CN103367437A - 一种沟槽mos半导体装置及其制造方法 - Google Patents

一种沟槽mos半导体装置及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提出一种沟槽MOS半导体装置，使用金属或金属与半导体材料形成的化合物替代传统MOS器件的半导体材料源区，简化了器件的结构和制造工艺；本发明还提出一种沟槽MOS半导体装置的制造工艺。

Description

一种沟槽MOS半导体装置及其制造方法
技术领域
本发明主要涉及到一种沟槽MOS半导体装置，本发明的半导体装置是功率MOSFET器件的基础结构，本发明还涉及一种沟槽MOS半导体装置的制造工艺。
背景技术
具有沟槽结构的半导体器件，已成为器件发展的重要趋势。对于功率半导体器件，不断降低导通压降和不断提高器件开关速度成为器件发展的重要趋势。
传统沟槽MOS器件在沟槽内壁生长有栅氧，沟槽内填充有多晶硅，沟槽边侧半导体材料依次设置有源区、体区和漏区。
发明内容
本发明提出一种沟槽MOS半导体装置。
一种沟槽MOS半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层中和半导体装置表面，沟槽内壁有绝缘层，同时，沟槽内填充有多晶半导体材料；体区，为第二传导类型的半导体材料，位于沟槽之间，临靠沟槽和半导体装置表面，体区中临靠沟槽的区域为轻掺杂区域，体区的轻掺杂区域之间为重掺杂区域；源区，为金属或金属与半导体材料形成的化合物，位于体区的轻掺杂区域表面。
一种沟槽MOS半导体装置的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：)在衬底层上通过外延生产形成第一传导类型的半导体材料层和第二传导类型的半导体材料层；在表面形成钝化层，在待形成沟槽区域表面去除钝化层；进行刻蚀半导体材料，形成沟槽；通过倾斜注入退火工艺，进行杂质扩散；在沟槽内壁形成绝缘层，在沟槽内填充多晶半导体材料；在器件表面形成钝化层，然后去除器件表面部分钝化层；在器件表面淀积金属，进行烧结。
本发明的一种沟槽MOS半导体装置，使用金属或金属与半导体材料形成的化合物替代传统MOS器件的半导体材料源区，简化了器件的结构和制造工艺。
附图说明
图1为本发明一种沟槽MOS半导体装置。
其中，
1、衬底层；
2、漂移层；
4、源区；
5、氧化层；
6、N型多晶半导体材料；
31、体区轻掺杂区域；
32、体区重掺杂区域。
具体实施方式
实施例1
图1示出了本发明一种沟槽MOS半导体装置的示意性剖面图，下面结合图1详细说明本发明的半导体装置。
一种沟槽MOS半导体装置包括：衬底层1，为N导电类型半导体硅材料，磷原子掺杂浓度为1E19cm-3；漂移层2，位于衬底层1之上，为N传导类型的半导体硅材料，磷原子掺杂浓度为1E16cm-3，厚度为10um；体区轻掺杂区域31，位于漂移层2之上，临靠沟槽，为P传导类型的半导体材料，为硼原子轻掺杂接触区；体区重掺杂区域32，位于体区轻掺杂区域31之间，为硼原子重掺杂区，体区3厚度为2um；源区4，临靠沟槽和体区表面，为金属与半导体材料形成的化合物；氧化层5，为硅材料的氧化物，位于沟槽内壁；沟槽的宽度为2um，沟槽之间的间距为3um，；N型多晶半导体材料6，位于沟槽内，为高浓度杂质掺杂的多晶半导体材料。
本实施例的工艺制造流程如下：
第一步，在衬底层1上通过外延生产形成第一传导类型的半导体材料漂移层2和第二传导类型的半导体材料体区；
第二步，在表面热氧化形成氧化层，在待形成沟槽区域表面去除氧化层；
第三步，进行干法刻蚀，去除半导体材料，形成沟槽；
第四步，通过倾斜注入磷退火，进行杂质扩散形成体区轻掺杂区域31；
第五步，在沟槽内壁热氧化形成氧化层5，在沟槽内填充N型多晶半导体材料6；
第六步，在器件表面形成钝化层，然后去除器件表面部分钝化层；
第七步，在器件表面淀积势垒金属，进行烧结工艺，形成源区4，如图1所示。
然后在此基础上，淀积金属铝，然后反刻铝，为器件引出源极和栅极。通过背面金属化工艺为器件引出漏极。
通过上述实例阐述了本发明，同时也可以采用其它实例实现本发明。本发明不局限于上述具体实例，因此本发明由所附权利要求范围限定。

Claims (8)

1.一种沟槽MOS半导体装置，其特征在于：包括：
衬底层，为半导体材料；
漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个
沟槽，位于漂移层中和半导体装置表面，沟槽内壁有绝缘层，同时，沟槽内填充有多晶半导体材料；
体区，为第二传导类型的半导体材料，位于沟槽之间，临靠沟槽和半导体装置表面，体区中临靠沟槽的区域为轻掺杂区域，体区的轻掺杂区域之间上部且临靠半导体装置表面为重掺杂区域；
源区，为金属或金属与半导体材料形成的化合物，位于体区的轻掺杂区域表面。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内填充的多晶半导体材料，可以为第一传导类型的半导体材料，并且为高浓度杂质掺杂。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的体区重掺杂区域表面可以为欧姆接触。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的体区轻掺杂区域表面可以为肖特基基势垒结。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内填充的第一传导类型的半导体材料作为器件的栅电极。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的体区的轻掺杂区域之间下部可以为轻掺杂区域。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的半导体装置可以应用于平面结构的器件。
8.一种沟槽MOS半导体装置的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)在衬底层上通过外延生产形成第一传导类型的半导体材料层和第二传导类型的半导体材料层；
2)在表面形成钝化层，在待形成沟槽区域表面去除钝化层；
3)进行刻蚀半导体材料，形成沟槽；
4)通过倾斜注入退火工艺，进行杂质扩散；
5)在沟槽内壁形成绝缘层，在沟槽内填充多晶半导体材料；
6)在器件表面形成钝化层，然后去除器件表面部分钝化层；
7)在器件表面淀积金属，进行烧结。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1279822A (zh) * 1998-07-23 2001-01-10 三菱电机株式会社 半导体装置及其制造方法
US20090283798A1 (en) * 2007-06-20 2009-11-19 Denso Corporation Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN101853852A (zh) * 2010-04-29 2010-10-06 苏州硅能半导体科技股份有限公司 单胞中集成肖特基二极管的沟槽mos器件及制造方法
CN102246307A (zh) * 2008-12-08 2011-11-16 飞兆半导体公司 具有增大的击穿电压特性的基于沟槽的功率半导体器件

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1279822A (zh) * 1998-07-23 2001-01-10 三菱电机株式会社 半导体装置及其制造方法
US20090283798A1 (en) * 2007-06-20 2009-11-19 Denso Corporation Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102246307A (zh) * 2008-12-08 2011-11-16 飞兆半导体公司 具有增大的击穿电压特性的基于沟槽的功率半导体器件
CN101853852A (zh) * 2010-04-29 2010-10-06 苏州硅能半导体科技股份有限公司 单胞中集成肖特基二极管的沟槽mos器件及制造方法

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