量大于等于5sccm且小于等于30sccm，温度大于等于500℃且小于等于700℃的条件下，对蒸镀有镍/氧化铟锡、铝/氧化铟锡的晶片进行热处理，热处理的时间大于等于10min且小于等于25min。
另一种制作上述氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的方法，包括下述步骤：
第一步：在蓝宝石衬底上依次外延生长得到N型氮化镓层，有源发光层，P型氮化镓层，
第二步：蚀刻出一露出N型氮化镓层的台阶，
第三步：在真空度小于1×10-6托的条件下，在P型氮化镓层上蒸镀氧化镍，
第四步：在真空度小于1×10-6托的条件下，在氧化镍的表面蒸镀氧化铟锡，
第五步：在氮气的流量大于等于5sccm且小于等于30sccm，温度大于等于500℃且小于等于650℃的条件下，对蒸镀有氧化镍/氧化铟锡的晶片进行热处理，热处理的时间大于等于10min且小于等于25min。
本发明采用Al/ITO、NiO/ITO中的任一种材料，通过选用适当的掺杂和控制膜的氧化状态，制得的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜，与用Ni/Au合金金属薄膜作为透明导电膜相比，可以获得高的透光率，如此可提升外部发光效率；与用ITO金属氧化物半导体薄膜作为透明导电膜相比，高功函数的Al或NiO更有效地扩散到P型氮化镓表面，可以获得低的接触电阻率，形成好的欧姆接触，降低氮化镓发光二极管的工作电压，延长器件的使用寿命。
附图说明
图1为本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜制作方法的具体实施例之一的工艺流程图；
图2为本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜制作方法的具体实施例之二的工艺流程图；
图3为本发明所述的蓝宝石衬底上氮化镓基发光二极管芯片外延结构剖面示意图；
图4为本发明所述的在氮化镓基发光二极管芯片外延结构上蚀刻出N型层剖面示意图；
图5为本发明所述的采用Ni/ITO作为氮化镓基发光二极管芯片P型层透明导电膜截面示意图；
图6为本发明所述的采用Al/ITO作为氮化镓基发光二极管芯片P型层透明导电膜截面示意图；
图7为本发明所述的采用NiO/ITO作为氮化镓基发光二极管芯片P型层透明导电膜截面示意图。
具体实施方式
实施例1
请参照图1，本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，一般包括下述步骤：
(1)利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备在蓝宝石衬底11上依次外延生长得到N型GaN层12，有源发光层13，P型GaN层14，如图3所示，
(2)用电感耦合等离子体干法蚀刻的方法蚀刻出一露出N型GaN层12的台阶，如图4所示，
(3)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用E/B & Thermal(电子束蒸镀机)在P型GaN层14上蒸镀5埃的镍15，如图5所示，
(4)在通入1sccm氧气和4sccm氮气的合金炉中，温度为400℃的条件下，对蒸镀有镍15的晶片进行10min的热处理，
(5)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用ITO蒸镀机台在镍15的表面蒸镀1000埃的氧化铟锡18，如图5所示，
(6)在通入5sccm氮气的合金炉中，温度为500℃的条件下，对蒸镀有镍15和氧化铟锡18的晶片进行10min的热处理。
通过上述方法用Ni/ITO制得的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的接触电阻率为4.08×10-5Ω·cm，透光率为88.2％。
实施例2
本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，一般包括下述步骤：
(1)利用MOCVD设备在蓝宝石衬底11上依次外延生长得到N型GaN层12，有源发光层13，P型GaN层14，
(2)用电感耦合等离子体干法蚀刻的方法蚀刻出一露出N型GaN层12的台阶，，
(3)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用E/B & Thermal在P型GaN层14上蒸镀10埃的镍15，
(4)在通入2sccm氧气和8sccm氮气的合金炉中，温度为450℃的条件下，对蒸镀有镍15的晶片进行15min的热处理，
(5)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用ITO蒸镀机台在镍15的表面蒸镀2400埃的氧化铟锡18，
(6)在通入10sccm氮气的合金炉中，温度为550℃的条件下，对蒸镀有镍15和氧化铟锡18的晶片进行15min的热处理。
通过上述方法用Ni/ITO制得的透明导电膜的接触电阻率为4.22×10-5Ω·cm，透光率为93.2％。
实施例3
本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，一般包括下述步骤：
(1)利用MOCVD设备在蓝宝石衬底11上依次外延生长得到N型GaN层12，有源发光层13，P型GaN层14，
(2)用电感耦合等离子体干法蚀刻的方法蚀刻出一露出N型GaN层12的台阶，
(3)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用E/B & Thermal在P型GaN层14上蒸镀12埃的镍15，
(4)在通入3sccm氧气和12sccm氮气的合金炉中，温度为475℃的条件下，对蒸镀有镍15的晶片进行15min的热处理，
(5)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用ITO蒸镀机台在镍15的表面蒸镀2550埃的氧化铟锡18，
