CN103329228A - 固体电解电容器以及制备固体电解电容器的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种形成电容器的方法。该方法包括：提供阳极，该阳极上具有电介质以及与该阳极电接触的导电节点；在电介质上施加导电种子层；在导电种子层和导电节点之间形成导电桥；向阳极施加电压；使单体进行电化学聚合，从而在导电种子层上形成单体的导电聚合物；以及中断介于导电种子层和导电节点之间的导电桥。
Description
相关申请的交叉引用
本发明要求于2010年9月21日提交的待决的美国临时专利申请No.61/384,785的优先权，其通过引用的方式并入本文。
技术领域
本发明涉及固体电解电容器以及制备固体电解电容器的方法。更具体而言，本发明涉及用于改进阴极构造的导电桥形成方法，其中所述阴极包含电化学聚合的固有导电聚合物。
背景技术
固体电解电容器是本领域已知的。包括固有导电聚合物阴极的固体电解电容器也是已知的。包括固有导电聚合物阴极的固体电解电容器的特殊问题在于制备成本、各部分中以及不同部分之间的聚合物覆盖率及装配（buildup）或厚度的不同。制备成本与以下两种因素有关。一种是化学原位聚合（化学原位聚合是为了达到足够的覆盖率而需要进行的）所需进行的浸渍/干燥循环的重复次数。另一种为进行目前的电化学聚合方法的设备的成本和复杂程度。
由于电介质具有高阻性，因此难以通过使电流由阳极流过电介质来形成聚合涂层。为了避免该问题，通常在电介质上形成导电种子层，然后使外部电接点（external electrical contact）与所述导电种子层接触。这种布置方式通常需要复杂的硬件，或者将产品设计限制为能够进行外部连接的产品设计。传统的外部连接方法很可能会损坏元件的活性表面。在目前的制备方法中就存在这样的损坏，这些制备方法需要在外部硬件和导电种子层之间建立直接物理接触。外部硬件与电介质不兼容，并且对电介质和/或聚合阴极层的物理损坏是常见的。对聚合阴极层的损坏可能导致电介质的聚合物覆盖率不足，这可能导致随后的阴极层损坏电介质性能、或导致随后的暴露在外的电介质的处理损坏。
本发明提供了非常有效的形成导电聚合物涂层的方法，其中，通过将外部电接点从元件的活性阴极区中电分离出来这一处理改进了外部电接点。本发明的完成在物理学或电学上对聚合物品质没有不利影响，或者对位于下方的电介质和阳极层没有不利影响。
发明内容
本发明的一个目的在于提供改进的固体电解电容器。
本发明的另一个目的在于提供一种用于形成固体电解电容器的方法，该方法更为有效并且该方法减轻了本领域中常规已知的电容器构造存在的问题。
提供了一种形成电容器的方法，该方法实现了这些优点和其他优点。该方法包括：
提供阳极，该阳极上具有电介质以及与该阳极电接触的导电节点；
在所述电介质上施加导电种子层；
在所述导电种子层和所述导电节点之间形成导电桥；
向所述阳极施加电压；
使单体进行电化学聚合，从而在所述导电种子层上形成单体的导电聚合物；以及
中断介于所述导电种子层和所述导电节点之间的导电桥。
另一个实施方案还提供了一种形成电容器的方法，所述方法包括：
提供阳极，该阳极上具有电介质以及与该阳极电接触的导电节点；
在所述电介质上形成绝缘体；
在所述电介质上施加导电种子层；
在所述导电种子层和所述导电节点之间形成导电桥；
向所述阳极施加电压；
使单体进行电化学聚合，从而在所述导电种子层上形成单体的导电聚合物；以及
中断介于所述导电种子层和所述导电节点之间的导电性。
又另一个实施方案还提供了一种形成电容器的方法，所述方法包括：
提供处理载体；
提供连接至所述处理载体的阳极，其中所述阳极包括位于其上的电介质；
在所述电介质上施加导电种子层；
在所述导电种子层和所述处理载体之间形成导电桥；
向所述处理载体施加电压；
使单体进行电化学聚合，从而在所述导电种子层上形成所述单体的导电聚合物；以及
中断介于所述导电种子层和所述处理载体之间的导电桥。
一种形成电容器的方法提供了能够实现的另一优点。该方法包括：
提供其上包括电介质的阳极；
在所述电介质上施加导电种子层；
在所述导电种子层和外部电接点之间形成导电桥；
向所述外部电接点施加电压；
使单体进行电化学聚合，从而在所述导电种子层上形成单体的导电聚合物；以及
中断介于所述导电种子层和所述外部电接点之间的所述导电桥的连接。
