CN103311153A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基板处理装置，使基板浸渍于处理液中来对基板进行处理，包括：处理槽，用于贮存处理液；升降机，能够支撑多张基板，在位于上述处理槽的上方的提起位置和位于上述处理槽的内部的处理位置之间进行升降；处理液供给单元，向上述处理槽供给处理液；滴下单元，向贮存于上述处理槽中的处理液的液面滴下表面活性剂；控制单元，在使上述处理液供给单元向上述处理槽供给处理液，通过上述升降机使基板位于处理位置来通过处理液对基板进行了处理之后，在使上述升降机向提起位置上升的过程中，从上述滴下单元滴下表面活性剂。
Description
技术领域
本发明涉及通过处理液对半导体晶片、液晶显示器用基板、等离子显示器用基板、有机EL（Electro Luminescence：电致发光）用基板、FED（FieldEmission Display：场致发射显示器）用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、太阳能电池用基板（下面仅称为基板）进行处理的基板处理装置以及基板处理方法，尤其涉及使基板浸渍于处理液中来对基板进行处理的技术。
背景技术
以往，作为这种装置，存在具有内槽、外槽、纯水供给管、添加剂供给管的装置。例如，参照日本特开平11-265867号公报。从纯水供给管向内槽供给纯水，并且从添加剂供给管向内槽供给表面活性剂。从内槽溢出的纯水被外槽回收。
在这样构成的基板处理装置中，在将添加有表面活性剂的纯水贮存于内槽中的状态下，使基板浸渍于纯水中，由此对基板进行清洗处理。在纯水中添加有表面活性剂，因此提高基板的易润性，能够减少从基板脱离的颗粒再次附着于基板的情况。
但是，在具有这样的结构的以往的例子的情况下，存在如下的问题。
即，以往的装置在处理液中添加表面活性剂来对基板进行处理，因此蓄积有表面活性剂而难以管理处理液的浓度。因此，存在基板的加工质量产生大的偏差的问题。
另外，从基板脱离的颗粒等虽然通过从内槽向外槽流动的液流被排出，但是并不是完全排出，而存在悬浮并滞留于液面上的颗粒。因此，还存在如下问题，即，在从内槽提起基板时，基板被液面中的颗粒汚染。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供尽管利用表面活性剂但是加工质量偏差小且能够防止因悬浮于处理液面的颗粒引起的汚染的基板处理装置以及基板处理方法。
本发明为了达到这样的目的，采用如下的结构。
本发明的基板处理装置，将基板浸渍于处理液中来对基板进行处理，包括：处理槽，用于贮存处理液；升降机，能够支撑多张基板，在位于上述处理槽的上方的提起位置和位于上述处理槽的内部的处理位置之间进行升降；处理液供给单元，向上述处理槽供给处理液；滴下单元，向贮存于上述处理槽中的处理液的液面滴下表面活性剂；控制单元，在使上述处理液供给单元向上述处理槽供给处理液，通过上述升降机使基板位于处理位置并通过处理液对基板进行了处理之后，在使上述升降机向提起位置上升的过程中，使上述滴下单元滴下表面活性剂。
根据本发明，控制单元使处理液供给单元向处理槽供给处理液，通过升降机使基板位于处理位置并通过处理液对基板进行处理。由此，从基板脱离的颗粒的大部分从处理槽排出，但是也存在悬浮于处理液面的颗粒。然后，控制单元在使升降机向提起位置上升的过程中，从滴下单元向处理液面滴下表面活性剂。由此，处理液面存在滴下表面活性剂而表面张力变小的区域和除此之外的保持表面张力大的区域，因此借助表面扩散作用，颗粒被拉动至表面张力大的区域并排出至处理槽的外部。然后，通过使升降机上升至提起位置，在颗粒大致被除去的处理液面提起基板，因此能够防止悬浮于处理液面的颗粒污染基板。另外，仅在提起基板之前滴下表面活性剂，因此表面活性剂不易对通过处理液进行的处理带来影响，能够使加工质量的偏差小。