(6)在通入15sccm氮气的合金炉中，温度为575℃的条件下，对蒸镀有镍15和氧化铟锡18的晶片进行15min的热处理。
通过上述方法用Ni/ITO制得的透明导电膜的接触电阻率为4.57×10-5Ω·cm，透光率为96.8％。
实施例4
本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，一般包括下述步骤：
(1)利用MOCVD设备在蓝宝石衬底11上依次外延生长得到N型GaN层12，有源发光层13，P型GaN层14，
(2)用电感耦合等离子体干法蚀刻的方法蚀刻出一露出N型GaN层12的台阶，
(3)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用E/B & Thermal在P型GaN层14上蒸镀15埃的镍15，
(4)在通入4sccm氧气和16sccm氮气的合金炉中，温度为500℃的条件下，对蒸镀有镍15的晶片进行15min的热处理，
(5)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用ITO蒸镀机台在镍15的表面蒸镀2700埃的氧化铟锡18，
(6)在通入20sccm氮气的合金炉中，温度为600℃的条件下，对蒸镀有镍15和氧化铟锡18的晶片进行15min的热处理。
通过上述方法用Ni/ITO制得的透明导电膜的接触电阻率为4.43×10-5Ω·cm，透光率为95.2％。
实施例5
本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，一般包括下述步骤：
(1)利用MOCVD设备在蓝宝石衬底11上依次外延生长得到N型GaN层12，有源发光层13，P型GaN层14，
(2)用电感耦合等离子体干法蚀刻的方法蚀刻出一露出N型GaN层12的台阶，
(3)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用E/B & Thermal在P型GaN层14上蒸镀30埃的镍15，
(4)在通入5sccm氧气和20sccm氮气的合金炉中，温度为550℃的条件下，对蒸镀有镍15的晶片进行25min的热处理，
(5)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用ITO蒸镀机台在镍15的表面蒸镀3000埃的氧化铟锡18，
(6)在通入30sccm氮气的合金炉中，温度为700℃的条件下，对蒸镀有镍15和氧化铟锡18的晶片进行25min的热处理。
通过上述方法用Ni/ITO制得的透明导电膜的接触电阻率为4.13×10-5Ω·cm，透光率为89.6％。
实施例6
请参照图1，本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制件方法，一般包括下述步骤：
(1)利用MOCVD设备在蓝宝石衬底11上依次外延生长得到N型GaN层12，有源发光层13，P型GaN层14，如图3所示，
(2)用电感耦合等离子体干法蚀刻的方法蚀刻出一露出N型GaN层12的台阶，如图4所示，
(3)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用E/B & Thermal在P型GaN层14上蒸镀5埃的铝16，如图6所示，
(4)在通入1sccm氧气和4sccm氮气的合金炉中，温度为400℃的条件下，对蒸镀有铝16的晶片进行10min的热处理，
(5)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用ITO蒸镀机台在铝16的表面蒸镀1000埃的氧化铟锡18，如图6所示，
(6)在通入5sccm氮气的合金炉中，第二温度为500℃的条件下，对蒸镀有铝16和氧化铟锡18的晶片进行10min的热处理。
通过上述方法用Al/ITO制得的透明导电膜的接触电阻率为4.11×10-5Ω·cm，透光率为89.4％。
实施例7
本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，一般包括下述步骤：
(1)利用MOCVD设备在蓝宝石衬底11上依次外延生长得到N型GaN层12，有源发光层13，P型GaN层14，
(2)用电感耦合等离子体干法蚀刻的方法蚀刻出一露出N型GaN层12的台阶，
(3)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用E/B & Thermal在P型GaN层14上蒸镀10埃的铝16，
(4)在通入2sccm氧气和8sccm氮气的合金炉中，温度为450℃的条件下，对蒸镀有铝16的晶片进行15min的热处理，
(5)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用ITO蒸镀机台在铝16的表面蒸镀2400埃的氧化铟锡18，
(6)在通入10sccm氮气的合金炉中，温度为550℃的条件下，对蒸镀有铝16和氧化铟锡18的晶片进行15min的热处理。
通过上述方法用Al/ITO制得的透明导电膜的接触电阻率为4.31×10-5Ω·cm，透光率为93.6％。
实施例8
本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，一般包括下述步骤：
(1)利用MOCVD设备在蓝宝石衬底11上依次外延生长得到N型GaN层12，有源发光层13，P型GaN层14，
(2)用电感耦合等离子体干法蚀刻的方法蚀刻出一露出N型GaN层12的台阶，
(3)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用E/B & Thermal在P型GaN层14上蒸镀12埃的铝16，
(4)在通入3sccm氧气和12sccm氮气的合金炉中，温度为475℃的条件下，对蒸镀有铝16的晶片进行15min的热处理，
(5)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用ITO蒸镀机台在铝16的表面蒸镀2550埃的氧化铟锡18，