又另一个实施方案还提供了一种形成电容器的方法。该方法包括：
提供阳极，该阳极上具有电介质以及与该阳极电接触的导电节点；
在所述导电节点和活性阴极区之间形成导电通路，其中所述活性阴极区位于所述电介质上；
向所述阳极施加电压；
使单体进行电化学聚合，从而在所述活性阴极区上形成所述单体的导电聚合物；以及
中断位于所述导电节点和所述活性阴极区之间的所述导电通路。
附图说明
图1为本发明实施方案的俯视示意图。
图2为本发明的实施方案的截面示意图。
图3为本发明的实施方案的截面示意图。
图4为本发明的实施方案的截面示意图。
图5为本发明的实施方案的截面示意图。
图6为本发明的实施方案的截面示意图。
图7为本发明的实施方案的截面示意图。
图8为本发明的实施方案的截面示意图。
具体实施方式
本发明涉及改进的固体电解电容器以及制备固体电解电容器的方法。更具体而言，本发明涉及具有改进的导电聚合物阴极的电容器，以及形成所述导电聚合物阴极的改进方法。
本发明将结合附图进行描述，这些附图形成本公开的整体性、非限制性部分。在各附图中，对相似的元件进行相应的编号。
将结合图1对本发明的实施方案进行描述，图1为薄膜10的俯视图，薄膜10具有阳极和位于阳极上的电介质。至少一个导电节点12、并且优选多个导电节点与阳极电接触，在一个实施方案中，所述导电节点从阳极向外延伸穿过所述电介质。所示出的绝缘体14的目的将在本文作进一步说明。
图2示出了本发明的实施方案的截面示意图。在图2中，将包括阳极16、以及位于阳极16上的电介质18的膜整体上以10来表示。导电节点12与阳极16电接触。导电种子层20优选在整个电介质和绝缘体14上形成导电膜，并且导电种子层与导电节点直接电接触。如将要实现的那样，施加至阳极的电压穿过阳极、导电节点并穿透导电种子层，从而在电介质的整个表面上提供电荷。由于电介质的电阻高于导电节点，因此电流不会直接流经电介质。导电聚合物22是通过使单体在导电种子层的表面上进行原位电化学聚合而形成的。至少在活性阴极区21内形成导电聚合物22。导电聚合物形成后，在绝缘体14的边界内使阳极和导电聚合物之间的导电性中断，如沿着虚线24中断，使得两个导电层被电介质隔开，由此形成电容器。为了便于讨论，在本说明书中将阳极标记为16，并且阴极隔着电介质而与阳极相对。本领域的技术人员能够理解，这是为了方便起见，并且如果不使用阀金属，则阳极和阴极可进行物理互换或反向安装电容器，由此依照惯例而改变其术语，这并没有偏离本发明的范围。在该实施方案中，导电种子层同时起到导电种子层和导电桥的作用。图3的截面示意图示出了中断后（如通过激光烧蚀而中断）的图2的实施方案。
图4示出了本发明实施方案的横截面示意图。在图4中，阳极16连同位于其上的电介质18以10来表示。导电节点12与阳极16电接触。导电种子层20优选在整个电介质上形成导电膜，并且至少形成至绝缘体14。绝缘体可以起到屏障的作用，导电种子层在绝缘体处终止，或者可供选择的是，导电种子层可延伸至、甚至超过导电节点12，从而覆盖导电节点。导电桥26为涂层，导电桥26自导电种子层20和导电节点之间延伸，并在导电种子层20和导电节点之间形成电接触，从而形成自阳极起、通过导电节点并桥连至导电种子层的导电通路。通过导电节点和导电桥的导电通路的电阻低于通过电介质的导电通路。施加电压从而至少在活性阴极区21内形成导电聚合物22。如图5所示，形成导电聚合物后，将绝缘体的边界内的桥的导电性中断（例如，将28处的导电性中断），从而将阳极从导电聚合物中电分离出来。
图6示出了本发明的实施方案的横截面示意图。在图6中，阳极16连同位于其上的电介质18以10来表示。绝缘体14阻止了导电种子层20延至电介质上，由此使导电种子层在绝缘体处终止。导电节点12在阳极和导电种子层20之间形成电接触，由于通过电介质的通路具有更高的电阻，因此在阳极和导电种子层20之间形成的电接触建立了良好的导电通路。如图7所示，至少在活性阴极区21中形成导电聚合物层22，中断阳极和导电聚合物之间的导电性（如在直线30处中断导电性），从而形成的电容器，其中两个导电层被其间的电介质电隔离。