另外，在本发明中，优选上述控制单元在使上述升降机从处理位置开始上升之后，在基板的上边缘从处理液面仅露出规定高度的时刻使上述升降机停止上升，并在上述升降机停止上升的状态下使上述滴下单元滴下表面活性剂。
基板的上边缘产生整流作用，因此能够将滴下的表面活性剂扩散的方向与规定的方向吻合。因此，能够通过表面扩散作用高效地排出颗粒。
另外，在本发明中，优选在滴下表面活性剂之后，上述控制单元使上述升降机下降来使从处理液面露出的基板的上边缘再次浸渍于处理液面之下，然后使上述升降机上升至提起位置。
颗粒、表面活性剂可能附着于基板的上边缘，因此通过使基板暂时下降到处理液面之下，能够除去颗粒、表面活性剂。此外，可以将使基板从液面之下上升和使基板下降到液面之下的动作反复进行多次。
另外，在本发明中，优选上述控制单元在使上述升降机上升以使基板的上边缘从处理液面露出之前，使上述滴下单元滴下表面活性剂。
在基板开始从处理液面露出之前滴下表面活性剂，因此在处理液面上产生表面扩散作用，从而能够排出悬浮于处理液面的颗粒。
另外，在本发明中，优选上述滴下单元具有：嘴主体，沿着被上述升降机支撑的多张基板的排列方向延伸，且位于基板在与排列方向垂直的方向上的中央部；排出口，位于上述嘴主体的下表面，向上述多张基板之间滴下表面活性剂。
从嘴主体的各排出口滴下表面活性剂，由此能够在各基板之间的位置向基板面的中央部滴下表面活性剂。因此，能够在各基板所处的区域均等地产生表面扩散作用。结果，能够从各基板的区域均等地排出颗粒。
另外，在本发明中，优选上述滴下单元具有嘴主体，该嘴主体的排出口位于贮存于上述处理槽中的处理液的整个液面的中央部。
向处理液的整个液面的中央部滴下表面活性剂，因此产生从中央部向处理液的排出方向呈同心圆状扩散的表面扩散作用，从而能够排出悬浮于处理液面的颗粒。
另外，在本发明中，优选还具有用于加热上述处理液的加热单元；上述滴下单元滴下沸点比通过上述加热单元加热过的处理液的温度低的表面活性剂。
借助通过加热单元加热过的处理液的温度，表面活性剂在产生了表面扩散作用之后在短时间内蒸发。因此，不会对处理液的浓度带来影响。
另外，在本发明中，优选上述滴下单元滴下的表面活性剂为直链型乙醇。
作为本发明的表面活性剂，为了不影响处理，优选表面活性剂不与处理液发生反应，为了不蓄积在处理液中，优选表面活性剂具有比处理液的温度稍低的沸点，优选表面活性剂的表面张力和处理液的表面张力之差大，以便有利于对颗粒作用的作用速度和直线传播性。为了满足上述条件，优选将除了氢原子之外的原子不分歧地连接的直链型乙醇作为表面活性剂。
另外，本发明的基板处理方法，将基板浸渍于处理液中来对基板进行处理，包括：处理过程，借助支撑有多张基板的升降机，将多张基板从位于贮存有处理液的处理槽的上方的提起位置移动至位于处理槽的内部的处理位置，从而使基板浸渍于处理液中；滴下过程，在使升降机从处理位置向提起位置上升的过程中，向贮存于处理槽中的处理液的液面滴下表面活性剂。
根据本发明，在处理过程中，使升降机移动至贮存有处理液的处理槽中的处理位置，并对基板进行处理。接着，在滴下过程中，在使升降机向提起位置上升的过程中，向处理液面滴下表面活性剂。由此，处理液面存在滴下表面活性剂而表面张力变小的区域和除此之外的保持表面张力大的区域，因此借助表面扩散作用，颗粒被拉动至表面张力大的区域中从而排出至处理槽的外部。然后，通过使升降机上升至提起位置，在颗粒大致被除去的处理液面提起基板，因此能够防止悬浮于处理液面的颗粒污染基板。另外，仅在提起基板之前滴下表面活性剂，因此表面活性剂不易对通过处理液进行的处理带来影响，能够使加工质量的偏差小。
为了说明发明，图示了优选的几种方式，但是并不限定于发明所图示的结构以及方法。
附图说明
图1是示出实施例的基板处理装置的概略结构的框图。
图2是滴下嘴的俯视图。
图3是示出基板处理装置的动作的时序图。
图4是示出处理前的状态的示意图。
图5是示出处理中的状态的示意图。
图6是示出向微小突出位置提起的提起状态的示意图。