(6)在通入15sccm氮气的合金炉中，温度为575℃的条件下，对蒸镀有铝16和氧化铟锡18的晶片进行15min的热处理。
通过上述方法用Al/ITO制得的透明导电膜的接触电阻率为4.47×10-5Ω·cm，透光率为94.9％。
实施例9
本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，一般包括下述步骤：
(1)利用MOCVD设备在蓝宝石衬底11上依次外延生长得到N型GaN层12，有源发光层13，P型GaN层14，
(2)用电感耦合等离子体干法蚀刻的方法蚀刻出一露出N型GaN层12的台阶，
(3)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用E/B & Thermal在P型GaN层14上蒸镀15埃的铝16，
(4)在通入4sccm氧气和16sccm氮气的合金炉中，温度为500℃的条件下，对蒸镀有铝16的晶片进行15min的热处理，
(5)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用ITO蒸镀机台在铝16的表面蒸镀2700埃的氧化铟锡18，
(6)在通入20sccm氮气的合金炉中，温度为600℃的条件下，对蒸镀有铝16和氧化铟锡18的晶片进行15min的热处理。
通过上述方法用Al/ITO制得的透明导电膜的接触电阻率为4.41×10-5Ω·cm，透光率为95.8％。
实施例10
本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，一般包括下述步骤：
(1)利用MOCVD设备在蓝宝石衬底11上依次外延生长得到N型GaN层12，有源发光层13，P型GaN层14，
(2)用电感耦合等离子体干法蚀刻的方法蚀刻出一露出N型GaN层12的台阶，
(3)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用E/B & Thermal在P型GaN层14上蒸镀30埃的铝16，
(4)在通入5sccm氧气和20sccm氮气的合金炉中，温度为550℃的条件下，对蒸镀有铝16的晶片进行25min的热处理，
(5)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用ITO蒸镀机台在铝16的表面蒸镀3000埃的氧化铟锡18，
(6)在通入30sccm氮气的合金炉中，温度为700℃的条件下，对蒸镀有铝16和氧化铟锡18的晶片进行25min的热处理。
通过上述方法用Al/ITO制得的透明导电膜的接触电阻率为4.15×10-5Ω·cm，透光率为89.5％。
实施例11
请参照图2，本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，一般包括下述步骤：
(1)利用MOCVD设备在蓝宝石衬底11上依次外延生长得到N型GaN层12，有源发光层13，P型GaN层14，如图3所示，
(2)用电感耦合等离子体干法蚀刻的方法蚀刻出一露出N型GaN层12的台阶，如图4所示，
(3)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用E/B & Thermal在P型GaN层14上蒸镀5埃的氧化镍17，如图7所示，
(4)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用ITO蒸镀机台在氧化镍17的表面蒸镀1000埃的氧化铟锡18，如图7所示，
(5)在通入5sccm氮气的合金炉中，温度为500℃的条件下，对蒸镀有氧化镍17和氧化铟锡18的晶片进行10min的热处理。
通过上述方法用NiO/ITO制得的透明导电膜的接触电阻率为4.09×10-5Ω·cm，透光率为90.2％。
实施例12
本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，一般包括下述步骤：
(1)利用MOCVD设备在蓝宝石衬底11上依次外延生长得到N型GaN层12，有源发光层13，P型GaN层14，
(2)用电感耦合等离子体干法蚀刻的方法蚀刻出一露出N型GaN层12的台阶，
(3)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用E/B & Thermal在P型GaN层14上蒸镀10埃的氧化镍17，
(4)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用ITO蒸镀机台在氧化镍17的表面蒸镀2400埃的氧化铟锡18，
(5)在通入10sccm氮气的合金炉中，温度为550℃的条件下，对蒸镀有氧化镍17和氧化铟锡18的晶片进行15min的热处理。
通过上述方法用NiO/ITO制得的透明导电膜的接触电阻率为4.38×10-5Ω·cm，透光率为94.6％。
实施例13
本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，一般包括下述步骤：
(1)利用MOCVD设备在蓝宝石衬底11上依次外延生长得到N型GaN层12，有源发光层13，P型GaN层14，
(2)用电感耦合等离子体干法蚀刻的方法蚀刻出一露出N型GaN层12的台阶，
(3)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用E/B & Thermal在P型GaN层14上蒸镀15埃的氧化镍17，
(4)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用ITO蒸镀机台在氧化镍17的表面蒸镀2550埃的氧化铟锡18，
(5)在通入15sccm氮气的合金炉中，温度为575℃的条件下，对蒸镀有氧化镍17和氧化铟锡18的晶片进行15min的热处理。
通过上述方法用NiO/ITO制得的透明导电膜的接触电阻率为4.67×10-5Ω·cm，透光率为97.3％。