图8示出了本发明的一个实施方案的截面示意图。在图8中，在阳极16上具有电介质18。在电介质上形成有导电种子层20，导电种子层20优选在绝缘体14处终止。导电桥26在导电种子层20与处理载体50或外部电连接件（external electrical connection）52中的至少一者之间建立电连接。向处理载体或外部电连件接施加电压，由此至少在活性阴极区21内通过单体的原位电化学聚合而形成导电聚合物层22。在导电聚合物层的形成结束之后，优选在54处中断导电桥的导电性，从而形成电解电容器。
可通过任何适于阻止电流经过导电层或元件的方法来中断导电性。可通过（但不限于）移除、破坏、氧化、气化、摩耗、烧蚀、化学处理、热处理等来完成这种中断。中断电流的特别优选的方法为激光烧蚀，其中用激光处理导电材料，从而由此通过烧蚀或气化来除去经过处理的材料。另外，烧蚀的热量可能将导电聚合物或相当的部分局部氧化，从而使得聚合物中被氧化的部分变得不具有导电性。
导电桥为涂层材料，其形成电阻低于电介质的电阻的导电通路，该导电通路的电阻优选不高于104Ω，并且该导电通路通常（但不限于）贯穿于导电节点和导电种子层之间。导电种子层促进了在电介质上进行的电化学聚合并由此覆盖导电种子层，而不会与电介质发生不利的反应。导电桥由这样的材料组成：该材料具有现有阴极材料所通常具备的性能，其中该材料在低漏电性和保护性方面与电介质是兼容的，并且即使在产品运行过程中与电介质保持接触时，该材料仍然能表现出相同的性能。特别优选用于导电桥的材料为二氧化锰和导电聚合物。与形成于导电种子层上的导电聚合物相同的导电聚合物是优选的，这是因为制备简便且具有可靠的兼容性，但并不限于此导电聚合物。可通过原位聚合、或者通过施加聚合物浆料并随后进行干燥，从而形成导电聚合物桥。
导电节点是这样的区域：该区域形成了具有比通过电介质的电阻更低的电阻的通路。导电节点可以是流过电介质、半导体或导体的电流通路，最优选的是，导电节点具有导电性。导电节点的电阻优选不大于104Ω，甚至更优选不大于102Ω。优选的是，导电节点包含这样的材料或者涂覆有这样的材料：在电流流过导电节点的过程中，在水汽的存在下，该材料能够防止氧化物的形成。可列举贵金属、不锈钢和碳作为特别适于本发明的示例的材料。
绝缘体材料优选为选自环氧树脂、聚酰亚胺、聚酰胺、硅氧烷和有机硅的聚合物。绝缘体提供了两个功能。绝缘体的一个功能是作为屏障，其中单体或任何溶液的毛细作用被绝缘体阻挡在外。另一个功能是在导电中断和电介质之间起到缓冲作用。例如，当在绝缘体上发生断电时，绝缘体的一部分保持原样而没有造成损害，从而减轻了由激光对电介质的冲击而引起的任何可能的不利影响。
为了本发明的目的，直接电接触定义为两个组件之间发生物理接触时的电接触。间接电接触定义为两个组件之间通过导电粘合剂等导体而产生的电接触。
导电种子层优选地为由二氧化锰或导电聚合物等导电材料构成的薄层。导电种子层可以为这样的种子层：其将电荷分布在部分电介质上，由此促进原位电化学形成的导电聚合物的形成。二氧化锰可以以岛状的形式使用，其中随着导电聚合物的生长，这些岛通过导电聚合物而发生电连接。可供选择的是，二氧化锰可以覆盖整个下方表面。可使用导电聚合物的薄层，并且最优选使用与在导电种子层上形成的导电聚合物相同的导电聚合物。可通过用聚合物浆料进行浸渍涂布或通过原位聚合来形成用于导电种子层的导电聚合物的薄层。
阳极优选包含阀金属或阀金属的导电氧化物，可列举铝、钽、铌、钛、铪、锆、锌、钨、铋、锑、以及铌氧化物作为特别适于本发明示例的例子。特别优选铌、钽、铝和氧化铌作为阳极。
电介质优选为阳极的氧化物，但并不限于此。在阳极（特别是阀金属阳极）上形成电解质在本领域具有广泛文献记载并且是本领域众所周知的，本发明未被许可做进一步详述。活性阴极区是电容元件的区域，其将被由原位电化学聚合而成的聚合物涂覆。在所包括的实施方案中，活性阴极区通常覆盖有导电种子层以促进原位电化学聚合而成的聚合物的均匀生长，不过活性阴极区并不局限于导电种子层范围内，因为导电种子层可延伸超出活性阴极区、或者导电种子层的覆盖范围小于活性阴极区的覆盖范围。活性阴极区还优选与阳极电介质的表面接触。
阴极层为导电层，其优选地包含导电聚合物，例如聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯或者它们的衍生物、二氧化锰、氧化铅、或者它们的组合。固有导电聚合物是最优选的。
特别优选的导电聚合物在式I中示例：
式1