图7是用于说明微小突出位置的图。
图8是示出滴下状态的示意图。
图9是用于说明表面扩散作用的示意图。
图10是示出提起状态的示意图。
图11是示出动作的变形例的时序图。
图12是示出滴下嘴的变形例的俯视图。
图13是示出使用变形例的滴下嘴的情况下的动作的时序图。
图14是用于说明表面扩散作用的图。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的一个实施例进行说明。
图1是示出实施例的基板处理装置的概略结构的框图，图2是滴下嘴的俯视图。
实施例的基板处理装置具有处理槽1。该处理槽1容置多张基板W，并且贮存有用于对上述基板进行处理的处理液。另外，处理槽1具有内槽3和外槽5。内槽3容置有沿着垂直纸面的方向排列的多张基板W。外槽5设置于内槽3的上边缘的外侧，用于回收从内槽3溢出的处理液。在内槽3的底部的两侧分别设置有喷出管7。一对喷出管7与循环配管9的一端侧相连通连接。循环配管9的另一端侧与外槽5的排出口相连通连接。
此外，上述的喷出管7相当于本发明中的“处理液供给单元”。
在循环配管9上从上游侧依次设置有控制阀11、循环泵13、直流式加热器15、过滤器17、流量控制阀19。控制阀11用于控制循环配管9中的处理液的流动。循环泵13用于压送循环配管9所贮存的处理液。直流式加热器15将在循环配管9中流动的处理液加热至规定的处理温度。过滤器17用于除去在循环配管9中流动的处理液所包含的颗粒等。流量控制阀19用于调整在循环配管9中流动的处理液的流量。
在外槽5的侧方设置有处理液供给嘴21。处理液供给嘴21的排出侧朝向外槽5的内部。处理液供给嘴21的供给侧与处理液供给源23相连通连接。在向处理槽1供给处理液时，向外槽5供给处理液，一边使处理液在循环配管9中流动，一边将处理液的温度调节至处理温度，由此将处理液供给至内槽3。从内槽3溢出的处理液被外槽5回收，然后再次在循环配管9中流动。作为处理液，例如可以举出磷酸（H3PO4）或SPM（硫酸和过氧化氢的混合液）。磷酸例如可以在160℃的处理温度下使用，SPM例如可以在100～150℃的处理温度下使用。
在内槽5的上边缘的上方设置有自动盖25。自动盖25使内槽5的上方与周围的环境气体分离。在内槽3的上边缘侧，自动盖25具有能够转动的水平方向的轴芯，自动盖25能够沿着图1中的左右方向开闭。
在内槽3的上方设置有升降机27。该升降机27具有：背板29，沿着内槽3的内壁延伸；支撑部31，从背板29的下部沿着水平方向延伸。支撑部31与基板W的下边缘相抵接，并将基板W支撑为立起姿势。升降机27能够在内槽3的上方的“提起位置”（在图1中用双点划线表示）和内槽3的内部的“处理位置”（在图1中用实线表示）之间进行升降。上述升降动作通过升降驱动部33来进行。
在外槽5的侧方设置有滴下嘴35。滴下嘴35具有嘴主体37和多个排出口39。如图2所示，嘴主体37呈筒状，在滴下位置，嘴主体37沿着基板W的排列方向延伸且嘴主体37的长轴面向基板W在与排列方向垂直的方向上的中央部。另外，各排出口39相分离地形成在嘴主体37的下表面，各排出口39的位置设定在滴下位置的基板W之间。
通过嘴驱动部41使滴下嘴35移动。上述移动动作在图1中用实线表示的“待机位置”和在图1中用双点划线表示的“滴下位置”之间进行。
从表面活性剂供给源43向滴下嘴35供给表面活性剂。这里所说的表面活性剂，优选具有比处理液的温度稍微低的沸点。而且，为了不影响处理，优选表面活性剂不与处理液发生反应，为了不在处理液中蓄积表面活性剂，优选表面活性剂具有比处理液的温度稍低的沸点，并且优选表面活性剂的表面张力与处理液的表面张力之差大，以便有利于对颗粒作用的作用速度和直线传播性。
在上述那样的处理液为磷酸（160℃）或SPM（150℃）的情况下，优选将如下的直链型乙醇（linear alcohol）作为表面活性剂。直链型乙醇是除了氢原子之外的原子不分歧地连接的物质。此外，在下面的标记中，在表面活性剂后面的括号内表示该表面活性剂的沸点。