实施例14
本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，一般包括下述步骤：
(1)利用MOCVD设备在蓝宝石衬底11上依次外延生长得到N型GaN层12，有源发光层13，P型GaN层14，
(2)用电感耦合等离子体干法蚀刻的方法蚀刻出一露出N型GaN层12的台阶，
(3)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用E/B & Thermal在P型GaN层14上蒸镀20埃的氧化镍17，
(4)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用ITO蒸镀机台在氧化镍17的表面蒸镀2700埃的氧化铟锡18，
(5)在通入20sccm氮气的合金炉中，温度为600℃的条件下，对蒸镀有氧化镍17和氧化铟锡18的晶片进行15min的热处理。
通过上述方法用NiO/ITO制得的透明导电膜的接触电阻率为4.68×10-5Ω·cm，透光率为96.3％。
实施例15
本发明所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，一般包括下述步骤：
(1)利用MOCVD设备在蓝宝石衬底11上依次外延生长得到N型GaN层12，有源发光层13，P型GaN层14，
(2)用电感耦合等离子体干法蚀刻的方法蚀刻出一露出N型GaN层12的台阶，
(3)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用E/B & Thermal在P型GaN层14上蒸镀30埃的氧化镍17，
(4)在真空度为9.99×10-7托的条件下，利用ITO蒸镀机台在氧化镍17的表面蒸镀3000埃的氧化铟锡18，
(5)在通入30sccm氮气的合金炉中，温度为700℃的条件下，对蒸镀有氧化镍17和氧化铟锡18的晶片进行25min的热处理。
通过上述方法用NiO/ITO制得的透明导电膜的接触电阻率为4.20×10-5Ω·cm，透光率为91.5％。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。
Claims (9)
1、一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜是由铝/氧化铟锡或氧化镍/氧化铟锡组合中的一种组合制成的，在氮化镓P型层上蒸镀的透明导电膜的第一层为铝和氧化镍中的一种，第二层为氧化铟锡，所述铝的厚度大于等于5埃且小于等于30埃，所述氧化镍的厚度大于等于5埃且小于等于30埃，所述氧化铟锡的厚度大于等于1000埃且小于等于3000埃。
2、根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜，其特征在于，所述铝的厚度大于等于10埃且小于等于15埃，所述氧化镍的厚度大于等于10埃且小于等于20埃，所述氧化铟锡的厚度大于等于2400埃且小于等于2700埃。
3、根据权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：
第一步：在蓝宝石衬底上依次外延生长得到N型氮化镓层，有源发光层，P型氮化镓层，
第二步：蚀刻出一露出N型氮化镓层的台阶，
第三步：在真空度小于1×10-6托的条件下，在P型氮化镓层上蒸镀铝和氧化镍中的一种，
第四步：在氧气与氮气的流量比为1∶4，温度大于等于400℃且小于等于550℃的条件下，对蒸镀有铝的晶片进行热处理，热处理的时间大于等于10min且小于等于25min，
第五步：在真空度小于1×10-6托的条件下，在铝或氧化镍的表面蒸镀氧化铟锡，
第六步：在氮气的流量大于等于5sccm且小于等于30sccm，温度大于等于500℃且小于等于700℃的条件下，对蒸镀有铝/氧化铟锡或氧化镍/氧化铟锡的晶片进行热处理，热处理的时间大于等于10min且小于等于25min。
4、根据权利要求3所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，其特征在于，所述步骤第四步中所述温度大于等于450℃且小于等于500℃。
5、根据权利要求3所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，其特征在于，所述步骤第六步中所述氮气的流量大于等于10sccm且小于等于20sccm。
6、根据权利要求3所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，其特征在于，所述步骤第六步中所述温度大于等于550℃且小于等于600℃。
7、一种制作权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的方法，其特征在于，包括下述步骤：
第一步：在蓝宝石衬底上依次外延生长得到N型氮化镓层，有源发光层，P型氮化镓层，
第二步：蚀刻出一露出N型氮化镓层的台阶，
第三步：在真空度小于1×10-6托的条件下，在P型氮化镓层上蒸镀氧化镍，
第四步：在真空度小于1×10-6托的条件下，在氧化镍的表面蒸镀氧化铟锡，
第五步：在氮气的流量大于等于5sccm且小于等于30sccm，温度大于等于500℃且小于等于700℃的条件下，对蒸镀有氧化镍/氧化铟锡的晶片进行热处理，热处理的时间大于等于10min且小于等于25min。
8、根据权利要求7所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，其特征在于，所述步骤第五步中所述氮气的流量大于等于10sccm且小于等于20sccm。
9、根据权利要求7所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，其特征在于，所述步骤第五步中所述温度大于等于550℃且小于等于600℃。
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