选择式I的R1和R2以抑制环的β-位聚合。最优选的是，只允许进行α-位聚合。因此优选的是，R1和R2不是氢。更优选的是，R1和R2为α-导向基团（α-director）。因此，醚键优于烷基键。最优选的是，所述基团小，从而避免空间位阻。由于此原因，最优选的是R1和R2合起来为-O-(CH2)2-O-。在式I中，X为S或N，最优选的是X为S。
R1和R2独立地表示直链或支链C1-C16烷基，或者C2-C18烷氧基烷基；或者为C3-C8环烷基、苯基、或者苯甲基，它们未被取代或者被C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、卤素、或者OR3取代；或者R1和R2合起来为直链C1-C6亚烷基，其未被取代或者被C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、卤素、C3-C8环烷基、苯基、苯甲基、C1-C4烷基苯基、C1-C4烷氧基苯基、卤代苯基、C1-C4烷基苯甲基、C1-C4烷氧基苯甲基或者卤代苯甲基、包含两个氧元素的5元或者6元或者7元杂环结构取代。R3优选表示氢、直链或支链C1-C16烷基或C2-C18烷氧基烷基；或者为C3-C8环烷基、苯基、或者苯甲基，它们未被取代或者被C1-C6烷基取代。
导电聚合物优选选自聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩、以及包含由式I表示的重复单元的聚合物，特别是它们与有机磺酸酯（盐）的组合。特别优选的聚合物为3,4-聚亚乙基二氧噻吩（PEDT）。
优选通过以下方式来获得二氧化锰层：将阳极元件浸入水性硝酸锰溶液。之后在200℃至350℃的温度下，在干燥或蒸汽气氛中使该硝酸盐热分解，从而形成二氧化锰。可以多次处理阳极以确保达到最佳覆盖率。
如本领域通常所采用的那样，可以在聚合过程中将多种掺杂剂混入聚合物。掺杂剂可以衍生自多种酸或盐，包括芳香磺酸、芳香聚磺酸、具有羟基基团的有机磺酸、具有羧基羟基基团的有机磺酸、脂环磺酸、和苯醌磺酸、苯二磺酸、磺基水杨酸、磺基间苯二甲酸、樟脑磺酸、苯醌磺酸、十二烷基苯磺酸、甲苯磺酸。如在美国专利No.6,381,121中列举的那样，其他合适的掺杂剂包括磺基醌、蒽单磺酸、取代萘单磺酸、取代苯磺酸、或者杂环磺酸，该专利以引用的方式并入本文。
如有需要，还可以将粘结剂和交联剂混入导电聚合物层。合适的材料包括聚(醋酸乙烯酯)、聚碳酸酯、聚(丁酸乙烯酯)、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚(氯乙烯)、聚丁二烯、聚异戊二烯、聚醚、聚酯、硅酮、以及吡咯/丙烯酸酯共聚物、醋酸乙烯酯/丙烯酸酯共聚物、和乙烯/醋酸乙烯酯共聚物。
优选的是，聚合物中包含掺杂剂。可单独涂布掺杂剂，或者使掺杂剂包含在单体溶液中。特别优选的掺杂剂为聚苯乙烯磺酸（PSS）的钠盐。
为了加强对外部接线端（例如引线框）的连接，可在导电聚合物层上施加粘合层。粘合层通常包括含碳层和含金属层，例如含银或镍的层。最外层优选为可焊接层，例如沉积（如通过气相沉积）的镍层或银层。
已经着重结合具体的所述实施方案描述了本发明，但本发明并不限于此。本领域的技术人员将认识到，尽管没有逐一列举其他实施方案、改变和改进，但它们也包含在随附的权利要求书的界限和范围内。
Claims (66)
1.一种形成电容器的方法，包括：
提供阳极；
在所述阳极上形成电介质；
在外部电连接件和活性阴极区之间形成导电桥，其中所述活性阴极区位于所述电介质上；
向所述外部电连接件施加电压；
使单体进行电化学聚合，从而在所述活性阴极区上形成所述单体的导电聚合物；以及
中断位于所述外部电连接件和所述活性阴极区之间的所述导电桥。
2.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述活性阴极区至少部分被导电种子层覆盖。
3.权利要求2所述的形成电容器的方法，其中所述导电种子层包含选自二氧化锰和导电聚合物的材料。
4.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述导电桥包括导电种子层。
5.权利要求1所述的形成电容器的方法，还包括：
在所述电介质上形成绝缘体。
6.权利要求5所述的形成电容器的方法，其中所述导电桥延伸超出所述绝缘体。
7.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述导电桥与处理载体电连接。
