CN103329349B - 用于封装应用的叠层天线结构 - Google Patents
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Abstract
用于封装IC芯片和具有叠层波导结构的叠层天线结构的装置和方法,所述叠层波导结构被整体构造为天线封装的一部分以形成用于毫米波应用的紧凑型集成无线电/无线通信系统。
Description
技术领域
本发明一般地涉及用于整体封装天线器件与半导体IC(集成电路)芯片的装置和方法。更具体地说,本发明涉及用于封装IC芯片和具有叠层波导结构的叠层天线结构的装置和方法,所述叠层波导结构被整体构造为天线封装的一部分以形成用于毫米波应用的紧凑型集成无线电/无线通信系统。
背景技术
在无线网络中,设备之间的连接和通信借助附接到接收器或发射器的天线实现,从而将希望的信号辐射到网络中的其它元件或从中接收希望的信号。在诸如毫米波无线电装置之类的无线电通信系统中,分立的部件一般以较低的集成水平组装。这些系统通常使用昂贵、庞大的波导和封装级或板级微带结构进行组装,以将半导体及其所需的发射天线或接收天线进行互连。随着半导体技术和封装工程的最新发展,这些无线电通信系统的尺寸逐渐减小。对于无线通用串行总线(USB)之类的应用,操作距离被限于约1米,可在60GHz上使用单个7dBi天线提供必要的天线增益。对于点对点应用中的10米(如无线视频)或更长的距离(如雷达),依据应用的不同,最高需要30dBi的天线增益。然而,用于无线视频应用的高增益天线具有非常窄的束宽度,因此使用者很难指向天线。鉴于人们在室内环境中移动,所以无法在室内环境中保证视距信号传输。因此,便需要辐射图形可操纵阵列(例如相控阵列)来帮助束对准和/或在堵塞情况下寻找其它信号传输通道。相控阵列也广泛用于军事雷达。但是,封装具有集成天线或相控阵列的RF芯片需要昂贵的部件和大量的劳动投入,因此该过程极为困难且成本巨大。
发明内容
一般而言,本发明的实施例包括用于整体封装天线器件与半导体IC(集成电路)芯片的装置和方法。更具体地说,本发明涉及用于封装IC芯片和具有叠层波导结构的叠层天线结构的装置和方法,所述叠层波导结构被整体构造为天线封装的一部分以形成用于毫米波应用的紧凑型集成无线电/无线通信系统。
例如,在一个示例性实施例中,一种天线封装包括第一封装级,包括叠层天线;第二封装级,包括用于将能量耦合到所述叠层天线的叠层波导;以及第三封装级,包括天线馈线,其中垂直引出部(probe)与所述天线馈线的端部相连以将来自所述天线馈线的能量耦合到所述叠层波导。在一个实施例中,所述叠层天线包括填充腔(filled-cavity)天线结构,其中所述能量通过在所述波导的金属壁中形成的孔耦合到所述天线。在其它示例性实施例中,所述叠层天线和波导的垂直金属壁由多个金属过孔限定。
在天线封装的其他示例性实施例中,所述天线馈线可以是具有一个垂直引出部的单个微带线,所述垂直引出部通过在所述叠层波导的底壁中形成的孔延伸到所述叠层波导中,或者所述天线馈线可以是具有两个垂直引出部的差分馈线,所述垂直引出部通过在所述叠层波导的底壁中形成的单独的孔从所述差分馈线的每个各自的端部延伸到所述叠层波导中。
在天线封装的其他示例性实施例中,可以包括第四封装级,其中包括多个金属线迹和垂直过孔以实现与集成电路芯片接口的电源和控制信号线。
在另一示例性实施例中,一种集成电路芯片封装包括天线封装,所述天线封装包括第一封装级,包括叠层天线;第二封装级,包括用于将能量耦合到所述叠层天线的叠层波导;第三封装级,包括天线馈线,以及垂直引出部,其与所述天线馈线的端部相连以将来自所述天线馈线的能量耦合到所述叠层波导,以及与所述第三封装级的所述天线馈线倒装芯片接合的集成电路芯片。
在又一集成电路芯片封装示例性实施例中,可以包括第四封装级,其中包括多个金属线迹和垂直过孔以实现将集成电路芯片与印刷电路板进行接口的电源和控制信号线,其中所述集成电路芯片被置于所述印刷电路板的切断区域中。
在本发明的又一示例性实施例中,一种天线阵列封装包括第一封装级,包括叠层天线阵列;第二封装级,包括叠层波导阵列,每个叠层波导单独形成和放置以将能量耦合到所述叠层天线中的各个叠层天线;以及第三封装级,包括多个天线馈线,每个天线馈线具有与其端部相连的垂直引出部,用于将来自所述天线馈线的能量耦合到所述叠层波导中的各个叠层波导。每个叠层天线可以包括填充腔天线结构。
在天线阵列封装的其他示例性实施例中,每个天线馈线是具有一个垂直引出部的单个微带线,所述垂直引出部通过在所述叠层波导的底壁中形成的孔延伸到所述叠层波导中的各个叠层波导,或者每个天线馈线可以是具有两个垂直引出部的差分馈线,所述垂直引出部通过在所述叠层波导的底壁中形成的单独的孔从所述差分馈线的每个各自的端部延伸到所述叠层波导中的各个叠层波导。
在天线阵列封装的另一示例性实施例中,所述叠层天线阵列可以以矩形阵列的形式设置,或者以三角栅格(lattice)形阵列的形式设置。在又一示例性实施例中,集成电路芯片倒装芯片接合到天线阵列封装的第三封装级的天线馈线中的每一个。
通过结合附图阅读下面对示例性实施例的详细描述,本发明的上述和其它示例性实施例、方面、特征和优点将变得显而易见。
附图说明
图1A和1B示意性地示出根据本发明的示例性实施例的天线封装。
图2A和2B示意性地示出根据本发明的另一示例性实施例的天线封装。
图3A和3B示意性地示出根据本发明的另一示例性实施例的天线封装。
图4示意性地示出根据本发明的另一示例性实施例的天线封装。
图5示意性地示出根据本发明的另一示例性实施例的天线封装。