苯乙烷（Ethyl benzene）（136.19℃）、辛烷（Octane）（125.67℃）、邻二甲苯（144.41℃）、间二甲苯（139.10℃）、对二甲苯（138.35℃）、二甘醇二甲醚（Diethylene glycol dimethy ether）（159.80℃）、环乙烷（Cyclohexane）（155.60℃）、二氯乙酸乙酯（Dichloroacetic acid ethyl）（156.50℃）、2，3-二甲基-2-丁醇（2，3-Dimethyl-2-butanol）（118.59℃），3，3-二甲基-2-丁醇（3，3-Dimethyl-2-butanol）（120.00℃），2，2-二甲基-1-丙醇（2，2-Dimethyl-1-propanol）（113.00℃），2，5-二甲基己烷（2，5-Dimethylhexane）（109.10℃）、甲苯（toluene）（110.63℃）、1-丁醇（1-butanol）（117.73℃）、1-己醇（1-hexanol）（157.08℃）、2-己醇（2-hexanol）（139.89℃）、3-己醇（3-hexanol）（135.42℃）、2-己糖（2-hexanone）（127.50℃），3-己糖（3-hexanone）（123.20℃）。
通过控制部45统一控制上述的控制阀11、循环泵13、直流式加热器15、流量控制阀19、处理液供给源23的供给动作、升降驱动部33、嘴驱动部41、表面活性剂供给源43的供给动作。控制部45内置有CPU或存储器，基于规定了处理步骤和处理条件的方法来操作各部。
此外，上述的滴下嘴35相当于本发明的“滴下单元”，控制部45相当于本发明的“控制单元”。
接着，参照图3至图4，对上述结构的基板处理装置进行的动作进行说明。此外，图3是示出基板处理装置的动作的时序图。另外，图4是示出处理前的状态的示意图，图5是示出处理中的状态的示意图，图6是示出向微小突出位置提起的提起状态的示意图，图7是用于说明微小突出位置的图，图8是示出滴下状态的示意图，图9是用于说明表面扩散作用的示意图，图10是示出提起状态的示意图。
在此，初始状态指如下的状态：多张基板W被升降机27支撑并位于提起位置，已被加热至处理温度的处理液充满处理槽1内并在循环配管9中循环。该状态如图4所示那样。
首先，在t1时刻，控制部45使升降机27从提起位置下降至处理位置。然后，在t2时刻，使自动盖25关闭。仅维持该状态规定时间，由此对基板W进行处理。该状态如图5所示那样。
此外，上述的处理相当于本发明的“处理过程”。
由此，例如，附着于基板W的颗粒从基板W脱离，随着处理液的流动排出至外槽5中。但是，并不是所有颗粒都被排出，存在因内槽3中的处理液的流动的滞流而滞留的颗粒。在图5中示出该状态。即，如图5所示，从喷出管7供给的处理液在内槽3的底面的中央部朝向上方流动，经过基板W的中央部从内槽3的上边缘排出。认为，其原因在于，在该处理液的流动中，从中央部朝向内槽3的上边缘流动的处理液面附近产生滞流。发明人等通过实验明确了在该区域发生滞留颗粒的情况。
在t10时刻经过了处理时间时，控制部45操作升降驱动部33，来使升降机27从处理位置上升至微小突出位置。而且，控制部45操作嘴驱动部41，来使处于待机位置的滴下嘴35移动至滴下位置。与此同时，控制部45停止循环泵13，来使处理液停止循环。该状态如图6所示那样。
此外，使上述的升降机27停止的过程相当于本发明的“使升降机停止上升的过程”。
这里所说的微小突出位置是图7所示的位置。即，从处理液的液面到突出的基板W的上边缘为止的高度为h的位置。该微小高度h例如为0.1～1mm左右。就微小高度h而言，只要产生后述的整流作用即可，可以根据基板W的直径、处理液的种类、表面活性剂的种类来适当地决定。