8.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述的中断所述导电桥包括激光烧蚀。
9.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述导电桥包含选自二氧化锰和导电聚合物的材料。
10.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述的中断所述导电性包括中断所述导电桥的导电性。
11.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述阳极选自阀金属和阀金属的导电氧化物所构成的组。
12.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述阳极选自铝、钽、铌和氧化铌所构成的组。
13.一种形成电容器的方法，包括：
提供阳极，该阳极上具有电介质以及与该阳极电接触的导电节点；
在所述导电节点和活性阴极区之间形成导电通路，其中所述活性阴极区位于所述电介质上；
向所述阳极施加电压；
使单体进行电化学聚合，从而在所述活性阴极区上形成所述单体的导电聚合物；以及
中断位于所述导电节点和所述活性阴极区之间的所述导电通路。
14.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述导电通路为导电桥。
15.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述活性阴极区至少部分被导电种子层覆盖。
16.权利要求15所述的形成电容器的方法，其中所述导电种子层包含选自二氧化锰和导电聚合物的材料。
17.权利要求15所述的形成电容器的方法，其中所述导电桥包括所述导电种子层。
18.权利要求17所述的形成电容器的方法，其中所述导电桥为所述导电种子层。
19.权利要求13所述的形成电容器的方法，还包括：
在所述电介质上形成绝缘体。
20.权利要求19所述的形成电容器的方法，其中所述导电通路延伸超出所述绝缘体。
21.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述的中断所述导电通路包括激光烧蚀。
22.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述导电通路包含选自二氧化锰和导电聚合物的材料。
23.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述的中断所述导电性包括中断所述导电通路的导电性。
24.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述阳极选自阀金属和阀金属的导电氧化物所构成的组。
25.权利要求24所述的形成电容器的方法，其中所述阳极选自铝、钽、铌和NbO所构成的组。
26.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述导电节点为位于所述阳极和所述导电通路之间的电通路。
27.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述导电节点包含导电性的非阀金属材料。
28.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述导电节点包含选自贵金属、不锈钢和碳的材料。
29.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述节点选自半导体和导体。
30.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述节点的电阻不大于102ΩΜ。
31.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述的中断所述导电通路包括除去或氧化所述导电通路的至少一部分。
32.权利要求31所述的形成电容器的方法，其中所述除去或氧化是通过烧蚀来实现的。
33.权利要求32所述的形成电容器的方法，其中所述除去或氧化是通过激光烧蚀来实现的。