图6示意性地示出根据本发明的示例性实施例的具有集成天线的集成电路芯片封装。
图7示意性地示出根据本发明的示例性实施例的天线阵列封装。
图8示意性地示出根据本发明的另一示例性实施例的天线阵列封装。
具体实施方式
一般而言,此处描述的实施例包括用于整体封装具有半导体IC(集成电路)芯片的天线器件的装置和方法。更具体地说,本发明涉及用于封装IC芯片和具有叠层波导结构的叠层天线结构的装置和方法,所述叠层波导结构被整体构造为天线封装的一部分以形成用于毫米波应用的紧凑型集成无线电/无线通信系统。示例性实施例提供用于具有在毫米波(mm波)范围内操作的集成天线或相控阵列的低成本封装的装置和方法。
例如,图1A和1B示意性地示出根据本发明的示例性实施例的天线封装。更具体地说,图1A示意性地示出包括多个封装级(110)、(120)和(130)的天线封装(100)的截面图,图1B示意性地示出图1A中的示例性封装(100)的俯视图。现在参考图1A,天线封装(100)一般包括第一封装级(110),其中包括一层或多层绝缘(或介电)材料(111)和嵌入绝缘材料(111)中的天线结构(112)。天线封装(100)进一步包括第二封装级(120),其中包括一层或多层绝缘(或介电)材料(121)和嵌入绝缘材料(121)中的波导结构(122)。此外,天线封装(100)包括第三封装级(130),其中包括一层或多层绝缘(或介电)材料(131),所述绝缘材料具有天线馈线(132)和引出部(133)。
如图1A和1B所示,天线(112)为矩形,具有金属侧壁(113)、(114)、(115)和(116),这些侧壁将介电材料(111)围绕在周界内。天线(112)可被称为填充腔天线。一般而言,天线(112)的谐振频率是结构长度、宽度和深度以及绝缘材料(111)的介电常数的函数。
如图1A和1B进一步所示,波导(122)为矩形,具有金属侧壁(123)、(124)、(125)和(126)以及顶壁(127)和底壁(129)。孔(128)(槽)在波导(122)的顶壁(127)中形成以将来自波导(122)的电磁能耦合到天线(112)。孔(134)也在波导(122)的底壁(129)中形成以通过插入的方式接收与传输线(132)的端部连接的引出部(133)。将理解,波导(122)、孔(128)和传输线(132)在图1B的虚线中示出。
对于封装应用,来自RFIC芯片的RF能量通过传输线(132)(例如,微带线或共面波导线)被馈入天线,然后通过引出部(133)耦合到波导(122),该引出部充当从馈线(132)到波导(122)的垂直过渡。波导底壁(129)充当传输线(132)的接地平面。为有效地耦合来自垂直过渡(引出部)(133)的能量,将通过波导底壁(139)中的孔(134)延伸的引出部(133)的中线置于波导(122)的侧壁(123)左侧的大约1/4波长处。
图1A和1B示意性地示出根据本发明的一方面的具有单端馈给(例如,微带馈给132)的集成天线结构(100)。在诸如具有RF发射器的某些应用中,需要使用差分馈给天线结构,图2A和2B示意性地示出根据本发明的另一示例性实施例的天线封装(200)。更具体地说,图2A示意性地示出天线封装(200)的截面图,其中包括多个类似于图1A的封装级(110)、(120)和(130),图2B示意性地示出图2A中的示例性封装(200)的俯视图。图2A和2B中的天线结构(200)与图1A和1B中的天线结构类似,只是馈线封装层(130)包括含有馈线(212)和(213)的差分馈线结构。差分馈线(212)和(213)分别通过馈线(210)和(211)过渡到各个引出部(216)和(217)。在示例性结构(200)中,两个孔(214)和(215)在波导(122)的底壁(129)中形成以通过插入的方式接收各个引出部(216)和(217)。在其它实施例中,可以使用封装层(130)形成巴伦(balun)结构以将单端馈给转换为差分馈给。本领域的技术人员已知,巴伦结构可将差分信号转换为不平衡(单端)的信号,反之亦然。
还将理解,此处介绍的根据示例性实施例的集成天线结构可以使用各种公知的方法构建。例如,可以使用多层印刷电路板(PCB)或使用低温共烧陶瓷(LTCC)技术制造多层集成天线结构。在上述示例性天线结构100和200中,天线(112)和波导(122)的侧壁被示出为固体垂直金属壁,但是在实际中,固体垂直金属壁典型地无法制造。相反,在某些示例性实施例中,天线(112)和波导(122)的垂直侧壁可以通过过孔形成,这些过孔通过诸如铜之类的金属材料镀敷或填充。
例如,图3A和3B示意性地示出根据本发明的另一示例性实施例的天线封装,该天线封装可以使用LTCC技术制造。更具体地说,图3A示意性地示出天线封装(300)的截面图,其中包括多个封装级(110)、(120)和(130),图3B示意性地示出图3A中的示例性封装(300)的俯视图。天线封装(300)与图1A和1B中的天线结构(100)类似,但是示出通过填充的过孔(302)和金属构图环(301)形成的天线(112)的垂直壁。类似地,波导(122)的垂直壁通过金属填充或镀敷的过孔(304)和金属构图环(303)形成。在图3A的示例性实施例中,第一封装级(110)被示出为包括两层绝缘(或介电)材料(111a、111b),并且第二级封装级(120)被示出为包括两层绝缘(或介电)材料(121a、121b)。