接着，控制部45在t11时刻使自动盖25打开。接着，在t12至t13时刻，控制部45使表面活性剂从滴下嘴35滴下。图8示出该状态。滴下量例如为1cc～500cc，只要根据内槽3的开口面积、处理液的种类、颗粒的滞留量来决定即可。
此外，上述的滴下过程相当于本发明的“滴下过程”以及“滴下的过程”。
表面活性剂滴下时的动作如图9所示那样。即，当向存在颗粒且表面张力大的处理液面滴下表面张力小的表面活性剂时，表面活性剂通过表面扩散作用使处理液面在短时间内向外槽5侧扩散。此时，颗粒朝向表面张力大的一方移动，因此颗粒排出至外槽5中。另外，由于基板W的上边缘位于微小突出位置h，因此各基板W产生整流作用，表面活性剂沿着基板W的面方向移动。因此，能够高效地排出颗粒。另外，由于滴下上述特性的表面活性剂，因此借助处理液的热，表面活性剂在产生了表面扩散作用之后在短时间内蒸发。因此，不给处理液的浓度带来影响。
接着，控制部45在t14时刻使滴下嘴35移动至待机位置，并且使循环泵13进行动作，来使循环配管9中的处理液再次循环。由此，排出至外槽5的颗粒被过滤器17除去。控制部45在t15时刻使升降机27上升至提起位置。由此结束对多张基板W的处理。该状态如图10所示那样。
如上所述，根据本实施例的装置，控制部45使处理液供给至内槽3，通过升降机27使基板W位于处理位置上，来通过处理液对基板W进行处理。由此，从基板W脱离的颗粒的大部分从内槽3排出，但是也存在悬浮于处理液面的颗粒。然后，控制部45在使升降机27向提起位置上升的过程中，从滴下嘴35向处理液面滴下表面活性剂。由此，借助表面活性剂的表面扩散作用，颗粒被拉动至表面张力大的区域中而排出至内槽3的外部。然后，通过使升降机27向提起位置上升，在颗粒大致被除去的处理液面提起基板W，因此能够防止悬浮于处理液面的颗粒污染基板W。另外，仅在提起基板W之前滴下表面活性剂，不易对通过处理液进行的处理带来影响，能够使加工质量的偏差小。
另外，滴下嘴35的各排出口39相分离地形成在嘴主体37的下表面，各排出口39的位置设定在滴下位置的基板W之间，因此能够在各基板W之间向基板W面的中央部滴下表面活性剂。因此，能够在各基板W所处的区域中均等地产生表面扩散作用。结果，能够从各基板W的区域均等地排出颗粒。
此外，本实施例的装置可以以如下的方式进行动作。在此，参照图11。此外，图11是示出动作的变形例的时序图。
上述的实施例的装置在使升降机27位于微小突出高度h的位置的状态下滴下表面活性剂，然后使升降机27上升至提起位置。但是，如图11的t15至t16时刻那样，可以使升降机27暂时从微小突出位置下降到处理位置之后上升至提起位置。此时已经排出存在于液面的颗粒，因此能够发挥与上述的动作同样的效果。另外，在微小突出位置滴下表面活性剂，因此表面活性剂的一部分可能附着于基板W的上边缘，或者突出时颗粒可能少量附着于基板W的上边缘。通过暂时从微小突出位置返回处理位置，能够除去上述附着物，能够更洁净地对基板W进行处理。
此外，可以使基本W在微小突出位置与处理位置之间移动多次而不是仅一次。由此，能够通过伴随升降移动产生的液流来进一步除去附着物。
另外，可以采用如下的滴下嘴来代替上述的滴下嘴35。在此，参照图12。此外，图12是示出滴下嘴的变形例的俯视图。
该滴下嘴35A沿着基板的排列方向延伸且在基板在与排列方向垂直的方向上的中央部延伸，且具有：筒状的嘴主体37A，延伸至在基板W的排列方向上的中央部；排出口39A，形成于既是在基板W的排列方向上的中央部又是嘴主体37A的下表面的位置。
在具有这样的滴下嘴35A的基板处理装置中，优选进行如下的处理。在此，参照图13以及图14。此外，图13是示出使用变形例的滴下嘴的情况下的动作的时序图。另外，图14是用于说明表面扩散作用的图。
控制部45在t15时刻使升降机27从处理位置上升至提起位置，但是在之前的t12至t13时刻，从滴下嘴35A滴下表面活性剂。则，在多张基板W处于处理液面之下的状态下，表面活性剂滴至内槽3的中央部附近。