34.权利要求31所述的形成电容器的方法，其中所述除去或氧化是通过机械磨耗来实现的。
35.权利要求31所述的形成电容器的方法，其中所述除去或氧化是通过热分解来实现的。
36.一种电容器，包括：
阳极；
位于所述阳极上的电介质；
断开的导电桥，该导电桥介于外部电连接件和活性阴极区之间，其中所述活性阴极区位于所述电介质上；以及
位于所述活性阴极区上的电化学聚合物。
37.权利要求36所述的电容器，其中所述活性阴极区包括导电种子层。
38.权利要求37所述的电容器，其中所述导电种子层包含选自二氧化锰和导电聚合物的材料。
39.权利要求36所述的电容器，其中所述导电桥包括所述导电种子层。
40.权利要求39所述的电容器，其中所述导电桥为所述导电种子层。
41.权利要求36所述的电容器，还包括：
位于所述电介质上的绝缘体。
42.权利要求41所述的电容器，其中所述导电桥延伸超出所述绝缘体。
43.权利要求36所述的电容器，其中所述导电桥与处理载体电连接。
44.权利要求36所述的电容器，其中所述的中断所述导电桥包括激光烧蚀。
45.权利要求36所述的电容器，其中所述导电桥包含选自二氧化锰和导电聚合物的材料。
46.权利要求36所述的电容器，其中所述的中断所述导电性包括中断所述导电桥的导电性。
47.权利要求36所述的电容器，其中所述阳极选自阀金属和阀金属的导电氧化物所构成的组。
48.权利要求47所述的电容器，其中所述阳极选自铝、钽、铌和NbO所构成的组。
49.一种电容器，包括：
阳极；
位于所述阳极上的电介质；
与所述阳极电接触的导电节点；以及
断开的导电桥，其介于所述导电节点和活性阴极区之间，其中所述活性阴极区位于所述电介质上并且包含导电聚合物。
50.权利要求49所述的电容器，其中所述活性阴极区还包括导电种子层。
51.权利要求50所述的电容器，其中所述导电种子层包含选自二氧化锰和导电聚合物的材料。
52.权利要求49所述的电容器，其中所述导电桥包括导电种子层。
53.权利要求49所述的电容器，还包括：
位于所述电介质上的绝缘体。
54.权利要求53所述的电容器，其中所述导电桥在所述绝缘体处中断。
55.权利要求49所述的电容器，其中所述导电桥包含选自二氧化锰和导电聚合物的材料。
56.权利要求49所述的电容器，其中所述阳极包含选自阀金属和阀金属的导电氧化物所构成的组中的材料。
57.权利要求56所述的电容器，其中所述阳极选自铝、钽、铌和NbO所构成的组。
58.权利要求49所述的电容器，其中所述中断的导电桥是介于所述阳极和所述导电节点之间的中断的电通路。
59.权利要求49所述的电容器，其中所述中断的导电节点包含导电性的非阀金属材料。
60.权利要求49所述的电容器，其中所述导电节点包含选自贵金属、不锈钢和碳的材料。
61.一种形成电容器的方法，包括：
提供阳极，该阳极上具有电介质以及与该阳极电接触的导电节点；
在所述电介质上形成绝缘体；
在所述电介质上施加导电种子层；
在所述导电种子层和所述导电节点之间形成导电桥；
向所述阳极施加电压；
使单体进行电化学聚合，从而在所述导电种子层上形成单体的导电聚合物；以及
中断介于所述导电种子层和所述导电节点之间的导电性。
62.一种形成电容器的方法，包括：
提供处理载体；
将阳极连接至所述处理载体，其中所述阳极包括位于其上的电介质；
在所述电介质上施加导电层；
在所述导电层和所述处理载体之间形成导电桥；
向所述处理载体施加电压；
使单体进行电化学聚合，从而在所述导电层上形成所述单体的导电聚合物；以及
中断介于所述导电层和所述处理载体之间的导电性。
63.权利要求62所述的形成电容器的方法，其中所述导电性是通过导电桥的导电性。
64.一种形成电容器的方法，包括：
提供阳极，其中所述阳极包括位于其上的电介质；
在所述电介质上设置导电层；
形成与所述导电层电接触的导电桥；
在所述导电桥和外部电接点之间形成导电性；
向所述外部电接点施加电压；
使单体进行电化学聚合，从而在所述导电层上形成所述单体的导电聚合物；以及
中断介于所述导电层和所述外部电接点之间的导电性。
65.权利要求64所述的形成电容器的方法，其中所述导电层包括导电种子层。
66.权利要求64所述的形成电容器的方法，其中所述导电层包含导电聚合物。
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