天线封装(300)可以使用共烧陶瓷层压技术制造,其中使用玻璃陶瓷形成各个层,从而形成陶瓷封装。当形成每一层时,沉积并构图金属材料以形成平面元件,例如馈线(132)、波导底壁(129)和顶壁(127)以及限定波导结构(122)和天线结构(112)的垂直壁的边缘的金属环(303)和(301)。在传输馈线(132)的端部附接的引出部包括通过在层121b上形成的金属衬垫(135)耦合的两个过孔元件(133)和(136)。在各个封装级(110)和(120)的层之间形成的金属环(301)和(303)是可选的,并且实际充当对准元件以电连接通过每个层垂直形成的各金属填充过孔(302)和(304)。在此方面,垂直过孔(302)实际限定在层111A和111B中形成的天线(112)的垂直壁。限定天线和波导侧壁的垂直过孔以小于希望的操作频率的四分之一波长的距离(栅距)间隔。
在其它示例性实施例中,示例性天线封装结构可以通过将多层PCB接合在一起形成各个封装级来制造。例如,在图1A中,每个封装级(110)、(120)和(130)可以通过单独的PCB制造,然后接合在一起以形成叠层天线结构。在该示例性实施例中,不同层的厚度的介电材料可以根据需要选择并且天线(112)和波导(122)的垂直侧壁可通过钻孔穿过每层的过孔的图形,然后使用诸如铜的金属材料对过孔进行镀敷来形成。
将进一步理解,根据本发明的示例性实施例的示例性天线可以以较小的封装与IC芯片整体封装,以此构建RF或无线通信芯片。在此方面,天线馈线和其它电源线或信号线可以根据给定应用的需要,在一个或多个额外的天线封装级上制造。例如,图4示意性地示出与图1A类似的天线封装(400),但是在下封装级(130)上添加了附加的信号、控制、电源和接地线迹。具体而言,如图4所示,多个接地衬垫(402)可以在绝缘层(131)的底部形成,在绝缘层(131)中具有将接地垫(402)连接到接地平面(129)(或波导底壁)的过孔(403)。接地衬垫(402)可以充当到PCB上的接地衬垫的连接或直接到倒装芯片接合到层(131)的RF芯片的连接。此外,图4示出在层(131)的底部形成的金属衬垫(401),该金属衬垫可以充当连接到PCB和倒装芯片接合到底部层(131)的RF芯片上的信号线的信号、电源或控制衬垫。
在本发明的其它示例性实施例中,可以在天线封装结构的底部添加附加的封装级,从而容纳具有许多输入和/或输出(I/O)的封装设计。例如,图5示意性地示出根据本发明的另一示例性实施例的天线封装结构(500),其中具有附加的金属化层以便为封装底部上的信号、控制以及电源和接地线迹提供附加的空间。具体而言,如图5所示,在层131的底部形成附加的封装层(501)和(502),从而实现金属线迹和金属线以及金属接触衬垫。例如,封装(500)包括在层501与502之间形成的单独接地平面(503)。多个接地衬垫(504)通过过孔(505)与接地平面(503)相连。在层(131)与(501)之间放置的金属层被构图以根据需要提供控制信号/电源线(506),这些线经垂直过孔(穿过在接地平面(503)中形成的孔)连接到在层(502)的底部形成的接触衬底垫(507)。进一步地,金属线迹或衬垫(508)在层(502)的底部形成,充当连接PCB与倒装芯片接合到层(502)底部的RF芯片的低频或控制信号线(下面将参考图6进行描述)。
此外,在图5中的示例性天线封装(500)中,包括垂直同轴过渡结构作为波导(122)的馈线。在层(502)的底部形成的馈线(509)连接到中心引出部销(510),该引出部销经层502、501和131通过波导(122)的底壁(129)的孔(134)延伸到波导(121)中。同轴过渡的外部接地屏蔽(壁)(511)可以通过连接接地平面(503)与波导(122)的底板(129)的金属过孔(511)形成。此类过渡适用于mm波应用且基于模拟,我们认为至少三个接地(或屏蔽)过孔才能适当地实现良好的性能。
图6示意性地示出根据本发明的示例性实施例的具有集成天线的集成电路芯片封装。更具体地说,图6示意性地示出直接与图5中的示例性天线封装(500)的底层(502)倒装芯片接合的集成电路芯片(600)。此外,图6示出与印刷电路板(601)接合的天线封装(500),该印刷电路板具有其中放置IC芯片(600)(例如,IC收发器)的切断区域。IC芯片(600)和PCB(601)包括多个接触衬垫(604)、(607)和(608),这些接触衬垫使用焊料球(例如,C4连接)与天线封装(500)的层(502)底部的接触衬垫(504)、(507)和(508)接合,从而在IC芯片(600)与PCB(601)之间制成希望的接地连接(到接地平面503)、控制线/电源连接(金属线506和508)。此外,在IC芯片(600)上形成的接触衬垫或线迹(609)直接连接到在层(502)的底部上形成的天线馈线(509)。在此方面,可以提供在印刷电路板(601)上形成的各种接触衬垫/传输线以制成IC芯片(600)与例如PC板上的其它部件、衬垫、传输线等之间的电连接。PC板(601)可被制造为具有切断区域,其中可插入IC芯片(600),如图6所示。此外,散热器(602)可与芯片(600)进行热接合。
将理解,根据本发明的示例性实施例的天线封装结构可以与IC芯片封装以形成集成相控阵列天线封装。例如,图7示意性地示出根据本发明的示例性实施例的天线阵列封装,该封装可以通过多个天线结构形成,例如上面参考图1和2介绍的天线结构。具体而言,图7是一个俯视图,示出包括含有叠层天线(702)的阵列的第一封装级(701)以及含有叠层波导(703)的阵列的第二封装级(以虚线示出)的天线阵列封装(700)。每个叠层波导(703)单独形成和放置以将能量耦合到各个叠层天线(702)。此外,第三封装级包括多个天线馈线(704)(以虚线示出),每个天线馈线具有与其端部相连的垂直引出部(705)以将来自天线馈线(704)的能量耦合到各个叠层波导(703)。集成电路芯片(706)(以虚线示出)倒装芯片接合到第三封装级的每个天线馈线(704)。