于是，如图14所示，表面活性剂产生从内槽3的中央部向处理液的排出方向呈同心圆形状地扩散的表面扩散作用，从而能够排出悬浮于处理液面的颗粒。因此，能够发挥与上述实施例的装置同样的效果。
本发明并不限定于上述的实施方式，而能够变形为下述那样的实施方式。
（1）在上述的实施例中，在使基板W从处理位置向提起位置上升的过程中，向处理液面滴下表面活性剂，但是也可以在处理液中混合特性与从滴下嘴35、35A滴下的表面活性剂不同的其它的表面活性剂。具体地，在即将将基板W移动至处理位置之前，向外槽5滴下表面活性剂（第一表面活性剂），在提起时滴下上述的表面活性剂（第二表面活性剂）。这样，在对处理液中的基板W进行处理时，通过第一表面活性剂能够使颗粒顺利地进行脱离并防止颗粒再次附着，还能够防止提起时颗粒附着的情况。
（2）在上述的实施例中，滴下嘴35、35A在内槽3的侧方的待机位置和内槽3的上方的滴下位置之间进行移动。本发明并不限定于这样的结构，例如可以采用能够向上述的位置滴下表面活性剂的固定的滴下嘴。
（3）在上述的实施例中，采用对呈圆状的基板W进行处理的情况作为例子进行了说明，但是本发明也能够适用于对其它形状的基板W进行处理的情况。
（4）在上述的实施例中，处理槽1由内槽3和外槽5构成，但是处理槽1可以仅是内槽3。
（5）在上述的实施例中，示出了一边通过循环配管9使处理液进行循环一边进行处理的情况，但是本发明也能够适用于如下情况：不具有循环配管9，从内槽3溢出的处理液经过外槽5排出，或者从内槽3溢出的处理液直接排出。
本发明在不脱离其思想或者本质的范围内，能够以其它具体的形式实施，因此，本发明的范围应该参照权利要求书，而不是以上的说明。
Claims (20)
1.一种基板处理装置，将基板浸渍于处理液中来对基板进行处理，其特征在于，
包括：
处理槽，用于贮存处理液；
升降机，能够支撑多张基板，在位于上述处理槽的上方的提起位置和位于上述处理槽的内部的处理位置之间进行升降；
处理液供给单元，向上述处理槽供给处理液；
滴下单元，向贮存于上述处理槽中的处理液的液面滴下表面活性剂；
控制单元，在使上述处理液供给单元向上述处理槽供给处理液，通过上述升降机使基板位于处理位置并通过处理液对基板进行了处理之后，在使上述升降机向提起位置上升的过程中，使上述滴下单元滴下表面活性剂。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述控制单元在使上述升降机从处理位置开始上升之后，在基板的上边缘从处理液面仅露出规定高度的时刻使上述升降机停止上升，并在上述升降机停止上升的状态下使上述滴下单元滴下表面活性剂。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，在滴下表面活性剂之后，上述控制单元使上述升降机下降来使从处理液面露出的基板的上边缘再次浸渍于处理液面之下，然后使上述升降机上升至提起位置。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述控制单元在使上述升降机上升以使基板的上边缘从处理液面露出之前，使上述滴下单元滴下表面活性剂。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述滴下单元具有：嘴主体，沿着被上述升降机支撑的多张基板的排列方向延伸且位于基板在与排列方向垂直的方向上的中央部；排出口，位于上述嘴主体的下表面，用于向上述多张基板之间滴下表面活性剂。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述滴下单元具有嘴主体，该嘴主体的排出口位于贮存于上述处理槽中的处理液的整个液面的中央部。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具有用于加热上述处理液的加热单元，