如上参考图1A/1B和2A/2B所述,例如,每个天线馈线(704)可以是具有一个垂直引出部的单个微带线,该垂直引出部通过在叠层波导的底壁中形成的孔延伸到各个叠层波导(703)中,或者每个天线馈线(704)可以是具有两个垂直引出部的差分馈线,这两个垂直引出部通过在叠层波导(703)的底壁中形成的单独的孔从差分馈线的每个各自的端部延伸到各个叠层波导(703)中。此外,在图7中一般地示出的每个示例性天线/波导/馈线结构(702、703、704)可以形成为具有上面参考图3、4和5讨论的结构,以及具有其它所需的框架。
在图7的示例性实施例中,叠层天线以矩形阵列的形式排列。在本发明的其它示例性实施例中,诸如图8所示的实施例中,叠层天线以三角栅格形阵列的形式排列。具体而言,图8示意性地示出天线阵列封装(800)的俯视图,该天线阵列封装与图7中的天线阵列封装类似,其中包括第一封装级(701),其中包括叠层天线(702)的阵列;第二封装级(以虚线示出),其中包括叠层波导(703)的阵列;第三封装级,其中包括多个天线馈线(704)(以虚线示出),其中每个天线馈线具有与其端部相连以将来自天线馈线(704)的能量耦合到各个叠层波导(703)的引出部(705);以及倒装芯片接合到第三封装级的每个天线馈线(704)的集成电路芯片(706)(以虚线示出)。图8中的三角栅格布局可能更为实用,至少在某些实例中更为实用,因为它增加了馈线布局的灵活性。
本领域的普通技术人员很容易理解与根据本发明的实施例的集成芯片/天线封装结构关联的各种优点。例如,示例性封装结构可以使用具有大量天线制造能力的公知技术容易地制造。而且,根据本发明的示例性实施例的集成芯片封装使得叠层天线与诸如收发器芯片之类的IC芯片整体封装,这样可提供收发器与天线之间损耗极低的紧凑型设计。而且,使用根据本发明的集成天线/IC芯片封装节省了大量空间、尺寸、成本和重量,这对于任何商业或军事应用实际上都是最佳之选。
尽管此处参考用于举例的附图描述了示例性实施例,但是将理解,本发明不限于这些精确的实施例,在不偏离本发明的范围的情况下,本领域的技术人员可以在此实施各种其它修改和变化。
Claims (26)
1.一种天线封装,包括:
第一封装级,包括叠层天线;
第二封装级,包括用于将能量耦合到所述叠层天线的叠层波导;
第三封装级,包括天线馈线;以及
垂直引出部,被连接到所述天线馈线的端部以将来自所述天线馈线的能量耦合到所述叠层波导。
2.根据权利要求1的天线封装,其中所述叠层天线包括填充腔天线结构。
3.根据权利要求1的天线封装,其中所述叠层波导包括限定矩形波导结构的金属上壁、金属底壁以及多个金属侧壁,其中所述金属上壁包括在其中形成的孔以将能量耦合到与其对准的所述叠层天线。
4.根据权利要求3的天线封装,其中所述叠层波导的所述金属底壁包括以插入的方式接收从所述天线馈线延伸到所述波导中的所述引出部的孔。
5.根据权利要求1的天线封装,其中所述天线馈线是具有一个垂直引出部的微带线,所述垂直引出部通过在所述叠层波导的底壁中形成的孔延伸到所述叠层波导中。
6.根据权利要求1的天线封装,其中所述天线馈线是具有两个垂直引出部的差分馈线,所述两个垂直引出部通过在所述叠层波导的底壁中形成的单独的孔从所述差分馈线的每个各自的端部延伸到所述叠层波导中。
7.根据权利要求1的天线封装,其中所述天线馈线是具有从所述天线馈线的端部延伸的垂直引出部以及围绕所述垂直引出部并充当接地屏蔽的多个金属过孔的垂直同轴类型馈线。
8.根据权利要求1的天线封装,其中所述叠层波导的金属底壁充当所述天线馈线的接地平面。
9.根据权利要求1的天线封装,其中所述叠层天线的垂直金属壁由多个金属过孔限定。
10.根据权利要求1的天线封装,进一步包括第四封装级,其包括多个金属线迹和垂直过孔以实现与集成电路芯片接口的电源和控制信号线。
11.一种集成电路芯片封装,包括:
天线封装,包括:
第一封装级,包括叠层天线;
第二封装级,包括用于将能量耦合到所述叠层天线的叠层波导;
第三封装级,包括天线馈线;以及
垂直引出部,连接到所述天线馈线的端部以将来自所述天线馈线的能量耦合到所述叠层波导中;以及
集成电路芯片,与所述第三封装级的所述天线馈线倒装芯片接合。
12.根据权利要求11的集成电路芯片封装,其中所述叠层天线包括填充腔天线结构。
13.根据权利要求11的集成电路芯片封装,其中所述天线馈线是具有一个垂直引出部的微带线,所述垂直引出部通过在所述叠层波导的底壁中形成的孔延伸到所述叠层波导中。
14.根据权利要求11的集成电路芯片封装,其中所述天线馈线是具有两个垂直引出部的差分馈线,所述两个垂直引出部通过在所述叠层波导的底壁中形成的单独的孔从所述差分馈线的每个各自的端部延伸到所述叠层波导中。
15.根据权利要求11的集成电路芯片封装,其中所述天线馈线是具有从所述天线馈线的端部延伸的垂直引出部以及围绕所述垂直引出部并充当接地屏蔽的多个金属过孔的垂直同轴类型馈线。
16.根据权利要求11的集成电路芯片封装,其中所述叠层波导的金属底壁充当所述天线馈线的接地平面。
17.根据权利要求11的集成电路芯片封装,其中所述叠层天线的垂直金属壁由多个金属过孔限定。
18.根据权利要求11的集成电路芯片封装,进一步包括第四封装级,其包括多个金属线迹和垂直过孔以实现用于将所述集成电路芯片与印刷电路板进行接口的电源和控制信号线。
19.根据权利要求11的集成电路芯片封装,其中所述集成电路芯片被设置在所述印刷电路板的切断区域中。
20.一种天线阵列封装,包括:
第一封装级,包括叠层天线阵列;
第二封装级,包括叠层波导阵列,其中每个叠层波导被单独形成和放置以将能量耦合到所述叠层天线中的各个叠层天线;
第三封装级,包括多个天线馈线,每个天线馈线具有与其端部相连的垂直引出部以将来自所述天线馈线的能量耦合到所述叠层波导中的各个叠层波导。
21.根据权利要求20的天线阵列封装,其中所述叠层天线包括填充腔天线结构。
22.根据权利要求20的天线阵列封装,其中每个天线馈线是具有一个垂直引出部的微带线,所述垂直引出部通过在所述叠层波导的底壁中形成的孔延伸到所述叠层波导中的各个叠层波导中。
23.根据权利要求20的天线阵列封装,其中所述天线馈线是具有两个垂直引出部的差分馈线,所述两个垂直引出部通过在所述叠层波导的底壁中形成的单独的孔从所述差分馈线的每个各自的端部延伸到所述叠层波导中的各个叠层波导中。
24.根据权利要求20的天线阵列封装,其中所述叠层天线阵列以矩形阵列的形式设置。
25.根据权利要求20的天线阵列封装,其中所述叠层天线阵列以三角栅格形阵列的形式设置。
26.一种集成电路芯片封装,包括:
天线阵列,其包括:
第一封装级,包括叠层天线阵列;
第二封装级,包括叠层波导阵列,每个叠层波导被单独形成和放置以将能量耦合到所述叠层天线中的各个叠层天线;以及
第三封装级,包括多个天线馈线,每个天线馈线具有与其端部相连的垂直引出部,用于将来自所述天线馈线的能量耦合到所述叠层波导中的每个叠层波导;以及
集成电路芯片,与所述第三封装级的所述天线馈线中的每个天线馈线倒装芯片接合。
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---|---|
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---|---|---|---|
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Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101856084B1 (ko) * | 2011-11-18 | 2018-05-10 | 삼성전기주식회사 | 유전체 캐비티 안테나 |
US9026061B2 (en) * | 2012-12-03 | 2015-05-05 | Broadcom Corporation | Waveguide for intra-package data transfer |
CN103367269B (zh) * | 2013-07-15 | 2016-03-02 | 香港应用科技研究院有限公司 | 用于射频应用的隔离混合基板 |
US9472859B2 (en) * | 2014-05-20 | 2016-10-18 | International Business Machines Corporation | Integration of area efficient antennas for phased array or wafer scale array antenna applications |
US9917372B2 (en) * | 2014-06-13 | 2018-03-13 | Nxp Usa, Inc. | Integrated circuit package with radio frequency coupling arrangement |
US10103447B2 (en) * | 2014-06-13 | 2018-10-16 | Nxp Usa, Inc. | Integrated circuit package with radio frequency coupling structure |
US9620841B2 (en) | 2014-06-13 | 2017-04-11 | Nxp Usa, Inc. | Radio frequency coupling structure |
TWI515969B (zh) * | 2014-08-20 | 2016-01-01 | 緯創資通股份有限公司 | 多頻多工天線裝置 |
US10225925B2 (en) | 2014-08-29 | 2019-03-05 | Nxp Usa, Inc. | Radio frequency coupling and transition structure |
US9887449B2 (en) | 2014-08-29 | 2018-02-06 | Nxp Usa, Inc. | Radio frequency coupling structure and a method of manufacturing thereof |
US9444135B2 (en) | 2014-09-19 | 2016-09-13 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated circuit package |
DE102015201445A1 (de) * | 2015-01-28 | 2016-07-28 | Robert Bosch Gmbh | Radarsensor |
CN106469847B (zh) * | 2015-08-18 | 2019-05-28 | 博通集成电路(上海)股份有限公司 | 天线和形成天线的方法 |