上述滴下单元滴下沸点比通过上述加热单元加热过的处理液的温度低的表面活性剂。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具有用于加热上述处理液的加热单元，
上述滴下单元滴下具有沸点比通过上述加热单元加热过的处理液的温度低的表面活性剂。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述滴下单元滴下的表面活性剂为直链型乙醇。
10.一种基板处理方法，将基板浸渍于处理液中来对基板进行处理，其特征在于，
包括：
处理过程，借助支撑有多张基板的升降机，将多张基板从位于贮存有处理液的处理槽的上方的提起位置移动至位于处理槽的内部的处理位置，从而使基板浸渍于处理液中；
滴下过程，在使升降机从处理位置向提起位置上升的过程中，向贮存于处理槽中的处理液的液面滴下表面活性剂。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，上述滴下过程包括：在借助升降机来上升的基板的上边缘从处理液面仅露出规定高度的时刻使升降机停止上升的过程；在升降机停止上升的状态下滴下表面活性剂的过程。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，在进行了上述滴下表面活性剂的过程之后，执行上升过程，在该上升过程中，使升降机下降，来使从处理液面露出的基板的上边缘再次浸渍于处理液面之下，然后使升降机上升至提起位置。
13.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，在使升降机上升以使基板的上边缘从处理液面露出之前，执行上述滴下过程。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在上述滴下过程中，向既是基板在与多张基板的排列方向垂直的方向上的中央部又是各基板之间的位置滴下表面活性剂。
15.根据权利要求10至13中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在上述滴下过程中，向贮存于处理槽中的处理液的整个液面的中央部滴下表面活性剂。
16.根据权利要求10至13中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法在上述处理过程之前还具有加热处理液的加热过程，
上述表面活性剂的沸点比处理液的温度低。
17.根据权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法在上述处理过程之前还具有加热处理液的加热过程，
上述表面活性剂的沸点比处理液的温度低。
18.根据权利要求15所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法在上述处理过程之前还具有加热处理液的加热过程，
上述表面活性剂的沸点比处理液的温度低。
19.根据权利要求16所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法在上述处理过程之前还具有加热处理液的加热过程，
上述表面活性剂的沸点比处理液的温度低。
20.根据权利要求10至13中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，上述表面活性剂为直链型乙醇。
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Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD. TO: SCREEN GROUP CO., LTD. |
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| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130918 |