US10094788B2 (en) * | 2015-12-21 | 2018-10-09 | Applied Materials, Inc. | Surface acoustic wave sensors in semiconductor processing equipment |
TWI593165B (zh) * | 2016-02-04 | 2017-07-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 電子封裝件 |
CN108011178B (zh) * | 2016-10-27 | 2019-09-13 | 北京遥感设备研究所 | 一种基于硅通孔的三维结构差分片上天线 |
KR102610547B1 (ko) * | 2017-01-04 | 2023-12-05 | 인텔 코포레이션 | 안테나 어레이를 위한 패키지 아키텍처 |
CN108963443A (zh) * | 2017-05-26 | 2018-12-07 | 惠州硕贝德无线科技股份有限公司 | 一种天线及封装天线结构 |
US11394103B2 (en) | 2017-07-18 | 2022-07-19 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Antenna module and manufacturing method thereof |
CN107394366A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-11-24 | 深圳市深大唯同科技有限公司 | 一种大规模mimo天线结构及制造工艺 |
CN109309276B (zh) * | 2017-07-28 | 2023-02-17 | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 | 部件承载件的腔体中位于高频电介质上的天线结构 |
US10775835B2 (en) * | 2017-08-11 | 2020-09-15 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Integrated circuit with clock distribution |
US10511080B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-12-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Fan-out semiconductor package |
WO2019033608A1 (zh) * | 2017-08-18 | 2019-02-21 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 雷达组件封装体及其制造方法 |
KR102117463B1 (ko) * | 2017-08-18 | 2020-06-02 | 삼성전기주식회사 | 팬-아웃 반도체 패키지 |
TWI640066B (zh) * | 2017-11-03 | 2018-11-01 | 矽品精密工業股份有限公司 | 電子封裝件及其製法 |
KR102025906B1 (ko) | 2017-12-06 | 2019-11-04 | 삼성전자주식회사 | 안테나 모듈 |
KR102209123B1 (ko) | 2017-12-19 | 2021-01-28 | 삼성전자 주식회사 | 안테나와 rf 소자를 포함하는 모듈 및 이를 포함하는 기지국 |
US11189905B2 (en) | 2018-04-13 | 2021-11-30 | International Business Machines Corporation | Integrated antenna array packaging structures and methods |
US10854978B2 (en) * | 2018-04-23 | 2020-12-01 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Antenna apparatus and antenna module |
CN110401005B (zh) * | 2018-04-24 | 2021-01-29 | 华为技术有限公司 | 封装天线及其制备方法、和移动通信终端 |
US10566686B2 (en) * | 2018-06-28 | 2020-02-18 | Micron Technology, Inc. | Stacked memory package incorporating millimeter wave antenna in die stack |
US10741907B2 (en) * | 2018-11-20 | 2020-08-11 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Lightweight spiral antenna array packaging approach |
WO2020106596A1 (en) | 2018-11-20 | 2020-05-28 | Corning Optical Communications Rf Llc | Monolithic antenna integrated radio frequency connector |
WO2020217971A1 (ja) * | 2019-04-24 | 2020-10-29 | 株式会社村田製作所 | アンテナモジュールおよびそれを搭載した通信装置 |
US11276654B2 (en) * | 2019-12-17 | 2022-03-15 | Nxp Usa, Inc. | Bottom-side heatsinking waveguide for an integrated circuit package |
EP3840542A1 (en) * | 2019-12-18 | 2021-06-23 | AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Compact laminated component carrier with front end chip and impedance matching circuitry for antenna communication |
CN111816982B (zh) * | 2020-07-23 | 2022-06-03 | 哈尔滨工业大学(深圳) | 基于扇出型晶圆级封装的多端口功率组合栅格阵列天线 |
US11353668B2 (en) * | 2020-10-14 | 2022-06-07 | Cisco Technology, Inc. | Packaging with substrate and printed circuit board cutouts |
CN113013583B (zh) * | 2021-01-29 | 2023-08-18 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 毫米波雷达封装模组 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101038983A (zh) * | 2006-03-13 | 2007-09-19 | 中国科学院电子学研究所 | 用于宽频微带天线的可变频耦合馈电装置 |
CN101150224A (zh) * | 2007-10-31 | 2008-03-26 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 宽带双l形波导窄边缝隙天线阵 |
CN101496279A (zh) * | 2006-03-31 | 2009-07-29 | 国际商业机器公司 | 用于构造和封装用于毫米波应用的波导-平面传输线过滤器的设备和方法 |
CN101625730A (zh) * | 2008-07-07 | 2010-01-13 | 国际商业机器公司 | 射频集成电路芯片封装及其制造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5043738A (en) | 1990-03-15 | 1991-08-27 | Hughes Aircraft Company | Plural frequency patch antenna assembly |
US6870438B1 (en) * | 1999-11-10 | 2005-03-22 | Kyocera Corporation | Multi-layered wiring board for slot coupling a transmission line to a waveguide |
JP2003086728A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波回路の製作方法及びそれを用いた装置 |
US6624787B2 (en) * | 2001-10-01 | 2003-09-23 | Raytheon Company | Slot coupled, polarized, egg-crate radiator |
JP2003209411A (ja) | 2001-10-30 | 2003-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法 |
US7391372B2 (en) | 2003-06-26 | 2008-06-24 | Hrl Laboratories, Llc | Integrated phased array antenna |
JP2006253953A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Fujitsu Ltd | 通信用高周波モジュールおよびその製造方法 |
US7298333B2 (en) | 2005-12-08 | 2007-11-20 | Elta Systems Ltd. | Patch antenna element and application thereof in a phased array antenna |
US20080129453A1 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Symbol Technologies, Inc. | Method, system, and apparatus for a radio frequency identification (RFID) waveguide for reading items in a stack |
US7675466B2 (en) | 2007-07-02 | 2010-03-09 | International Business Machines Corporation | Antenna array feed line structures for millimeter wave applications |
US7692590B2 (en) | 2008-02-20 | 2010-04-06 | International Business Machines Corporation | Radio frequency (RF) integrated circuit (IC) packages with integrated aperture-coupled patch antenna(s) |
JP5216848B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-06-19 | 京セラ株式会社 | 高周波モジュールおよびその製造方法ならびに該高周波モジュールを備えた送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置 |
US7696930B2 (en) | 2008-04-14 | 2010-04-13 | International Business Machines Corporation | Radio frequency (RF) integrated circuit (IC) packages with integrated aperture-coupled patch antenna(s) in ring and/or offset cavities |
US8509709B2 (en) | 2008-08-07 | 2013-08-13 | Wilocity, Ltd. | Consumer electronic device having a distributed form factor millimeter wave receiver and transmitter |
US8269671B2 (en) | 2009-01-27 | 2012-09-18 | International Business Machines Corporation | Simple radio frequency integrated circuit (RFIC) packages with integrated antennas |
US8256685B2 (en) | 2009-06-30 | 2012-09-04 | International Business Machines Corporation | Compact millimeter wave packages with integrated antennas |
-
2011
- 2011-01-21 US US13/011,441 patent/US8587482B2/en active Active
-
2012
- 2012-01-09 WO PCT/US2012/020639 patent/WO2012099739A1/en active Application Filing
- 2012-01-09 GB GB1313708.8A patent/GB2502908B/en active Active
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- 2012-01-09 DE DE112012000285T patent/DE112012000285T5/de not_active Ceased
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101038983A (zh) * | 2006-03-13 | 2007-09-19 | 中国科学院电子学研究所 | 用于宽频微带天线的可变频耦合馈电装置 |
CN101496279A (zh) * | 2006-03-31 | 2009-07-29 | 国际商业机器公司 | 用于构造和封装用于毫米波应用的波导-平面传输线过滤器的设备和方法 |
CN101150224A (zh) * | 2007-10-31 | 2008-03-26 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 宽带双l形波导窄边缝隙天线阵 |
CN101625730A (zh) * | 2008-07-07 | 2010-01-13 | 国际商业机器公司 | 射频集成电路芯片封装及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120188138A1 (en) | 2012-07-26 |
GB2502908A (en) | 2013-12-11 |
GB2502908B (en) | 2015-04-08 |
WO2012099739A1 (en) | 2012-07-26 |
US8587482B2 (en) | 2013-11-19 |
GB201313708D0 (en) | 2013-09-11 |
CN103329349A (zh) | 2013-09-25 |
DE112012000285T5 (de) | 2013-09-19 |
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---|---|---|
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant |